一种高功率双频双极化瓦式有源相控阵天线的制作方法

技术特征：
1.一种高功率双频双极化瓦式有源相控阵天线，包括逐层设置的波控电路层（5）、馈电网络层（4）、第一射频层（3）、第二射频层（2）和阵列天线层（1）；其特征在于，所述波控电路层（5）被配置为：向后层传递第一频率极化1信号、第一频率极化2信号、第二频率信号，以及电源与控制信号，第一频率较第二频率的频率低；所述馈电网络层（4）被配置为：接入所述第一频率极化1信号、第一频率极化2信号，分别利用馈电网络扩展通道向后层传递；接入所述第二频率信号向后层传递；所述第一射频层（3）和所述第二射频层（2）整体被配置为：接入所述第一频率极化1信号、第一频率极化2信号、第二频率信号，经射频芯片组进行射频处理，其中，所述第二频率信号接入所述第二射频层（2）；所述射频芯片组输出端连接所述阵列天线层（1）；所述射频芯片组与第一散热结构接触，所述第一散热结构位于所述射频芯片组远离所述阵列天线层（1）一侧；所述第一射频层（3）和所述第二射频层（2）分别直接或间接连接所述波控电路层（5）以接入电源与控制信号。2.如权利要求1所述的高功率双频双极化瓦式有源相控阵天线，其特征在于，所述射频芯片组包括设置于所述第一射频层（3）上的第一射频芯片组，和设置于所述第二射频层（2）上的第二射频芯片组；所述第一散热结构包括两个第二散热结构，两个所述第二散热结构分别位于所述馈电网络层（4）和所述第一射频层（3）上；所述第一射频层（3）被配置为：接入所述馈电网络层（4）所输出信号中，第一频率极化1信号和第一频率极化2信号的至少一个通道输出信号，分别传递给所述第一射频芯片组，所述第一射频芯片组的输出端连接所述阵列天线层（1）；所述第一射频芯片组与所述馈电网络层（4）上的第二散热结构接触；所述第二射频层（2）被配置为：接入第一频率极化1信号和第一频率极化2信号的所有通道输出信号中，除接入第一射频层（3）外的其他通道输出信号，以及所述第二频率信号，分别经功分网络传递给第二射频芯片组，第二射频芯片组输出端连接所述阵列天线层（1）；所述第二射频芯片组与所述第一射频层（3）上的第二散热结构接触。3.如权利要求2所述的高功率双频双极化瓦式有源相控阵天线，其特征在于，所述馈电网络层（4）上设置有第一频率极化1馈电网络、第一频率极化2馈电网络和第二频率馈电网络；所述第一频率极化1馈电网络接入所述第一频率极化1信号进行通道扩展，所述第一频率极化2馈电网络接入所述第一频率极化2信号进行通道扩展，所述第二频率馈电网络接入所述第二频率信号进行信号传递。4.如权利要求2所述的高功率双频双极化瓦式有源相控阵天线，其特征在于，所述馈电网络层（4）和/或第一射频层（3）和/或所述第二射频层（2）上设置有对接入的至少一路信号进行功分的网络。5.如权利要求3或4所述的高功率双频双极化瓦式有源相控阵天线，其特征在于，所述第一射频层（3）接入所述第一频率极化1信号的至少一个但非全部通道输出信号和所述第一频率极化2信号的全部通道输出信号；或者，所述第一射频层（3）接入所述第一频率极化1信号的全部通道输出信号和所述第一频率极化2信号的至少一个但非全部通道输出信号。6.如权利要求5所述的高功率双频双极化瓦式有源相控阵天线，其特征在于，所述第二射频层（2）包括第一频率功分网络和第二频率功分网络；接入所述第二射频层（2）的第一频
率信号接入所述第一频率功分网络的公共端，第一频率功分网络各输出端分别连接有被配置为对第一频率信号进行射频处理的第一射频结构；第二频率信号接入第二频率功分网络的公共端，第二频率功分网络各输出端分别连接有被配置为对第二频率信号进行射频处理的第二射频结构。7.如权利要求1或2所述的高功率双频双极化瓦式有源相控阵天线，其特征在于，所述第一射频层（3）通过低频供电排针（32）从所述波控电路层（5）获取电源与控制信号；所述低频供电排针（32）穿过所述馈电网络层（4）；或者，所述低频供电排针（32）经所述馈电网络层（4）上的过渡结构连接所述波控电路层（5）获取电源与控制信号。8.如权利要求1或2所述的高功率双频双极化瓦式有源相控阵天线，其特征在于，所述第一频率极化1信号与所述第一频率极化2信号接入所述阵列天线层（1）的通道数相同，接入所述阵列天线层（1）的第一频率极化1信号与第一频率极化2信号的通道两两共用一个天线辐射单元。9.如权利要求1或2所述的高功率双频双极化瓦式有源相控阵天线，其特征在于，所述射频芯片组采用封装后fc倒装表贴，导热方向为远离所述阵列天线层（1）的方向。

技术总结
本发明公开了一种高功率双频双极化瓦式有源相控阵天线。波控电路层接入双频信号及电源与控制信号，向后层传递；馈电网络层对低频率射频信号进行通道扩展，以及传递高频率射频信号；第一射频层、第二射频层相互配合，对各射频信号进行射频处理，将处理后的各通道信号传递给阵列天线层，其中，高频率射频信号接入第二射频层。第一射频信号的两路极化信号的各通道输出，两两共用一个天线辐射单元。本设计的有源相控阵天线实现了双频双极化的瓦片式设计，具有高功率、小型化、高集成度的特点。高集成度的特点。高集成度的特点。


技术研发人员：周沛翰 丁卓富 邓金峰 阴明勇 唐耀宗
受保护的技术使用者：成都雷电微力科技股份有限公司
技术研发日：2021.11.02
技术公布日：2021/11/30