半导体封装方法及半导体封装结构与流程

技术特征：
1.一种半导体封装方法，其特征在于，其包括：在待封装的裸片正面形成保护层，将被动元件通过所述保护层层叠固定于所述待封装的裸片的正面，形成层叠组件；其中，所述被动元件远离所述裸片一侧的表面被所述保护层所包覆；将所述层叠组件贴设于载板上，所述待封装的裸片的正面朝向所述载板；形成包封层，所述包封层至少包封所述待封装的裸片。2.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述在待封装的裸片正面形成保护层，将被动元件通过所述保护层层叠固定于所述待封装的裸片的正面，形成层叠组件包括：在待封装的裸片的正面施加所述保护层；初步加热所述保护层使得所述保护层粘度减小，将所述被动元件通过所述保护层施加到所述待封装的裸片正面的预定位置；继续加热所述保护层，所述保护层受热固化，所述被动元件随着所述保护层固化到所述待封装的裸片的正面。3.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在待封装的裸片正面形成保护层之前，所述方法包括：通过研磨所述待封装的裸片的背面，对所述待封装的裸片进行减薄。4.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，形成包封层之后，所述方法包括：剥离所述载板。5.如权利要求4所述的半导体封装方法，其特征在于，在剥离所述载板之后，所述方法包括：在所述保护层远离所述裸片的表面形成布线结构；所述布线结构与所述被动元件的电性连接键电连接、以及与所述裸片正面的焊垫电连接。6.如权利要求5所述的半导体封装方法，其特征在于，在剥离所述载板之后，形成所述布线结构之前，所述方法包括：在所述保护层上形成第一保护层开口和第二保护层开口；所述第一保护层开口位于所述被动元件上的电性连接键处，所述第二保护层开口位于所述裸片的焊垫处；在所述第一保护层开口内填充第一导电介质，形成第一电连接部，以及在所述第二保护层开口内填充第二导电介质，形成第二电连接部；所述布线结构通过所述第一电连接部与所述被动元件的电性连接键电连接，以及通过所述第二电连接部与所述待封装的裸片正面的焊垫电连接。7.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在形成层叠组件之后，将所述层叠组件贴设于载板上之前，所述方法包括：在所述保护层上分别形成第一保护层开口和第二保护层开口；其中，所述第一保护层开口与所述被动元件的电性连接键相对应，所述第二保护层开口与所述待封装的裸片正面的焊垫相对应。8.如权利要求7所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述保护层上分别形成第一保护层开口和第二保护层开口之后，所述方法包括：在所述第一保护层开口内填充第一导电介质，形成能够与所述被动元件的电性连接键
电连接的第一电连接部，以及在所述第二保护层开口内填充第二导电介质，形成能够与所述待封装的裸片正面的焊垫电连接的第二电连接部。9.如权利要求8所述的半导体封装方法，其特征在于，在形成所述包封层之后，所述半导体封装方法包括：剥离所述载板；在所述保护层远离所述裸片的表面形成布线结构，所述布线结构通过所述第一电连接部与所述被动元件的电性连接键电连接、通过所述第二电连接部与所述裸片正面的焊垫电连接。10.如权利要求5或权利要求9所述的半导体封装方法，其特征在于，所述布线结构包括布线层及设于布线层远离所述裸片一侧的表面上的第三电连接部，在所述保护层远离所述裸片的表面形成布线结构之后，所述方法包括：在所述布线结构上形成介电层，所述介电层能够包覆露出的所述布线层、部分所述第三电连接部以及露出的保护层，且所述第三电连接部远离所述布线层的表面露出所述介电层。11.一种半导体封装结构，其特征在于，其包括：包封层，设有多个内凹的腔体；层叠设置的裸片和被动元件，所述裸片和所述被动元件均位于所述腔体内，且所述裸片的背面朝向所述腔体的底部，所述被动元件设于所述裸片的正面；保护层，包覆所述被动元件露出的部分及所述裸片正面露出的部分，且所述保护层上形成有第一保护层开口和第二保护层开口，所述第一保护层开口位于所述被动元件上的电性连接键处，所述第二保护层开口位于所述裸片的焊垫处；布线结构，位于所述保护层远离所述裸片一侧的表面，用于将所述裸片正面的焊垫和所述被动元件的电性连接键引出。

技术总结
本申请提供一种半导体封装方法及半导体封装结构。其中，半导体封装方法包括在待封装的裸片正面形成保护层，将被动元件通过所述保护层层叠固定于所述待封装的裸片的正面，形成层叠组件；其中，所述被动元件远离所述裸片一侧的表面被所述保护层所包覆；将所述层叠组件贴设于载板上，所述待封装的裸片的正面朝向所述载板；形成包封层，所述包封层至少包封所述待封装的裸片。待封装的裸片。待封装的裸片。


技术研发人员：周辉星
受保护的技术使用者：矽磐微电子（重庆）有限公司
技术研发日：2020.03.27
技术公布日：2021/11/29