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一种用激光分别加工电镀孔、线路掩膜,蚀刻制电路板方法与流程

2021-11-30 12:35:00 来源:中国专利 TAG:
一种用激光分别加工电镀孔、线路掩膜,蚀刻制电路板方法与流程
本发明涉及一种用激光分别加工电镀孔、线路掩膜,蚀刻制电路板方法,用激光分步地直接去除掩膜材料制只电镀孔壁的图案,以及此后同时电镀孔壁和线路的图案,有区别地电镀孔壁和线路,然后,蚀刻制造导电图案,属于电路板制作
技术领域

背景技术
本发明涉及一种用激光直接去除材料技术制造电路板的方法,有区别地电镀孔壁和线路,不经图形转移过程,蚀刻制造导电图案。其制造流程是:在完成钻孔的双面、多层电路板的在制产品上沉积起始导电层,化学镀或电镀薄铜→贴抗电镀掩蔽膜→制电镀孔壁的图案,激光去除孔区域上的抗电镀掩蔽膜层,为药液进孔开窗→电镀,在孔壁上沉积铜加厚孔壁→激光去除焊盘、线路区域上的抗电镀掩蔽膜层,在孔电镀窗口上增加焊盘、线路电镀窗口→电镀,同时在焊盘、线路上及孔壁上沉积铜以及抗蚀金属→激光去除非线路区域的抗电镀掩蔽膜→蚀刻去除非线路区域的铜箔,制出导电图案→激光去除孔壁、焊盘、线路上的抗蚀金属层→全板涂覆并一次性固化阻焊材料→在组装现场用激光去除焊接区导电体上的有机材料,制造阻焊图案,并对焊接区表面进行清洁及可焊性处理→向连接盘上添加焊料,进行元件贴装、插装,进行重熔焊接及或波峰焊接。本发明可用于替代各种减成法制孔金属印制电路板技术,起始原料为覆导电金属箔材料,包括各种刚性覆铜板、挠性覆铜板,或刚挠结合板。本发明利用激光加工技术,利用同一掩膜,分别制只电镀孔壁的图案,以及孔壁、焊盘和线路同时被电镀的图案,能够分别控制孔壁铜厚和线路铜厚,能更好地满足对电子产品对电路板的电气要求,适合电路板小批量、多品种生产,也适合电路板批量制造。当今世界,电子产品无所不在。其中,最重要的部件之一就是电路板,它是各个元器件的间的电气连接通道,决定着各自的电气参数和电气逻辑关系;同时,它又是各个元器件的安装和固定载体,是产品的骨架。空间上,可以把电路板上的电气连接分成两组:水平方向上的连接,即通常称之为导电图案的部分,处于各层平面之上,用于实现X、Y方向上的连接;垂直方向上的连接,由金属化孔实现,Z向上穿过绝缘层和导电层,用于实现导电图案层层间的电气互连。传统的电路板制造技术,制造水平方向上的导电图案,以减成法为主,即:去掉覆铜箔板上多余的铜箔,用留下的铜箔作为导电图形,作为包括导线、焊盘等有电气连接功能的部分;制造垂直方向上的层层间的电气互连,以加成法为主,即:向孔内的孔壁上添加导电材料,用导电的孔壁穿过水平方向的金属层实现电气互连。作为电气连接链路上的重要环节,在电路板上应该能够分别控制X、Y方向上导电图形和Z方向上孔壁导电层的厚度,使整个电气通道达到产品的电气要求,特别是要能独立控制孔壁上的导电层厚度,不让其成为连接链路上的薄弱环节。但是,通用的电路板技术中,孔壁铜厚控制与线路铜厚控制相互干涉,不得不在两者之间进行取舍,这是影响电路板电气性能和可靠性的重要难题。孔金属化,一般采用化学方法,先用化学镀,或其它手段在绝缘的孔壁上沉积薄导电材料层,在此起始导电层上,再用电镀方法镀覆导电金属到需要的厚度,使穿过金属层的孔具备可靠的层层间电气互连指标。基于不同的孔金属化技术,衍生出了不同的工艺路线,包括掩孔法,图形电镀蚀刻法等。两种工艺路线各有优缺点,其技术方案和关键技术简述如下:电镀蚀刻法,通称反镀法,是制作印制板的经典工艺方法。开料后的制程从钻孔、孔金属化开始,用化学镀或直接电镀方法在孔壁上形成起始导电层,用电镀方法继续在孔壁和板面上沉积金属铜至一定厚度后,进行图形转移,通过贴光敏膜、曝光、显影,把非线路部分的铜箔先用一层有机材料薄层,称为抗镀剂,掩蔽起来,而把线路部分,包括导线、焊盘、孔壁等表面裸露出来。这样,需要去除部分的金属铜表面被掩蔽,在电镀过程中不与药液接触,不再继续沉积金属;需要保留的部分,包括导线、焊盘、孔壁表面暴露在外,在电镀时与药液接触,或先继续电镀铜,或直接电镀耐蚀刻金属,比如锡、锡铅合金、镍和金等。随后,去除有机材料掩蔽层,把非线路部分的铜箔裸露出来,使之在蚀刻过程中与蚀刻剂反应,被氧化后溶入药液从板面上消失,而导线、焊盘、孔壁等线路部分的表面有金属抗蚀剂遮蔽,不与蚀刻剂接触,被保留在板材上,形成需要的导电图形。最后,要在电路板的非焊接区制造阻焊图案,在焊接区域上涂覆可焊性材料。反镀工艺,是制作电路板的经典方法,成熟稳定但工序步骤多、操作复杂,优点是能对线路部分和非线路部分区别进行电镀处理。其中,孔金属化形成起始导电层后,用电镀方法一次性往孔壁上沉积铜直到要求的最终厚度,同时,也在板面上其余部分增加铜导电层厚度的方法称为全板电镀蚀刻法;而在孔金属化后,在孔壁和板面上先电镀一薄层铜,铜厚控制到刚刚能耐受后续工序即止,在图形转移后,再进行电镀铜至要求的最终厚度,即仅使导电图案部分镀较厚的铜,非导电图案部分镀较薄的铜方法称为图形电镀蚀刻法。掩孔法,是另外一种常用制电路板工艺路线。开料后的制程从钻孔、孔金属化开始,用化学镀或直接电镀方法在孔壁上形成起始导电层,用电镀方法继续在孔壁和板面上沉积金属铜至最终需要的厚度。然后,进行图形转移,通过贴光敏膜、曝光、显影,用一层有机材料薄层,称为抗蚀剂,把线路部分,包括导线、焊盘、孔掩蔽起来,把非线路部分的铜箔裸露出来。在接下来的蚀刻过程中,铜箔表面裸露的非线路部分接触蚀刻剂,发生氧化反应,溶入药液从板面上消失,而导线、焊盘、孔壁等线路部分的表面有抗蚀剂遮蔽,不与蚀刻剂接触,被保留在板材上,形成需要的导电图形。与反镀法一样,最后也要在电路板的非焊接区制造阻焊图案,在焊接区域上涂覆可焊性材料。掩孔工艺,特点是全板电镀加厚铜,相对简单,但在制作导电图形时,因为需要蚀刻较厚的铜箔,更加不利于精细电路结构生产。在上述工艺路线中,通过孔金属化制造Z向连接的过程可以分成两个阶段:在绝缘的孔壁上制作初始导电层阶段和对孔壁上的导电层电镀加厚阶段。制作初始导电层技术可分为化学镀铜和直接电镀两种方法。化学镀铜利用一种自身催化性氧化还原反应,在孔壁上把化学镀铜溶液中的铜(Cu )离子还原成Cu,而这些被还原的金属铜晶核本身又成为溶液中其它铜离子的催化剂,使铜的还原反应继续在这些新的铜晶核表面上进行,最终在绝缘的孔壁上形成薄薄的一层金属铜层。直接电镀技术是一种直接在孔壁上涂覆导电的碳、钯或高分子,形成连续的薄层。无论是技术实现上,还是电气性能上,起始导电层都很薄,不足以满足电子产品对于Z向链路段导电性能和机械性能的要求,还需要通过电镀在孔壁上继续添加性能较好的金属铜,如前所述,依照电镀铜加厚的范围不同,有全板电镀和图形电镀两种技术路线。对比X、Y平面与Z向导电层,可以看到,无论是全板电镀还是图形电镀都没有真正解决电路板连接链路Z向导电层厚度与X、Y向导电层厚度一致的问题,在电镀加厚起始导电层过程中,还会扩大构成Z向链路的孔壁导电层与构成X、Y链路的板面导电层的厚度差。因为,在X、Y平面上,导电层基于基板上固有的导电铜箔,上述的电镀铜加厚孔壁导电层技术,还在板面固有铜箔基础上,与孔壁同步增加导电层厚度,而且,由于电力线分步的因素,还由于电镀过程的深度能力和均镀能力限制,板面沉积层的厚度会大于孔壁沉积层。然而,当前和未来的电子产品,对于电路板电气连接性能的要求不断增加,特别是对于改善Z向链路的性能的要求越来越高,因此,有必要开发一种能选择性电镀加厚孔、选择性电镀加厚线路技术。申请号为CN201410190917.2的发明人公布了一种电路板选择性电镀导电孔的方法,适合于高分子导电膜法直接电镀孔金属化工艺。其技术方案为,用抗电镀的,抗高分子导电膜沉积的,并且可以剥离的材料,即可剥胶和涂覆有硅橡胶粘接剂的聚酯薄膜,掩蔽住板面所有区域,钻孔后露出孔壁表面。因为这些材料具有抗沉积高分子导电膜需要的前处理且抗高分子导电膜沉积的性质,在后续的高分子导电膜直接电镀流程中,会只在孔壁上添加高分子导电膜,电镀时,电镀电源借助板面铜箔作为导电链接通道,向孔壁提供电流,实现只往孔壁上沉积铜的电镀加工。问题是,高分子导电膜法直接电镀的孔金属化工艺,需要用高锰酸根浓度为100g/L及以上溶液在温度为摄氏90度条件下处理70秒钟,无论是对可剥胶,还是对粘合聚酯薄膜的胶粘剂都会产生破坏性氧化作用,使与基材附着力本来就不大的掩蔽材料与覆铜箔结合力下降,出现离骨、分层、成缝、开口现象,必将导致掩蔽板面效果差,电镀铜加厚孔壁后,由于溶液渗入、漫流、浸泡等作用,反而会加重覆铜箔板板面铜箔厚薄不一的问题。此外,高分子导电膜法直接电镀孔金属化工艺适用范围有限,不适合多层电路板,综合考虑质量、成本等等因素,更需要解决传统的化学沉铜孔金属化技术、黑孔直接电镀孔金属化技术、钯膜法直接电镀孔金属化技术面临的只金属化和电镀孔壁难题。因为这些技术,在孔金属化前,都需要进行酸、碱或有机溶剂处理,显然,上述应用可剥性胶状材料的技术方案强度不足,尚不能应用于主流的孔金属化技术中,必须另外寻找更适合的材料和方法。技术实现要素:针对现有技术不能分别电镀加厚孔和线路的不足,本发明开发了一种新型制造方法,本发明的技术方案如下:一种用激光分别加工电镀孔、线路掩膜,蚀刻制电路板方法,钻孔并在孔及板面沉积薄金属层,贴非光敏掩蔽膜,激光去除遮盖孔壁的掩蔽层露出孔壁后,只电镀加厚孔内导电层,再用激光制线路部分抗镀图案,并图形电镀铜和金属抗蚀剂,蚀刻制导电图案的制造电路板方法;其步骤为:(1)在完成钻孔的双面、多层电路板的在制产品上沉积起始导电层,电镀铜至厚度可耐受后续工序;(2)往板面上贴非光敏有机膜,作为抗电镀掩蔽膜;(3)用激光去除覆盖在孔壁区域的掩蔽材料,制出抗电镀图案,用激光去除电镀夹具夹持点表面的抗电镀掩蔽膜层,露出与电镀夹具接触区域的铜表面;(4)电镀,在孔壁上沉积铜加厚导电层至需要的厚度;(5)用激光去除焊盘区域、线路区域上的抗电镀掩蔽膜层,在孔电镀窗口上增加焊盘、线路区域的电镀窗口;(6)电镀,同时在孔壁上、焊盘上及线路上沉积铜至终检需要厚度;(7)电镀,同时在孔壁上、焊盘上及线路上沉积抗蚀性金属;(8)用激光去除非线路区域上的抗电镀掩蔽膜;(9)化学蚀刻去除非线路区域上铜,得到导电图案;(10)用激光退除孔壁上、焊盘上及线路上的抗蚀性金属层;(11)全板涂覆并一次性固化阻焊材料;(12)在组装现场用激光去除焊接区导电体上的有机材料,制造阻焊图案,并对焊接区表面进行清洁及可焊性处理;(13)向连接盘上添加焊料,进行元件贴装、插装,进行重熔焊接及或波峰焊接。所述步骤(2)的非光敏有机膜由不同形态和成份的若干层组成,其中,与电路板接触的层具备粘性和流动性。所述的步骤(2)包括用电泳、真空镀膜、气相沉积等技术往板面及孔壁沉积非光敏有机成膜物质;包括使用现有技术涂覆液体光敏材料和干性光敏膜。所述步骤(9)包括用激光去除线路区域的铜制导电图案。所述步骤(10)包括用化学手段退除孔壁上、焊盘上及线路上的抗蚀金属层。所述步骤(11)包括在一定压力和温度下贴干性状态光敏薄膜、干性状态非光敏薄膜。所述的步骤(11)或(12)还包括在裸板制造场所,用激光去除焊接区导电体上的有机材料,制造阻焊图案,并对焊接区表面进行清洁处理。所述的步骤(11)或(12)还包括在裸板制造场所,应用现有技术和材料继续进行电路板制造过程。本发明,一种用激光分别加工电镀孔、线路掩膜,蚀刻制电路板方法,在化学镀铜或电镀薄铜后,贴非光敏抗电镀掩膜,用激光分步地直接去除掩膜材料制只电镀孔壁的图案,以及此后同时电镀孔壁和线路的图案,有区别地电镀孔壁和线路,然后,蚀刻制造导电图案。步骤(1)在完成钻孔的双面、多层电路板的在制产品上沉积起始导电层,电镀铜至厚度可耐受后续工序。在起始导电层上制作薄铜的目的是为了增加制程的可靠性,其厚度达到保证过程可靠的下限即可,例如,传统的化学沉铜后,或用碳膜法黑孔化后,电镀1μm-5μm薄铜。步骤(2)往板面上贴非光敏有机膜,作为抗电镀掩蔽膜。现有技术一般采用光致干膜作为抗电镀掩膜,光致干膜为三层结构,光敏胶涂层在载膜和保护膜之间,由胶粘剂和光聚合单体等组成,形成图案过程较复杂,要经过光绘制版、贴膜、曝光、显影工序;而且,价格贵,强度不高且厚度较大,一般在20μm以上,分辨率受限,掩蔽效果较差。本发明的掩蔽膜不需要具备光敏感性能,一般的预涂覆压敏涂层膜、热敏涂层膜即可满足要求,热压涂覆,激光直接去除形成图案,流程简单;并且,分辨率高,价格便宜,强度较高,掩蔽能力好,可以分步去除,经受多次电镀过程。例如,热压贴厚度为20μm热敏PI、PVC、PC、PET、PP膜作为抗电镀掩膜,也可以使用派瑞林做抗电镀掩膜。抗电镀掩蔽膜包括由单一组分、多组分、复合的热固、光固、可热压合附着的,具备感光性能的和不具备感光性能的材料制造的干性薄膜,其厚度大于线路上增厚的总金属厚度,范围在2μm-1000μm之间,优选具备阻焊性能的可热压附着的热固干膜,优选膜厚为5μm-500μm。所述步骤(2)的非光敏有机膜由不同形态和成份的若干层组成,其中,与电路板接触的层具备粘性和流动性。所述的步骤(2)包括用电泳、真空镀膜、气相沉积等技术往板面及孔壁沉积非光敏有机成膜物质;包括使用现有技术涂覆液体光敏材料和干性光敏膜。步骤(3)用激光去除覆盖在孔壁区域的掩蔽材料,制出抗电镀图案,用激光去除电镀夹具夹持点表面的抗电镀掩蔽膜层,露出与电镀夹具接触区域的铜表面。激光去除孔区域上的抗电镀掩蔽膜层,为药液进孔开窗。例如,用波长1064nm的脉冲IR激光,以孔内径为外轮廓,环切成块去除或光蚀逐点去除掩盖在孔壁上的掩蔽膜,露出孔壁。为了解决电镀孔壁时,总面积过小,电力线分步不均,电流密度不容易控制等问题,可在制作孔壁电镀图案时,用激光去除非线路部分无电气功能的死铜区域,或其导电层需要去除且不对后续去除过程产生负面影响的区域,或铜厚不影响其功能的区域,或增加铜厚对功能有正面影响的区域上的抗电镀掩孔膜,增加导电区域面积,分散电力线,形成有利于镀孔壁的平衡电镀过程的图案。用激光制电镀孔壁的图案也包括去除非线路且与线路间隔大于30μm以上,优选间隔大于50μm的无电气功能的死铜区域,或其导电层需要去除且不对后续去除过程产生负面影响的区域,或铜厚不影响其功能的区域,或增加铜厚对功能有正面影响的区域上的抗电镀掩孔膜,形成有利于镀孔壁的平衡电镀图案。用激光去除抗电镀掩蔽膜时,要将聚焦激光光功率密度设置到大于去除该材料所需的最低功率密度,比如,大于该材料所需最低光功率密度的1.2倍,但低于或接近于去除其下所覆盖的金属铜层所需最低光功率密度。步骤(4)电镀,在孔壁上沉积铜加厚导电层至需要的厚度。本步骤的控制点是电镀时间。此时,板面上除孔壁和电镀平衡块以外,全部区域上都有掩膜覆盖,掩膜是绝缘材料,虽然与电镀药液接触,但表面上沉积不上铜,因此,只有孔壁和平衡块在电镀过程中能沉积铜,电镀时间足够,就能在孔壁上获得足够厚度的铜沉积层,达到了选择性控制孔壁铜厚的目的。步骤(5)用激光去除焊盘区域、线路区域上的抗电镀掩蔽膜层,在孔电镀窗口上增加焊盘、线路区域的电镀窗口步骤(6)电镀,同时在孔壁上、焊盘上及线路上沉积铜至终检需要厚度。本步骤制程的控制点是电镀时间。现在的电路板制造技术,一般采用光致干膜作为抗电镀掩膜,材料多为紫外光固型,其所形成的掩蔽图案厚度在一定的范围内,既不能太薄,也不能过厚。因为材料是在热压贴膜、紫外曝光才交联聚合,成为掩膜,后续还要能比较容易地被去膜化学药液分解,所以,这样的技术造成的掩膜在某种程度上只能是一种不完美的亚固体。太厚,分辨率低,需要的曝光量大,会出现一方面靠近光源的薄层过曝光,另一方面远离光源的薄层欠曝光现象;本来就脆弱的亚固体材料,如果太薄,就更达不到掩蔽需要的机械强度,导致渗镀。本发明用激光直接去除制造掩蔽图形,可以使用非光敏材料,材料本身是聚合完全的固体,无论薄厚,都有足够的掩蔽能力,即使电镀时间较长,也不会脱落、溶解。对于要求线路铜厚度大的电路板,可以在步骤(2)选择较厚的材料,例如,选择厚度为300μm的掩膜,用激光去除需要线路表面上的掩膜材料后,控制电镀时间,直到单金属或多种金属的镀层厚度接近或达到300μm为止。步骤(7)电镀,同时在孔壁上、焊盘上及线路上沉积抗蚀性金属;本步骤是在图形电镀后再在孔内、焊盘以及线路上电镀锡、镍金等可焊性保护金属,作为化学蚀刻的抗蚀层。步骤(8)用激光去除去除非线路区域上的抗电镀掩蔽膜;用激光去除非线路区域上的抗电镀掩蔽膜时,当需要去除的区域周长与聚焦激光光束直径比值较小时,优选小于10时,用聚焦激光束采用逐点逐线光蚀法去除基材表面上的掩蔽膜以及其下的导电金属铜;需要去除的区域周长与聚焦激光光束直径比值较大时,优选大于15时,先用聚焦激光束沿需要去除区域包络线内侧并以该包络线为界逐点光蚀去除基材表面上的掩蔽膜以及其下的导电金属铜,直至在该区域上未被去除的部分周围形成闭合的绝热沟道,再用低于去除金属铜所需最低光光功率密度但直径较大的激光光束加热未被去除的区域,使其上的抗电镀掩蔽膜与其下的导电金属铜同时脱离基材表面被去除。用激光去除非线路区域上的抗电镀掩蔽膜时,保持所用聚焦激光光功率密度大于去除有机材料所需的最低功率密度,优选大于去有机材料所需最低光功率密度的1.2倍且低于或接近于去除其下所覆盖的金属层所需最低光功率密度,根据去除的区域形状和尺寸改变聚焦激光光束直径,以降低或去除激光加工区域的搭接,提高加工效率。激光去除非线路区域上的抗电镀掩蔽膜时也可以使用同一种波长、脉冲宽度的激光,以及不同波长、脉冲宽度的激光,在不同的光斑直径、焦深,以及不同光功率密度等参数下完成。步骤(9)化学蚀刻去除非线路区域上铜,得到导电图案;本发明中,需要去掉的铜箔层,在化学镀和电镀孔壁过程中,被高聚物薄膜掩蔽,没有铜金属沉积,依然为原料覆铜箔,与传统技术相比,没有厚度增加,更容易蚀刻去除。本步骤,虽然采用传统化学蚀刻技术,但因为需要去除的铜箔层较传统技术薄,需要时间较短,侧腐蚀现象得以减轻,制出导电图案侧壁质量较好。导电图案制作完成后,即可对在制电路板进行电气通断检查。电路板的最重要功能就是提供电气连接。通过电气通断检查,判断各个网络是否符合设计要求,是现代电路板生产中的重要环节之一。传统电路板技术,通断检查一般是在形成阻焊图案,并且完成焊接区和插装孔可焊性涂覆后,例如在化学镀镍、金,热风整平或浸锡后进行。在阻焊图案和可焊性涂覆后进行通断检查,优点是测试点的焊盘表面有可焊性金属保护,适合进行检查的时间段长,便于组织管理;缺点是如果电路板有通断问题,则问题大都发生在制造过程中间,因为问题发现晚,修复问题或将电路板作废成本较高。本发明中,电气通断检查应安排在步骤(9)之后,(10)之前。在制造阻焊之前作电气通断检查,缺点是适合进行检查的时间段短,组织管理的窗口小;优点是能及时发现制程问题,修复或作废问题板成本低。步骤(10)用激光退除孔壁上、焊盘上及线路上的抗蚀性金属层。该步骤也包括用化学手段退除孔壁上、焊盘上及线路上的抗蚀金属层。所述步骤(10)包括用化学手段退除孔壁上、焊盘上及线路上的抗蚀金属层。步骤(11)全板涂覆并一次性固化阻焊材料。步骤(11)包括在一定压力和温度下贴干性状态光敏薄膜、干性状态非光敏薄膜。现有技术一般采用液体光敏油墨作为阻焊剂,阻焊剂中含有胶粘剂和光聚合单体,形成图案过程非常复杂,要经过涂覆、预烘、曝光、显影、固化等多道工序;而且,价格贵,分辨率不高,在细节距连接盘之间涂覆质量很难保证。本发明的阻焊剂不需要具备光敏感性能,一般的预涂覆压敏涂层膜、热敏涂层膜即可满足要求,价格便宜,分辨率高,可以制作精细的图案结构。此外,本发明采用热压涂覆,不需要额外的固化过程,阻焊图案留待元件组装前现场用激光制作,流程简单。例如,热压贴厚度为20μm-200μm热敏PI、PVC、PC、PET、PP膜作为阻焊剂,也可以使用派瑞林做阻焊剂。所述的步骤(11)包括在裸板制造场所,用激光去除焊接区导电体上的有机材料,制造阻焊图案,并对焊接区表面进行清洁处理。还包括在裸板制造场所,应用现有技术和材料继续进行电路板制造过程。步骤(12)在组装现场用激光去除焊接区导电体上的有机材料,制造阻焊图案,并对焊接区表面进行清洁及可焊性处理;本步骤,可以在同一设备一步完成,也可以在不同设备上分两步进行,即,第一步:制作阻焊图案,生成焊接区:用一种激光选择性光蚀去除掉焊接区上的阻焊剂涂覆层,制作出阻焊图案,生成焊接区;第二步,对焊接区表面进行清洁及可焊性处理,用另一种激光去除焊接区表面的阻焊剂残存物,并轻微光蚀焊接区金属表面层,去除金属氧化物,露出新鲜的金属表面,产生容易被熔融的焊料浸润的可焊性。所述的步骤(12)包括在裸板制造场所,用激光去除焊接区导电体上的有机材料,制造阻焊图案,并对焊接区表面进行清洁处理。所述的步骤(12)还包括在裸板制造场所,应用现有技术和材料继续进行电路板制造过程。步骤(13)向连接盘上添加焊料,进行元件贴装、插装,进行重熔焊接及或波峰焊接。本发明的方法,因为用激光处理过的新鲜铜表面替代焊接区的可焊性涂覆层,因此,结束步骤(12)之后,应该在尽可能短的时间内进行步骤(13),以避免连接盘表面氧化,在激光处理后可焊性优良的状况下,完成元器件装联,包括,进行元器件插装,并直接向激光处理过的焊接区施加焊料,完成元器件焊接;或直接在向激光处理过的焊接区漏印焊锡膏,然后进行元器件贴装和回流焊接;或依照其它技术进行元器件组装。本发明能整体上优化并缩短电路板板制造流程,提升质量和效率,降低成本,环境友好。用非光敏材料作为抗电镀材料,降低成本;有区别地电镀孔和线路,镀层厚度控制容易;用激光分步制造电镀孔图案、电镀线路图案,步骤少。本发明适合各种电路板大批量生产,也适合电路板样品及小批量、多品种制作。本发明的优点和效果是:1、本发明可以选择性地电镀孔和线路,镀层厚度控制容易,特别是可以只电镀加厚孔,能解决孔壁镀层厚度偏薄问题,能解决孔壁镀层厚度与线路镀铜厚度不一致问题。2、本发明使用激光直接去除方法制造电镀孔壁和电镀线路图案,可以使用非光敏材料作为抗电镀材料,降低成本,而且耐电镀性能好,可以制造更厚的孔壁导电层和线路导电层。3、本发明实现只电镀孔和线路,非线路部分导电层厚度不增加,适合使用激光直接去非线路部位的铜箔制造导电图案,不需要去除抗电镀材料,步骤少,可以制造更精细的导电图案。4、本发明用预涂热敏、压敏阻焊材料的薄膜作为阻焊剂,分别用不同波长、脉冲宽度、功率密度的激光制造阻焊图案和进行焊接区清洁以及可焊性处理,效率更高,处理的效果更好。附图说明图1:实施例1工艺流程图;图2:实施例2工艺流程图;其中:1、绝缘基板2、覆铜板铜层3、起始导电层4、电镀薄铜5、抗电镀掩蔽膜6、孔壁电镀层7、孔壁、焊盘及线路上的电镀铜层8、孔壁、焊盘及线路上抗蚀性金属层9、阻焊材料层10、焊料11、元件附图中A\\B\\C\\D\\E\\F\\G\\H\\I\\J\\K每个字母都是各个步骤对应的是局部放大示意图。具体实施方式以下将结合实施实例,对本发明做进一步的说明。下述的实施实例是说明性的,不是限定性的,不能以下述实施实例来限定本发明的保护范围。实施例1电子工业中常用覆铜板为基础材料制作电路板,覆铜板包括绝缘基板1和覆铜板铜层2。本实施例以双面印制电路板为例,具体加工步骤如下:(1)电路板基材覆铜板包括绝缘基板1和覆铜板铜层2,覆铜板完成钻孔,在完成钻孔的双面电路板的在制产品上沉积起始导电层3,电镀铜至厚度可耐受后续工序,形成电镀薄铜4。在起始导电层上制作薄铜的目的是为了增加制程的可靠性,其厚度达到保证过程可靠的下限即可。在完成钻孔的双面板上沉积化学铜,并进行电镀铜。具体地,将钻完孔的双面板进行刷板,去除孔口毛刺,同时对板面进行清洁。然后正常沉铜电镀,电镀参数:10ASF*30min,厚度约5um。(2)往板面上贴非光敏高聚物薄膜,作为抗电镀掩蔽膜5。现有技术一般采用光致干膜作为抗电镀掩膜,光致干膜为三层结构,光敏胶涂层在载膜和保护膜之间,由胶粘剂和光聚合单体等组成,形成图案过程较复杂,要经过光绘制版、贴膜、曝光、显影工序;而且,价格贵,强度不高且厚度较大,一般在20μm以上,分辨率受限,掩蔽效果较差。本发明的掩蔽膜不需要具备光敏感性能,一般的预涂覆压敏涂层膜、热敏涂层膜即可满足要求,热压涂覆,激光直接去除形成图案,流程简单;并且,分辨率高,价格便宜,强度较高,掩蔽能力好,可以分步去除,经受多次电镀过程。例如,热压贴厚度为20μm热敏PI、PVC、PC、PET、PP膜作为抗电镀掩膜,也可以使用派瑞林做抗电镀掩膜。抗电镀掩蔽膜包括由单一组分、多组分、复合的热固、光固、可热压合附着的,具备感光性能的和不具备感光性能的材料制造的干性薄膜,其厚度大于线路上增厚的总金属厚度,范围在2μm-1000μm之间,优选具备阻焊性能的可热压附着的热固干膜,优选膜厚为5μm-500μm。具体地,对已镀完薄铜的双面进行刷板,对双面板表面进行粗化和清洁处理,增强铜面与将要贴合的高聚物薄膜的结合力。然后通过贴膜机在双面覆铜板上热压贴合具有抗电镀性能的高聚物薄膜BOPET,薄厚厚度10um,贴合参数:压力10kg/cm2,温度90℃,速度0.1m/min。(3)用激光去除覆盖在孔壁区域的掩蔽材料,制出抗电镀图案,用激光去除电镀夹具夹持点表面的抗电镀掩蔽膜层,露出与电镀夹具接触区域的铜表面。用激光去除孔区域上的抗电镀掩蔽膜层,为药液进孔开窗。为了解决电镀孔壁时,电镀面积过小,电力线分步不均,电流密度不容易控制等问题,在制作孔壁电镀图案时,用激光去除非线路部分无电气功能的死铜区域,增加导电区域面积,分散电力线。具体地,本实施例采用20W紫外纳秒激光机去除孔壁区域、电镀夹具夹持点、电镀平衡块上的BOPET薄膜,将电路板置于激光设备吸附台上,导入激光加工的工程资料数据,将电路板与加工数据精准对位,激光光蚀去除BOPET薄膜。顶面加工完成后,翻转电路板,同样的方法去除覆铜板底面薄膜。加工参数如下:功率/W频率/kHz脉宽/ns加工速度/mm/s加工次数5150208001(4)电镀,在孔壁上沉积铜加厚导电层至需要的厚度,形成孔壁电镀层6。本步骤的控制点是电镀时间。此时,板面上除孔壁和电镀平衡块以外,全部区域上都有掩膜覆盖,掩膜是绝缘材料,虽然与电镀药液接触,但表面上沉积不上铜,因此,只有孔壁和平衡块在电镀过程中能沉积铜,电镀时间足够,就能在孔壁上获得足够厚度的铜沉积层,达到了选择性控制孔壁铜厚的目的。具体地,因电镀面积较小,此步骤采用小电流密度进行电镀,电镀参数为:10ASF*50min,镀层厚度约15um。(5)用激光去除焊盘区域、线路区域上的抗电镀掩蔽膜层,在孔电镀窗口上增加焊盘、线路区域的电镀窗口。具体地,加工方法和加工参数同步骤(3)。(6)电镀,同时在孔壁上、焊盘上及线路上沉积铜至终检需要厚度,形成孔壁、焊盘及线路上的电镀铜层7。本步骤制程的控制点是电镀时间。现在的电路板制造技术,一般采用光致干膜作为抗电镀掩膜,材料多为紫外光固型,其所形成的掩蔽图案厚度在一定的范围内,既不能太薄,也不能过厚。因为材料是在热压贴膜、紫外曝光才交联聚合,成为掩膜,后续还要能比较容易地被去膜化学药液分解,所以,这样的技术造成的掩膜在某种程度上只能是一种不完美的亚固体。太厚,分辨率低,需要的曝光量大,会出现一方面靠近光源的薄层过曝光,另一方面远离光源的薄层欠曝光现象;本来就脆弱的亚固体材料,如果太薄,就更达不到掩蔽需要的机械强度,导致渗镀。本发明用激光直接去除制造掩蔽图形,可以使用非光敏材料,材料本身是聚合完全的固体,无论薄厚,都有足够的掩蔽能力,即使电镀时间较长,也不会脱落、溶解。对于要求线路铜厚度大的电路板,可以在步骤(2)选择较厚的材料,例如,选择厚度为300μm的掩膜,用激光去除需要线路表面上的掩膜材料后,控制电镀时间,直到单金属或多种金属的镀层厚度接近或达到300μm为止。具体地,此步骤为在孔壁上、焊盘上及线路上进行电镀,电镀铜参数为:12ASF*60min,镀层厚度约20um。(7)电镀,同时在孔壁上、焊盘上及线路上沉积抗蚀性金属,形成孔壁、焊盘及线路上抗蚀性金属层8;本步骤是在图形电镀后再在孔内、焊盘以及线路上电镀锡、镍金等可焊性保护金属,作为化学蚀刻的抗蚀层。具体地,在步骤(6)电镀铜完成后,在孔壁以、焊盘上以及线路上电镀锡,作为抗蚀层。镀锡参数:0.1ASD*30min,镀层厚度约5um。(8)用激光去除去除非线路区域上的抗电镀掩蔽膜;用激光去除非线路区域上的抗电镀掩蔽膜时,当需要去除的区域周长与聚焦激光光束直径比值较小时,优选小于10时,用聚焦激光束采用逐点逐线光蚀法去除基材表面上的掩蔽膜以及其下的导电金属铜;需要去除的区域周长与聚焦激光光束直径比值较大时,优选大于15时,先用聚焦激光束沿需要去除区域包络线内侧并以该包络线为界逐点光蚀去除基材表面上的掩蔽膜以及其下的导电金属铜,直至在该区域上未被去除的部分周围形成闭合的绝热沟道,再用低于去除金属铜所需最低光光功率密度但直径较大的激光光束加热未被去除的区域,使其上的抗电镀掩蔽膜与其下的导电金属铜同时脱离基材表面被去除。用激光去除非线路区域上的抗电镀掩蔽膜时,保持所用聚焦激光光功率密度大于去除有机材料所需的最低功率密度,优选大于去有机材料所需最低光功率密度的1.2倍且低于或接近于去除其下所覆盖的金属层所需最低光功率密度,根据去除的区域形状和尺寸改变聚焦激光光束直径,以降低或去除激光加工区域的搭接,提高加工效率。激光去除非线路区域上的抗电镀掩蔽膜时也可以使用同一种波长、脉冲宽度的激光,以及不同波长、脉冲宽度的激光,在不同的光斑直径、焦深,以及不同光功率密度等参数下完成。用激光去除非线路区域上的BOPET抗电镀掩蔽膜。具体地,加工方法和加工参数同步骤(3)。(9)化学蚀刻去除非线路区域上铜,得到导电图案;本发明中,需要去掉的铜箔层,在化学镀和电镀孔壁过程中,被高聚物薄膜掩蔽,没有铜金属沉积,依然为原料覆铜箔,与传统技术相比,没有厚度增加,更容易蚀刻去除。本步骤,虽然采用传统化学蚀刻技术,但因为需要去除的铜箔层较传统技术薄,需要时间较短,侧腐蚀现象得以减轻,制出导电图案侧壁质量较好。导电图案制作完成后,即可对在制电路板进行电气通断检查。电路板的最重要功能就是提供电气连接。通过电气通断检查,判断各个网络是否符合设计要求,是现代电路板生产中的重要环节之一。传统电路板技术,通断检查一般是在形成阻焊图案,并且完成焊接区和插装孔可焊性涂覆后,例如在化学镀镍、金,热风整平或浸锡后进行。在阻焊图案和可焊性涂覆后进行通断检查,优点是测试点的焊盘表面有可焊性金属保护,适合进行检查的时间段长,便于组织管理;缺点是如果电路板有通断问题,则问题大都发生在制造过程中间,因为问题发现晚,修复问题或将电路板作废成本较高。本发明中,电气通断检查应安排在步骤(9)之后,(10)之前。在制造阻焊之前作电气通断检查,缺点是适合进行检查的时间段短,组织管理的窗口小;优点是能及时发现制程问题,修复或作废问题板成本低。(10)用激光退除孔壁上、焊盘上及线路上的电镀锡层。具体地,本实施例采用50W红外纳秒激光机退除孔壁上、焊盘上及线路上的电镀锡层。加工参数如下:功率/W频率/kHz脉宽/ns加工速度/mm/s加工次数备注3015010012001负离焦0.5mm(11)全板涂覆并一次性固化阻焊材料,形成阻焊材料层9。现有技术一般采用液体光敏油墨作为阻焊剂,阻焊剂中含有胶粘剂和光聚合单体,形成图案过程非常复杂,要经过涂覆、预烘、曝光、显影、固化等多道工序;而且,价格贵,分辨率不高,在细节距连接盘之间涂覆质量很难保证。本发明的阻焊剂不需要具备光敏感性能,一般的预涂覆压敏涂层膜、热敏涂层膜即可满足要求,价格便宜,分辨率高,可以制作精细的图案结构。此外,本发明采用热压涂覆,不需要额外的固化过程,阻焊图案留待元件组装前现场用激光制作,流程简单。例如,热压贴厚度为20μm-200μm热敏PI、PVC、PC、PET、PP膜作为阻焊剂,也可以使用派瑞林做阻焊剂。具体地,使用丝网印刷方式在双面板非线路区域上印刷苏州广信感光新材料股份有限公司的型号为KSM-386热固性油墨,并一次性全固化,固化条件:150℃*30min,阻焊油墨厚度约20um。(12)在组装现场用激光去除焊接区导电体上的有机材料,制造阻焊图案,并对焊接区表面进行清洁及可焊性处理;本步骤,可以在同一设备一步完成,也可以在不同设备上分两步进行,即,第一步:制作阻焊图案,生成焊接区:用一种激光选择性光蚀去除掉焊接区上的阻焊剂涂覆层,制作出阻焊图案,生成焊接区;第二步,对焊接区表面进行清洁及可焊性处理,用另一种激光去除焊接区表面的阻焊剂残存物,并轻微光蚀焊接区金属表面层,去除金属氧化物,露出新鲜的金属表面,产生容易被熔融的焊料浸润的可焊性。具体地,本实施例首先采用20W红外纳秒激光机去除焊接区域的阻焊油墨,将电路板置于激光设备吸附台上,导入激光加工的工程资料数据,将电路板与加工数据精准对位,激光光蚀去除阻焊油墨。顶面加工完成后,翻转电路板,同样的方法去除覆铜板底面薄膜。加工参数如下:功率/W频率/kHz脉宽/ns加工速度/mm/s加工次数620010010001然后换一种单脉冲能量更小的紫外皮秒激光对焊接区域进行清洁和可焊性处理,加工参数如下:功率/W频率/kHz脉宽/ps加工速度/mm/s加工次数1010001220001(13)向连接盘上添加焊料10,进行元件11贴装、插装,进行重熔焊接及或波峰焊接。本发明的方法,因为用激光处理过的新鲜铜表面替代焊接区的可焊性涂覆层,因此,结束步骤(12)之后,应该在尽可能短的时间内进行步骤(13),以避免连接盘表面氧化,在激光处理后可焊性优良的状况下,完成元器件装联,包括,进行元器件插装,并直接向激光处理过的焊接区施加焊料,完成元器件焊接;或直接在向激光处理过的焊接区漏印焊锡膏,然后进行元器件贴装和回流焊接;或依照其它技术进行元器件组装。实施例2电子工业中常用覆铜板为基础材料制作电路板,覆铜板包括绝缘基板1和覆铜板铜层2。本实施例以已经完成钻孔的且完成内层线路制作的四层电路板为例,具体加工步骤如下:(1)电路板基材覆铜板包括绝缘基板1和覆铜板铜层2,覆铜板完成钻孔,在完成钻孔四层电路板的在制产品上沉积起始导电层3,电镀铜至厚度可耐受后续工序,形成电镀薄铜4。在起始导电层上制作薄铜的目的是为了增加制程的可靠性,其厚度达到保证过程可靠的下限即可。具体地,将钻完孔的电路板进行刷板,去除孔口毛刺,同时对板面进行清洁。然后经除胶渣后进行沉铜电镀,电镀参数:10ASF*35min,镀层厚度约5um。(2)往板面上贴非光敏高聚物薄膜,作为抗电镀掩蔽膜5。具体地,将电镀完薄铜的四层电路板刷板后烘干,然后热压贴合抗电镀的高聚物薄膜BOPP,薄膜厚度10um,贴合参数:压力15kg/cm2,温度100℃,速度0.1m/min。(3)用激光去除覆盖在孔壁区域的掩蔽材料,制出抗电镀图案,用激光去除电镀夹具夹持点表面的抗电镀掩蔽膜层,露出与电镀夹具接触区域的铜表面。具体地,本实施例采用20W紫外纳秒激光机去除孔壁区域、电镀夹具夹持点、电镀平衡块上的BOPP薄膜,将电路板置于激光设备吸附台上,导入激光加工的工程资料数据,将电路板与加工数据精准对位,激光光蚀去除BOPP薄膜。顶面加工完成后,翻转电路板,同样的方法去除底面薄膜。加工参数如下:功率/W频率/kHz脉宽/ns加工速度/mm/s加工次数6200206001(4)电镀,在孔壁上沉积铜加厚导电层至需要的厚度,形成孔电镀层6。本步骤的控制点是电镀时间。此时,板面上除孔壁和电镀平衡块以外,全部区域上都有掩膜覆盖,掩膜是绝缘材料,虽然与电镀药液接触,但表面上沉积不上铜,因此,只有孔壁和平衡块在电镀过程中能沉积铜,电镀时间足够,就能在孔壁上获得足够厚度的铜沉积层,达到了选择性控制孔壁铜厚的目的。具体地,因电镀面积较小,因此此步骤采用小电流密度进行电镀,电镀参数为:10ASF*60min,镀层厚度约15um。(5)用激光去除非线路区域上的抗电镀掩蔽膜;具体地,加工方法和加工参数同步骤(3)。(6)电镀,同时在孔壁上、焊盘上及线路上沉积铜至终检需要厚度以及增加其他金属,形成孔壁、焊盘及线路上的电镀铜层7。此步骤为在孔壁上、焊盘上及线路上进行图形电镀,电镀铜参数为:12ASF*70min,镀层厚度约20um。(7)电镀,同时在孔壁上、焊盘上及线路上沉积抗蚀性金属,形成孔壁、焊盘及线路上抗蚀性金属层8;本步骤是在图形电镀后再在孔内、焊盘以及线路上电镀锡、镍金等可焊性保护金属,作为化学蚀刻的抗蚀层。具体地,在步骤(6)电镀铜完成后,在孔壁以、焊盘上以及线路上电镀锡,作为抗蚀层。镀锡参数:0.1ASD*40min,镀层厚度约5um。(8)用激光去除非线路区域上的抗电镀掩蔽膜。具体地,用激光将四层电路板上的BOPP抗电镀掩蔽膜全部去除,去除方法和参数同步骤(3)。(9)化学蚀刻去除非线路区域上铜,得到导电图案。使用传统化学蚀刻工艺将非线路区域的铜层蚀刻掉,因非线路区域的导电层被抗电镀掩蔽膜覆盖,电镀时该区域铜厚不增加,因此大大降低了蚀刻难度,可以得到更为精细的线路。(10)用化学方法退除孔壁上、焊盘上及线路上的电镀锡层。使用去锡水将孔壁上、焊盘上及线路上的电镀锡层退掉。(11)全板涂覆并一次性固化阻焊材料,形成阻焊材料层9。本实施例在6层电路板上压合PI薄膜作为阻焊剂材料。具体地,使用层压机对完成叠片的6层电路板及PI膜进行压合,PI膜为杜邦生产的KaptonHN膜,厚度为25um,层压时使用硅橡胶垫作为热压合衬垫。依据材料特性,热压合阶段及参数如下:序号压合压强(N/cm2)压合温度(℃)压合时间(分钟)阶段1248015阶段29414025阶段318818025阶段418822060阶段5188→0220→室温45(12)在组装现场用激光去除焊接区导电体上的有机材料,制造阻焊图案,并对焊接区表面进行清洁及可焊性处理;具体地,本实施例采用20W紫外纳秒激光机进行阻焊图案的制作,将电路板置于激光设备吸附台上,导入激光加工的工程资料数据,将电路板与加工数据精准对位,激光光蚀PI成型阻焊图案。顶面加工完成后,翻转电路板,同样的方法完成底面阻焊图案的制作。加工参数如下:功率/W频率/kHz脉宽/ns加工速度/mm/s加工次数6200206001采用紫外皮秒激光对焊接区域进行清洁和可焊性处理,加工参数如下:功率/W频率/kHz脉宽/ps加工速度/mm/s加工次数1010001220001(13)向连接盘上添加焊料10,进行元件11的贴装、插装,进行重熔焊接及或波峰焊接。本发明公开和提出的技术方案,本领域技术人员可通过借鉴本文内容,适当改变条件路线等环节实现,尽管本发明的方法和制备技术已通过较佳实施例子进行了描述,相关技术人员明显能在不脱离本
发明内容、精神和范围内对本文所述的方法和技术路线进行改动或重新组合,来实现最终的制备技术。特别需要指出的是,所有相类似的替换和改动对本领域技术人员来说是显而易见的,他们都被视为包括在本发明精神、范围和内容中。当前第1页12
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