光电传感器及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种光电传感器，其特征在于，包括：电路转接板；感光芯片，位于所述电路转接板上；其中，所述感光芯片形成有感光区与非感光区；所述感光芯片包括第一衬底、第一焊盘与导电凸点，所述第一衬底位于所述电路转接板上，所述第一焊盘位于所述第一衬底背向所述电路转接板的一侧，所述导电凸点位于所述第一焊盘背向所述第一衬底的一侧；所述第一焊盘与所述导电凸点位于所述非感光区；导电粘合剂，位于所述第一焊盘背向所述第一衬底的一侧，且包覆所述导电凸点；发光件，位于所述导电粘合剂上，且位于所述导电粘合剂背向所述第一焊盘的一侧，所述发光件通过所述导电粘合剂、所述导电凸点、所述第一焊盘与所述感光芯片电连接。2.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述导电凸点为金属凸点。3.根据权利要求2所述的光电传感器，其特征在于，所述导电凸点的材料为金。4.根据权利要求2所述的光电传感器，其特征在于，所述导电凸点包括凸点结构与镀层，所述镀层包覆所述凸点结构，所述凸点结构的材料为铜，所述镀层的材料为金。5.根据权利要求1至4任一项所述的光电传感器，其特征在于，所述导电粘合剂为包括液态粘合剂与银颗粒的银浆。6.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述第一焊盘的材料为铝或金或铜。7.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述发光件包括第二衬底与第一电极，所述第一电极位于所述导电粘合剂与所述第二衬底之间；所述第二衬底的材料为砷化镓。8.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，还包括透明封装层，所述透明封装层位于所述电路转接板上，且包裹所述感光芯片、所述导电粘合剂与所述发光件。9.一种光电传感器的制备方法，其特征在于，包括：将感光芯片置于电路转接板上；其中，所述感光芯片形成有感光区与非感光区；所述感光芯片包括第一衬底、第一焊盘与导电凸点，所述第一衬底位于所述电路转接板上，所述第一焊盘位于所述第一衬底背向所述电路转接板的一侧，所述导电凸点位于所述第一焊盘背向所述第一衬底的一侧；所述第一焊盘与所述导电凸点位于所述非感光区；在所述第一焊盘上滴注半液态的导电粘合剂，半液态的导电粘合剂位于所述第一焊盘背向所述第一衬底的一侧，且浸没所述导电凸点；将发光件置于半液态的导电粘合剂上，并固化导电粘合剂，固化后的导电粘合剂包覆所述导电凸点，所述发光件位于所述导电粘合剂背向所述第一焊盘的一侧，所述发光件通过所述导电粘合剂、所述导电凸点、所述第一焊盘与所述感光芯片电连接。10.根据权利要求9所述的光电传感器的制备方法，其特征在于，所述将发光件置于半液态的导电粘合剂上，并固化导电粘合剂之后，还包括：形成透明封装层，所述透明封装层位于所述电路转接板上，且包裹所述感光芯片、所述导电粘合剂与所述发光件。

技术总结
本发明涉及一种光电传感器及其制备方法。所述光电传感器，包括：电路转接板、感光芯片、导电粘合剂与发光件；感光芯片位于电路转接板上；其中感光芯片形成有感光区与非感光区；感光芯片包括第一衬底、第一焊盘与导电凸点，第一衬底位于电路转接板上，第一焊盘位于第一衬底背向电路转接板的一侧，导电凸点位于第一焊盘背向第一衬底的一侧；第一焊盘与导电凸点位于非感光区；导电粘合剂位于第一焊盘背向第一衬底的一侧，且包覆导电凸点；发光件位于导电粘合剂上，且位于导电粘合剂背向第一焊盘的一侧，发光件通过导电粘合剂、导电凸点、第一焊盘与感光芯片电连接。根据本发明的实施例，减小光电传感器的尺寸。光电传感器的尺寸。光电传感器的尺寸。


技术研发人员：孙塔 李碧洲
受保护的技术使用者：艾普柯微电子（江苏）有限公司
技术研发日：2021.08.31
技术公布日：2021/11/28