一种用于重金属检测的金膜修饰电极及其制备方法与流程

1.本发明属于电化学检测领域，具体涉及一种用于重金属检测的金膜修饰电极及其制备方法。


背景技术：

2.重金属是指密度在4.5g/cm3以上的金属元素。目前，我国重金属污染现状非常严重，主要包括铜、锌、砷、汞、铅等。主要污染为水污染、土壤污染。工业废水重金属产量为24300吨，每年因重金属污染的粮食达12万吨，直接经济损失超过200亿元。这些重金属中任何一种都能引起人的头痛、头晕、失眠、健忘、神经错乱、关节疼痛、结石、癌症(如肝癌、胃癌、肠癌、膀胱癌、乳腺癌、前列腺癌及乌脚病和畸形儿)等。因此对重金属的检测至关重要。
3.通常认可的重金属分析方法有紫外可分光光度法(uv)、原子吸收法(aas)、原子荧光法(afs)、电感耦合等离子体法(icp)、x荧光光谱(xrf)、电感耦合等离子质谱法(icp
‑
ms)等。这些传统的检测方法投入大，成本高，不易携带，而且反应速度慢，无法满足污染现场的即时快速检测。
4.而电化学阳极溶出法，检测速度快，数值准确，可用于现场等环境应急检测，因此电化学传感器得到了广泛的关注。时至今日，电化学传感器已经经历了由追求高灵敏度到高集成化便携检测的发展。虽然分析物电化学传感器经历了演变发展，但是它们都摆脱不了难制备、难应用、稳定性及可重复性差的缺点。同时所设计的电化学传感器因其复杂的制备工艺，从而无法整合到微芯片的集成化传感器上。基于以上因素，微集成化电化学传感器得到了极大的关注。
5.据此，本发明采用电化学方法，将三电极进行共面化设计，同时以高催化活性的金膜作为催化材料，具有高灵敏度、高稳定性、低成本、可配合小型手持仪器和电化学工作站使用，实现了传感电极的集成化与高灵敏度，推动了微型便携式传感电极在重金属检测方面的应用。


技术实现要素：

6.有鉴于此，本发明提供了一种用于重金属检测的金膜修饰电极及其制备方法。
7.本发明的目的是提供一种金膜修饰电极，以金属电极为基底，包括工作电极、参比电极与辅助电极，其中工作电极、参比电极和辅助电极在金属电极的同一平面集成，工作电极表面修饰金膜修饰层。
8.辅助电极表面修饰铂层或碳浆修饰层，参比电极表面修饰银
‑
氯化银或多孔银
‑
氯化银。
9.工作电极和辅助电极的距离为1～100μm。
10.金膜修饰电极的电极基底从下往上依次包括导电内层和所述反应层，导电内层包括cu层和ni层，反应层包括金膜修饰层，其中cu层厚度≥15.0μm，ni层厚度＞5.0μm，金膜修饰层厚度≥1.0μm。
11.工作电极、参比电极和辅助电极共面区域为检测区域，围绕检测区域设置有凸起围坝。
12.作为基底的金属电极尺寸符合标准usb接口尺寸。
13.如附图1所示，为本发明的金膜修饰电极示意图。从图中可看出，金膜修饰电极作为工作电极(we)，同一平面上集成有辅助电极(ce)和参比电极(re)，其中工作电极和辅助电极的距离为1μm，三电极共面的电极尺寸与usb接口相符，可与任一型号的电化学工作站相连使用。通过平面集成的微电极结构，可以大大缩小电极的间距，大大提升了电极对重金属离子的敏感特性。
14.本发明提供的复合微电极采用符合usb接口尺寸的标准电极作为基底，一辅助电极分别用作工作电极和辅助电极，另一个集成到同一平面的电极用作参比电极，其中工作电极为金修饰电极，辅助电极表面修饰铂，参比电极表面修饰银
‑
氯化银。同时将工作电极、参比电极与辅助电极共面化，实现了电极间距为1～100μm的微型化设计，同时可与常规电化学工作站直接相连使用，简便快捷，极大节省了检测时间和步骤成本。
15.金膜修饰电极采取三电极共面体系，固定电极间的距离较小，可显著消除电化学测试中的浓差极化，有效提高电极的准确性和灵敏度。
16.本发明的另一目的是提供一种金膜修饰电极的制备方法，包括以下步骤：
17.s1、金层的制备：在工作电极表面采用电化学方法原位修饰致密的金层；
18.s2、pt层的制备：采用电化学方法在辅助电极表面修饰金属pt层，具体为：配制1～5mmh2ptcl6和0.1～0.5m kcl电沉积铂溶液，以铂片电极作为电极，商用ag/agcl电极为参比电极，控制电位为
‑
0.5～
‑
0.1v，在常温下电沉积10～20min，获得pt电极；
19.s3、ag/agcl层的制备：采用电化学方法在参比电极表面修饰ag/agcl层，具体为：配置镀银溶液具体组成为40～45g/l硝酸银，200～250g/l硫代硫酸钠，40～45g/l焦亚硫酸钾，20～30g/l醋酸铵，0.6～0.8g/l硫代氨基脲；以铂片电极为辅助电极，饱和甘汞电极为参比电极，设定电流密度为0.2～0.6a/dm2，电沉积时间为10～20min，电镀银后再置入0.1～0.5m kcl 0.01～0.05m hcl溶液中，以铂片电极为辅助电极，商用的ag/agcl为参比电极，在
‑
0.15～1.05v区间内进行循环伏安扫描，扫速为30～60mv/s，获得ag/agcl电极。
20.进一步，步骤s1中，对工作电极先进行预处理，包括以下步骤：
21.(1)水洗：将工作电极置入去离子水中超声处理30s；
22.(2)除油：将步骤(1)所得的工作电极置入无水乙醇中超声处理60s；
23.(3)水洗：将步骤(2)所得的工作电极置入去离子水中超声处理30s；
24.(4)掩膜：使用聚四氯乙烯胶带对步骤(3)所得的工作电极进行掩膜封装，留出电沉积面积为0.13～0.15cm2；
25.(5)除锈和粗化：将步骤(4)所得的工作电极置入10％(体积分数)硫酸中浸泡处理30～60s；
26.(6)水洗：将步骤(5)所得的工作电极置入去离子水中去除硫酸。
27.进一步，步骤s1中，金层的制备方法具体为：将工作电极浸入12～15g/l的柠檬酸金钾镀金溶液中，设定阴极为铜板，阳极为铂网，设定电沉积温度为45～55℃，搅拌速度为200～300rpm，在0.8～1.2a/dm2的电流密度下沉积5～8min，用去离子水洗后烘干，得到金黄色的致密金层。
28.至此，采用电化学方法，最终获得三电极共面化的复合金膜电极au@ag/agcl@pt。
29.采用sem电镜扫描观察本发明制备的金膜修饰电极的形貌。
30.如附图2所示，为本发明制备的金膜修饰电极的sem形貌图。从图中可看出，金膜修饰电极的修饰金层呈现山脊状结构，且表面均匀、致密，保证了复合电极的稳定性。
31.如附图3所示，为本发明制备的(a)pt修饰层和(b)ag/agcl修饰层的sem形貌图。从图3(a)中可看出，pt纳米粒子较均匀地分布在基底表面。小尺寸的pt纳米颗粒增加了pt辅助电极的比表面积，使其能充分与电解液接触；从图3(b)中可看出，ag/agcl修饰层由连续的孔洞和韧带组成，这种纳米结构极大地提高了氧化还原反应过程中离子传输和电子转移的速度，缩短电极/电解液界面之间的物质传输距离。
32.本发明的另一目的是提供一种金膜修饰电极的应用。
33.金膜修饰电极在hg
2
、cu
2
、zn
2
、pb
2
、te
4
、as
n
6种重金属离子检测中的应用，具体可用于液体中微量重金属离子的实时快速检测，其中液体包括水体、汗液、尿液和血液。
34.采用方波溶出伏安法测试本发明制备的金膜修饰电极对不同重金属离子的响应性能。
35.如附图4所示，为本发明制备的金膜修饰电极检测重金属离子cu
2
的(a)方波溶出伏安曲线图和(b)电流
‑
浓度拟合图。从图中可看出，随着重金属离子cu
2
的浓度增加，其特征峰电流逐渐增大，电流密度和cu
2
离子质量浓度呈现良好的线性关系，其拟合曲线的线性关系系数为0.995，说明本发明制备的金膜修饰电极对重金属离子cu
2
具有良好的响应性能。
36.如附图5所示，为本发明制备的金膜修饰电极检测重金属离子pb
2
的(a)方波溶出伏安曲线图和(b)电流
‑
浓度拟合图。从图中可看出，随着重金属离子pb
2
的浓度增加，其特征峰电流逐渐增大，电流密度和pb
2
离子质量浓度呈现良好的线性关系，其拟合曲线的线性关系系数为0.952，说明本发明制备的金膜修饰电极对重金属离子βb
2
具有良好的响应性能。
37.如附图6所示，为本发明制备的金膜修饰电极检测重金属离子zn
2
的(a)方波溶出伏安曲线图和(b)电流
‑
浓度拟合图。从图中可看出，随着重金属离子zn
2
的浓度增加，其特征峰电流逐渐增大，电流密度和zn
2
离子质量浓度呈现良好的线性关系，其拟合曲线的线性关系系数为0.995，说明本发明制备的金膜修饰电极对重金属离子zn
2
具有良好的响应性能。
38.如附图7所示，为本发明制备的金膜修饰电极检测重金属离子as
n
的(a)方波溶出伏安曲线图和(b)电流
‑
浓度拟合图。从图中可看出，随着重金属离子as
n
的浓度增加，其特征峰电流逐渐增大，电流密度和as
n
离子质量浓度呈现良好的线性关系，其拟合曲线的线性关系系数为0.971，说明本发明制备的金膜修饰电极对重金属离子as
n
具有良好的响应性能。
39.如附图8所示，为本发明制备的金膜修饰电极检测重金属离子te
4
的(a)方波溶出伏安曲线图和(b)电流
‑
浓度拟合图。从图中可看出，随着重金属离子te
4
的浓度增加，其特征峰电流逐渐增大，电流密度和te
4
离子质量浓度呈现良好的线性关系，其拟合曲线的线性关系系数为0.973，说明本发明制备的金膜修饰电极对重金属离子te
4
具有良好的响应性能。
40.如附图9所示，为本发明制备的金膜修饰电极检测重金属离子hg
2
的(a)方波溶出伏安曲线图和(b)电流
‑
浓度拟合图。从图中可看出，随着重金属离子hg
2
的浓度增加，其特征峰电流逐渐增大，电流密度和hg
2
离子质量浓度呈现良好的线性关系，其拟合曲线的线性关系系数为0.975，说明本发明制备的金膜修饰电极对重金属离子hg
2
具有良好的响应性能。
41.本发明提供了一种可检测铜、铅、锌、砷、碲、汞6种重金属离子的金膜修饰电极。具体采用电化学沉积的方法，在电极基底表面原位修饰金膜，并将工作电极、参比电极与辅助电极共面化，实现了电极间距为1～100μm的微型化设计，大大降低了溶液电阻，提高了检测的响应性，并将其应用于重金属检测，实现了快速简便检测重金属的目的，为高可靠性的微型传感器的设计与应用提供了新思路。
42.本发明的有益效果是：
43.(1)本发明将工作电极、辅助电极和参比电极集成到叉指电极表面，大大降低了溶液电阻，并与高催化活性的金相协同，因此，大幅提高了检测的灵敏度，实现了微量重金属污染物的快速检测。
44.(2)本发明将金膜修饰电极作为工作电极，并与参比电极和辅助电极固定设置于同一平面构成三电极体系，实现了电极间距离的集成固定化和微型化，使得电极间的电解液的电阻值固定化，消除了因被测物质的浓度变化而产生的检测干扰，实现了提高电极检测灵敏度和检测数据精度的目的，为微型电化学传感器的设计提供了新思路，促进了高可靠性便携传感器在即时检测中的推广应用。
45.(3)本发明的电极制备工艺简单，原位修饰金属的方法可以有效避免催化物质的失活，保证了检测数据的准确，提高了传感电极的可靠性，同时成本较低，适合产业化应用。电极具有高灵敏、高稳定的特性，电极可与电化学工作站相连使用，简单快捷。
附图说明
46.利用附图对发明作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本发明的任何限制，对于本领域的普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据以下附图获得其它附图。
47.图1是本发明的金膜修饰电极示意图；
48.图2是本发明制备的金膜修饰电极的sem形貌图；
49.图3是本发明制备的(a)pt修饰层和(b)ag/agcl修饰层的sem形貌图；
50.图4是本发明制备的金膜修饰电极检测重金属离子cu
2
的(a)方波溶出伏安曲线图和(b)电流
‑
浓度拟合图；
51.图5是本发明制备的金膜修饰电极检测重金属离子pb
2
的(a)方波溶出伏安曲线图和(b)电流
‑
浓度拟合图；
52.图6是本发明制备的金膜修饰电极检测重金属离子zn
2
的(a)方波溶出伏安曲线图和(b)电流
‑
浓度拟合图；
53.图7是本发明制备的金膜修饰电极检测重金属离子as
n
的(a)方波溶出伏安曲线图和(b)电流
‑
浓度拟合图；
54.图8是本发明制备的金膜修饰电极检测重金属离子te
4
的(a)方波溶出伏安曲线图
和(b)电流
‑
浓度拟合图；
55.图9是本发明制备的金膜修饰电极检测重金属离子hg
2
的(a)方波溶出伏安曲线图和(b)电流
‑
浓度拟合图。
具体实施方式
56.为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，结合以下具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
57.本发明的具体实施例包括：
58.一种金膜修饰电极，如附图1所示，以金属电极为基底，包括工作电极、参比电极与辅助电极，其中工作电极、参比电极和辅助电极在金属电极的同一平面集成，工作电极表面修饰金膜修饰层，辅助电极表面修饰铂层或碳浆修饰层，参比电极表面修饰银
‑
氯化银或多孔银
‑
氯化银。
59.工作电极和辅助电极的距离为1～100μm。
60.金膜修饰电极的电极基底从下往上依次包括导电内层和所述反应层，导电内层包括cu层和ni层，反应层包括金膜修饰层，其中cu层厚度≥15.0μm，ni层厚度＞5.0μm，金膜修饰层厚度≥1.0μm。
61.将金膜修饰电极作为工作电极，与辅助电极、参比电极在同一平面集成得到usb标准尺寸的复合微电极，金膜修饰电极与参比电极、辅助电极集成检测区域周围设置有凸起的围坝，防止检测溶液溢出。
62.实施例1
63.金膜修饰电极的制备：
64.1、金层的制备
65.取环氧树脂作为电极基底，基底表面依次修饰30.0μm厚度的cu层和8.0μm厚度的ni层，进行预处理，具体步骤为：
66.(1)水洗：将电极置入去离子水中超声处理30s；
67.(2)除油：将步骤(1)所得的电极置入无水乙醇中超声处理60s；
68.(3)水洗：将步骤(2)所得的电极置入去离子水中超声处理30s；
69.(4)掩膜：使用聚四氯乙烯胶带对步骤(3)所得的电极进行掩膜封装，留出电沉积面积为0.136cm2；
70.(5)除锈和粗化：将步骤(4)所得的电极置入10％(体积分数)硫酸中浸泡处理30～60s；
71.(6)水洗：将步骤(5)所得的电极置入去离子水中去除硫酸。
72.将预处理过后的电极浸入12g/l的柠檬酸金钾镀金溶液中，阴极为铜板，阳极为铂网，设定电沉积温度为55℃，搅拌速度为200rpm，在0.8a/dm2的电流密度下电沉积处理5mm，用去离子水洗后烘干，得到金膜修饰电极，作为复合微电极的工作电极，电极sem形貌图如附图2所示。
73.2、pt层的制备：配制1mm h2ptcl6和0.1m kcl电沉积铂溶液，以铂片电极为辅助电极，商用ag/agcl电极为参比电极，控制电位为
‑
0.1v，在常温下电沉积20min，获得pt修饰电极，作为复合微电极的辅助电极，电极sem形貌图如附图3(a)所示。
74.3、ag/agcl层的制备：配置镀银溶液组成为40g/l硝酸银，200g/l硫代硫酸钠，40g/l焦亚硫酸钾，20g/l醋酸铵，0.6g/l硫代氨基脲。以铂片电极为辅助电极，饱和甘汞电极为参比电极，电流密度为0.2a/dm2，电沉积20min获得镀银电极然后将镀银电极取出，放入0.1kcl 0.01mhcl溶液中，用镀银电极作为工作电极，铂片电极为辅助电极，商用的ag/agcl为参比电极，在
‑
0.15～1.05v区间内循环伏安扫描，扫速为30mv/s，获得ag/agcl电极，作为复合微电极的参比电极，电极sem形貌图如附图3(b)所示。
75.实施例2
76.金膜修饰电极的制备：
77.1、金层的制备
78.取氮化铝陶瓷作为电极基底，基底表面依次修饰30.0μm厚度的cu层和15.0μm厚度的ni层，进行预处理，具体步骤为：
79.(1)水洗：将电极置入去离子水中超声处理30s；
80.(2)除油：将步骤(1)所得的电极置入无水乙醇中超声处理60s；
81.(3)水洗：将步骤(2)所得的电极置入去离子水中超声处理30s；
82.(4)掩膜：使用聚四氯乙烯胶带对步骤(3)所得的电极进行掩膜封装，留出电沉积面积为0.135cm2；
83.(5)除锈和粗化：将步骤(4)所得的电极置入10％(体积分数)硫酸中浸泡处理30～60s；
84.(6)水洗：将步骤(5)所得的电极置入去离子水中去除硫酸。
85.将预处理过后的电极浸入15g/l的柠檬酸金钾镀金溶液中，阴极为铜板，阳极为铂网，设定电沉积温度为45℃，搅拌速度为300rpm，在1.2a/dm2的电流密度下电沉积处理8min，用去离子水洗后烘干，得到金膜修饰电极，作为复合微电极的工作电极。
86.2、pt层的制备：配制5mm h2ptcl6和0.5m kcl电沉积铂溶液，以铂片电极为辅助电极，商用ag/agcl电极为参比电极，控制电位为
‑
0.5v，在常温下电沉积10min，获得pt修饰电极，作为复合微电极的辅助电极。
87.3、ag/agcl层的制备：配置镀银溶液组成为45g/l硝酸银，250g/l硫代硫酸钠，45g/l焦亚硫酸钾，30g/l醋酸铵，0.8g/l硫代氨基脲。以铂片电极为辅助电极，饱和甘汞电极为参比电极，电流密度为0.6a/dm2，电沉积10min获得镀银电极；然后将镀银电极取出，放入0.5kcl 0.05m hcl溶液中，用镀银电极作为工作电极，铂片电极为辅助电极，商用的ag/agcl为参比电极，在
‑
0.15～1.05v区间内循环伏安扫描，扫速为60mv/s，获得ag/agcl电极，作为复合微电极的参比电极。
88.实施例3
89.金膜修饰电极的制备：
90.1、金层的制备
91.取氧化铝陶瓷作为电极基底，基底表面依次修饰15.0μm厚度的cu层和6.0μm厚度的ni层，进行预处理，具体步骤为：
92.(1)水洗：将电极置入去离子水中超声处理30s；
93.(2)除油：将步骤(1)所得的电极置入无水乙醇中超声处理60s；
94.(3)水洗：将步骤(2)所得的电极置入去离子水中超声处理30s；
95.(4)掩膜：使用聚四氯乙烯胶带对步骤(3)所得的电极进行掩膜封装，留出电沉积面积为0.142cm2；
96.(5)除锈和粗化：将步骤(4)所得的电极置入10％(体积分数)硫酸中浸泡处理30～60s；
97.(6)水洗：将步骤(5)所得的电极置入去离子水中去除硫酸。
98.将预处理过后的电极浸入10g/l的柠檬酸金钾镀金溶液中，阴极为铜板，阳极为铂网，设定电沉积温度为50℃，搅拌速度为250rpm，在1.0a/dm2的电流密度下电沉积处理6min，用去离子水洗后烘干，得到金膜修饰电极，作为复合微电极的工作电极。
99.2、pt层的制备：配制3mm h2ptcl6和0.3m kcl电沉积铂溶液，以铂片电极为辅助电极，商用ag/agcl电极为参比电极，控制电位为
‑
0.3v，在常温下电沉积15min，获得pt修饰电极，作为复合微电极的辅助电极。
100.3、ag/agcl层的制备：配置镀银溶液组成为42g/l硝酸银，220g/l硫代硫酸钠，42g/l焦亚硫酸钾，25g/l醋酸铵，0.7g/l硫代氨基脲。以铂片电极为辅助电极，饱和甘汞电极为参比电极，电流密度为0.4a/dm2，电沉积15min获得镀银电极然后将镀银电极取出，放入0.3kcl 0.03m hcl溶液中，用镀银电极作为工作电极，铂片电极为辅助电极，商用的ag/agcl为参比电极，在
‑
0.15～1.05v区间内循环伏安扫描，扫速为40mv/s，获得ag/agcl电极，作为复合微电极的参比电极。
101.实施例4
102.金膜修饰电极的制备：
103.1、金层的制备
104.取铜片作为电极基底，基底表面依次修饰20.0μm厚度的cu层和8.0μm厚度的ni层，进行预处理，具体步骤为：
105.(1)水洗：将电极置入去离子水中超声处理30s；
106.(2)除油：将步骤(1)所得的电极置入无水乙醇中超声处理60s；
107.(3)水洗：将步骤(2)所得的电极置入去离子水中超声处理30s；
108.(4)掩膜：使用聚四氯乙烯胶带对步骤(3)所得的电极进行掩膜封装，留出电沉积面积为0.138cm2；
109.(5)除锈和粗化：将步骤(4)所得的电极置入10％(体积分数)硫酸中浸泡处理30～60s；
110.(6)水洗：将步骤(5)所得的电极置入去离子水中去除硫酸。
111.将预处理过后的电极浸入13g/l的柠檬酸金钾镀金溶液中，阴极为铜板，阳极为铂网，设定电沉积温度为43℃，搅拌速度为300rpm，在1.0a/dm2的电流密度下电沉积处理10min，用去离子水洗后烘干，得到金膜修饰电极，作为复合微电极的工作电极。
112.2、pt层的制备：配制4mm h2ptcl6和0.4m kcl电沉积铂溶液，以铂片电极为辅助电极，商用ag/agcl电极为参比电极，控制电位为
‑
0.2v，在常温下电沉积10min，获得pt修饰电极，作为复合微电极的辅助电极。
113.3、ag/agcl层的制备：配置镀银溶液组成为40g/l硝酸银，220g/l硫代硫酸钠，45g/l焦亚硫酸钾，25g/l醋酸铵，0.5g/l硫代氨基脲。以铂片电极为辅助电极，饱和甘汞电极为参比电极，电流密度为0.8a/dm2，电沉积8min获得镀银电极；然后将镀银电极取出，放入
0.2kcl 0.02m hcl溶液中，用镀银电极作为工作电极，铂片电极为辅助电极，商用的ag/agcl为参比电极，在
‑
0.15～1.05v区间内循环伏安扫描，扫速为20mv/s，获得ag/agcl电极，作为复合微电极的参比电极。
114.实施例5
115.对金膜修饰电极检测重金属离子cu
2
进行测试。
116.以实施例1制备的金膜修饰电极为工作电极，采用铂电极为辅助电极、银
‑
氯化银修饰电极为参比电极，将三电极体系置入醋酸
‑
醋酸钠(ph＝4.5)缓冲溶液中，并依次加入40μg/l、80μg/l、120μg/l、160μg/l、200μg/l、240μg/l、280μg/l的cu
2
离子溶液，设定沉积电位为
‑
0.4v，沉积时间为180s，扫描电位为
‑
0.4～0.4v，进行方波溶出伏安测试，得到附图4。
117.实施例6
118.对金膜修饰电极检测重金属离子pb
2
进行测试。
119.以实施例1制备的金膜修饰电极为工作电极，采用铂电极为辅助电极、银
‑
氯化银修饰电极为参比电极，将三电极体系置入醋酸
‑
醋酸钠(ph＝4.5)缓冲溶液中，并依次加入40μg/l、80μg/l、120μg/l、160μg/l、200μg/l、240μg/l、280μg/l、320μg/l、360μg/l、400μg/l、440μg/l、480μg/l、520μg/l、560μg/l、600μg/l的pb
2
离子溶液，设定沉积电位为
‑
0.8v，沉积时间为180s，扫描电位为
‑
0.8～
‑
0.2v，进行方波溶出伏安测试，得到附图5。
120.实施例7
121.对金膜修饰电极检测重金属离子zn
2
进行测试。
122.以实施例1制备的金膜修饰电极为工作电极，采用铂电极为辅助电极、银
‑
氯化银修饰电极为参比电极，将三电极体系置入0.1m pbs(ph＝7.0)缓冲溶液中，并依次加入200μg/l、400μg/l、600μg/l、800μg/l、1000μg/l、1200μg/l、1400μg/l、1600μg/l、1800μg/l、2000μg/l、2200μg/l、2400μg/l、2600μg/l、2800μg/l、3000μg/l、3200μg/l、3400μg/l、3600μg/l、3800μg/l、4000μg/l、4200μg/l、4400μg/l、4600μg/l的zn
2
离子溶液，设定沉积电位为
‑
1.6v，沉积时间为180s，扫描电位为
‑
1.4～
‑
0.6v，进行方波溶出伏安测试，得到附图6。
123.实施例8
124.对金膜修饰电极检测重金属离子as
n
进行测试。
125.以实施例1制备的金膜修饰电极为工作电极，采用铂电极为辅助电极、银
‑
氯化银修饰电极为参比电极，将三电极体系置入1m盐酸缓冲溶液中，并依次加入0.5μg/l、1.0μg/l、1.5μg/l、2.0μg/l、2.5μg/l的as
n
离子溶液，设定沉积电位为
‑
0.2v，沉积时间为150s，扫描电位为
‑
0.2～0.4v，进行方波溶出伏安测试，得到附图7。
126.实施例9
127.对金膜修饰电极检测重金属离子te
4
进行测试。
128.以实施例1制备的金膜修饰电极为工作电极，采用铂电极为辅助电极、银
‑
氯化银修饰电极为参比电极，将三电极体系置入甲酸
‑
甲酸铵(ph＝4.0)缓冲溶液中，并依次加入10μg/l、20μg/l、30μg/l、40μg/l、50μg/l、60μg/l、70μg/l的te
4
离子溶液，设定沉积电位为
‑
1.3v，沉积时间为180s，扫描电位为
‑
0.8～1.8v，进行方波溶出伏安测试，得到附图8。
129.实施例10
130.对金膜修饰电极检测重金属离子hg
2
进行测试。
131.以实施例1制备的金膜修饰电极为工作电极，采用铂电极为辅助电极、银
‑
氯化银
修饰电极为参比电极，将三电极体系置入醋酸
‑
醋酸钠(ph＝4.5)缓冲溶液中，并依次加入100μg/l、200μg/l、300μg/l、400μg/l、500μg/l、600μg/l、700μg/l、800μg/l、900μg/l、1000μg/l、1100μg/l、1200μg/l、1300μg/l、1400μg/l、1500μg/l、1600μg/l、1700μg/l、1800μg/l的hg
2
离子溶液，设定沉积电位为0.2v，沉积时间为60s，扫描电位为
‑
0.6～0.2v，进行方波溶出伏安测试，得到附图9。
132.对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。
133.此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经过适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。本发明中所未详细描述的技术细节，均可通过本领域中的任一现有技术实现。特别的，本发明中所有未详细描述的技术特点均可通过任一现有技术实现。