一种植入体表面原位生长二氧化钛量子点的方法与流程

技术特征：
1.一种植入体表面原位生长二氧化钛量子点的方法，其特征在于包括以下步骤：1）配制反应前驱液，反应前驱液由钛源、双氧水和酸在溶剂水中均匀混合而获得；2）将植入体基体清洗后和步骤1）配制的反应前驱液同时放入不锈钢高压反应釜中，将不锈钢高压反应釜封闭后置于电热鼓风干燥箱中进行水热反应，使基体表面原位生长二氧化钛量子点；反应结束后冷却，然后将表面原位生长二氧化钛量子点的基体样品取出，取出后的样品在去离子水中超声清洗后，在常温下晾干，即制备完成。2.如权利要求1所述的一种植入体表面原位生长二氧化钛量子点的方法，其特征在于步骤2）中基体为钛、钛合金中的至少一种。3.如权利要求1所述的一种植入体表面原位生长二氧化钛量子点的方法，其特征在于步骤1）中，钛源为三价钛盐，所述的反应前驱液中钛离子摩尔浓度是0.094~0.675mmol/l，反应前驱液中的酸为乙酸、草酸、盐酸、硫酸、酒石酸、硝酸中的至少一种；步骤1）的反应前驱液中，钛源与酸的摩尔比为1：70
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1:400，钛源与双氧水的摩尔比为1：4
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1:25。4.如权利要求3所述的一种植入体表面原位生长二氧化钛量子点的方法，其特征在于钛源为三氯化钛，钛离子摩尔浓度是0.375mmol/l，反应前驱液中的酸为乙酸，三氯化钛与乙酸摩尔比为1:100，三氯化钛与双氧水摩尔比为1:7。5.如权利要求1所述的一种植入体表面原位生长二氧化钛量子点的方法，其特征在于步骤2）中水热反应的反应时间为2
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4h；水热反应的温度为100
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200℃。6.如权利要求5所述的一种植入体表面原位生长二氧化钛量子点的方法，其特征在于步骤2）中水热反应的反应时间为2
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3h；水热反应的温度为160℃。

技术总结
本发明公开了一种植入体表面原位生长二氧化钛量子点的方法，包括以下步骤：1）配制反应前驱液，反应前驱液由钛源、双氧水和酸在溶剂水中均匀混合而获得；2）将植入体基体清洗后和步骤1）的反应前驱液同时放入不锈钢高压反应釜中，将不锈钢高压反应釜封闭后置于电热鼓风干燥箱中进行水热反应，使基体表面原位生长二氧化钛量子点；反应结束后冷却，然后将反应后的样品取出，在去离子水中超声清洗后，在常温下晾干，即制备完成。本发明通过水热法在低温下获得均匀分布的二氧化钛量子点，反应在液相中一次形成、无需后续处理，反应重复性好，处理之后对基体本身的粗糙度没有影响。理之后对基体本身的粗糙度没有影响。理之后对基体本身的粗糙度没有影响。


技术研发人员：肖帆 俞舜思
受保护的技术使用者：浙江工业大学
技术研发日：2021.08.23
技术公布日：2021/11/28