包含具有至少部分地环绕第二含金属材料并且具有不同于第二含金属材料的结晶度的结晶度的第一含金属材料的字线的组合件的制作方法

技术特征：
1.一种存储器单元，其包括：导电栅极；所述导电栅极包含大致包封第二含金属材料的第一含金属材料；所述第一和第二含金属材料的结晶度不同于彼此，所述第二含金属材料具有大于所述第一含金属材料的均值晶粒大小的均值晶粒大小；与所述导电栅极相邻的电荷阻挡区；与所述电荷阻挡区相邻的电荷存储区；与所述电荷存储区相邻的隧穿材料；和与所述隧穿材料相邻的沟道材料，所述隧穿材料处于所述沟道材料和所述电荷存储区之间。2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一含金属材料具有小于或等于约10nm的均值晶粒大小。3.根据权利要求2所述的存储器单元，其中所述第二含金属材料具有在从大于或等于约5nm到小于或等于约200nm的范围内的均值晶粒大小。4.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一含金属材料为大致非晶型。5.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一含金属材料是连续的。6.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一含金属材料不连续。7.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一含金属材料沿着横截面具有从约到约的范围内的厚度。8.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一和第二含金属材料沿着突变界面相接。9.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一和第二含金属材料沿着梯度相接。10.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一和第二含金属材料的组成物彼此相同。11.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一和第二含金属材料的组成物相对于彼此不同。12.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一含金属材料包括与氮、碳、锗、硅和氧中的一或多种组合的一或多种金属。13.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述一或多种金属包含钨、钽、钛、钌、钼、钴、镍和铝中的一或多种。14.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述一或多种金属包含钨和钛中的一种或两种。15.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一含金属材料包括一或多种金属氮化物。16.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一含金属材料包括氮化钨和氮化钛中的一种或两种。17.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第二含金属材料包括钨、钽、钛、钌、钼、钴、镍、铝、铜、铂和钯中的一或多种。18.一种组合件，其包括：交替的绝缘层级与字线层级的竖直堆叠，所述字线层级包括导电区；所述导电区包含
与第二含金属材料的外周边相邻的第一含金属材料；所述第一和第二含金属材料的结晶度和组成物不同于彼此；所述第二含金属材料具有大于所述第一含金属材料的均值晶粒大小的均值晶粒大小；与所述导电区相邻的电荷存储区；和处于所述电荷存储区和所述导电区之间的电荷阻挡区。19.根据权利要求18所述的组合件，其中所述字线层级中的每一个沿着横截面具有在从约5nm到约50nm的范围内的总厚度；且其中所述第一含金属材料沿着所述横截面具有在从所述总厚度的约5％到所述总厚度的约25％的范围内的厚度。20.根据权利要求18所述的组合件，其中：所述第一含金属材料包括与氮、碳、锗、硅和氧中的一或多种组合的一或多种第一金属；且所述第二含金属材料主要由一或多种第二金属组成。21.根据权利要求20所述的组合件，其中所述一或多种第一金属包含钨、钽、钛、钌、钼、钴、镍和铝中的一或多种。22.根据权利要求21所述的组合件，其中所述一或多种第二金属包含钨、钽、钛、钌、钼、钴、镍、铝、铜、铂和钯中的一或多种。23.根据权利要求18所述的组合件，其中所述第一含金属材料包括氮化钨和氮化钛中的一种或两种；且其中所述第二含金属材料主要由钨组成。24.根据权利要求18所述的组合件，其中所述第一含金属材料为大致非晶型。25.根据权利要求18所述的组合件，其中所述第一含金属材料具有小于或等于约10nm的均值晶粒大小。26.根据权利要求25所述的组合件，其中所述第二含金属材料具有在从大于或等于约5nm到小于或等于约200nm的范围内的均值晶粒大小。27.一种存储器阵列，其包括：交替的绝缘层级与字线层级的竖直堆叠；沿着所述堆叠竖直延伸的沟道材料；所述字线层级包括导电区；所述导电区包含第一含金属材料和第二含金属材料，所述第一含金属材料至少部分地环绕所述第二含金属材料；所述第一含金属材料为大致非晶型且所述第二含金属材料具有在从大于或等于约5nm到小于或等于约200nm的范围内的均值晶粒大小；与所述字线层级相邻的电荷存储区；和处于所述电荷存储区和所述导电区之间的电荷阻挡区。28.根据权利要求27所述的存储器阵列，其中所述第一含金属材料是连续的。29.根据权利要求28所述的存储器阵列，其中所述字线层级中的每一个沿着横截面具有在从约5nm到约50nm的范围内的总厚度；且其中所述第一含金属材料沿着所述横截面具有在从约到约的范围内的厚度。30.根据权利要求27所述的存储器阵列，其中所述第一含金属材料不连续。31.根据权利要求27所述的存储器阵列，其中：所述第一含金属材料包括与氮、碳、锗、硅和氧中的一或多种组合的一或多种第一金
属；且所述第二含金属材料主要由一或多种第二金属组成。32.根据权利要求31所述的存储器阵列，其中所述一或多种第一金属包含钨、钽、钛、钌、钼、钴、镍和铝中的一或多种。33.根据权利要求31所述的存储器阵列，其中所述一或多种第二金属包含钨、钽、钛、钌、钼、钴、镍、铝、铜、铂和钯中的一或多种。34.根据权利要求27所述的存储器阵列，其中所述第一含金属材料包括氮化钨和氮化钛中的一种或两种；且其中所述第二含金属材料主要由钨组成。

技术总结
一些实施例包含存储器阵列，所述存储器阵列具有交替的绝缘层级与字线层级的竖直堆叠。沟道材料沿着所述堆叠竖直延伸。所述字线层级包含具有第一含金属材料和第二含金属材料的导电区。所述第一含金属材料至少部分地环绕所述第二含金属材料。所述第一含金属材料具有不同于所述第二含金属材料的结晶度的结晶度。在一些实施例中，所述第一含金属材料为大致非晶型，且所述第二含金属材料具有在从大于或等于约5nm到小于或等于约200nm的范围内的均值晶粒大小。电荷存储区与所述字线层级相邻。电荷阻挡区处于所述电荷存储区和所述导电区之间。阻挡区处于所述电荷存储区和所述导电区之间。阻挡区处于所述电荷存储区和所述导电区之间。


技术研发人员：J
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2020.03.03
技术公布日：2021/11/28