一种通过辐射制冷和太阳能制热调控吸脱附过程的方法与流程

1.本发明涉及一种调控吸脱附过程的方法，更具体地说涉及一种通过辐射制冷和太阳能制热调控吸脱附过程的方法。


背景技术：

2.吸附分离技术因其操作条件温和，工艺简单，成本较低，成为目前工业过程中气体分离的重要途径。变温吸附和变压吸附技术已广泛应用，它们分别通过改变温度和压力来实现气体的吸附和脱附。变温吸附的原理是在保持压力不变的条件下，低温吸附，升高温度进行脱附。变压吸附的原理是在保持温度不变的前提下，高压吸附，低压或抽真空进行脱附。然而，这两项技术前者需要额外的加热过程，后者需要额外的加压减压操作，是目前吸附分离技术能耗的主要来源。因此，如何降低传统分离技术的能耗问题受到广泛关注。
3.太阳辐射，即太阳以电磁波的形式向地球辐射能量，所产生的太阳能是一种可再生的清洁能源。运用辐射制冷技术来实现太阳辐射降温和运用太阳能加热来实现物体加热是对太阳辐射能使用较为广泛的两个领域。考虑到变温吸附所需的降温和升温过程，若能将太阳辐射用于变温吸附过程中的温度调变，将有望大幅度降低变温吸附过程的成本。然而，如何有效地将太阳辐射用于气体吸脱附过程这一领域目前未见报道。


技术实现要素：

4.本发明的目的是提供一种通过辐射制冷和太阳能制热调控吸脱附过程的方法，该方法将具备辐射制冷效果的涂层与吸附剂耦合，进而利用辐射制冷和太阳能制热来调控吸附剂的吸脱附过程；吸附过程和脱附过程可以进行便捷地连续操作，进行吸附—脱附循环，整个过程通过辐射制冷和太阳能制热来分别提供吸附剂降温和升温所需的能量，能够显著降低吸脱附过程的能耗。
5.本发明通过以下技术方案实现：
6.本发明的通过辐射制冷和太阳能制热调控吸脱附过程的方法，其所述的调控吸脱附过程的方法是将辐射制冷涂层与吸附剂耦合，当辐射制冷涂层在吸附剂上方暴露在太阳光下，辐射制冷涂层通过反射太阳辐射和辐射热量的形式降低下方吸附剂的温度，从而进行气体吸附过程；当辐射制冷涂层在吸附剂下方，吸附剂暴露在太阳光下从太阳辐射中获取能量，升高自身温度，从而进行气体脱附过程，通过辐射制冷和太阳能制热进行吸附剂温度的降低和升高，实现辐射制冷和太阳能制热调控吸脱附的过程。
7.本发明上述的通过辐射制冷和太阳能制热调控吸脱附过程的方法，其进一步的技术方案是所述的将辐射制冷涂层与吸附剂耦合其采用的装置为石英材质的柱状吸附塔，装置上下两侧均可透光，左右设有气体进出口，将粉末状吸附剂铺填于装置的底部作为吸附剂床层，用与装置下底面等面积的金属薄层压紧，再覆上等面积的辐射制冷涂层，将辐射制冷涂层与金属薄层固定连接；吸附气体从左侧进入装置，通过吸附剂床层后从右侧进入色谱进行检测；吸附结束后，翻转装置来改变吸附剂床层和辐射制冷涂层的相对位置，此时，
辐射制冷涂层位于吸附剂床层的下方，吸附剂在阳光下的光热转化特性使得吸附剂温度上升，从而在惰性气体的吹扫下实现快速脱附。再进一步的技术方案还可以是所述的吸附剂均在高温真空或高温惰性气体下活化后与辐射制冷涂层耦合。
8.本发明上述的通过辐射制冷和太阳能制热调控吸脱附过程的方法，其进一步的技术方案还可以是所述的辐射制冷涂层为具有辐射制冷功能的微纳米颗粒涂层或功能性高分子材料涂层。再进一步的技术方案是所述的微纳米颗粒优选为二氧化硅、二氧化钛、亚磷酸盐晶体、银纳米颗粒或铝中的一种或其组合；所述的功能性高分子材料优选为聚环氧乙烷、聚偏氟乙烯
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六氟丙烯、聚二甲基硅氧烷或聚甲基戊烯中的一种或其组合。
9.本发明上述的通过辐射制冷和太阳能制热调控吸脱附过程的方法，其进一步的技术方案还可以是所述的吸附剂为沸石分子筛、黏土矿物、氧化物、活性炭、金属/共价有机骨架材料、金属有机多面体/笼/络合物、聚合物、离子液体或多孔碳材料中的一种或其组合。再进一步的技术方案是所述的沸石分子筛优选为a型、x型、y型或zsm型沸石分子筛中的一种或其组合；所述的黏土矿物优选为凹凸棒土、蒙脱土、膨润土、高岭土、水滑石、伊利石或海泡石粘土中的一种或其组合；所述的氧化物优选为氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锆中的一种或其组合；所述的金属/共价有机骨架材料优选为mof系列、mil系列、pcn系列、zif系列、pcp系列、uio系列、hkust系列、kaust系列、sifsix系列、nu系列、cofs系列或nott系列中的一种或其组合；所述的金属有机多面体/笼/络合聚合物为mops系列、mocs系列、mocps系列中的一种或其组合；所述的聚合物为富氮共轭微孔聚合物、pops系列多孔有机聚合物、nut系列含氮聚合物中的一种或其组合；所述的离子液体为离子液体基多孔材料、聚离子液体纳米纤维中的一种或其组合；所述的多孔碳材料为npc系列氮掺杂多孔碳、多孔材料碳化衍生物中的一种或其组合。
10.本发明上述的通过辐射制冷和太阳能制热调控吸脱附过程的方法，其进一步的技术方案还可以是所述的辐射制冷涂层在其暴露在太阳光下，连通吸附气体进行吸附测试，所述的气体为烯烃、烷烃、炔烃、氮气、氢气、氧气、硫氧化物、氮氧化物、碳氧化物、水蒸气、有机物蒸汽、稀有气体、氯气、氨气、硫化氢、氯化氢、氟气中的一种其组合；其中稀有气体优选为氦气、氖气、氩气、氪气、氙气或氡气中的一种其组合。在吸附测试过程中，辐射制冷涂层有效抑制了吸附剂自身的光热转化过程，同时可以通过自身的辐射来将热量散失出去，能够有效控制吸附剂处于有利于吸附过程的较低温度。
11.本发明上述的通过辐射制冷和太阳能制热调控吸脱附过程的方法，其进一步的技术方案还可以是所述的吸附剂在其暴露在太阳光下，连通脱附吹扫气进行脱附，所述吹扫气为高纯气体、混合气、蒸汽中的一种或其组合。
12.本发明上述的通过辐射制冷和太阳能制热调控吸脱附过程的方法，其进一步的技术方案还可以是所述的太阳能制热包括吸附剂自身的太阳能捕获、染色处理增强太阳能制热效果、添加对太阳辐射有较强吸收能力的添加物中的一种或几种；其中添加对太阳辐射有较强吸收能力的添加物优选为贵金属纳米颗粒、低维材料、碳纤维/凝胶、金属陶瓷或光子晶体。
13.本发明与现有技术相比具有以下有益效果：
14.本发明的通过辐射制冷和太阳能制热调控吸脱附过程的方法，当辐射制冷涂层在吸附剂上方时，涂层可通过反射太阳辐射和辐射热量的形式有效降低下方吸附剂温度，从
而在较低的温度下进行气体吸附过程；当辐射制冷涂层在吸附剂下方时，吸附剂可以从太阳辐射中获取能量，来升高自身温度，从而在较高的温度下进行气体脱附过程，吸脱附的过程可通过翻转改变吸附剂和辐射制冷涂层的相对位置来实现。
15.本发明利用太阳能来满足变温吸附技术中的升温或降温过程所需的能量。该发明方案简便，避免了传统吸脱附过程中能耗较高的问题，通过将辐射制冷材料与吸附剂耦合，构建了可优化吸脱附过程的技术方案，整个过程通过辐射制冷和太阳能制热来分别实现吸附剂的降温和升温，从而显著降低了吸附分离过程的能耗需求；同时整个吸附过程和脱附过程可以进行便捷地连续操作，进行吸附
‑
脱附循环。
附图说明
16.图1为本发明通过辐射制冷和太阳能制热调控吸脱附过程及装置结构示意图
具体实施方式
17.通过下述实施例，对本发明作进一步的详细说明，但不应将此理解为本发明上述主题的范围仅限于以下的实例。
18.实施例中：通过辐射制冷和太阳能制热调控吸脱附过程的方法是将辐射制冷涂层与吸附剂耦合，当辐射制冷涂层在吸附剂上方暴露在太阳光下，辐射制冷涂层通过反射太阳辐射和辐射热量的形式降低下方吸附剂的温度，从而进行气体吸附过程；当辐射制冷涂层在吸附剂下方，吸附剂暴露在太阳光下从太阳辐射中获取能量，升高自身温度，从而进行气体脱附过程，通过辐射制冷和太阳能制热进行吸附剂温度的降低和升高，实现辐射制冷和太阳能制热调控吸脱附的过程。所述的将辐射制冷涂层与吸附剂耦合其采用的装置为石英材质的柱状吸附塔，装置上下两侧均可透光，左右设有气体进出口，将粉末状吸附剂铺填于装置的底部作为吸附剂床层，用与装置下底面等面积的金属薄层压紧，再覆上等面积的辐射制冷涂层，将辐射制冷涂层与金属薄层固定连接；吸附气体从左侧进入装置，通过吸附剂床层后从右侧进入色谱进行检测；吸附结束后，翻转装置来改变吸附剂床层和辐射制冷涂层的相对位置，此时，辐射制冷涂层位于吸附剂床层的下方，吸附剂在阳光下的光热转化特性使得吸附剂温度上升，从而在惰性气体的吹扫下实现快速脱附。
19.实施例1
20.称取10g高温真空活化后的5a型分子筛与刷涂的聚偏氟乙烯
‑
六氟丙烯涂层耦合，填充于标准石英实验装置，连通氮气进行吹扫，氮气流速为10ml/min。使用外接温度测温装置实时监测内部吸附剂的温度，同时将该石英装置置于铝膜板上并移至阳光下，开始进行实验。太阳辐照(100mw/cm2)持续至温度稳定，辐射制冷涂层在吸附剂上方时为吸附段温度，辐射制冷涂层在吸附剂下方时为脱附段温度。吸附段温度和脱附段温度数据见表1。
21.实施例2
22.称取10g高温真空活化后的5a型分子筛与刷涂的亚磷酸盐晶体涂层耦合，填充于标准石英实验装置，连通氮气进行吹扫，氮气流速为10ml/min。使用外接温度测温装置实时监测内部吸附剂的温度，同时将该石英装置置于铝膜板上并移至阳光下，开始进行实验。太阳辐照(100mw/cm2)持续至温度稳定，辐射制冷涂层在吸附剂上方时为吸附段温度，辐射制冷涂层在吸附剂下方时为脱附段温度。吸附段温度和脱附段温度数据见表1。
23.实施例3
24.称取10g高温真空活化后的5a型分子筛与刷涂的银/二氧化硅复合涂层耦合，填充于标准石英实验装置，连通氮气进行吹扫，氮气流速为10ml/min。使用外接温度测温装置实时监测内部吸附剂的温度，同时将该石英装置置于铝膜板上并移至阳光下，开始进行实验。太阳辐照(100mw/cm2)持续至温度稳定，辐射制冷涂层在吸附剂上方时为吸附段温度，辐射制冷涂层在吸附剂下方时为脱附段温度。吸附段温度和脱附段温度数据见表1。
25.实施例4
26.称取10g高温真空活化后的活性炭与刷涂的聚偏氟乙烯
‑
六氟丙烯涂层耦合，填充于标准石英实验装置，连通氮气进行吹扫，氮气流速为10ml/min。使用外接温度测温装置实时监测内部吸附剂的温度，同时将该石英装置置于铝膜板上并移至阳光下，开始进行实验。太阳辐照(100mw/cm2)持续至温度稳定，辐射制冷涂层在吸附剂上方时为吸附段温度，辐射制冷涂层在吸附剂下方时为脱附段温度。吸附段温度和脱附段温度数据见表1。
27.实施例5
28.称取10g高温真空活化后的活性炭与刷涂的聚四氟乙烯/二氧化硅涂层耦合，填充于标准石英实验装置，连通氮气进行吹扫，氮气流速为10ml/min。使用外接温度测温装置实时监测内部吸附剂的温度，同时将该石英装置置于铝膜板上并移至阳光下，开始进行实验。太阳辐照(100mw/cm2)持续至温度稳定，辐射制冷涂层在吸附剂上方时为吸附段温度，辐射制冷涂层在吸附剂下方时为脱附段温度。吸附段温度和脱附段温度数据见表1。
29.实施例6
30.称取10g高温真空活化后的活性炭与刷涂的聚二甲基硅氧烷/二氧化硅/银涂层耦合，填充于标准石英实验装置，连通氮气进行吹扫，氮气流速为10ml/min。使用外接温度测温装置实时监测内部吸附剂的温度，同时将该石英装置置于铝膜板上并移至阳光下，开始进行实验。太阳辐照(100mw/cm2)持续至温度稳定，辐射制冷涂层在吸附剂上方时为吸附段温度，辐射制冷涂层在吸附剂下方时为脱附段温度。吸附段温度和脱附段温度数据见表1。
31.实施例7
32.称取10g高温真空活化后的氮掺杂多孔碳(ppy
‑
650)与刷涂的聚偏氟乙烯
‑
六氟丙烯涂层耦合，填充于标准石英实验装置，连通氮气进行吹扫，氮气流速为10ml/min。使用外接温度测温装置实时监测内部吸附剂的温度，同时将该石英装置置于铝膜板上并移至阳光下，开始进行实验。太阳辐照(100mw/cm2)持续至温度稳定，辐射制冷涂层在吸附剂上方时为吸附段温度，辐射制冷涂层在吸附剂下方时为脱附段温度。吸附段温度和脱附段温度数据见表1。
33.实施例8
34.称取10g高温真空活化后的hkust
‑
1与刷涂的聚偏氟乙烯
‑
六氟丙烯涂层耦合，填充于标准石英实验装置，连通氮气进行吹扫，氮气流速为10ml/min。使用外接温度测温装置实时监测内部吸附剂的温度，同时将该石英装置置于铝膜板上并移至阳光下，开始进行实验。太阳辐照(100mw/cm2)持续至温度稳定，辐射制冷涂层在吸附剂上方时为吸附段温度，辐射制冷涂层在吸附剂下方时为脱附段温度。吸附段温度和脱附段温度数据见表1。
35.实施例9
36.称取10g高温真空活化后的zif
‑
8与刷涂的聚偏氟乙烯
‑
六氟丙烯涂层耦合，填充
于标准石英实验装置，连通氮气进行吹扫，氮气流速为10ml/min。使用外接温度测温装置实时监测内部吸附剂的温度，同时将该石英装置置于铝膜板上并移至阳光下，开始进行实验。太阳辐照(100mw/cm2)持续至温度稳定，辐射制冷涂层在吸附剂上方时为吸附段温度，辐射制冷涂层在吸附剂下方时为脱附段温度。吸附段温度和脱附段温度数据见表1。
37.实施例10
38.称取10g高温真空活化后的mil
‑
100(fe)与刷涂的聚偏氟乙烯
‑
六氟丙烯涂层耦合，填充于标准石英实验装置，连通氮气进行吹扫，氮气流速为10ml/min。使用外接温度测温装置实时监测内部吸附剂的温度，同时将该石英装置置于铝膜板上并移至阳光下，开始进行实验。太阳辐照(100mw/cm2)持续至温度稳定，辐射制冷涂层在吸附剂上方时为吸附段温度，辐射制冷涂层在吸附剂下方时为脱附段温度。吸附段温度和脱附段温度数据见表1。
39.实施例11
40.称取10g高温真空活化后的mil
‑
101(cr)与刷涂的聚偏氟乙烯
‑
六氟丙烯涂层耦合，填充于标准石英实验装置，连通氮气进行吹扫，氮气流速为10ml/min。使用外接温度测温装置实时监测内部吸附剂的温度，同时将该石英装置置于铝膜板上并移至阳光下，开始进行实验。太阳辐照(100mw/cm2)持续至温度稳定，辐射制冷涂层在吸附剂上方时为吸附段温度，辐射制冷涂层在吸附剂下方时为脱附段温度。吸附段温度和脱附段温度数据见表1。
41.实施例12
42.称取10g高温真空活化后的uio
‑
66与刷涂的聚偏氟乙烯
‑
六氟丙烯涂层耦合，填充于标准石英实验装置，连通氮气进行吹扫，氮气流速为10ml/min。使用外接温度测温装置实时监测内部吸附剂的温度，同时将该石英装置置于铝膜板上并移至阳光下，开始进行实验。太阳辐照(100mw/cm2)持续至温度稳定，辐射制冷涂层在吸附剂上方时为吸附段温度，辐射制冷涂层在吸附剂下方时为脱附段温度。吸附段温度和脱附段温度数据见表1。
43.实施例13
44.称取10g高温真空活化后的mof
‑
74(ni)与刷涂的聚偏氟乙烯
‑
六氟丙烯涂层耦合，填充于标准石英实验装置，连通氮气进行吹扫，氮气流速为10ml/min。使用外接温度测温装置实时监测内部吸附剂的温度，同时将该石英装置置于铝膜板上并移至阳光下，开始进行实验。太阳辐照(100mw/cm2)持续至温度稳定，辐射制冷涂层在吸附剂上方时为吸附段温度，辐射制冷涂层在吸附剂下方时为脱附段温度。吸附段温度和脱附段温度数据见表1。
45.实施例14
46.称取10g高温真空活化后的ni
‑
bdc与刷涂的聚偏氟乙烯
‑
六氟丙烯涂层耦合，填充于标准石英实验装置，连通氮气进行吹扫，氮气流速为10ml/min。使用外接温度测温装置实时监测内部吸附剂的温度，同时将该石英装置置于铝膜板上并移至阳光下，开始进行实验。太阳辐照(100mw/cm2)持续至温度稳定，辐射制冷涂层在吸附剂上方时为吸附段温度，辐射制冷涂层在吸附剂下方时为脱附段温度。吸附段温度和脱附段温度数据见表1。
47.实施例15
48.称取10g高温真空活化后的pcn
‑
245与刷涂的聚偏氟乙烯
‑
六氟丙烯涂层耦合，填充于标准石英实验装置，连通氮气进行吹扫，氮气流速为10ml/min。使用外接温度测温装置实时监测内部吸附剂的温度，同时将该石英装置置于铝膜板上并移至阳光下，开始进行实验。太阳辐照(100mw/cm2)持续至温度稳定，辐射制冷涂层在吸附剂上方时为吸附段温度，
辐射制冷涂层在吸附剂下方时为脱附段温度。吸附段温度和脱附段温度数据见表1。
49.实施例16
50.称取10g高温真空活化后的sifsix
‑
1(cu)与刷涂的聚偏氟乙烯
‑
六氟丙烯涂层耦合，填充于标准石英实验装置，连通氮气进行吹扫，氮气流速为10ml/min。使用外接温度测温装置实时监测内部吸附剂的温度，同时将该石英装置置于铝膜板上并移至阳光下，开始进行实验。太阳辐照(100mw/cm2)持续至温度稳定，辐射制冷涂层在吸附剂上方时为吸附段温度，辐射制冷涂层在吸附剂下方时为脱附段温度。吸附段温度和脱附段温度数据见表1。
51.实施例17
52.称取10g高温真空活化后的zif
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67与刷涂的聚偏氟乙烯
‑
六氟丙烯涂层耦合，填充于标准石英实验装置，连通氮气进行吹扫，氮气流速为10ml/min。使用外接温度测温装置实时监测内部吸附剂的温度，同时将该石英装置置于铝膜板上并移至阳光下，开始进行实验。太阳辐照(100mw/cm2)持续至温度稳定，辐射制冷涂层在吸附剂上方时为吸附段温度，辐射制冷涂层在吸附剂下方时为脱附段温度。吸附段温度和脱附段温度数据见表1。
53.实施例18
54.称取10g高温真空活化后的多孔二氧化硅与刷涂的聚偏氟乙烯
‑
六氟丙烯涂层耦合，填充于标准石英实验装置，连通氮气进行吹扫，氮气流速为10ml/min。使用外接温度测温装置实时监测内部吸附剂的温度，同时将该石英装置置于铝膜板上并移至阳光下，开始进行实验。太阳辐照(100mw/cm2)持续至温度稳定，辐射制冷涂层在吸附剂上方时为吸附段温度，辐射制冷涂层在吸附剂下方时为脱附段温度。吸附段温度和脱附段温度数据见表1。
55.实施例19
56.称取10g高温真空活化后的碱性氧化铝与刷涂的聚偏氟乙烯
‑
六氟丙烯涂层耦合，填充于标准石英实验装置，连通氮气进行吹扫，氮气流速为10ml/min。使用外接温度测温装置实时监测内部吸附剂的温度，同时将该石英装置置于铝膜板上并移至阳光下，开始进行实验。太阳辐照(100mw/cm2)持续至温度稳定，辐射制冷涂层在吸附剂上方时为吸附段温度，辐射制冷涂层在吸附剂下方时为脱附段温度。吸附段温度和脱附段温度数据见表1。
57.实施例20
58.称取10g高温真空活化后的金属有机多面体(nut
‑
101)与刷涂的聚偏氟乙烯
‑
六氟丙烯涂层耦合，填充于标准石英实验装置，连通氮气进行吹扫，氮气流速为10ml/min。使用外接温度测温装置实时监测内部吸附剂的温度，同时将该石英装置置于铝膜板上并移至阳光下，开始进行实验。太阳辐照(100mw/cm2)持续至温度稳定，辐射制冷涂层在吸附剂上方时为吸附段温度，辐射制冷涂层在吸附剂下方时为脱附段温度。吸附段温度和脱附段温度数据见表1。
59.实施例21
60.称取10g高温真空活化后的水滑石与刷涂的聚偏氟乙烯
‑
六氟丙烯涂层耦合，填充于标准石英实验装置，连通氮气进行吹扫，氮气流速为10ml/min。使用外接温度测温装置实时监测内部吸附剂的温度，同时将该石英装置置于铝膜板上并移至阳光下，开始进行实验。太阳辐照(100mw/cm2)持续至温度稳定，辐射制冷涂层在吸附剂上方时为吸附段温度，辐射制冷涂层在吸附剂下方时为脱附段温度。吸附段温度和脱附段温度数据见表1。
61.实施例22
62.称取10g高温真空活化后的凹凸棒土与刷涂的聚偏氟乙烯
‑
六氟丙烯涂层耦合，填充于标准石英实验装置，连通氮气进行吹扫，氮气流速为10ml/min。使用外接温度测温装置实时监测内部吸附剂的温度，同时将该石英装置置于铝膜板上并移至阳光下，开始进行实验。太阳辐照(100mw/cm2)持续至温度稳定，辐射制冷涂层在吸附剂上方时为吸附段温度，辐射制冷涂层在吸附剂下方时为脱附段温度。吸附段温度和脱附段温度数据见表1。
63.实施例23
64.称取10g高温真空活化后的离子液体基的金属有机骨架/介孔二氧化硅复合材料(mof@msio2‑
il)与刷涂的聚偏氟乙烯
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六氟丙烯涂层耦合，填充于标准石英实验装置，连通氮气进行吹扫，氮气流速为10ml/min。使用外接温度测温装置实时监测内部吸附剂的温度，同时将该石英装置置于铝膜板上并移至阳光下，开始进行实验。太阳辐照(100mw/cm2)持续至温度稳定，辐射制冷涂层在吸附剂上方时为吸附段温度，辐射制冷涂层在吸附剂下方时为脱附段温度。吸附段温度和脱附段温度数据见表1。
65.实施例24
66.称取10g高温真空活化后的氮掺杂多孔碳(npc
‑
800)与刷涂的聚偏氟乙烯
‑
六氟丙烯涂层耦合，填充于标准石英实验装置，连通氮气进行吹扫，氮气流速为10ml/min。使用外接温度测温装置实时监测内部吸附剂的温度，同时将该石英装置置于铝膜板上并移至阳光下，开始进行实验。太阳辐照(100mw/cm2)持续至温度稳定，辐射制冷涂层在吸附剂上方时为吸附段温度，辐射制冷涂层在吸附剂下方时为脱附段温度。吸附段温度和脱附段温度数据见表1。
67.表1：实施例1～22测量的数据
68.[0069][0070]
根据实例1～3，4～6得到不同辐射制冷涂层在太阳辐射下对吸附剂的降温效果差异不大，相同吸附剂在相同强度光照下脱附段温度差别不大。
[0071]
根据表1，3，4,7～24得到吸附段各吸附剂的温度，且在相同辐射制冷涂层下吸附段温度都较为接近。而脱附温度主要取决于各类样品自身的性质，例如颜色，深色系吸附剂要明显优于浅色系吸附剂，再例如材料自身的吸光性能，例如特例7和8中的材料自身色彩与部分特例相仿，但太阳辐射下温升明显。
[0072]
结合表1中实施例1～24中所示的太阳辐射对吸附段和脱附段温度的影响结果可得，本发明对多种吸附剂材料、多种辐射制冷涂层均适用，该项技术具有较好的普适性。在不需要任何外加能耗的情况下，仅需太阳能就可以实现对吸附段和脱附段温度的调控。
[0073]
实施例25
[0074]
对实施例1～24中部分实例进行气体吸脱附测试，测试气体流速为10ml/min，气体吸脱附使用气相色谱进行检测，所测的外界环境为真实的太阳辐射环境，具体太阳辐射强度使用光强密度计进行实时检测，测试数据见表2。
[0075]
表2：实施例25进行气体吸脱附测试数据
[0076][0077]
根据表2中实施例25的结果可得，本发明可以实现辐射制冷和太阳能制热调控气体的吸脱附过程，以上述的二氧化碳、烯烃、烷烃为例，本技术方案均可以在不介入其余额外能量下实现气体的变温吸脱附过程。