摄像装置的制作方法

技术特征：
1.一种摄像装置，具备：半导体基板；以及多个像素，所述多个像素中的各个像素包括第1电容元件，该第1电容元件包括被设置于所述半导体基板的上方的第1电极、被设置于所述半导体基板的上方的第2电极、以及位于所述第1电极与所述第2电极之间的介电体层，所述第1电极及所述第2电极中的至少一方具有：与第1电气元件电连接的第1电接点、以及与不同于所述第1电气元件的第2电气元件电连接的第2电接点，所述第1电容元件包括具有沟槽形状的至少1个沟槽部。2.如权利要求1所述的摄像装置，所述第1电接点及所述第2电接点中的至少一方被设置于所述至少1个沟槽部。3.如权利要求2所述的摄像装置，所述第1电接点及所述第2电接点中的所述至少一方被设置于所述至少1个沟槽部的底面。4.如权利要求1所述的摄像装置，所述第1电接点被设置于所述至少1个沟槽部，所述第2电接点被设置于所述至少1个沟槽部以外。5.如权利要求1至4中任一项所述的摄像装置，所述至少1个沟槽部包括多个沟槽部，所述多个沟槽部包括未设置所述第1电接点及所述第2电接点的沟槽部。6.如权利要求1至5中任一项所述的摄像装置，所述第1电极被设置为比所述第2电极更靠近所述半导体基板，具有所述第1电接点及所述第2电接点。7.如权利要求1至5中任一项所述的摄像装置，所述第2电极被设置为比所述第1电极更远离所述半导体基板，具有所述第1电接点及所述第2电接点。8.如权利要求1至7中任一项所述的摄像装置，所述第1电极及所述第2电极含有tin或者tan。9.如权利要求1至8中任一项所述的摄像装置，所述摄像装置还具备被设置于所述半导体基板的上方的多个布线层，所述多个布线层之中的位于所述第1电容元件的上方的布线层的数量，比位于所述第1电容元件的下方的布线层的数量多。10.如权利要求1至9中任一项所述的摄像装置，所述第1电接点及所述第2电接点都与过孔连接。11.如权利要求1至10中任一项所述的摄像装置，所述多个像素中的各个像素还包括：光电转换部；以及杂质区域，与所述光电转换部电连接，且被设置在所述半导体基板内，在平面图中，所述第1电容元件与所述杂质区域的至少一部分重叠。
12.如权利要求1至10中任一项所述的摄像装置，所述多个像素中的各个像素还包括：光电转换部；杂质区域，与所述光电转换部电连接，且被设置在所述半导体基板内；晶体管，与所述杂质区域电连接；以及第2电容元件，所述晶体管是所述第1电接点及所述第2电接点中的一方，所述第2电容元件是所述第1电接点及所述第2电接点中的另一方。13.如权利要求12所述的摄像装置，所述晶体管是将由所述光电转换部生成并被积蓄至所述杂质区域的电荷复位的复位晶体管。14.如权利要求12或者13所述的摄像装置，所述第2电容元件经由所述第1电极或者所述第2电极与所述杂质区域电连接。15.如权利要求1至10中任一项所述的摄像装置，所述多个像素中的各个像素还包括：光电转换部；以及杂质区域，与所述光电转换部电连接，且被设置在所述半导体基板内，所述第1电极被设置为比所述第2电极更靠近所述半导体基板，而且与所述杂质区域电连接，所述第2电极与被施加规定的电压值的焊盘电连接。16.如权利要求15所述的摄像装置，所述摄像装置还包括：灵敏度调整线，与所述焊盘和所述第2电极电连接，用于调整所述摄像装置的灵敏度。

技术总结
本公开的一个方式所涉及的摄像装置具备半导体基板以及多个像素。多个像素中的各个像素包括第1电容元件，该第1电容元件包括被设置于半导体基板的上方的第1电极、被设置于半导体基板的上方的第2电极、以及位于第1电极与第2电极之间的介电体层。第1电极及第2电极中的至少一方具有：与第1电气元件电连接的第1电接点、以及与不同于第1电气元件的第2电气元件电连接的第2电接点。第1电容元件包括具有沟槽形状的至少1个沟槽部。状的至少1个沟槽部。状的至少1个沟槽部。


技术研发人员：留河优子 佐藤好弘
受保护的技术使用者：松下知识产权经营株式会社
技术研发日：2020.07.27
技术公布日：2021/11/26