具伪装设计的半导体装置，多路复用器单元及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种多路复用器单元，其包括：半导体衬底；导电层，其形成于所述半导体衬底上方；多对晶体管，其形成于所述半导体衬底上，每一对晶体管包括p沟道晶体管及n沟道晶体管；所述p沟道晶体管及所述n沟道晶体管中的每一者的栅极结构、第一源极/漏极结构及第二源极/漏极结构电连接到所述导电层，所述栅极结构包括：导电段，其形成于所述半导体衬底上且跨所述半导体衬底的有源区域延伸，所述第一源极/漏极结构及所述第二源极/漏极结构形成于所述有源区域上且定位于所述导电段的对置侧处，所述导电层的第一导电部分及第二导电部分分别交越所述导电段的第一部分及第二部分；第一接触元件及第二接触元件，其分别形成于所述导电段的所述第一部分及所述第二部分上，所述第一接触元件经布置以将所述导电段电连接到所述第一导电部分，所述第二接触元件经布置以电隔离所述导电段与所述第二导电部分；及互连结构，其定位于每一对晶体管之间且电连接到所述导电层，其中所述晶体管对包含第一对晶体管、第二对晶体管及第三对晶体管；所述互连结构经布置以将所述第一对晶体管的每一栅极结构、所述第二对晶体管的每一第一源极/漏极结构及所述第三对晶体管的每一第一源极/漏极结构分别电连接到所述多路复用器单元的选择端子、第一输入端子及第二输入端子。2.根据权利要求1所述的多路复用器单元，其中所述导电段沿第一方向跨所述有源区域延伸；所述第一接触元件及所述第二接触元件沿垂直于所述第一方向的第二方向布置于所述导电段上。3.根据权利要求1所述的多路复用器单元，其中所述第二接触元件包括彼此上下堆叠的导电段及非导电段。4.根据权利要求1所述的多路复用器单元，其中所述第一源极/漏极结构及所述第二源极/漏极结构中的至少一者包括：扩散区域，其形成于所述有源区域中，其中所述导电层的第三导电部分及第四导电部分分别形成于所述扩散区域的第一部分及第二部分上方；及第三接触元件及第四接触元件，其分别形成于所述扩散区域的所述第一部分及所述第二部分上，所述第三接触元件经布置以将所述扩散区域电连接到所述第三导电部分，所述第四接触元件经布置以电隔离所述扩散区域与所述第四导电部分。5.根据权利要求1所述的多路复用器单元，其中所述晶体管对进一步包括第四对晶体管；所述互连结构进一步经布置以将所述第二对晶体管的每一第二源极/漏极结构及所述第三对晶体管的每一第二源极/漏极结构电连接到所述第四对晶体管的每一栅极结构且将所述第四对晶体管的每一第一源极/漏极结构电连接到所述多路复用器单元的输出端子。6.根据权利要求1所述的多路复用器单元，其中所述互连结构包括：第三导电部分，其电连接到所述第一导电部分；第四导电部分，其电连接到所述第二导电部分，所述第四导电部分与所述第三导电部分分离；第五导电部分，其形成于高于所述第三导电部分及所述第四导电部分中的每一者的层
级处，所述第五导电部分交越所述第三导电部分及所述第四导电部分；第三接触元件，其形成于所述第三导电部分上且与所述第五导电部分接触；及第四接触元件，其形成于所述第四导电部分上且与所述第五导电部分接触。7.一种半导体装置，其包括：导电层，其形成于半导体衬底上方；晶体管结构，其形成于半导体衬底的第一区域上，所述晶体管结构包括：多晶硅栅极段，所述导电层的第一导电线及第二导电线分别交越所述多晶硅栅极段的第一部分及第二部分；第一接触元件，其形成于所述多晶硅栅极段的所述第一部分上且与所述第一导电线接触；及第二接触元件，其形成于所述多晶硅栅极段的所述第二部分上且与所述第二导电线接触；及互连结构，其形成于不同于所述第一区域的所述半导体衬底的第二区域上，所述互连结构包括：第三导电线及第四导电线，其分别耦合到所述第一导电线及所述第二导电线，所述第三导电线及所述第四导电线中的每一者沿第一方向延伸；多个第五导电线，其形成于不同于所述第三导电线及所述第四导电线中的每一者的层级处，每一第五导电线沿不同于所述第一方向的第二方向延伸；多个第三接触元件，其分别形成于所述第五导电线交越的所述第三导电线的不同部分上，其中所述第三接触元件中的一者经布置以将所述第三导电线电连接到所述第五导电线；及多个第四接触元件，其分别形成于所述第五导电线交越的所述第四导电线的不同部分上，其中所述第四接触元件中的一者经布置以电隔离所述第四导电线与所述第五导电线。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述多晶硅栅极段的所述第一部分及所述第二部分沿所述第二方向布置；所述多晶硅栅极段进一步包括沿所述第一方向延伸的第三部分；所述晶体管结构进一步包括定位于所述多晶硅栅极段的所述第三部分的对置侧处的第一源极/漏极区域及第二源极/漏极区域。9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述晶体管结构进一步包括：源极/漏极区域，其定位于所述多晶硅栅极段的一侧处；第五接触元件，其形成于所述源极/漏极区域的第一部分上，所述第五接触元件经布置以将所述源极/漏极区域的所述第一部分电连接到所述导电层；及第六接触元件，其形成于所述源极/漏极区域的第二部分上，所述第六接触元件经布置以电隔离所述源极/漏极区域的所述第二部分与所述导电层。10.一种用于形成多路复用器单元的方法，其包括：在半导体衬底上形成多个晶体管的多个多晶硅段，所述晶体管包括定位于所述半导体衬底的上部分上的多个p沟道晶体管及定位于所述半导体衬底的下部分上的多个n沟道晶体管，每一多晶硅段跨所述半导体衬底的有源区域延伸以界定第一源极/漏极区域及第二源极/漏极区域；在每一晶体管的所述多晶硅段、所述第一源极/漏极区域及所述第二源极/漏极区域上
形成多个接触元件；在所述接触元件上形成导电层，所述导电层包括彼此分离的第一导电部分及第二导电部分，其中所述多晶硅段通过所述接触元件的第一接触元件与所述第一导电部分电隔离且通过所述接触元件的第二接触元件电连接到所述第二导电部分；通过所述导电层使所述晶体管的第一p沟道晶体管及第一n沟道晶体管互连以形成反相器；通过所述导电层使所述晶体管的第二p沟道晶体管及第二n沟道晶体管互连以形成第一传输门，其中所述第二p沟道晶体管及所述第二n沟道晶体管的所述相应多晶硅段分别电连接到所述反相器的输入及输出；及通过所述导电层使所述晶体管的第三p沟道晶体管及第三n沟道晶体管互连以形成第二传输门，其中所述第三p沟道晶体管及所述第三n沟道晶体管的所述相应多晶硅段分别电连接到所述反相器的所述输出及所述输入。

技术总结
本发明实施例涉及具伪装设计的半导体装置，多路复用器单元及其形成方法。该半导体装置包含半导体衬底、导电段、导电层、第一接触元件及第二接触元件。所述半导体衬底包含有源区域。所述导电段形成于所述半导体衬底上且跨所述有源区域延伸。所述导电层形成于所述半导体衬底及所述导电段上方。形成于所述导电段与所述导电层的第一导电部分之间的所述第一接触元件经布置以将所述导电段电连接到所述第一导电部分。所述第二接触元件形成于所述导电段与所述导电层的第二导电部分之间。所述第一接触元件及所述第二接触元件形成于所述导电段上且彼此间隔开。所述第二接触元件经布置以电隔离所述导电段与所述第二导电部分。隔离所述导电段与所述第二导电部分。隔离所述导电段与所述第二导电部分。


技术研发人员：吕士濂
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.03.10
技术公布日：2021/11/25