曝光装置及图像形成机构的制作方法

1.本实用新型涉及曝光装置及图像形成机构，特别是涉及光刻曝光装置及光刻图像形成机构。


背景技术：

2.现有的光刻曝光设备对一金属滚轮或一金属平板基材曝光时，为形成特定的图案结构，往往会搭配光罩以进行曝光。然而，为了能在曝光时形成更加精细的图案，光罩的微结构的复杂度不断提升，进而导致光罩的制造成本上升，也使得现有的光刻曝光设备的整体制造成本提升。
3.于是，本公开的创作者认为上述缺陷可改善，乃特潜心研究并配合科学原理的运用，终于提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本实用新型。


技术实现要素：

4.本实用新型实施例针对现有技术的不足提供一种曝光装置及一种图像形成机构，其能有效地改善现有曝光设备所可能产生的缺陷。
5.本实用新型的其中一个实施例公开一种曝光装置，用来对设置在一待光刻件的一外表面的一光阻层曝光，所述曝光装置包括：一光源，用来邻近设置在所述光阻层；以及一图像形成机构，位置临近于所述光源，并且所述图像形成机构包含一金属基板、形成在所述金属基板上的多个凹陷部、及设置在多个所述凹陷部的多个透光件；其中，所述光源能用来对所述光阻层曝光，而所述光源发射的一初始光线通过所述图像形成机构后形成一图案化光线，并且所述图案化光线能用来照射所述光阻层，使所述光阻层对应形成一图案化光阻层。
6.优选地，所述光源包含多个发光二极管，多个所述发光二极管用来发出波长范围200纳米～400纳米的紫外光。
7.优选地，所述光源包含多个镭射二极管，多个所述镭射二极管用来发出波长范围300纳米～450纳米的镭射光。
8.优选地，所述图像形成机构能用来与所述待光刻件的所述外表面间隔有一曝光距离，并且所述曝光距离介于10微米～20微米之间。
9.优选地，所述图像形成机构能用来与所述待光刻件的所述外表面间隔有一曝光距离，并且所述曝光距离介于1微米～10微米之间。
10.优选地，每个所述凹陷部具有一凹陷深度，并且所述凹陷深度介于0.4微米～1.0微米之间。
11.优选地，每个所述凹陷部具有一凹陷宽度，并且所述凹陷宽度介于0.4微米～1.0微米之间。
12.本实用新型的其中一个实施例公开一种图像形成机构，用来供一光源所发射的一初始光线通过以对应形成一图案化光线，并且所述图像形成机构包括一金属基板、形成在
所述金属基板上的多个凹陷部、及设置在多个所述凹陷部的多个透光件。
13.优选地，每个所述凹陷部具有一凹陷深度，并且所述凹陷深度介于0.4微米～1.0微米之间。
14.优选地，每个所述凹陷部具有一凹陷宽度，并且所述凹陷宽度介于0.4微米～1.0微米之间。
15.综上，本实用新型的其中一有益效果在于，本实用新型所提供的所述曝光装置以及所述图像形成机构，其能通过“所述图像形成机构包括所述金属基板、形成在所述金属基板上的多个所述凹陷部、及设置在多个所述凹陷部的多个所述透光件”的技术方案，取代结构复杂度皆相对高的现有光罩，进而降低所述曝光装置的整体制造成本。
16.为能更进一步了解本实用新型的特征及技术内容，请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图，但是这些说明与附图仅用来说明本实用新型，而非对本实用新型的保护范围作任何的限制。
附图说明
17.图1为本实用新型实施例的曝光装置的侧视示意图。
18.图2为本实用新型实施例的曝光装置的动作示意图。
19.图3为本实用新型实施例的曝光装置的另一动作示意图。
20.图4为本实用新型实施例的图像形成机构的俯视示意图。
21.图5为本实用新型实施例的图像形成机构的侧视示意图。
具体实施方式
22.以下是通过特定的具体实施例来说明本实用新型所公开有关“曝光装置及图像形成机构”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本实用新型的优点与效果。本实用新型可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不背离本实用新型的构思下进行各种修改与变更。另外，本实用新型的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。此外，以下如有指出请参阅特定图式或是如特定图式所示，其仅是用以强调于后续说明中，所述及的相关内容大部分出现于该特定图式中，但不限制该后续说明中仅可参考所述特定图式。以下的实施方式将进一步详细说明本实用新型的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本实用新型的保护范围。
23.应当可以理解的是，虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种组件或者信号，但这些组件或者信号不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一组件与另一组件，或者一信号与另一信号。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
24.请参阅图1至图5所示，其为本实用新型的实施例，需先说明的是，本实施例所对应到的附图及其所提及的相关数量与外形，仅用来具体地说明本实用新型的实施方式，以便于了解本实用新型的内容，而非用来局限本实用新型的保护范围。
25.如图1及图2所示，本实用新型实施例提供一种曝光装置100，其用来对设置在一待光刻件200的一外表面201的一光阻层202曝光，并且所述曝光装置100包括一光源1、位置临
近于所述光源1的一图像形成机构2、以及连接于所述光源1与所述图像形成机构2的一支撑机构3。其中，在本实施例中，所述待光刻件200优选为一金属滚轮，但本实用新型并不限于此。举例来说，如图3所示，所述待光刻件200也可以为一金属平板。
26.需要说明的是，所述金属滚轮与所述金属平板优选由不锈钢制成，但本实用新型并不限于此。举例来说，所述金属滚轮与所述金属平板也可以由锡、铅、锌、铝、铜、黄铜、铁、镍、钴、钨、铬或其硬度大于铬的金属制成，而所述金属滚轮与所述金属平板的尺寸也能以依需求进行设计。
27.需要说明的是，所述光阻层202在本实施例中由正光阻剂形成，其可以是由酚醛树脂(phenol
‑
formaldehyde resin)或环氧树脂(epoxy resin)等正光阻剂材料制成，但本实用新型并不限于此。举例来说，所述光阻层202也可以由聚异戊二烯橡胶(polyisoprene rubber)、环氧基聚合物(epoxy
‑
based polymer)、或硫醇烯聚合物(thiol
‑
enes(oste)polymer)等负光阻剂材料制成。
28.如图1至图3所示，所述光源1能用来邻近设置在所述光阻层202。具体来说，所述光源1在本实施例中连接于所述图像形成机构2相对远离所述待光刻件200的一端。
29.需要说明的是，所述光源1包含多个发光二极管(图中未示出)，多个所述发光二极管用来发出波长范围200纳米～400纳米的紫外光，但本实用新型并不限于此。举例来说，于本实用新型未示出的其他实施例中，所述光源1也可以包含多个镭射二极管，多个所述镭射二极管用来发出波长范围300纳米～450纳米的雷射光。
30.需要说明的是，当多个所述发光二极管是用来发出紫外光时，多个所述发光二极管优选用来发出波长365纳米的紫外光；当多个所述发光二极管是用来发出镭射光时，多个所述发光二极管优选用来发出波长405纳米的镭射光。
31.如图4所示，所述图像形成机构2包含一金属基板21、形成在所述金属基板21上的多个凹陷部22、及设置在多个所述凹陷部22的多个透光件23。其中，所述图像形成机构2能用来与所述待光刻件200的所述外表面201间隔有一曝光距离l，并且所述曝光距离l介于10微米～20微米之间，但本实用新型并不限于此。举例来说，在本实用新型未示出的其他实施例中，所述曝光距离l也能介于1微米～10微米之间。
32.需要说明的是，所述金属基板21在本实施例中优选由铜制成，而多个所述透光件23优选由光固树脂制成，但本实用新型并不限于此。举例来说，在本实用新型未示出的其他实施例中，所述金属基板21也可以由不锈钢、锡、铅、锌、铝等金属制成，而多个所述透光件23也可以是由玻璃等透明材质制成。
33.需要说明的是，每个所述凹陷部22具有一凹陷深度d，并且所述凹陷深度d介于0.4微米～1.0微米之间；每个所述凹陷部22具有一凹陷宽度w，并且所述凹陷宽度w介于0.4微米～1.0微米之间。其中，如图5所示，由所述图像形成机构2的侧视图来看，每个所述凹陷部22的长度与宽度在本实施例中皆相同。也就是说，每个所述凹陷部22的剖面呈正方形，但本实用新型并不限于此。举例来说，于本实用新型未示出的其他实施例中，每个所述凹陷部22的剖面也可以呈长方形或其他几何图形。
34.需额外说明的是，所述图像形成机构2在本实施例中是以搭配于上述光源1来说明，但在本实用新型未示出的其他实施例中，所述图像形成机构2也可以是单独地应用(如：售卖)或是搭配其他构件使用。
35.需要说明的是，所述光源1能用来对所述光阻层202曝光，而所述光源1发射的一初始光线通过所述图像形成机构2后形成一图案化光线，并且所述图案化光线能用来照射所述光阻层202，使所述光阻层202对应形成一图案化光阻层(图中未示出)。
36.[实施例的有益效果]
[0037]
本实用新型的其中一有益效果在于，本实用新型所提供的所述曝光装置100以及所述图像形成机构2，其能通过“所述图像形成机构2包括所述金属基板21、形成在所述金属基板21上的多个所述凹陷部22、及设置在多个所述凹陷部22的多个所述透光件23”的技术方案，取代现有结构复杂度皆相对高的现有光罩，进而降低所述曝光装置100的整体制造成本。
[0038]
以上所公开的内容仅为本实用新型的优选可行实施例，并非因此局限本实用新型的权利要求范围，所以凡是运用本实用新型说明书及图式内容所做的等效技术变化，均包含于本实用新型的权利要求范围内。