用于检查显示装置的方法和用于制造显示装置的方法与流程

1.公开涉及一种用于检查显示装置的方法和一种用于制造显示装置的方法。


背景技术：

2.随着多媒体技术发展，显示装置变得越来越重要。因此，目前在使用诸如有机发光显示装置和液晶显示(lcd)装置的各种类型的显示装置。
3.显示装置用于显示图像，并且可以包括诸如有机发光显示面板或液晶显示面板的显示面板。其中，发光显示面板可以包括发光元件。例如，发光二极管(led)可以包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(oled)和使用无机材料作为荧光材料的无机发光二极管。
4.将理解的是，该背景技术部分部分地旨在提供用于理解技术的有用的背景。然而，该背景技术部分还可以包括不作为在这里公开的主题的对应的有效提交日期之前相关领域技术人员已知或理解的内容的一部分的想法、构思或认识。


技术实现要素：

5.公开的方面可以提供一种用于检查显示装置的方法，通过该方法可以检查设置在子像素中的发光元件的数量。
6.公开的方面可以提供一种用于检查显示装置的方法，该方法可以减少工艺节拍时间。
7.公开的方面还可以提供一种用于制造显示装置的方法，该方法使用用于检查显示装置的方法。
8.应注意的是，公开的方面不限于上述方面；并且通过以下描述，发明的其他方面对于本领域技术人员将是明显的。
9.根据公开的实施例，可以能够通过基于基底上的图像而通过计算代表值来计算发光元件的数量，从而减少工艺节拍时间。
10.应注意的是，公开的效果不限于上述效果，并且通过以下描述，公开的其他效果对于本领域技术人员而言将是明显的。
11.根据公开的实施例，用于检查显示装置的方法可以包括以下步骤：准备包括子像素的目标基底，在子像素中设置有发光元件；将子像素的多个第一区域中的每个划分为多个第二区域；获得多个第二区域中的每个的灰度值；使用灰度值来生成随机数；通过反映随机数中的变量来计算多个第一区域中的每个的代表值；以及对多个第一区域的代表值求和来计算子像素的发光元件的数量。
12.在实施例中，获得灰度值的步骤可以包括通过使用包括感测部分的检查设备扫描目标基底的整个区域来获得图像，并且可以通过模板匹配将目标基底的整个区域转换为单个图像。
13.在实施例中，生成随机数的步骤可以包括使用多个第二区域中的每个的灰度值的
最小值和最大值的蒙特卡罗模拟来生成随机数，并且随机数可以是在最小值与最大值之间的可以随机选择的值。
14.在实施例中，变量可以是灰度值、微x值、微y值、全局x值和全局y值中的至少一个。
15.在实施例中，微x值可以是可以获得灰度值的第一区域在对应的子像素中的位置的x坐标，微y值可以是可以获得灰度值的第一区域在对应的子像素中的位置的y坐标，全局x值可以是可以获得灰度值的第一区域在目标基底中的位置的x坐标，并且全局y值可以是可以获得灰度值的第一区域在目标基底中的位置的y坐标。
16.在实施例中，灰度值、微x值和全局x值可以减小随机数的值，并且微y值和全局y值可以增大随机数的值。
17.在实施例中，多个第一区域中的每个的代表值可以与发光元件的对应的数量相关联。
18.在实施例中，可以通过使用装备有感测部分的检查设备测量目标基底来获得多个第二区域中的每个的灰度值，并且感测部分可以是时间延迟积分(tdi)扫描相机。
19.在实施例中，所述方法还可以包括：将子像素的发光元件的数量与参考值比较；以及基于比较步骤的结果来确定目标基底的状况。
20.根据公开的实施例，用于制造显示装置的方法可以包括：在包括子像素的目标基底上设置发光元件；用包括感测部分的检查设备扫描目标基底来获得图像；将子像素的多个第一区域中的每个划分为多个第二区域；获得多个第二区域中的每个的灰度值；使用灰度值生成随机数；通过反映随机数中的变量来计算多个第一区域中的每个的代表值；通过对多个第一区域的代表值求和来计算子像素的发光元件的数量；基于子像素的发光元件的数量来确定目标基底的状况；在目标基底上形成第一绝缘层；以及形成与发光元件接触的第一接触电极和第二接触电极。
附图说明
21.通过参照附图详细描述公开的实施例，公开的上述和其他方面和特征将变得更加明显。
22.图1是根据公开的实施例的显示装置的示意性平面图。
23.图2是示出根据公开的实施例的显示装置的像素的示意性平面图。
24.图3是沿着图2的线q1
‑
q1'、线q2
‑
q2'和线q3
‑
q3'截取的示意性剖视图。
25.图4是示出根据公开的实施例的发光元件的示意性透视图。
26.图5是示出根据公开的另一实施例的发光元件的示意性透视图。
27.图6是根据公开的实施例的喷墨印刷设备的示意性透视图。
28.图7是示出根据公开的实施例的检查设备的示意性透视图。
29.图8是示出根据公开的实施例的检查设备的示意性平面图。
30.图9是用于示出根据公开的实施例的用于制造显示装置的方法的流程图。
31.图10是示出根据公开的实施例的制造显示装置的工艺步骤的一部分的示意性剖视图。
32.图11是示出在根据公开的实施例的制造显示装置的工艺步骤中的一个工艺步骤的子像素的示意性平面图。
33.图12是示出根据公开的实施例的制造显示装置的工艺步骤的一部分的示意性剖视图。
34.图13是示出在根据公开的实施例的制造显示装置的工艺步骤中的一个工艺步骤的子像素的示意性平面图。
35.图14是示出根据公开的实施例的制造显示装置的工艺步骤的一部分的示意性剖视图。
36.图15是示出在根据公开的实施例的制造显示装置的工艺步骤中的一个工艺步骤的子像素的示意性平面图。
37.图16是示出通过根据公开的实施例的检查设备测量的子像素的区域的示意性平面图。
38.图17是示出单个子像素的灰度值分布的示意性曲线图。
39.图18是示出针对不同子像素的发光元件的代表值和数量的示意性曲线图。
具体实施方式
40.现在，将在下文中参照其中示出了发明的实施例的附图更充分地描述发明。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域的技术人员充分传达发明的范围。
41.贯穿说明书，相同的附图标号表示相同的组件。
42.除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式(例如，“一个(种/者)”、所述(该))的使用也可以包括复数形式。术语“和/或”出于其意思和解释的目的而旨在包括术语“和”以及“或”的任何组合。例如，“a和/或b”可以被理解为意指“a、b或者a和b”。术语“和”以及“或”可以以合取含义或析取含义使用，并且可以被理解为等同于“和/或”。
43.诸如“包括”、“包含”和“具有”的术语旨在表示在公开中公开的元件的存在，而不旨在排除可以存在或可以添加一个或更多个其他元件的可能性。
44.还将理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，该层可以直接在所述另一层或基底上，或者还可以存在中间层。
45.将理解的是，尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件而不脱离发明的教导。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。
46.公开的各种实施例的每个特征可以部分地组合或全部地组合，并且技术上各种互锁和驱动是可能的。每个实施例可以彼此独立地实现，或者可以关联地一起实现。
47.术语“叠置”可以包括层叠、堆叠、面对或其变型、在
……
上面延伸、在
……
下面延伸、覆盖或部分覆盖或者本领域普通技术人员将领会和理解的任何其他合适的术语。表述“不叠置”可以包括分开或远离或偏离以及本领域普通技术人员将领会和理解的任何其他合适的等同情况。
48.在说明书和权利要求书中，短语
“……
中的至少一个(种/者)”出于其意思和解释的目的而旨在包括“选自
……
的组中的至少一个(种/者)”的含义。例如，“a和b中的至少一
个(种/者)”可以被理解为意指“a、b或者a和b”。
49.当元件被称为与另一元件“接触”或采用类似表述时，该元件可以与另一元件“电接触”或“物理接触”；或者与另一元件“间接接触”或“直接接触”。
50.考虑到正在被谈及的测量以及与具体量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)，如在这里使用的“约”或“近似”或“基本上”可以包括所陈述的值并且意指在如由本领域的普通技术人员确定的具体值的可接受偏差范围内。例如，“约”可以意指在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的例如
±
30％、
±
20％或
±
5％内。
51.除非另外定义或暗示，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非在说明书中清楚地定义，否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的背景下的意思一致的意思，而将不以理想化的或过于形式化的含义来进行解释。
52.图1是根据公开的实施例的显示装置的示意性平面图。
53.参照图1，显示装置10可以显示运动图像或静止图像。显示装置10可以指提供显示屏的任何电子装置。例如，显示装置10可以包括电视机、膝上型计算机、监视器、电子广告牌、物联网装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(pc)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示装置、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(pmp)、导航装置、游戏机、数码相机、摄像机等。
54.显示装置10可以包括用于提供显示屏的显示面板。显示面板的示例可以包括无机发光二极管显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板、场发射显示面板等。在以下描述中，可以采用无机发光二极管显示面板作为显示面板的示例，但是公开不限于此。可以采用任何其他的显示面板，只要可以等同地应用公开的技术想法即可。
55.显示装置10的形状可以以各种方式修改。例如，显示装置10可以具有诸如长横边矩形、长纵边矩形、正方形、圆角(顶点)四边形、其他多边形、圆形或其他适当形状的形状。显示装置10的显示区域dpa的形状也可以类似于显示装置10的整体形状。图1示出了呈长水平边矩形形状的显示装置10和显示区域dpa。
56.显示装置10可以包括显示区域dpa和非显示区域nda。在显示区域dpa中，可以显示图像。在非显示区域nda中，可以不显示图像。显示区域dpa可以被称为有效区域，而非显示区域nda也可以被称为无效区域。显示区域dpa通常可以占据显示装置10的中心。
57.显示区域dpa可以包括像素px。像素px可以以矩阵布置。当从顶部观看时，每个像素px的形状可以是但不限于矩形或正方形。每个像素px可以具有菱形形状，菱形形状具有相对于竖直方向倾斜的边。条型像素px和型像素px可以交替地布置。像素px中的每个可以包括发射特定波长带的光的至少一个发光元件以表现颜色。
58.非显示区域nda可以设置在显示区域dpa周围。非显示区域nda可以完全地或部分地围绕显示区域dpa。显示区域dpa可以具有矩形形状，并且非显示区域nda可以被设置为与显示区域dpa的四条边相邻。非显示区域nda可以形成显示装置10的边框。包括在显示装置10中的线或电路驱动器可以设置在非显示区域nda中的每个中，或者可以安装外部装置。
59.图2是示出根据公开的实施例的显示装置的像素的示意性平面图。
60.参照图2，像素px中的每个可以包括子像素pxn，其中n可以是从1到3的整数。例如，像素px可以包括第一子像素px1、第二子像素px2和第三子像素px3。第一子像素px1可以发射第一颜色的光，第二子像素px2可以发射第二颜色的光，第三子像素px3可以发射第三颜色的光。例如，第一颜色可以是蓝色，第二颜色可以是绿色，第三颜色可以是红色。然而，将理解的是，公开不限于此。所有子像素pxn可以发射相同颜色的光。尽管在图2示出的示例中像素px包括三个子像素pxn，但是公开不限于此。像素px可以包括多于三个的子像素pxn。
61.显示装置10的子像素pxn中的每个可以包括发射区域ema和非发射区域(未示出)。在发射区域ema中，发光元件30可以被设置为发射特定波长的光。在非发射区域中，可以不设置发光元件30，并且从发光元件30发射的光可以不到达，因此没有光从非发射区域中出射。发射区域ema可以包括其中可以设置有发光元件30的区域，并且可以包括与发光元件30相邻的从发光元件30发射的光出射的区域。
62.然而，将理解的是，公开不限于此。发射区域ema还可以包括其中从发光元件30发射的光可以被其他元件反射或折射而出射的区域。发光元件30可以设置在子像素pxn中的每个中，并且发射区域ema可以包括可以设置发光元件30的区域和相邻区域。
63.在发射区域ema中，可以设置接触电极cne1和cne2，接触电极cne1和cne2可以分别与电极21和22叠置，并且可以分别与发光元件30的一侧和另一侧接触。接触电极cne1和cne2可以通过开口op分别电连接到电极21和22。稍后将详细描述电极21和22以及接触电极cne1和cne2的结构。
64.子像素pxn中的每个还可以包括设置在非发射区域中的切割区域cba。切割区域cba可以在第二方向dr2上设置在发射区域ema的一侧上。切割区域cba可以在第二方向dr2上设置在邻近的子像素pxn的发射区域ema之间。在显示装置10的显示区域dpa中，可以布置发射区域ema和切割区域cba。例如，发射区域ema和切割区域cba可以在第一方向dr1上重复地布置，并且可以在第二方向dr2上交替地布置。在第一方向dr1上的切割区域cba之间的空间可以比在第一方向dr1上的发射区域ema之间的空间小。第二堤bnl2可以设置在切割区域cba与发射区域ema之间，并且它们之间的距离可以根据第二堤bnl2的宽度而变化。虽然发光元件30可以不设置在切割区域cba中，从而没有光可以从其出射，但是设置在子像素pxn中的每个中的电极21和22的一部分可以设置在切割区域cba中。针对每个子像素pxn设置的电极21和22可以彼此分开地设置在切割区域cba中。
65.图3是沿着图2的线q1
‑
q1'、线q2
‑
q2'和线q3
‑
q3'截取的示意性剖视图。图3是示出从设置在图2的第一子像素px1中的发光元件30的一个端部到另一端部的剖面的视图。
66.结合图2参照图3，显示装置10可以包括基底11、设置在基底11上的半导体层、导电层和绝缘层。半导体层、导电层和绝缘层可以形成显示装置10的电路层和发射材料层。
67.具体地，基底11可以是绝缘基底。基底11可以由诸如玻璃、石英、聚合物树脂或其组合的绝缘材料形成。基底11可以是刚性基底或者可以弯折、折叠或卷曲的柔性基底。
68.光阻挡层bml可以设置在基底11上。光阻挡层bml可以与显示装置10的第一晶体管t1的有源层act1叠置。光阻挡层bml1可以包括阻挡光的材料，因此可以防止光进入第一晶体管t1的有源层act1。例如，光阻挡层bml可以由阻挡光透射的不透明金属材料形成。然而，将理解的是，公开不限于此。在一些实施方式中，可以排除光阻挡层bml。
69.缓冲层12可以完全地设置在基底11(包括光阻挡层bml)上。缓冲层12可以形成在
基底11上，以保护像素px的第一晶体管t1免受渗透穿过可能易于湿气渗透的基底11的湿气影响，并且提供平坦表面。缓冲层12可以由彼此交替地堆叠的无机层形成。例如，缓冲层12可以由其中可以交替地彼此堆叠有包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和氮氧化硅(sion)中的至少一种的无机层的多个层形成。
70.半导体层可以设置在缓冲层12上。半导体层可以包括第一晶体管t1的有源层act1。这些可以被设置为与将在后面描述的第一栅极导电层的栅电极g1等部分地叠置。
71.虽然在附图中仅描绘了包括在显示装置10的子像素pxn中的晶体管之中的第一晶体管t1，但是公开不限于此。显示装置10可以包括更大数量的晶体管。例如，显示装置10可以在子像素pxn中的每个中除了第一晶体管t1之外还包括多于一个的晶体管，即两个、三个或更多个晶体管。
72.半导体层可以包括多晶硅、单晶硅、氧化物半导体等或其组合。在半导体层包括氧化物半导体的情况下，每个有源层act1可以包括导电区域act_a和act_b以及在它们之间的沟道区域act_c。氧化物半导体可以为包含铟(in)的氧化物半导体。例如，氧化物半导体可以是氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化铟镓(igo)、氧化铟锌锡(izto)、氧化铟镓锡(igto)、氧化铟镓锌锡(igzto)等或其组合。
73.在其他实施例中，半导体层可以包括多晶硅。多晶硅可以通过使非晶硅结晶而形成，并且有源层act1的导电区域act_a和act_b可以是掺杂有杂质的掺杂区域。
74.第一栅极绝缘层13可以设置在半导体层和缓冲层12上。第一栅极绝缘层13可以覆盖半导体层，并且可以设置在缓冲层12上。第一栅极绝缘层13可以用作薄膜晶体管中的每个的栅极绝缘体。第一栅极绝缘层13可以由包括诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和氮氧化硅(sion)中的至少一种的无机材料的无机层形成，或者可以由所述材料在彼此上的堆叠件形成。
75.第一栅极导电层可以设置在第一栅极绝缘层13上。第一栅极导电层可以包括第一晶体管t1的栅电极g1和存储电容器的第一电容器电极cse1。栅电极g1可以被设置为使得其在厚度方向上与有源层act1的沟道区域act_c叠置。第一电容器电极cse1可以被设置为使得其在厚度方向上与稍后描述的第二电容器电极cse2叠置。根据公开的实施例，第一电容器电极cse1可以与栅电极g1成一体。第一电容器电极cse1可以被设置为使得其在厚度方向上与第二电容器电极cse2叠置，并且存储电容器可以形成在它们之间。
76.第一栅极导电层可以由钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和铜(cu)中的一种或者其合金的单层或多层形成。然而，将理解的是，公开不限于此。
77.第一层间介电层15可以设置在第一栅极导电层上。第一层间介电层15可以用作第一栅极导电层与设置在其上的其他层之间的绝缘层。第一层间介电层15可以被设置为使得其覆盖第一栅极导电层，以保护第一栅极导电层。第一层间介电层15可以由包括诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和氮氧化硅(sion)中的至少一种的无机材料的无机层形成，或者可以由所述材料在彼此上的堆叠件形成。
78.第一数据导电层可以设置在第一层间介电层15上。第一数据导电层可以包括第一晶体管t1的第一源电极s1和第一漏电极d1、数据线dtl以及第二电容器电极cse2。
79.第一晶体管t1的第一源电极s1和第一漏电极d1可以通过穿透第一层间介电层15和第一栅极绝缘层13的接触孔分别与有源层act1的导电区域act_a和act_b接触。第一晶体
管t1的第一源电极s1可以通过另一接触孔电连接到光阻挡层bml。
80.数据线dtl可以向可以包括在显示装置10中的另一晶体管(未示出)施加数据信号。虽然未在附图中示出，但是数据线dtl可以电连接到另一晶体管的源电极/漏电极，从而传输从数据线dtl施加的信号。
81.第二电容器电极cse2可以被设置为在厚度方向上与第一电容器电极cse1叠置。根据公开的实施例，第二电容器电极cse2可以一体地连接到第一源电极s1。
82.第一数据导电层可以由钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和铜(cu)中的一种或者其合金的单层或多层形成。然而，将理解的是，公开不限于此。
83.第二层间介电层17可以设置在第一数据导电层上。第二层间介电层17可以用作第一数据导电层与设置在其上的其他层之间的绝缘层。第二层间介电层17可以覆盖第一数据导电层，以保护第一数据导电层。第二层间介电层17可以由包括诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和氮氧化硅(sion)中的至少一种的无机材料的无机层形成，或者可以由所述材料在彼此上的堆叠件形成。
84.第二数据导电层可以设置在第二层间介电层17上。第二数据导电层可以包括第一电压线vl1、第二电压线vl2和第一导电图案cdp。高电平电压(或第一供应电压)可以施加到第一电压线vl1以供应到第一晶体管t1，低电平电压(或第二供应电压)可以施加到第二电压线vl2以供应到第二电极22。在制造显示装置10的工艺期间用于使发光元件30对准所需的对准信号可以施加到第二电压线vl2。
85.第一导电图案cdp可以通过形成在第二层间介电层17中的接触孔电连接到第二电容器电极cse2。第二电容器电极cse2可以与第一晶体管t1的第一源电极s1成一体，第一导电图案cdp可以电连接到第一源电极s1。第一导电图案cdp还可以与稍后将描述的第一电极21接触。第一晶体管t1可以通过第一导电图案cdp向第一电极21传输从第一电压线vl1施加的第一供应电压。虽然在附图中示出的示例中，第二数据导电层包括一条第二电压线vl2和一条第一电压线vl1，但是公开不限于此。第二数据导电层可以包括多于一条的第一电压线vl1和多于一条的第二电压线vl2。
86.第二数据导电层可以由钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和铜(cu)中的一种或者其合金的单层或多层形成。然而，将理解的是，公开不限于此。
87.第一平坦化层19可以设置在第二数据导电层上。第一平坦化层19可以包括有机绝缘材料(例如诸如聚酰亚胺(pi)的有机材料)来提供平坦表面。
88.在第一平坦化层19上，可以设置第一堤bnl1、电极21和22、发光元件30、接触电极cne1和cne2以及第二堤bnl2。绝缘层pas1、pas2、pas3和pas4可以设置在第一平坦化层19上。
89.第一堤bnl1可以设置在第一平坦化层19上(例如，直接设置在第一平坦化层19上)。第一堤bnl1可以具有在子像素pxn中的每个内在第二方向dr2上延伸的形状，并且可以在第二方向dr2上不延伸到相邻的子像素pxn。它们可以设置在发射区域ema中。第一堤bnl1可以在第一方向dr1上彼此间隔开，并且发光元件30可以设置在它们之间。第一堤bnl1可以设置在子像素pxn中的每个中，以在显示装置10的显示区域dpa中形成线性图案。虽然在附图中示出了两个第一堤bnl1，但是公开不限于此。可以根据电极21和22的数量设置多于两个的第一堤bnl1。
90.第一堤bnl1可以具有至少部分地从第一平坦化层19的上表面突出的结构。第一堤bnl1的突起可以具有倾斜的侧表面。从发光元件30发射的光可以被设置在第一堤bnl1上的电极21和22反射，使得光可以朝向第一平坦化层19的上侧出射。第一堤bnl1可以提供其中设置有发光元件30的区域，并且还可以用作将从发光元件30发射的光向上反射的反射分隔壁。第一堤bnl1的侧表面可以以线性形状倾斜，但是公开不限于此。第一堤bnl1可以具有拥有弯曲外表面的半圆形状或半椭圆形状。第一堤bnl1可以包括但不限于诸如聚酰亚胺(pi)的有机绝缘材料。
91.电极21和22可以设置在第一堤bnl1和第一平坦化层19上。电极21和22可以包括第一电极21和第二电极22。电极21和22可以在第二方向dr2上延伸，并且可以在第一方向dr1上彼此间隔开。
92.第一电极21和第二电极22可以在子像素pxn中的每个中在第二方向dr2上延伸，并且它们可以在切割区域cba中与其他的电极21和22间隔开。例如，切割区域cba可以在第二方向dr2上设置在邻近的子像素pxn的发射区域ema之间，并且第一电极21和第二电极22可以在切割区域cba中在第二方向dr2上与设置在相邻子像素pxn中的另一个第一电极21和另一个第二电极22分离。然而，将理解的是，公开不限于此。一些电极21和22可以不针对子像素pxn中的每个分离，而是可以在第二方向dr2上延伸并被设置为横跨相邻的子像素pxn。在其他实施例中，可以分离第一电极21和第二电极22中的仅一者。
93.第一电极21可以通过第一接触孔ct1电连接到第一晶体管t1，第二电极22可以通过第二接触孔ct2电连接到第二电压线vl2。例如，第一电极21的在沿第一方向dr1延伸的第二堤bnl2下方的部分可以通过穿透第一平坦化层19的第一接触孔ct1与第一导电图案cdp接触。第二电极22的在沿第一方向dr1延伸的第二堤bnl2下方的部分可以通过穿透第一平坦化层19的第二接触孔ct2与第二电压线vl2接触。然而，将理解的是，公开不限于此。根据另一实施例，第一接触孔ct1和第二接触孔ct2可以形成在被第二堤bnl2围绕的发射区域ema中，使得它们不与第二堤bnl2叠置。
94.虽然在附图中可以针对子像素pxn中的每个设置一个第一电极21和一个第二电极22，但是公开不限于此。多于一个的第一电极21和多于一个的第二电极22可以设置在子像素pxn中的每个中。设置在子像素pxn中的每个中的第一电极21和第二电极22可以不必具有在一个方向上延伸的形状，而是可以具有各种结构。例如，第一电极21和第二电极22可以具有部分弯曲或弯折的形状，并且电极可以被设置为围绕另一电极。
95.第一电极21和第二电极22可以分别设置在第一堤bnl1上(例如，直接设置在第一堤bnl1上)。第一电极21和第二电极22可以具有比第一堤bnl1的宽度大的宽度。例如，第一电极21和第二电极22可以被设置为覆盖第一堤bnl1的外表面。第一电极21和第二电极22可以分别设置在第一堤bnl1的侧表面上，并且第一电极21与第二电极22之间的距离可以比第一堤bnl1之间的距离小。第一电极21和第二电极22的至少一部分可以设置在第一平坦化层19上(例如，直接设置在第一平坦化层19上)，使得它们可以位于同一平面上。然而，将理解的是，公开不限于此。在一些实施方式中，电极21和22可以具有比第一堤bnl1的宽度小的宽度。将注意的是，电极21和22可以被设置为覆盖第一堤bnl1的至少一个侧表面，以反射从发光元件30发射的光。
96.电极21和22中的每个可以包括具有高反射率的导电材料。例如，电极21和22中的
每个可以包括诸如银(ag)、铜(cu)、铝(al)或其组合的金属作为具有高反射率的材料，并且可以是包括铝(al)、镍(ni)、镧(la)等的合金。电极21和22中的每个可以使可以从发光元件30发射并朝向第一堤bnl1的侧表面行进的光朝向子像素pxn中的每个的上侧反射。
97.然而，将理解的是，公开不限于此。电极21和22中的每个还可以包括透明导电材料。例如，电极21和22中的每个可以包括诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化铟锡锌(itzo)或其组合的材料。在一些实施例中，电极21和22中的每个可以具有其中一层或更多层透明导电材料和具有高反射率的金属层可以彼此堆叠的结构，或者可以由包括所述材料的单层形成。例如，电极21和22中的每个可以具有诸如ito/银(ag)/ito/、ito/ag/izo或ito/ag/itzo/izo的堆叠结构。
98.电极21和22可以电连接到发光元件30，并且可以施加电压使得发光元件30可以发射光。电极21和22可以通过接触电极cne1和cne2电连接到发光元件30，并且可以通过接触电极cne1和cne2将施加于其的电信号传输到发光元件30。
99.第一电极21和第二电极22中的一个可以电连接到发光元件30的阳极电极，而另一个可以电连接到发光元件30的阴极电极。然而，将理解的是，公开不限于此。例如，第一电极21可以电连接到阴极电极，而第二电极22可以电连接到阳极电极。
100.电极21和22可以用于在子像素pxn内形成电场来使发光元件30对准。发光元件30可以通过形成在第一电极21和第二电极22之间的电场设置在第一电极21与第二电极22之间。显示装置10的发光元件30可以经由喷墨印刷工艺喷涂在电极21和22上。在可以将包含发光元件30的油墨喷射到电极21和22上的情况下，对准信号可以施加到电极21和22以产生电场。分散在油墨中的发光元件30可以通过接收由在电极21和22之上产生的电场引起的介电泳力而在电极21和22上对准。
101.第一绝缘层pas1可以设置在第一平坦化层19上。第一绝缘层pas1可以被设置为覆盖第一堤bnl1以及第一电极21和第二电极22。第一绝缘层pas1可以保护第一电极21和第二电极22并使它们彼此绝缘。可以防止设置在第一绝缘层pas1上的发光元件30与其他元件之间的接触和导致的损坏。
102.根据公开的实施例，第一绝缘层pas1可以包括部分地暴露第一电极21和第二电极22的开口op。开口op可以部分地暴露电极21和22的设置在第一堤bnl1的上表面上的部分。接触电极cne1和cne2的部分可以分别与通过开口op暴露的电极21和22接触。
103.第一绝缘层pas1可以具有水平差异，使得上表面的一部分在第一电极21与第二电极22之间凹陷。例如，当第一绝缘层pas1被设置为覆盖第一电极21和第二电极22时，其上表面可以具有沿着设置在其下方的电极21和22的形状的水平差异。然而，将理解的是，公开不限于此。
104.第二堤bnl2可以设置在第一绝缘层pas1上。当从顶部观看时，第二堤bnl2可以以包括在第一方向dr1和第二方向dr2上延伸的部分的网格图案设置在显示区域dpa的整个表面上。第二堤bnl2可以沿着子像素pxn中的每个的边界设置，以将相邻的子像素pxn彼此区分开。
105.第二堤bnl2可以被设置为围绕设置在子像素pxn中的每个中的发射区域ema和切割区域cba，以区分发射区域ema和切割区域cba。第一电极21和第二电极22可以在第二方向dr2上延伸，并且可以被设置为横跨第二堤bnl2的可以在第一方向dr1上延伸的部分。第二
堤bnl2的在第二方向dr2上延伸的部分可以具有在发射区域ema之间比在切割区域cba之间大的宽度。因此，切割区域cba之间的距离可以比发射区域ema之间的距离小。
106.第二堤bnl2可以具有比第一堤bnl1的高度大的高度。第二堤bnl2可以防止在制造显示装置10的工艺的喷墨印刷工艺期间其中可以分散有不同的发光元件30的油墨溢出到相邻的子像素pxn，使得不同的子像素pxn可以彼此分离并且油墨可以不混合。类似于第一堤bnl1，第二堤bnl2可以包括但不限于聚酰亚胺(pi)。
107.发光元件30可以设置在第一绝缘层pas1上。发光元件30可以在电极21和22可以沿其延伸的第二方向dr2上彼此间隔开，并且可以基本上彼此平行地对准。发光元件30可以具有在一个方向上延伸的形状。电极21和22可以沿其延伸的方向可以基本上垂直于发光元件30可以沿其延伸的方向。然而，将理解的是，公开不限于此。发光元件30可以相对于电极21和22可以沿其延伸的方向倾斜而非与其垂直。
108.设置在子像素pxn中的每个中的发光元件30可以包括包含不同材料的发射层36(见图4)，并且可以向外部发射具有不同波长范围的光。因此，第一颜色、第二颜色和第三颜色的光可以分别从第一子像素px1、第二子像素px2和第三子像素px3发射。然而，将理解的是，公开不限于此。子像素pxn可以包括相同种类的发光元件30，可以发射基本上相同颜色的光。
109.发光元件30的端部可以在第一堤bnl1之间设置在电极21和22上。发光元件30的长度可以比第一电极21与第二电极22之间的距离大，并且发光元件30的端部可以分别设置在第一电极21和第二电极22上。例如，发光元件30中的每个的一个端部可以位于第一电极21上，而其另一端部可以位于第二电极22上。
110.发光元件30的多个层可以在与基底11的上表面或第一平坦化层19平行的方向上设置。发光元件30可以被布置为使得一个延伸方向可以平行于第一平坦化层19的上表面，并且包括在发光元件30中的半导体层可以在平行于第一平坦化层19的上表面的方向上顺序地设置。然而，将理解的是，公开不限于此。在发光元件30具有不同结构的情况下，半导体层可以在垂直于第一平坦化层19的上表面的方向上布置。
111.发光元件30中的每个的端部可以分别与接触电极cne1和cne2接触。例如，因为绝缘层38(见图4)可以不形成在延伸方向的侧面的端表面处，所以发光元件30的半导体层的一部分可以被暴露，并且半导体层的暴露的部分可以与接触电极cne1和cne2接触。然而，将理解的是，公开不限于此。绝缘层38的至少一部分可以被去除，使得发光元件30的半导体层的两个端表面可以部分地暴露。半导体层的暴露的表面可以与接触电极cne1和cne2接触。
112.第二绝缘层pas2可以部分地设置在发光元件30上。例如，第二绝缘层pas2可以具有比发光元件30的长度小的宽度并且可以设置在发光元件30上，使得发光元件30的两个端部可以在被第二绝缘层pas2围绕的同时被暴露。第二绝缘层pas2可以被设置为覆盖发光元件30、电极21和22以及第一绝缘层pas1并且可以被去除，使得在制造显示装置10的工艺期间发光元件30的两个端部可以被暴露。当从顶部观看时，第二绝缘层pas2可以在第一绝缘层pas1上在第二方向dr2上延伸，从而在子像素pxn中的每个中形成线性图案或岛状图案。第二绝缘层pas2可以在制造显示装置10的工艺期间保护发光元件30并固定发光元件30。
113.接触电极cne1和cne2以及第三绝缘层pas3可以设置在第二绝缘层pas2上。
114.接触电极cne1和cne2可以具有在一个方向上延伸的形状，并且可以设置在电极21
和22上。接触电极cne1和cne2可以包括设置在第一电极21上的第一接触电极cne1和设置在第二电极22上的第二接触电极cne2。接触电极cne1和cne2可以被设置为彼此间隔开并且彼此面对。例如，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以分别设置在第一电极21和第二电极22上，并且可以在第一方向dr1上彼此间隔开。接触电极cne1和cne2可以在子像素pxn中的每个的发射区域ema中形成条图案。
115.接触电极cne1和cne2中的每个可以与发光元件30接触。第一接触电极cne1可以与发光元件30中的每个的一个端部接触，第二接触电极cne2可以与发光元件30中的每个的另一端部接触。半导体层可以在发光元件30的在延伸方向上的两个端表面处暴露，接触电极cne1和cne2可以与半导体层电接触并且可以电连接到半导体层。接触电极cne1和cne2的与发光元件30的两个端部接触的侧面可以设置在第二绝缘层pas2上。第一接触电极cne1可以通过暴露第一电极21的上表面的一部分的开口op与第一电极21接触，第二接触电极cne2可以通过暴露第二电极22的上表面的一部分的开口op与第二电极22接触。
116.接触电极cne1和cne2的可以在一个方向上测量的宽度可以比电极21和22的可以在所述一个方向上测量的宽度小。接触电极cne1和cne2可以与发光元件30的一个端部和发光元件30的另一端部接触，并且可以覆盖第一电极21和第二电极22中的每个的上表面的一部分。然而，将理解的是，公开不限于此。接触电极cne1和cne2的宽度可以比电极21和22的宽度大，以覆盖电极21和22的两侧。
117.接触电极cne1和cne2可以包括透明导电材料。例如，接触电极cne1和cne2可以包括ito、izo、itzo、铝(al)等或者其组合。从发光元件30发射的光可以穿过接触电极cne1和cne2并朝向电极21和22行进。然而，将理解的是，公开不限于此。
118.虽然在附图中两个接触电极cne1和cne2可以设置在一个子像素pxn中，但是公开不限于此。接触电极cne1和cne2的数量可以根据针对子像素pxn中的每个设置的电极21和22的数量而变化。
119.第三绝缘层pas3可以被设置为覆盖第一接触电极cne1。第三绝缘层pas3可以被设置为覆盖第二绝缘层pas2的其上可以设置有第一接触电极cne1的一侧。例如，第三绝缘层pas3可以被设置为覆盖设置在第一电极21上的第一接触电极cne1和第一绝缘层pas1。为了形成第二接触电极cne2，可以通过在发射区域ema中完全地设置用于形成第三绝缘层pas3的绝缘材料层并去除绝缘材料层的一部分来形成这种布置。在上面的工艺期间，形成第三绝缘层pas3的绝缘材料层可以与形成第二绝缘层pas2的绝缘材料层一起被去除。第三绝缘层pas3的一侧可以与第二绝缘层pas2的一侧对齐。第二接触电极cne2的一侧可以设置在第三绝缘层pas3上，并且可以与第一接触电极cne1绝缘，且第三绝缘层pas3在它们之间。
120.第四绝缘层pas4可以完全地设置在基底11的显示区域dpa中。第四绝缘层pas4可以保护设置在基底11上的元件免受外部环境影响。将注意的是，可以排除第四绝缘层pas4。
121.上述第一绝缘层pas1、第二绝缘层pas2、第三绝缘层pas3和第四绝缘层pas4中的每个可以包括无机绝缘材料、有机绝缘材料或其组合。例如，第一绝缘层pas1、第二绝缘层pas2、第三绝缘层pas3和第四绝缘层pas4可以包括诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
n
y
)、氧化铝(al2o3)或氮化铝(aln)或者其组合的无机绝缘材料。在其他实施例中，它们可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯基树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯、卡多树脂、硅氧烷树脂、倍半硅氧烷树
脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯
‑
聚碳酸酯合成树脂等或其组合作为有机绝缘材料。然而，将理解的是，公开不限于此。
122.图4是示意性地示出根据公开的实施例的发光元件的示意性透视图。
123.参照图4，发光元件30可以是发光二极管。具体地，发光元件30可以具有微米或纳米的尺寸，并且可以是由无机材料形成的无机发光二极管。通过在彼此面对的两个电极21和22(见图3)之间的方向上形成电场，无机发光二极管可以在可以形成极性的两个电极21和22(见图3)之间对准。发光元件30可以通过形成在两个电极21和22(见图3)之上的电场在电极之间对准。
124.根据实施例的发光元件30可以具有在一个方向上延伸的形状。发光元件30可以具有圆柱的形状、棒的形状、线的形状、管的形状等。将理解的是，发光元件30的形状不限于此。发光元件30可以具有各种形状，包括诸如立方体、长方体、六角柱等的多边形柱形状或者可以在相对于外表面部分地倾斜的方向上延伸的形状。包括在稍后描述的发光元件30中的半导体可以具有沿着一个方向顺序地布置或彼此堆叠的结构。
125.发光元件30可以包括掺杂有导电型(例如，p型或n型)杂质的半导体层。半导体层可以通过传输从外部电源施加的电信号来发射特定波长带的光。
126.如图4中示出的，发光元件30可以包括第一半导体层31、第二半导体层32、发射层36、电极层37和绝缘层38。
127.第一半导体层31可以是n型半导体。在发光元件30发射蓝色波长带的光的情况下，第一半导体层31可以包括具有以下组成比的半导体材料：al
x
ga
y
in1‑
x
‑
y
n(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x y≤1)。例如，它可以是n型掺杂的algainn、gan、algan、ingan、aln和inn中的至少一种。第一半导体层31可以掺杂有n型掺杂剂，并且n型掺杂剂可以是si、ge、sn等。例如，第一半导体层31可以是掺杂有n型si的n
‑
gan。第一半导体层31的长度可以在但不限于约1.5μm至约5μm的范围。
128.第二半导体层32可以设置在稍后将描述的发射层36上。第二半导体层32可以是p型半导体。在发光元件30发射蓝色或绿色波长带的光的情况下，第二半导体层32可以包括具有以下组成比的半导体材料：al
x
ga
y
in1‑
x
‑
y
n(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x y≤1)。例如，它可以是p型掺杂的algainn、gan、algan、ingan、aln和inn中的至少一种。第二半导体层32可以掺杂有p型掺杂剂，并且p型掺杂剂可以是mg、zn、ca、se、ba等。例如，第二半导体层32可以是掺杂有p型mg的p
‑
gan。第二半导体层32的长度可以在但不限于约0.05μm至约0.10μm的范围。
129.虽然第一半导体层31和第二半导体层32中的每个可以在附图中被实现为信号层，但是公开不限于此。根据发射层36的材料，第一半导体层31和第二半导体层32还可以包括更大数量的层，例如包覆层或拉伸应变势垒减小(tsbr)层。
130.发射层36可以设置在第一半导体层31与第二半导体层32之间。发射层36可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。在发射层36包括具有多量子阱结构的材料的情况下，该结构可以包括彼此交替地堆叠的量子层和阱层。发射层36可以响应于通过第一半导体层31和第二半导体层32施加的电信号随着电子
‑
空穴对可以在其中结合而发射光。在发射层36发射蓝色波长带的光的情况下，它可以包括诸如algan和algainn的材料。具体地，在发射层36具有其中量子层和阱层可以彼此交替地堆叠的多量子阱结构的情况下，量子层
可以包括algan或algainn，阱层可以包括诸如gan和algan的材料。例如，发射层36可以包括作为量子层的algainn和作为阱层的alinn，如上所述，发射层36可以发射具有约450nm至约495nm的中心波长带的蓝光。
131.然而，将理解的是，公开不限于此。发射层36可以具有其中具有大带隙能的半导体材料和具有小带隙能的半导体材料可以彼此交替地堆叠的结构，并且可以根据发射光的波长范围包括其他iii族至v族半导体材料。因此，从发射层36发射的光不限于蓝色波长带的光。在一些实施方式中，发射层36可以发射红色或绿色波长带的光。发射层36的长度可以在但不限于约0.05μm至约0.10μm的范围。
132.从发射层36发射的光不仅可以通过发光元件30的沿着纵向方向的外表面出射，而且可以通过两个侧表面出射。从发射层36发射的光沿其传播的方向可以不限于一个方向。
133.图5是示出根据公开的另一实施例的发光元件的示意性透视图。
134.参照图5，根据另一实施例的发光元件30'还可以包括设置在第一半导体层31'与发射层36'之间的第三半导体层33'以及设置在发射层36'与第二半导体层32'之间的第四半导体层34'和第五半导体层35'。图5的发光元件30'与图4的发光元件的不同之处可以在于可以进一步设置半导体层33'、34'和35'以及电极层37a'和37b'，并且发射层36'可以包含不同的元素。在以下描述中，描述将聚焦于差异，并且将省略冗余描述。
135.图4的发光元件30的发射层36可以包括氮(n)，因此可以发射蓝光或绿光。另一方面，在图5的发光元件30'中，发射层36'和其他半导体层均可以是至少包括磷(p)的半导体。根据公开的实施例的发光元件30'可以发射具有约620nm至约750nm的中心波长带的红光。然而，将理解的是，红光的中心波长带可以不限于上面的数值，并且可以涵盖在本领域中可以被识别为红色的所有波长范围。
136.具体地，第一半导体层31'可以包括具有以下组成比的半导体材料作为n型半导体层：in
x
al
y
ga1‑
x
‑
y
p(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x y≤1)。第一半导体层31'可以是n型的inalgap、gap、algap、ingap、alp和inp中的一种或更多种。例如，第一半导体层31'可以是掺杂有n型si的n
‑
algainp。
137.第二半导体层32'可以包括具有以下组成比的半导体材料作为p型半导体层：in
x
al
y
ga1‑
x
‑
y
p(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x y≤1)。第二半导体层32'可以是p型的inalgap、gap、alganp、ingap、alp和inp中的一种或更多种。例如，第二半导体层32'可以是掺杂有p型mg的p
‑
gap。
138.发射层36'可以设置在第一半导体层31'与第二半导体层32'之间。发射层36'可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料，并且可以发射特定波长带的光。在发射层36'具有其中量子层和阱层可以彼此交替地堆叠的多量子阱结构的情况下，量子层可以包括algap或alingap，并且阱层可以包括gap或alinp。例如，发射层36'可以包括作为量子层的algainp和作为阱层的alinp，并且可以发射具有约620nm至约750nm的中心波长带的红光。
139.图5的发光元件30'可以包括被设置为与发射层36'相邻的包覆层。如图5中示出的，在第一半导体层31'与第二半导体层32'之间设置在发射层36'之下和之上的第三半导体层33'和第四半导体层34'可以是包覆层。
140.第三半导体层33'可以设置在第一半导体层31'与发射层36'之间。第三半导体层
33'可以是类似于第一半导体层31'的n型半导体，并且可以包括具有以下组成比的半导体材料：in
x
al
y
ga1‑
x
‑
y
p(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x y≤1)。例如，第一半导体层31'可以是n
‑
algainp，第三半导体层33'可以是n
‑
alinp。然而，将理解的是，公开不限于此。
141.第四半导体层34'可以设置在发射层36'与第二半导体层32'之间。第四半导体层34'可以是类似于第二半导体层32'的p型半导体，并且可以包括具有以下组成比的半导体材料：in
x
al
y
ga1‑
x
‑
y
p(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x y≤1)。例如，第二半导体层32'可以是p
‑
gap，第四半导体层34'可以是p
‑
alinp。
142.第五半导体层35'可以设置在第四半导体层34'与第二半导体层32'之间。第五半导体层35'可以是p型掺杂的半导体，类似于第二半导体层32'和第四半导体层34'。在一些实施例中，第五半导体层35'可以减小第四半导体层34'与第二半导体层32'之间的晶格常数的差异。第五半导体层35'可以是拉伸应变势垒减小(tsbr)层。例如，第五半导体层35'可以包括但不限于p
‑
gainp、p
‑
alinp、p
‑
algainp等。第三半导体层33'、第四半导体层34'和第五半导体层35'的长度可以在但不限于约0.08μm至约0.25μm的范围。
143.第一电极层37a'和第二电极层37b'可以分别设置在第一半导体层31'和第二半导体层32'上。第一电极层37a'可以设置在第一半导体层31'的下表面上，第二电极层37b'可以设置在第二半导体层32'的上表面上。然而，将理解的是，公开不限于此。可以排除第一电极层37a'和第二电极层37b'中的至少一个。例如，在发光元件30'中，第一电极层37a'可以不设置在第一半导体层31'的下表面上，仅一个第二电极层37b'可以设置在第二半导体层32'的上表面上。
144.返回参照图4，电极层37可以是欧姆接触电极。然而，将理解的是，公开不限于此。电极层37可以是肖特基接触电极。发光元件30可以包括至少一个电极层37。虽然在图4示出的示例中，发光元件30可以包括一个电极层37，但是公开不限于此。在一些实施方式中，发光元件30可以包括更大数量的电极层37，或者可以省略电极层。即使电极层37的数量可以不同或者其还包括其他结构，也可以同样地应用对发光元件30的以下描述。
145.在发光元件30可以电连接到根据公开的实施例的显示装置10中的电极或接触电极的情况下，电极层37可以减小发光元件30与电极或接触电极之间的电阻。电极层37可以包括具有导电性的金属。例如，电极层37可以包括铝(al)、钛(ti)、铟(in)、金(au)、银(ag)、氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)和氧化铟锡锌(itzo)中的至少一种。电极层37可以包括掺杂有n型杂质或p型杂质的半导体材料。电极层37可以包括相同的材料或者可以包括不同的材料。然而，将理解的是，公开不限于此。
146.绝缘层38可以被设置为围绕上述半导体层和电极层的外表面。例如，绝缘层38可以被设置为至少围绕发射层36的外表面，并且可以在发光元件30可以沿其延伸的方向上延伸。绝缘层38可以用于保护上述元件。绝缘层38可以形成为围绕元件的侧面，并且发光元件30的在纵向方向上的两个端部可以被暴露。
147.虽然在附图中示出的示例中，绝缘层38可以在发光元件30的纵向方向上延伸以从第一半导体层31的侧表面覆盖到电极层37的侧表面，但是公开不限于此。绝缘层38可以仅覆盖半导体层的一部分(包括发光层36)的外表面，或者可以仅覆盖电极层37的外表面的一部分以部分地暴露电极层37的外表面。绝缘层38的可以在剖面中与发光元件30的至少一端相邻的上表面的一部分可以是圆的。
148.绝缘层38的厚度可以在但不限于约10nm至约1.0μm的范围。绝缘层38的厚度可以近似为40nm。
149.绝缘层38可以包括诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
n
y
)、氮化铝(aln)、氧化铝(al2o3)或其组合的具有绝缘性质的材料。因此，可以能够防止在发射层36与电信号可以通过其传输到发光元件30的电极接触的情况下可能发生的电短路。由于绝缘层38可以保护包括发射层36的发光元件30的外表面，所以可以能够防止发光效率的降低。
150.绝缘层38的外表面可以进行表面处理。发光元件30可以分散在油墨中，油墨可以喷射到电极上。在这样做时，可以对绝缘层38进行表面处理使得其变得疏水或亲水，以抑制分散在油墨中的发光元件30彼此聚集。例如，绝缘层38的外表面可以进行用诸如硬脂酸和2,3
‑
萘二甲酸的材料的表面处理。
151.发光元件30的长度h可以在约1μm至约10μm的范围内，或者约2μm至约6μm的范围内或约3μm至约5μm的范围内。发光元件30的直径可以在约30nm至约700nm的范围内，发光元件30的纵横比可以在约1.2至约100的范围内。然而，将理解的是，公开不限于此。包括在显示装置10中的发光元件30可以根据发射层36的组分差异而具有不同的直径。发光元件30的直径可以近似为500nm。
152.发光元件30的形状和材料不限于图4和图5中示出的形状和材料。例如，在一些实施例中，发光元件30可以包括更大数量的层，或者可以具有不同的形状。
153.在下文中，将描述用于制造根据上述实施例的显示装置的喷墨印刷设备和用于检查显示装置的检查设备。
154.根据公开的实施例的喷墨印刷设备1000可以将油墨喷射到目标基底上，并且可以使分散在油墨中的颗粒(诸如发光元件)在目标基底上对准。检查设备700可以测量目标基底的可以对准发光元件的区域的灰度值。
155.首先，根据公开的实施例的喷墨印刷设备1000可以包括喷墨头设备300和平台部分500。
156.图6是根据公开的实施例的喷墨印刷设备的示意性透视图。
157.在附图中，可以限定第一方向dr1、第二方向dr2和第三方向dr3。第一方向dr1和第二方向dr2可以位于平面上并且可以彼此正交，第三方向dr3可以垂直于第一方向dr1和第二方向dr2。
158.图6是用于示出根据公开的实施例的喷墨印刷设备1000的构造的视图。将注意的是，喷墨印刷设备1000的结构和布置不限于图6中示出的结构和布置。喷墨印刷设备1000可以包括更多的元件，并且可以具有与图6的结构不同的结构。
159.参照图6，喷墨印刷设备1000可以包括喷墨头设备300和平台部分500。图6示出了喷墨印刷设备1000的喷墨头设备300和平台部分500。多于一个的平台部分500可以设置在喷墨印刷设备1000中。
160.喷墨印刷设备1000可以包括在一个方向(例如，第二方向dr2)上延伸的第一轨道ra1和第二轨道ra2，并且装置可以沿着第一轨道ra1和第二轨道ra2在第二方向dr2上布置。图6的第一轨道ra1和第二轨道ra2可以在第二方向dr2上延伸，并且可以分别延伸到稍后将描述的图7的第一轨道ra1和第二轨道ra2。图6和图7中示出的装置可以形成单个喷墨印刷设备1000。在下文中，将详细描述装置或元件。
161.参照图6，根据公开的实施例的喷墨头设备300可以包括第一基体框架310和结合到第一基体框架310的喷墨头部分330。喷墨头设备300可以通过油墨喷射构件将油墨喷射到目标基底sub上。
162.第一基体框架310可以包括在第一方向dr1上延伸的第一基体311以及延伸到第一基体311的端部、在第三方向dr3上延伸并支撑第一基体311的第一支撑件312。第一基体框架310的形状在这里没有具体限制。第一基体框架310可以包括在第一方向dr1上延伸的第一基体311，喷墨头部分330可以在第一基体311上在第一方向dr1上移动。
163.喷墨头部分330可以设置在第一基体框架310的第一基体311上。虽然未在附图中示出，但是喷墨头部分330可以连接到单独的油墨储存器以接收油墨，并且可以通过喷墨头将油墨喷射到目标基底sub上。然而，将理解的是，公开不限于此。
164.喷墨头部分330可以安装在第一基体框架310的第一基体311上，并且可以具有例如在第一方向dr1上延伸的形状。喷墨头部分330可以与平台部分500间隔开空间。在实施例中，喷墨头部分330还可以包括移动构件，使得其可以在第一基体框架310的第一基体311可以沿其延伸的方向(即，第一方向dr1)上移动。喷墨头部分330可以包括喷嘴nz，以将油墨喷射到目标基底sub上。喷嘴nz可以位于喷墨头部分330的底部上。
165.平台部分500可以在喷墨印刷设备1000内在第二方向dr2上移动。一旦在平台部分500上准备了目标基底sub并且可以将油墨喷射到目标基底sub上，就可以在油墨中形成电场。油墨中的发光元件可以通过形成在目标基底sub上的电场在一个方向上对准。
166.平台部分500可以包括平台510、子平台520、探针支撑件530、探针部分550和对准件580。
167.平台510可以支撑设置在平台部分500上的元件。平台510可以设置在第一轨道ra1和第二轨道ra2上，并且可以在喷墨印刷设备1000中在第二方向dr2上移动以往复运动。虽然在图中未示出，但是移动构件可以设置在平台510的下表面上，并且移动构件可以与第一轨道ra1和第二轨道ra2接合以使平台510在一个方向上移动。在喷墨印刷设备1000的工艺期间，每个装置可以随着平台510的移动而被驱动，并且平台510可以根据喷墨印刷设备1000的工艺序列而移动。平台510的形状在这里没有具体限制。例如，如附图中所示，平台510可以具有边在第一方向dr1和第二方向dr2上延伸的矩形形状。
168.子平台520可以设置在平台510上。子平台520可以提供其中可以放置目标基底sub的空间。探针支撑件530、探针部分550和对准件580可以设置在子平台520上。子平台520的形状可以与平台510的形状基本上相同，但是可以具有更小的面积。将注意的是，当从顶部观看时，子平台520的总体形状可以根据目标基底sub的形状而变化。例如，当目标基底sub在从顶部观看时具有矩形形状时，子平台520的形状可以是如附图中示出的矩形。当目标基底sub在从顶部观看时具有圆形形状时，子平台520在从顶部观看时也可以是圆形的。
169.至少一个对准件580可以设置在子平台520上。对准件580可以设置在子平台520的每条边上，并且目标基底sub可以放置在由对准件580限定的区域中。在图6中，彼此间隔开的两个对准件580可以设置在子平台520的每条边上，因此总共八个对准件580可以设置在子平台520上。然而，将理解的是，公开不限于此。对准件580的数量和布置可以根据目标基底sub的形状或类型而变化。
170.探针支撑件530和探针部分550可以设置在子平台520上。探针支撑件530可以提供
其中可以在子平台520上设置探针部分550的空间。具体地，探针支撑件530可以设置在子平台520上的至少一条边上，并且可以在该边的延伸方向上延伸。例如，如附图中示出的，探针支撑件530可以在子平台520上的左边和右边上在第二方向dr2上延伸。然而，将理解的是，公开不限于此。可以包括更多的探针支撑件530。在一些实施方式中，它们可以设置在子平台520的上边和下边上。例如，探针支撑件530的结构可以根据包括在平台部分500中的探针部分550的数量或布置或结构而变化。
171.探针部分550可以设置在探针支撑件530上，以在在子平台520上准备的目标基底sub上形成电场。探针部分550可以类似于探针支撑件530在一个方向(例如，第二方向dr2)上延伸，并且长度可以覆盖整个目标基底sub。例如，探针支撑件530和探针部分550的尺寸和形状可以根据目标基底sub而变化。
172.根据公开的实施例，探针部分550可以包括设置在探针支撑件530上的探针驱动器553、连接到探针驱动器553并且能够与目标基底sub接触的探针垫(pad，或称为“焊盘”)558以及连接到探针垫558以传输电信号的探针夹具551和552。
173.探针驱动器553可以设置在探针支撑件530上以移动探针垫558。在实施例中，探针驱动器553可以在水平方向和竖直方向(例如，可以作为水平方向的第一方向dr1和可以作为竖直方向的第三方向dr3)上移动探针垫558。探针垫558可以通过探针驱动器553的驱动而延伸到目标基底sub或与目标基底sub分离。在喷墨印刷设备1000的工艺期间，探针驱动器553可以在在目标基底sub上形成电场的步骤中被驱动以使探针垫558与目标基底sub连接，并且探针驱动器553可以在其他步骤中被再次驱动以使探针垫558与目标基底sub分离。下面将参照其他附图对其进行更详细的描述。
174.探针垫558可以通过从探针夹具551和552传输的电信号在目标基底sub上形成电场。探针垫558可以连接到目标基底sub以传输电信号，从而在目标基底sub上形成电场。例如，探针垫558可以与目标基底sub的电极或电力垫接触，并且探针夹具551和552的电信号可以传输到电极或电力垫。传输到目标基底sub的电信号可以在目标基底sub上形成电场。
175.然而，将理解的是，公开不限于此。探针垫558可以是通过从探针夹具551和552传输的电信号形成电场的构件。例如，在探针垫558接收电信号以形成电场的情况下，探针垫558可以不连接到目标基底sub。
176.探针垫558的形状在这里没有具体限制，但是在实施例中，探针垫558可以具有在一个方向上延伸以覆盖整个目标基底sub的形状。
177.探针夹具551和552可以连接到探针垫558，并且可以电连接到单独的电压施加装置。探针夹具551和552可以向探针垫558传输从电压施加装置传输的电信号，以在目标基底sub上形成电场。传输到探针夹具551和552的电信号可以是用于形成电场的电压，例如ac电压。
178.探针部分550可以包括探针夹具551和552，并且数量在这里没有具体限制。虽然两个探针夹具551和552可以设置在附图中示出的示例中，但是探针部分550可以包括多于两个的探针夹具，从而在目标基底sub上形成具有更高密度的电场。
179.根据公开的实施例的探针部分550不限于此。虽然探针部分550被示出为设置在探针支撑件530(例如，附图中的平台部分500)上，但是在一些实施方式中，探针部分550可以被设置为单独的装置。平台部分500的结构或布置没有具体限制，只要其包括能够形成电场
使得电场可以形成在目标基底sub上的装置即可。
180.图7是示出根据公开的实施例的检查设备的示意性透视图。图8是示出根据公开的实施例的检查设备的示意性平面图。
181.参照图7和图8，检查设备700可以包括平台部分500。图6的平台部分500在图7中已经移动到检查设备700下方。检查设备700可以设置在喷墨印刷设备1000的端部，并且可以在喷墨印刷工艺可以完成之后使用。
182.检查设备700可以包括第二基体框架710、第三基体框架720以及连接在第二基体框架710与第三基体框架720之间的第三轨道ra3和第四轨道ra4。
183.第二基体框架710和第三基体框架720可以分别包括第二基体711和第三基体721以及分别支撑第二基体711和第三基体721的第二支撑件712和第三支撑件722。第二基体框架710和第三基体框架720可以在第二方向dr2上彼此间隔开，第三轨道ra3和第四轨道ra4可以设置在它们之间。第三轨道ra3和第四轨道ra4可以设置在第二基体711与第三基体721之间以连接在它们之间。第三轨道ra3和第四轨道ra4中的每个的两个端部可以延伸到第二基体711和第三基体721或者第二支撑件712和第三支撑件722，使得第三轨道ra3和第四轨道ra4可以在第一方向dr1上彼此间隔开。与第一轨道ra1和第二轨道ra2类似，第三轨道ra3和第四轨道ra4可以在第二方向dr2上延伸，并且安装在它们上的感测部分750可以在第二方向dr2上移动。第三轨道ra3和第四轨道ra4的长度(即，第二基体框架710与第三基体框架720之间的距离)不受具体限制。例如，由可以彼此间隔开并延伸的第三轨道ra3和第四轨道ra4形成的区域可以覆盖整个平台部分500。然而，将理解的是，公开不限于此。
184.感测部分750可以安装在第四支撑件730上。第一移动部分760和第二移动部分770可以安装在第三轨道ra3和第四轨道ra4上，并且第一移动部分760和第二移动部分770可以延伸到第四支撑件730的端部。第四支撑件730可以具有在第三轨道ra3和第四轨道ra4可以沿其彼此间隔开的第一方向dr1上延伸的形状。感测部分750可以是但不限于时间延迟积分(tdi)扫描相机。可以采用其他类型的相机，只要可以获得灰度值即可。
185.第一移动部分760和第二移动部分770可以安装在第三轨道ra3和第四轨道ra4上以在第二方向dr2上移动。当第一移动部分760和第二移动部分770移动时，安装在第四支撑件730上的感测部分750和第四支撑件730也可以移动。例如，根据公开的实施例，感测部分750可以在第二方向dr2上移动，并且可以沿着第二方向dr2拍摄设置在平台部分500上的目标基底sub的图像。
186.感测部分750可以包括安装在第四支撑件730上的第三移动部分751、设置在第三移动部分751的下表面上的第五支撑件753以及设置在第五支撑件753上的第一传感器755。
187.感测部分750的第三移动部分751可以安装在第四支撑件730上，并且可以在第四支撑件730可以沿其延伸的第一方向dr1上移动。第五支撑件753可以设置在第三移动部分751的下表面上，并且至少一个第一传感器755可以设置在第五支撑件753的底部的下表面上。在附图中，四个第一传感器755布置在四个第五支撑件753的下表面上，并且可以彼此间隔开。然而，将理解的是，公开不限于此。可以设置多于四个的第一传感器755。在一些实施方式中，可以设置多个第五支撑件753，且仅一个第一传感器可以设置在一个第五支撑件753的下表面上。
188.第一传感器755可以设置在第五支撑件753的下表面上以面对平台部分500的目标
基底sub。在实施例中，第一传感器755可以测量目标基底sub的兴趣区域的灰度值。根据公开的实施例，可以由检查设备700计算目标基底sub的兴趣区域的灰度值，以测量设置在子像素中的发光元件的数量。当第三移动部分751在第四支撑件730上在第一方向dr1上移动时，感测部分750可以测量平台部分500上的目标基底sub沿着第一方向dr1的灰度值。当第一移动部分760和第二移动部分770在第二方向dr2上移动时，可以测量平台部分500上的目标基底sub沿着第二方向dr2的灰度值。
189.在下文中，将描述作为用于使用上述检查设备制造显示装置的方法的一部分的用于检查显示装置的方法。
190.图9是用于示出根据公开的实施例的用于制造显示装置的方法的流程图。图10是示出根据公开的实施例的制造显示装置的工艺步骤的一部分的示意性剖视图。图11是示出在根据公开的实施例的制造显示装置的工艺步骤中的一个工艺步骤的子像素的示意性平面图。图12是示出根据公开的实施例的制造显示装置的工艺步骤的一部分的示意性剖视图。图13是示出在根据公开的实施例的制造显示装置的工艺步骤中的一个工艺步骤的子像素的示意性平面图。图14是示出根据公开的实施例的制造显示装置的工艺步骤的一部分的示意性剖视图。图15是示出在根据公开的实施例的制造显示装置的工艺步骤中的一个工艺步骤的子像素的示意性平面图。图16是示出通过根据公开的实施例的检查设备测量的子像素的区域的示意性平面图。图17是示出单个子像素的灰度值分布的示意性曲线图。图18是示出针对不同子像素的发光元件的代表值和数量的示意性曲线图。
191.参照图9，根据公开的实施例的用于制造显示装置的方法可以包括：在包括子像素的目标基底上设置发光元件(步骤s100)；扫描目标基底以获得图像，将子像素的多个第一区域中的每个划分为多个第二区域，并获得第二区域中的每个的灰度值(步骤s200)；使用灰度值生成随机数(步骤s300)；通过反映随机数中的变量来计算第一区域中的每个的代表值(步骤s400)；通过对第一区域的代表值求和来计算子像素的发光元件的数量(步骤s500)；以及基于所计算的发光元件的数量来确定目标基底是可接受的(例如，良好的)还是不可接受的(例如，不良的)(步骤s600)。例如，该方法可以包括将子像素的发光元件的数量与参考值进行比较，并且基于比较的结果来确定目标基底的状况(例如，可接受的)。
192.参照图9和图10，可以准备目标基底sub。虽然未在附图中示出，但是目标基底sub可以包括上述基底11(见图3)，并且可以包括包含由导电层和绝缘层组成的电路元件的子像素sp(见图16，可以与图2的pxn对应)。在以下描述中，为了便于说明，将描述包括基底和子像素的目标基底sub。
193.随后，可以在目标基底sub上形成彼此间隔开的第一堤bnl1。第一堤bnl1可以具有从目标基底sub的上表面突出的形状。上面已经给出了对其的描述。
194.随后，参照图10和图11，可以形成设置在第一堤bnl1上的第一电极层21'和第二电极层22'。第一电极层21'和第二电极层22'可以在第二方向dr2上延伸，并且可以关于图案彼此间隔开。第一电极层21'和第二电极层22'可以在制造显示装置10的工艺步骤期间在第二方向dr2上延伸，并且可以设置在其他子像素pxn中。在可以在后续工艺期间设置发光元件30之后，可以在子像素pxn中的每个的切割区域cba处将第一电极层21'和第二电极层22'分离，使得可以形成第一电极21和第二电极22。
195.随后，参照图12和图13，可以形成覆盖第一电极层21'和第二电极层22'的第一绝
缘材料层pas1。可以形成第二堤bnl2，第二堤bnl2可以设置在第一绝缘层pas1上并且围绕子像素pxn中的每个的发射区域ema和切割区域cba。第一绝缘材料层pas1可以设置在整个目标基底sub上，并且可以覆盖电极层21'和22'。可以在后续工艺期间部分地去除第一绝缘材料层pas1以暴露电极层21'和22'的上表面，使得可以形成第一绝缘层pas1。第二堤bnl2可以被设置为围绕子像素pxn中的每个以将它们彼此区分开，并且也将发射区域ema与切割区域cba区分开。
196.随后，参照图14和图15，可以在第一堤bnl1之间设置发光元件30。可以在第一绝缘材料层pas1上设置发光元件30，使得发光元件30的端部可以分别设置在第一电极层21'和第二电极层22'上。可以将发光元件30分散在油墨in中并且可以将其喷涂到目标基底sub上。在实施例中，可以将发光元件30准备为可以将它们分散在包含溶剂的油墨in中，并且可以使用上述喷墨印刷设备经由印刷工艺将其喷涂到目标基底sub上。从喷墨印刷设备喷射的油墨in可以沉降在被第二堤bnl2围绕的区域中。第二堤bnl2可以防止油墨in溢出到其他邻近的子像素pxn。
197.随后，在可以喷涂包括发光元件30的油墨in的情况下，可以将电信号施加到电极层21'和22'，使得发光元件30可以设置在第一绝缘材料层pas1上。
198.具体地，在电信号(即，电流)流到电极层21'和22'的情况下，可以在电极层21'和22'之上产生电场e
‑
field。在可以将ac信号施加到电极层21'和22'中的一个的情况下，分散在油墨in中的发光元件30可以产生偶极矩。在其中可以产生偶极矩的发光元件30中，可以响应于所产生的电场产生旋转扭矩(t
dep
)，使得发光元件30可以对准。发光元件30可以受由电场e
‑
field引起的介电泳力(f
dep
)影响，并且可以受介电泳力影响的发光元件30可以朝向较大的电场移动。其两端可以位于电极层21'和22'上。
199.如图15中示出的，分散在油墨in中的发光元件30中的每个的端部可以位于第一电极层21'上，而其另一端部可以位于第二电极22'上。可以从喷射在目标基底sub上的油墨in中去除溶剂，从而可以固定发光元件30的位置。
200.可以在其上可以形成有发光元件30的目标基底sub上执行通过检查形成在子像素中的发光元件30的数量来检查显示装置的方法。
201.返回参照图9，根据公开的实施例的用于检查显示装置的方法可以包括：扫描目标基底以获得图像，将子像素的多个第一区域中的每个划分为多个第二区域，并获得第二区域中的每个的灰度值(步骤s200)；使用灰度值生成随机数(步骤s300)；通过反映随机数中的变量来计算第一区域中的每个的代表值(步骤s400)；通过对第一区域的代表值求和来计算子像素的发光元件的数量(步骤s500)；以及基于所计算的发光元件的数量来确定目标基底可以是可接受的还是不可接受的(步骤s600)。
202.首先，可以如下所述执行目标基底的扫描以获得图像、将子像素的多个第一区域中的每个划分为多个第二区域以及获得第二区域中的每个的灰度值(步骤s200)。
203.可以在上述图7和图8中示出的检查设备700的平台部分500上安装其上可以设置有发光元件30的目标基底sub。感测部分750可以扫描目标基底sub以获得图像。感测部分750可以在下述方向上往复运动：所述方向与目标基底sub可以沿其移动的方向交叉并且可以垂直于目标基底sub可以沿其移动的方向。在一些实施例中，感测部分750可以沿着目标基底sub可以沿其移动的方向移动。因此，感测部分750可以通过感测目标基底sub来获得整
个目标基底sub上的图像。
204.可以通过模板匹配将所获得的整个目标基底sub上的图像转换为整个目标基底sub上的单个图像。由于感测部分750划分并感测目标基底sub的整个区域，所以图像可以被针对每个区域划分。为了清楚地检查目标基底sub的区域，会需要合成划分的图像，使得它们可以与目标基底sub的相应区域相关联。模板匹配可以指基于目标基底sub的子像素的某些区域与作为样本的目标基底sub上的图像相比较，将子像素上的图像合成为单个图像的工艺。
205.在目标基底sub的整个区域可以被转换为单个图像的情况下，可以选择目标基底sub的子像素上的一些图像作为样本。由于大量子像素可以设置在目标基底sub上，因此可以选择一些子像素作为样本以具有代表性。
206.如图16中示出的，可以将被选择作为样本的子像素sp上的图像划分为多个第一区域dip。第一区域dip可以是在子像素sp上的图像中的其中可以设置有发光元件30的区域上的图像。第一区域dip可以按行和列布置。根据公开的实施例，第一区域dip可以被分割为12
×
4的矩阵。然而，将理解的是，公开不限于此。第一区域dip可以根据可以设置发光元件的区域的形状以各种矩阵结构布置。
207.多个第一区域dip中的每个可以被划分为多个第二区域sip。可以分割第二区域sip，以获得可以比第一区域dip的图像进一步划分的图像的灰度值。第二区域sip可以按行和列布置。根据公开的实施例，第二区域sip可以被分割为10
×
8的矩阵。然而，将理解的是，公开不限于此。第二区域sip可以以各种矩阵结构形成。可以从与第二区域sip中的每个相关联的图像提取灰度值。通过从第二区域sip中的每个提取灰度值，可以能够将可靠性赋予第一区域dip的灰度值。
208.随后，参照图9，可以使用提取的灰度值来生成随机数(步骤s300)。可以通过使用利用第二区域sip的灰度值的最小值和最大值的蒙特卡罗模拟来生成随机数。随机数可以被生成为在第二区域sip的灰度值的最小值与最小值之间的随机值。如图17中示出的，由此生成的随机数可以分布在子像素的整个区域上。
209.因为蒙特卡罗模拟生成范围内的随机数，所以与使用第二区域sip的灰度值的平均值的方法相比，蒙特卡罗模拟可以降低错误率。由于发光元件30可以随机地设置在子像素内，因此可能存在会由于光散射、发光元件30的位置等而产生的多个噪声。根据公开的实施例，可以能够通过使用蒙特卡罗模拟来降低噪声。
210.随后，参照图9，可以通过反映所生成的随机数中的变量来计算每个第一区域的代表值(步骤s400)。如上所述，由于发光元件30可以随机地布置在子像素内，所以根据发光元件30的位置等，在灰度值中可以存在各种变量。因此，根据实施例，可以通过反映所生成的随机数中的这些变量来计算代表值。
211.变量可以是灰度值、微x值、微y值、全局x值和全局y值。微x值可以指可以获得灰度值的第一区域dip在子像素之中的位置的x坐标。微y值可以指可以获得灰度值的第一区域dip在子像素之中的位置的y坐标。全局x值可以指可以获得灰度值的第一区域dip在目标基底sub上的位置的x坐标。全局y值可以指可以获得灰度值的第一区域dip在目标基底sub上的位置的y坐标。
212.这些变量可以通过增大或减小随机数的值而反映在代表值中。具体地，灰度值、微
x值和全局x值可以减小随机数的值，而微y值和全局y值可以增大随机数的值。这些变量可以通过减小或增大随机数的值而通过各种变量来校正随机数的值，从而计算代表值。
213.随后，参照图9和图18，可以能够通过对各个第一区域dip的代表值求和来计算子像素的发光元件30的数量。一旦可以计算各个第一区域dip的代表值，就可以使它们与发光元件30的数量相关联。
214.根据实施例，可以存储表格，在表格中发光元件30的数量可以分别与第一区域dip的代表值相关联。当可以生成针对第一区域dip上的图像的灰度值的随机数并且可以基于随机数计算代表值时，通过用眼睛检查目标基底sub的第一区域dip的发光元件30的数量，可以通过重复将发光元件30的实际数量与代表值匹配的任务来累积该表格中的数据。
215.根据公开的实施例，如图18中示出的，如果代表值是24，则发光元件30的数量可以是30或31，如果代表值是25，则发光元件30的数量可以是31或32，如果代表值是26，则发光元件30的数量可以是32。一旦可以计算各个第一区域dip的代表值，就可以使用表格使它们分别与发光元件30的数量相关联，使得可以使用检查设备700计算发光元件30的数量。可以对从第一区域dip的代表值计算出的发光元件30的数量求和，使得可以计算设置在单个子像素中的发光元件30的数量。
216.随后，参照图9，可以能够基于计算出的发光元件30的数量来确定目标基底sub是可接受的还是不可接受的。如果设置在被选择作为样本的子像素中的每个中的发光元件30的数量等于或大于参考值，则可以确定目标基底sub是可接受的，并且可以将其传输到后续工艺。另一方面，如果设置在被选择作为样本的子像素中的每个中的发光元件30的数量小于参考值，则可以确定目标基底sub是不可接受的，并且可以将其传输到修复工艺或者可以将其废弃。
217.如上所述，根据公开的实施例的用于检查显示装置的方法可以通过由基于目标基底上的图像计算代表值来计算发光元件的数量来减少工艺节拍时间。在检查员用她/他的眼睛检查目标基底的200个点的发光元件的数量以生产18.2英寸的标准显示装置的情况下，可能需要近似3600秒。另一方面，在通过使用具有三个感测部分的检查设备来检查整个区域中的发光元件的数量的情况下，可以花费近似60秒。结果，可以显著减少检查节拍时间。
218.顺便提及，在已经检查了目标基底sub之后，可以将其输入到制造显示装置的工艺。
219.如上面参照图2和图3描述的，可以去除第一绝缘材料层pas1的一部分，使得第一电极层21'和第二电极层22'的上表面可以被暴露，从而形成第一绝缘层pas1。第一绝缘层pas1可以包括暴露电极层21'和22'的一部分的开口op。通过开口op暴露的电极层21'和22'的上表面可以与接触电极cne1和cne2接触。
220.随后，可以执行切割第一电极层21'和第二电极层22'的设置在切割区域cba中的部分的工艺，从而形成第一电极21和第二电极22。随后，可以在目标基底sub上形成第一接触电极cne1和第二接触电极cne2，使得发光元件30中的每个的端部可以分别与它们接触。第三绝缘层pas3和第四绝缘层pas4可以在第一接触电极cne1和第二接触电极cne2上，从而可以生产显示装置10。
221.在结束详细描述时，本领域技术人员将理解的是，在实质上不脱离发明的原理的
情况下，可以对实施例进行许多变化和修改。因此，发明的公开的实施例仅在一般性意义和描述性意义上使用，而不是为了限制的目的。