阵列基板的制作方法与显示装置与流程

阵列基板的制作方法与显示装置
【技术领域】
1.本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板的制作方法与显示装置。


背景技术：

2.现有的无边框或窄边框的研发主流方式中，背面绑定方式，采用背面工艺技术在基板背面进行对应外围线路设计，基板侧面印刷纳米银胶与外围走线对应，使正面的线路与背面外围走线连接，最后在背面进行薄膜封装晶片的绑定；从而实现窄边框或无边框的效果。
3.以上无边框或窄边框技术均采用侧面印刷纳米银胶与激光切割，但是受限印刷精度要求极高，制程工艺经常会有银离子扩散渗透或银胶对位异常导致基板短路或导致基板刚度降低，从而良率较低，同时成本高居不下，导致无边框技术无法广泛采用及普及。
4.故,有需要提供一种阵列基板的制作方法与显示装置,以解决现有技术银离子扩散渗透或银胶对位异常导致基板短路或导致基板刚度降低的问题。


技术实现要素：

5.为解决上述问题,本发明提出一种阵列基板的制作方法与显示装置,以解决现有技术银离子扩散渗透或银胶对位异常导致基板短路或导致基板刚度降低的问题。
6.为达成上述目的，本发明提供一种阵列基板制作方法，包括:
7.提供一第一基板，所述第一基板的上表面设置有上边缘线路，所述第一基板的下表面设置有下边缘线路；
8.一次性在所述上边缘线路、所述下边缘线路、所述第一基板的上表面边缘、所述第一基板的下表面边缘，以及所述第一基板的侧面涂布感光银浆；
9.使用三维曝光遮罩三面曝光所述感光银浆；
10.显影曝光后的所述感光银浆；以及
11.固化显影后的所述感光银浆以形成连接所述上边缘线路与所述下边缘线路的连接线路。
12.于本发明其中的一实施例中，在提供所述第一基板的步骤中，所述第一基板的下表面设置有与所述下边缘线路连接的下薄膜封装芯片(chip on film,cof)。
13.于本发明其中的一实施例中，所述感光银浆的涂布厚度在4至6微米之间。
14.于本发明其中的一实施例中，所述感光银浆通过转印、丝印或者喷涂方式印刷在所述上边缘线路、所述下边缘线路、所述第一基板的上表面、所述第一基板的下表面，以及所述第一基板的侧面。
15.于本发明其中的一实施例中，所述感光银浆与所述上边缘线路、所述下边缘线路、所述第一基板的上表面、所述第一基板的下表面，以及所述第一基板的侧面的黏附力为5百格(b)以上。
16.于本发明其中的一实施例中，固化显影后的所述感光银浆的线宽与线距在30μm以
下，体积电阻率低于1.0
×
10
‑4ωcm。
17.于本发明其中的一实施例中，所述使用所述三维曝光遮罩三面曝光所述感光银浆的步骤还包含:
18.使用一输出光源照射边曝系统；以
19.三面曝光所述感光银浆。
20.于本发明其中的一实施例中，所述边曝系统包含分光镜、第一反射镜、第二反射镜、第三反射镜，以及第四反射镜，所述输出光源照射所述分光镜与所述分光镜之间的所述第一基板的侧面，所述分光镜将光束分成上行光束与下行光束，所述上行光束通过所述第一反射镜与所述第三反射镜照射所述上边缘线路以及所述第一基板的上表面、所述下行光束通过所述第二反射镜与所述第四反射镜照射所述下边缘线路以及所述第一基板的下表面。
21.于本发明其中的一实施例中，通过喷淋(shower)显影法、喷雾显影法、浸渍(dip)显影法或覆液(液池)显影法显影曝光后的所述感光银浆。
22.为达成上述目的，本发明还提供一种显示装置，其包含如上所述的阵列基板制造方法制造的所述阵列基板；
23.多个微发光二极体(mini led)，设置在所述阵列基板上；以及
24.封装层，覆盖于所述多个微发光二极体及所述阵列基板上。
25.本发明阵列基板的制作方法与显示面板，通过一次性涂布感光银浆在上边缘线路、下边缘线路、第一基板的上表面、第一基板的下表面，以及第一基板的侧面，同时对感光银浆三面曝光，减少第一基板上显影后残留的粒子，并且，阵列基板制备时不需反复翻面，提高阵列基板的生产效率。
【附图说明】
26.图1是本发明的制备阵列基板的流程示意图；
27.图2是本发明的三面曝光前的阵列基板的示意图；
28.图3是本发明用于三面曝光的边曝系统的必要元件示意图；
29.图4是本发明用于显影阵列基板的显影系统的示意图；
30.图5是本发明的曝光遮罩的俯视示意图；
31.图6是本发明的显示面板的结构示意图。
【具体实施方式】
32.以下实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。
[0033]
在图中,结构相似的单元是以相同标号表示。
[0034]
请参照图1与图2，图1是本发明制备阵列基板的流程示意图，图2是本发明三面曝光前的阵列基板的示意图。
[0035]
在流程s1中，提供一第一基板10，所述第一基板10的上表面设置有上边缘线路20，
所述第一基板的下表面设置有下边缘线路21。
[0036]
在流程s2中，一次性在上边缘线路20、下边缘线路21、所述第一基板10的上表面边缘101、所述第一基板的下表面边缘103，以及所述第一基板的侧面102涂布感光银浆110，在涂布感光银浆110前，先制备上边缘线路20与下边缘线路21，且第一基板10的上表面边缘101位于上边缘线路20与第一基板的侧面102之间，第一基板10的下表面边缘103位于下边缘线路21与第一基板的侧面102之间，通过使感光银浆110涂布连接上边缘线路20与下边缘线路21，可降低应用本发明技术方案的阵列基板as的边框厚度。
[0037]
在本发明的一实施方式中，第一基板10的下表面设置有与下边缘线路21连接的下薄膜封装芯片(chip on film,cof)。感光银浆110的涂布连接上边缘线路20与下边缘线路21，下边缘线路21连接下薄膜封装芯片，进一步简化阵列基板的布线分布。
[0038]
在本发明的一实施例中，感光银浆110的涂布厚度在4至6微米之间，以平衡桥接上边缘线路20与下边缘线路21的电阻率、信号传输稳定性以及后续形成的布线与上边缘线路20、下边缘线路21、所述第一基板10的上表面边缘101、所述第一基板的下表面边缘103，以及所述第一基板的侧面102的黏着力。
[0039]
在本发明的一实施例中，感光银浆110是通过转印、丝印或者喷涂方式，连续涂布在所述上边缘线路20、所述下边缘线路21、所述第一基板10的上表面边缘101、所述第一基板10的下表面边缘103，以及所述第一基板的侧面102。其中感光银浆110可由所述上边缘线路20涂布至所述下边缘线路21，或者以相反方向进行涂布。由于通过涂布感光银浆110形成上边缘线路20与下边缘线路21间的桥接构件，在对第一基板10加工时，无需翻动第一基板10即可完成感光银浆110的涂布。
[0040]
在本发明的一较佳实施例中，感光银浆110与金属接面的黏度依根据美国材料测试协会的astm d3359「量测附着性的标准试验方法
–
胶布试验法」规范分级为等级5b，以强化感光银浆110在第一基板10上形成的桥接构件的黏着度。详细而言，涂布后的感光银浆110与上边缘线路20、下边缘线路21、第一基板10的上表面边缘101、第一基板10的下表面边缘103，以及第一基板的侧面102的黏附力等级皆为5b，因此，提升阵列基板as受力弯折的承受度，避免显影后的感光银浆110于阵列基板受力弯折时易于剥离金属接面。
[0041]
在本发明的一较佳实施例中，固化显影后的感光银浆的线宽与线距在30μm以下，体积电阻率低于1.0
×
10
‑4ωcm，以平衡形成后的感光银浆的线宽分布，同时，降低显影固化后的感光银浆线路之间，出现残留颗粒的几率。
[0042]
在流程s3中，使用三维曝光遮罩三面曝光感光银浆110。其中，使用三维曝光遮罩三面曝光感光银浆110的流程还包含:
[0043]
光源50照射边曝系统se以三面曝光感光银浆110。
[0044]
在本发明的一较佳实施例中，输出光源50为面光源。
[0045]
请参阅图3，图3为本发明边曝系统的元件示意图，其中，边曝系统se包含分光镜、第一反射镜51、第二反射镜52、第三反射镜53，以及第四反射镜54。所述分光镜包含第一分光镜41与第二分光镜42。所述输出光源50照射所述第一分光镜41与第二分光镜42的转向面411与421，并且部份光线穿过第一分光镜41与第二分光镜42之间，直接照射三维曝光遮罩30。三维曝光遮罩30包覆第一基板10的上边缘线路20、下边缘线路21、第一基板的上表面边缘101、第一基板的下表面边缘103，以及第一基板的侧面102。曝光遮罩30的侧表面31对应
第一基板的侧面102；并且，入射第一分光镜41的转向面411的光形成上行光束被连续反射到第一反射镜51与第三反射镜53，再自第三反射镜53照射曝光遮罩30的上表面32；入射第二分光镜42的转向面421的光形成下行光束被连续反射到第二反射镜52与第四反射镜54，再自第四反射镜54照射曝光遮罩30的下表面33。照射曝光遮罩30的光源均来自输出光源50，达成第一基板10的三面同时曝光，且同样无需翻转第一基板10即可完成。
[0046]
本发明图3绘制了用于三面曝光的主要构件，其他连接第一分光镜41、第二分光镜42、第一反射镜51、第二反射镜52、第三反射镜53、第四反射镜54与曝光遮罩30的固定部件未绘制在图3中。需要特别说明的是，通过曝光遮罩30搭配输出光源50以及反射镜的配置，三面照射感光银浆110时，位于第一基板10转角处的感光银浆110会受到两个方向来的光束曝光，因此可能会产生过度曝光的问题。曝光遮罩30可以在转角处设计较小的开口，以改善过度曝光的问题。如图5所示曝光遮罩的俯视图，在曝光遮罩30侧表面31与上表面32相接的转角，所述曝光遮罩30的开口图案渐缩。
[0047]
在本发明的一实施例中，输出光源50为面光源。
[0048]
在流程s4中，显影曝光后的感光银浆110。
[0049]
在本发明的一实施例中，通过喷淋(shower)显影法、喷雾显影法、浸渍(dip)显影法或覆液(液池)显影法显影曝光后的所述感光银浆110。
[0050]
其中，请参照本发明图4，图4是本发明用于显影阵列基板的显影系统的示意图。其中，第一基板10置于载台部70上，并浸泡在显影液81中，其中，第一基板10整体置于显影系统80内，通过显影液81显影，以提升感光银浆110的显影效率。
[0051]
在流程s5中，固化显影后的感光银浆110以形成连接所述上边缘线路20与所述下边缘线路21的连接线路。
[0052]
请参照图6，图6是本发明的显示面板的结构示意图。本发明还提供一种包含上述的阵列基板制造方法制造的阵列基板as，设置在所述阵列基板as上的多个微发光二极体(mini led)，以及覆盖多个微发光二极体l及阵列基板as上的封装层e。
[0053]
通过上述阵列基板的制造方法及显示装置，本技术一次性涂布感光银浆在上边缘线路、下边缘线路、第一基板的上表面、第一基板的下表面，以及第一基板的侧面，同时对感光银浆三面曝光，减少第一基板上显影后残留的粒子，并且，阵列基板制备时不需反复翻面，提高阵列基板的生产效率。
[0054]
以上仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本领域普通技术人员,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。