天线及电子设备的制作方法

1.本技术属于天线技术领域，具体涉及一种天线以及一种电子设备。


背景技术：

2.在包含功率放大器的电子设备中，功率放大器通常作为辐射杂散主要来源。
3.不同的负载牵引造成功率放大器的谐波输出幅度不同。而功率放大器的谐波输出幅度不同，导致功率放大器所产生的辐射杂散不同。天线作为功率放大器的负载，常常牵引功率放大器处于谐波输出较大的状态，进而导致辐射杂散超标。
4.而辐射杂散不仅对人体有巨大危害，而且还影响生态环境，同时也对其他电子设备有严重干扰。因此，如何降低辐射杂散成为亟待解决的技术问题之一。


技术实现要素：

5.本技术实施例的目的是提供一种天线以及电子设备，能够降低辐射杂散。
6.为了解决上述技术问题，本技术是这样实现的：
7.第一方面，本技术实施例提供了一种天线，包括：天线本体、馈电线、接地线、主板以及开关件，其中：
8.所述馈电线与所述接地线并联在所述天线本体与所述主板之间；
9.所述开关件连接在所述馈电线与所述接地线之间；
10.其中，在所述开关件处于断开的情况下，所述接地线的长度形成所述天线本体的开槽长度；在所述开关件处于导通的情况下，所述开关件距离所述主板的长度形成所述天线本体的开槽长度。
11.第二方面，本技术实施例提供了一种电子设备，该电子包括如第一方面所述的天线。
12.在本技术实施例中，提供了一种天线，包括：天线本体、馈电线、接地线、主板以及开关件，其中：馈电线与接地线并联在天线本体与主板之间；开关件连接在馈电线与接地线之间；其中，在开关件处于断开的情况下，接地线的长度形成天线本体的开槽长度；在开关件处于导通的情况下，开关件距离主板的长度形成天线本体的开槽长度。在本实施中，通过设置开关件，可实现将天线本体的开槽长度降低。在此基础上，天线本体在发射频段的vswr降低，天线本体的阻抗将趋近于50ω。此时，天线本体有效的牵引功率放大器处于谐波输出较小的状态。这样，辐射杂散大大降低。另外，在vswr降低的基础上，天线本体在发射频段的工作效率可被提高，进而天线本体的信号覆盖范围被提高。
附图说明
13.图1是本技术实施例提供的一种天线的结构示意图一；
14.图2是本技术实施例提供的一种不同开槽长度下的天线本体在发射频段gsm900的vswr示意图；
15.图3是本技术实施例提供的一种vswr与辐射杂散映射关系示意图；
16.图4是本技术实施例提供的一种天线的结构示意图二；
17.图5是本技术实施例提供的一种天线的结构示意图三；
18.附图标记：
19.100
‑
天线；110
‑
天线本体；120
‑
馈电线；121
‑
第一弯折部；1211
‑
第一子弯折部；122
‑
第二弯折部；130
‑
接地线；131
‑
第三弯折部；1311
‑
第三子弯折部；132
‑
第四弯折部；140
‑
主板；150
‑
开关件；160
‑
第二处理单元；170
‑
发射状态检测单元。
具体实施方式
20.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
21.本技术的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
22.下面结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本技术实施例提供的天线电路以及电子设备进行详细地说明。
23.本技术实施例提供了一种天线100，如图1所示，包括天线本体110、馈电线120、接地线130、主板140以及开关件150，其中：
24.馈电线120与接地线130并联在天线本体110与主板150之间。
25.开关件150连接在馈电线120与接地线130之间。
26.其中，在开关件130处于断开的情况下，接地线130的长度形成天线本体110的开槽长度；在开关件130处于导通的情况下，开关件130距离主板140的长度形成天线本体110的开槽长度。
27.在本实施例中，天线100应用于包含功率放大器的电子设备中。
28.在本实施例中，馈电线120指的是天线100馈电引脚feed pin所在导线。以及接地线130为天线100的接地引脚gnd pin所在导线。馈电线120一端和接地线130的一端与天线本体110连接。馈电线120的另一端和接地线130的另一端与主板140连接。
29.在一个实施例中，天线本体110、馈电线120以及接地线130形成ifa天线。
30.在另一个实施例中，天线本体110、馈电线120以及接地线130还可以形成pifa天线。
31.在一个实施例中，天线本体110的发射频段可以为gsm900，当然，天线本体110的发射频段还可以为其他，例如gsm800。对此，本实施例不做限定。
32.在本实施例中，开关件150连接在馈电线120与接地线130之间，用于调节天线本体110的开槽长度。具体的，在开关件150处于断开的情况下，接地线130的长度形成天线本体110的开槽长度，具体可如图1所示的h。在开关件150处于导通的情况下，开关150距离主板
140的长度形成天线本体110的开槽长度，具体可如图1所示的h1。基于此可知，可根据实际需求设置开关件150的位置。
33.在本实施例中，以天线本体110的发射频段为gsm900为例，如图2所示，在天线本体110的开槽长度为h1的情况下，天线本体110在发射频段gsm900的vswr(voltage standing wave ratio；驻波比)为1.1。而在天线本体110的开槽长度为h的情况下，天线本体110在发射频段gsm900的vswr为2.5。基于此可知，在天线本体110的开槽长度由h降低为h1时，天线单元110在发射频段gsm900的vswr明显降低。
34.而vswr越低，天线本体110的阻抗越趋近于50ω。在此基础上，天线本体110有效的牵引功率放大器处于谐波输出较小的状态。这样，辐射杂散也大大降低。
35.另外，vswr降低，还可以提高天线本体110在发射频段的工作效率，进而提高天线本体110的信号覆盖范围。
36.其中，vswr指的是驻波波腹电压与波谷电压幅度之比，又称为驻波系数、驻波比。
37.如图3所示，将开槽长度h对应的vswr记为vswr1，将开槽长度h1对应的vswr记为vswr2。由图3可看出，开槽长度为h的天线本体110牵引功率放大器，功率放大器所产生的辐射杂散为
‑
34.5db。开槽长度为h1的天线本体110牵引功率放大器，功率放大器所产生的辐射杂散为
‑
41.5db，即辐射杂散有效降低7db。
38.需要说明的是，根据天线100的具体形式不同，天线100在包括天线本体110、馈电线120、接地线130、主板140以及开关件150的基础上，还可以包括其他结构。
39.在本技术实施例中，提供了一种天线，包括：天线本体、馈电线、接地线、主板以及开关件，其中：馈电线与接地线并联在天线本体与主板之间；开关件连接在馈电线与接地线之间；其中，在开关件处于断开的情况下，接地线的长度形成天线本体的开槽长度；在开关件处于导通的情况下，开关件距离主板的长度形成天线本体的开槽长度。在本实施中，通过设置开关件，可实现将天线本体的开槽长度降低。在此基础上，天线本体在发射频段的vswr降低，天线本体的阻抗将趋近于50ω。此时，天线本体有效的牵引功率放大器处于谐波输出较小的状态。这样，辐射杂散大大降低。另外，在vswr降低的基础上，天线本体在发射频段的工作效率可被提高，进而天线本体的信号覆盖范围被提高。
40.在一个实施例中，如图4所示，馈电线120弯折形成第一弯折部121和第二弯折部122，接地线130弯折形成第三弯折部131和第四弯折部132，第一弯折部121和第三弯折部131平行，第二弯折部122和第四弯折部132平行。
41.在本实施例中，馈电线120和接地线130均形成弯折部，这样可实现在有限的空间内，使得馈电线120长度和接地线130长度有更大的伸缩范围。
42.在一个实施例中，如图4所示，第一弯折部121与第二弯折部122相互垂直，第三弯折部131和第四弯折部132相互垂直。这样，可降低设计以及制造难度。
43.当然，第一弯折部121与第二弯折部122之间可不相互垂直，以及第三弯折部131与第四弯折部132之间可不相互垂直。
44.在一个实施例中，如图4所示，开关件150设置于第一弯折部121和第二弯折部122的连接处。
45.当然，开关件150还可以设置于其他位置。
46.在一个实施例中，第一弯折部121至少包括一个第一子弯折部1211，以及第三弯折
部131至少包括一个第三子弯折部1311。
47.需要说明的是，图4中是以第一弯折部121包括三个第一子弯折1211、第三弯折部131包括三个第三子弯折部1311为例进行示出。
48.在一个实施例中，开关件150可以为一个单刀单掷开关，或者为一个场效应管。
49.在本实施例中，通过单刀单掷开关或场效应管实现开关件，这样可降低天线的硬件成本。
50.在一个实施例中，在开关件150为场效应管的情况下，该场效应管为n型场效应管。在此基础上，天线100还包括第一处理单元，其中：
51.场效应管的源极连接于接地线，场效应管的漏极连接于馈电线，场效应管的栅极连接于第一处理单元的输出端。
52.在一个示例中，n型场效应管可示例性的为nmos(n
‑
metal
‑
oxide
‑
semiconductor；n型金属
‑
氧化物
‑
半导体)管。
53.在一个实施例中，如图5所示，天线100还包括发射状态检测单元160和第二处理单元170，其中：
54.发射状态检测单元160与第二处理单元170的输入端连接。
55.在本实施例中，由于天线本体110在发射开启的情况下，电子设备中的功率放大器才处于工作状态以产生辐射杂散，因此，处理单元160可在确定天线本体110处于发射开启的情况下，控制开关件150导通。对应的，在处理单元160在确定天线本体110处于发射关闭的情况下，控制开关件150断开。
56.在本实施例中，发射状态检测单元160用于检测天线本体110是处于发射开启状态，还是处于发射关闭状态。以及，发射状态检测单元160将检测结果通过第二处理单元170的输入端发送至第二处理单元170。第二处理单元170根据检测结果控制开关件150导通或断开。
57.在一个实施例中，发射状态检测单元160可通过检测功率放大器是否处于工作状态，以确定天线本体110是处于发射开启状态，还是处于发射关闭状态。当然，发射检测单元160还可以采用其他方式以确定天线本体160是处于发射开启状态，还是处于发射关闭状态，对此本技术实施例不做限定。
58.在本实施例中，第二处理单元170通常可以为cpu(central processing unit；中央处理器)，或者mcu(microcontroller unit；微小控制单元)等。
59.在一个实施例中，上述第一处理单元和第二处理单元170可以为同一处理单元。
60.本技术实施例还提供了一种电子设备，该电子设备包括如上述任一实施例提供的一种天线。
61.在一个实施例中，电子设备为手机。当然，电子设备还可以为其他。例如，平板电脑、车载电子设备、可穿戴设备、超级移动个人计算机(ultra
‑
mobile personal computer，umpc)、上网本或者个人数字助理(personal digital assistant，pda)等。
62.以上各实施例重点描述对应实施例与其他实施例间的不同之处，各实施例可以单独使用，也可以相互结合使用，在此不做限定，各实施例的相同或者相似部分可以相互参见。
63.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、
“
示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
64.尽管已经示出和描述了本技术的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本技术的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由权利要求及其等同物限定。