硅基探测器的制造方法及用于其的热处理装置与流程

技术特征：
1.一种硅基探测器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供经流片完成后的探测器晶圆；将所述探测器晶圆进行真空加热处理。2.根据权利要求1所述的硅基探测器的制造方法，其特征在于，所述真空加热处理的温度为100～450℃，时间为8～24h。3.根据权利要求1所述的硅基探测器的制造方法，其特征在于，所述探测器晶圆包括由下至上依次层叠的第二电极层、衬底、氧化层、第一电极层和钝化层；其中，所述衬底上表面的浅表层形成有多个第一掺杂区，所述衬底下表面的浅表层形成为第二掺杂区；所述氧化层上形成有裸露所述多个第一掺杂区上表面的多个凹槽，所述第一电极层填充所述凹槽；所述钝化层覆盖所述第一电极层以及所述氧化层的上表面，且所述钝化层上具有多个裸露所述第一电极层表面的窗口。4.根据权利要求3所述的硅基探测器的制造方法，其特征在于，所述凹槽呈倒凸字状，且所述凹槽的宽口一端远离所述衬底设置。5.根据权利要求3所述的硅基探测器的制造方法，其特征在于，所述多个第一掺杂区分别形成为像素探测器区、环状电流收集区和环状保护区；其中，所述像素探测器区位于所述环状电流收集区内部，所述环状保护区包围在所述环状电流收集区外部。6.根据权利要求5所述的硅基探测器的制造方法，其特征在于，所述窗口设置有多个，且分别与所述像素探测器区和所述环状电流收集区对应。7.一种用于硅基探测器制造中的热处理装置，其特征在于，所述热处理装置包括加热器以及与所述加热器配合的加热盒体；所述加热盒体放置于所述加热器内部，所述加热盒体包括设置在其内部的过滤器和置物架，所述置物架用于放置待热处理晶圆。8.根据权利要求7所述的热处理装置，其特征在于，所述加热盒体还包括缠绕有加热丝的加热桶；所述加热桶设置在所述加热盒体内部，并且所述置物架设置在所述加热桶内。9.根据权利要求7所述的热处理装置，其特征在于，所述热处理装置还包括真空泵以及分别用于实时监测温度和压力的温度传感器和压力传感器；所述真空泵与所述加热器或所述加热盒体连通；所述加热器优选为烘箱。10.一种用于硅基探测器制造中的热处理装置，其特征在于，所述热处理装置包括加热盒体以及设置在所述加热盒体上的第一连接阀、第二连接阀和电源，所述加热盒体的内部设置有加热板，用于待热处理晶圆的加热。

技术总结
本发明提供了一种硅基探测器的制造方法及用于其的热处理装置，该制造方法包括：提供经流片完成后的探测器晶圆；将所述探测器晶圆进行真空加热处理。该制造方法通过增加真空加热处理工艺，对经流片完成后的探测器晶圆进行热处理，因而能够降低探测器晶圆的暗电流，并提高其击穿电压，提高了器件性能。提高了器件性能。提高了器件性能。


技术研发人员：丁明正 许高博 翟琼华 傅剑宇 孙朋 殷华湘 颜刚平 田国良 李琳 张琦辉 贺晓彬
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2021.07.14
技术公布日：2021/11/21