半导体芯片的制造方法和用于该制造方法的掩模一体型表面保护带与流程

技术特征：
1.一种半导体芯片的制造方法，其包括下述工序(a)～(d)：(a)在将具有基材膜、设置于该基材膜上的粘合剂层和设置于该粘合剂层上的掩模材料层的掩模一体型表面保护带贴合于半导体晶片的图案面侧的状态下，对该半导体晶片的背面进行磨削，将晶片固定带贴合于磨削后的半导体晶片的背面，利用环形框支持固定的工序；(b)从所述掩模一体型表面保护带将所述基材膜与所述粘合剂层一体地剥离而使掩模材料层露出于表面，之后利用激光将该掩模材料层中与半导体晶片的切割道相当的部分切断，使半导体晶片的切割道开口的工序；(c)通过等离子体照射以所述切割道分割半导体晶片，从而单片化为半导体芯片的等离子体切割工序；和(d)通过等离子体照射去除所述掩模材料层的灰化工序，所述掩模材料层在波长10μm下的透光率为80％以下，在波长350nm～700nm下的可见光透射率为50％以上。2.如权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其中，所述掩模一体型表面保护带中的至少粘合剂层为辐射固化型，在所述工序(b)中，从所述掩模一体型表面保护带将所述基材膜与所述粘合剂层一体地剥离而使掩模材料层露出于表面之前，包括照射放射线以使粘合剂层固化的工序。3.如权利要求1或2所述的半导体芯片的制造方法，其中，在所述工序(c)中，等离子体照射为氟化合物的等离子体照射。4.如权利要求1或2所述的半导体芯片的制造方法，其中，在所述工序(d)中，等离子体照射为氧等离子体照射。5.如权利要求1或2所述的半导体芯片的制造方法，其中，在所述工序(d)之后，包括(e)从晶片固定带拾取半导体芯片的工序。6.如权利要求5所述的半导体芯片的制造方法，其中，在所述工序(e)之后，包括(f)将拾取的半导体芯片转移至粘晶工序的工序。7.一种掩模一体型表面保护带，其为在包括下述工序(a)～(d)的半导体芯片的制造方法中使用的掩模一体型表面保护带，该掩模一体型表面保护带为在基材膜上依次形成有粘合剂层、掩模材料层的掩模一体型表面保护带，所述掩模材料层的利用sf6等离子体的蚀刻速率低于利用o2等离子体的蚀刻速率，(a)在将掩模一体型表面保护带贴合于半导体晶片的图案面侧的状态下，对该半导体晶片的背面进行磨削，将晶片固定带贴合于磨削后的半导体晶片的背面，利用环形框支持固定的工序；(b)从所述掩模一体型表面保护带将所述基材膜与所述粘合剂层一体地剥离而使掩模材料层露出于表面，之后利用激光将该掩模材料层中与半导体晶片的切割道相当的部分切断，使半导体晶片的切割道开口的工序；(c)通过等离子体照射以所述切割道分割半导体晶片，从而单片化为半导体芯片的等离子体切割工序；和(d)通过等离子体照射去除所述掩模材料层的灰化工序，所述掩模材料层在波长10μm下的透光率为80％以下，在波长350nm～700nm下的可见光
透射率为50％以上。8.如权利要求7所述的掩模一体型表面保护带，其中，对于所述掩模材料层来说，利用所述o2等离子体的蚀刻速率e
o2
相对于利用所述sf6等离子体的蚀刻速率e
f
之比e
o2
/e
f
为2.0以上。9.如权利要求7或8所述的掩模一体型表面保护带，其中，所述掩模材料层含有在分子内具有1个或2个光聚合性碳
‑
碳双键的丙烯酸酯化合物，所述丙烯酸酯化合物的含量为15质量％以上。

技术总结
本发明涉及半导体芯片的制造方法和用于该制造方法的掩模一体型表面保护带。一种半导体芯片的制造方法，其包括下述工序(a)～(d)。(a)在将掩模一体型表面保护带贴合于半导体晶片的图案面侧的状态下，对半导体晶片的背面进行磨削，将晶片固定带贴合于磨削后的背面，利用环形框进行固定的工序；(b)剥离表面保护带而使掩模材料层露出于表面后，使半导体晶片的切割道开口的工序；(c)通过等离子体照射而使半导体晶片单片化为芯片的等离子体切割工序；和(d)通过等离子体照射去除上述掩模材料层的灰化工序。灰化工序。灰化工序。


技术研发人员：横井启时 内山具朗 冈祥文
受保护的技术使用者：古河电气工业株式会社
技术研发日：2016.11.07
技术公布日：2021/11/21