技术特征：
1.一种多射束装置，包括：带电粒子源，被配置为生成初级带电粒子束；以及孔径阵列，包括：多个孔径，被配置为从所述初级带电粒子束形成多个子束；以及检测器，耦合到电路系统并且被配置为检测辐射所述孔径阵列的所述初级带电粒子束的至少一部分的电流，其中所述检测器设置在所述孔径阵列的关于所述初级带电粒子束而言的射束入口侧上。2.根据权利要求1所述的装置，其中所述检测器包括用以累积所述初级带电粒子束的所述至少一部分的电荷并且基于所累积的电荷来测量所述电流的电路系统。3.根据权利要求1所述的装置，其中所述检测器被耦合到用以监测所述初级带电粒子束的所述至少一部分的所述电流的电路系统。4.根据权利要求3所述的装置，其中所述检测器被耦合到用以检测所述初级带电粒子束的所述至少一部分的位置或尺寸的改变中的至少一者的电路系统。5.根据权利要求1所述的装置，其中所述初级带电粒子束的所述至少一部分的所述电流被用于确定所述初级带电粒子束的总电流。6.根据权利要求1所述的装置，其中所述检测器包括多个电流检测器，所述多个电流检测器被配置用于检测所述初级带电粒子束的多个参数中的至少一个参数的改变。7.根据权利要求6所述的装置，其中所述多个参数包括以下各项中的至少一项：射束位置、射束直径、射束电流、射束电流密度、或所述射束电流密度的均匀性。8.根据权利要求6所述的装置，其中所述多个电流检测器中的每个电流检测器与所述孔径阵列的至少一个孔径相关联。9.根据权利要求6所述的装置，其中所述多个电流检测器中的每个电流检测器设置在所述孔径阵列上。10.根据权利要求1所述的装置，其中所述检测器包括法拉第杯、二极管、二极管阵列、或闪烁体。11.一种测量多射束装置中的射束电流的方法，所述方法包括：将初级带电粒子束辐射在孔径阵列上；使用位于所述孔径阵列的射束入口侧上的检测器，检测所述初级带电粒子束的至少一部分的电流；以及基于所检测的电流，来调整多个射束参数中的至少一个射束参数。12.根据权利要求11所述的方法，还包括：累积所述初级带电粒子束的所述至少一部分的电荷，并且基于所累积的电荷来测量所述射束电流。13.根据权利要求11所述的方法，还包括：监测所述初级带电粒子束的所述至少一部分的所述射束电流。14.根据权利要求11所述的方法，还包括：检测所述初级带电粒子束的所述一部分的多个参数中的至少一个参数的改变。15.根据权利要求11所述的方法，其中所述检测器包括多个电流检测器，并且其中所述多个电流检测器中的每个电流检测器与所述孔径阵列的至少一个孔径相关联。
技术总结
公开了在多射束装置中测量射束电流的系统和方法。该多射束装置可以包括带电粒子源，该带电粒子源被配置为生成初级带电粒子束，以及孔径阵列。孔径阵列可以包括多个孔径，该多个孔径被配置为由初级带电粒子束形成多个子束；以及检测器，该检测器包括用以检测辐射孔径阵列的初级带电粒子束的至少一部分的电流的电路系统。测量射束电流的方法可以包括：将初级带电粒子束辐射在孔径阵列上并且检测初级带电粒子束的至少一部分的电流。级带电粒子束的至少一部分的电流。级带电粒子束的至少一部分的电流。
技术研发人员：A
受保护的技术使用者：ASML荷兰有限公司
技术研发日：2020.03.11
技术公布日：2021/11/21
再多了解一些
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