技术特征：
1.一种微电子装置，其包括：所述微电子装置的高压电容器的下板；所述高压电容器的上板；设置在所述下板和所述上板之间的至少2微米厚的主电介质；以及设置在所述主电介质和所述上板之间的下带隙电介质层，其中：所述下带隙电介质层至少包括折射率在2.11
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2.23的范围内的氮化硅的第一子层；所述下带隙电介质层围绕所述上板连续延伸越过所述上板达一定距离，所述距离是所述下带隙电介质层的厚度的至少两倍；所述下带隙电介质层中具有隔离断口，使得所述下带隙电介质层在所述隔离断口处不连续；以及所述隔离断口环绕所述上板。2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述下带隙电介质层进一步包括设置在所述第一子层和所述下板之间的第二子层，所述第二子层的带隙能量小于所述主电介质层的带隙能量。3.根据权利要求2所述的微电子装置，其中所述主电介质的邻近所述下带隙电介质层的部分包括二氧化硅基电介质材料，并且所述第二子层包括氧化硅氮化物。4.根据权利要求4所述的微电子装置，其中所述主电介质包括多个金属内电介质层即imd层和层间电介质层即ild层，所述imd层包括二氧化硅基电介质材料，所述ild层包括二氧化硅基电介质材料。5.根据权利要求1所述的微电子装置，进一步包括设置在所述隔离断口外部的低压部件。6.根据权利要求5所述的微电子装置，其中所述低压部件是具有小于70nm厚的栅极电介质层的金属氧化物半导体晶体管即mos晶体管。7.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述下带隙电介质层包括设置在所述隔离断口外部的部分。8.根据权利要求7所述的微电子装置，其中设置在所述隔离断口外部的所述下带隙电介质层的所述部分接触所述微电子装置的低压元件。9.根据权利要求1所述的微电子装置，其中在所述隔离断口处的所述下带隙电介质层的边缘覆盖有电介质材料。10.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述第一子层的所述氮化硅具有约600nm的厚度。11.一种形成微电子装置的方法，其包括：形成所述微电子装置的高压部件的下板；形成邻近所述下板的至少2微米厚的主电介质；形成与所述下板相对的邻近所述主电介质的下带隙电介质层，所述下带隙电介质层包括折射率在2.11
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2.23的范围内的氮化硅层；形成邻近所述下带隙电介质层的所述高压部件的上板；以及在所述下带隙电介质层中形成隔离断口，使得所述下带隙电介质层在所述隔离断口处不连续并且所述隔离断口环绕所述上板。
12.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述下带隙电介质层的步骤进一步包括在所述氮化硅和所述主电介质之间形成氮氧化硅层。13.根据权利要求12所述的方法，其中所述主电介质的邻近所述下带隙电介质层的部分包括二氧化硅基电介质材料。14.根据权利要求11所述的方法，其中所述主电介质包括多个imd层和ild层，所述imd层包括二氧化硅基电介质材料，所述ild层包括二氧化硅基电介质材料。15.根据权利要求11所述的方法，进一步包括形成设置在所述隔离断口外部的低压部件。16.根据权利要求15所述的方法，其中所述低压部件是具有小于70nm厚的栅极电介质层的mos晶体管。17.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述隔离断口的步骤包括去除用于所述隔离断口的区域中的所述下带隙电介质层，留下所述下带隙电介质层的设置在所述隔离断口外部的一部分。18.根据权利要求17所述的方法，其中所述下带隙电介质层的设置在所述隔离断口外部的所述部分接触所述微电子装置的低压元件。19.根据权利要求11所述的方法，进一步包括在所述隔离断口处的所述下带隙电介质层的边缘上形成电介质材料。20.一种装置，其包括：各自具有高压电容器的第一半导体管芯和第二半导体管芯，所述高压电容器具有：下板；上板；设置在所述下板和所述上板之间的主电介质；以及设置在所述主电介质和所述上板之间的氮化硅层，其中：所述氮化硅层的折射率在2.11
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2.23的范围内；所述氮化硅层围绕所述上板连续延伸越过所述上板达一定距离，所述距离是所述氮化硅层的厚度的至少两倍；所述氮化硅层中具有隔离断口，使得所述氮化硅层在所述隔离断口处不连续；以及所述隔离断口环绕所述上板；以及层压电感器，其与由所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯的所述高压电容器提供的隔离屏障并联连接。
技术总结
一种微电子装置(100)包含具有上板(132)和下板(130)的高压部件(104)。在微电子装置的基底(102)的表面处，上板通过上板和低压元件(106)之间的主电介质(136)与下板隔离。下带隙电介质层(140)设置在上板和主电介质之间。下带隙电介质层包含折射率在2.11和2.23之间的氮化硅的至少一个子层(144)。下带隙电介质层围绕上板连续延伸超过上板。下带隙电介质层具有环绕上板的隔离断口(150)，该隔离断口距上板的距离是下带隙电介质层的厚度的至少两倍。板的距离是下带隙电介质层的厚度的至少两倍。板的距离是下带隙电介质层的厚度的至少两倍。
技术研发人员：J
受保护的技术使用者：德克萨斯仪器股份有限公司
技术研发日：2020.03.30
技术公布日：2021/11/19
再多了解一些
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