具有像素定义层的有机发光二极管显示器的制作方法

具有像素定义层的有机发光二极管显示器
1.本技术要求2020年1月16日提交的美国专利申请第16/745055号以及2019年3月28日提交的美国临时专利申请第62/825694号的优先权，这些专利申请据此以全文引用的方式并入本文。


背景技术：

2.本公开整体涉及电子设备，并且更具体地涉及具有显示器的电子设备。
3.电子设备通常包括显示器。例如，电子设备可具有基于有机发光二极管像素的有机发光二极管(oled)显示器。在这种类型的显示器中，每个像素都包括发光二极管和薄膜晶体管，薄膜晶体管用于控制向发光二极管施加信号以产生光。发光二极管可包括定位在阳极和阴极之间的oled层。
4.为了从有机发光二极管显示器中的给定像素发射光，可向给定像素的阳极施加电压。理想的是，给定像素的阳极处的电压将不影响任何相邻像素。然而，oled层在阳极上的电导率可允许从给定像素的阳极到相邻像素的阳极的侧向传导。这可能致使像素串扰，像素串扰允许标称
‘
关’的像素由于相邻的
‘
开’像素的泄漏而发射光。像素串扰可降低显示性能并致使得到的图像中的色移。
5.可能希望减小显示器中像素之间的距离，以便增大显示器的分辨率。然而，由于通过oled层的侧向传导引起的像素串扰可随着像素之间的距离减小而恶化。
6.因此期望能够为电子设备提供改善的显示器。


技术实现要素：

7.本发明公开了一种可具有显示器诸如有机发光二极管显示器的电子设备。有机发光二极管(oled)显示器可具有有机发光二极管像素阵列，所述有机发光二极管像素各自具有插置在阴极和阳极之间的oled层。
8.每个有机发光二极管像素可具有相应阳极。可以将电压施加到每个有机发光二极管像素的阳极，以控制从每个有机发光二极管像素发出多少光。形成于阳极上方的oled层中的一个或多个oled层可以是导电的。oled层的电导率可允许泄漏电流在显示器中的相邻阳极之间通过。
9.为了减少显示器中的泄漏电流和伴随的串扰，插置在显示器中的相邻阳极之间的像素定义层可以用于打破oled层的连续性并防止泄漏电流在相邻像素之间传递。像素定义层可以具有底切，该底切由两个或三个离散像素定义层部分限定。底切可以导致空隙插置在oled层的不同部分之间以破坏oled层的连续性。
10.底切可以破坏显示器中的oled层中的一些而不是全部的连续性。尽管在像素定义层中存在底切，但显示器中的oled层中的一些和阴极层可以保持连续。
附图说明
11.图1是根据一个实施方案的具有显示器的例示性电子设备的示意图。
12.图2是根据一个实施方案的例示性显示器的示意图。
13.图3是根据实施方案的例示性像素电路的图示。
14.图4为根据实施方案的例示性有机发光二极管显示器的横截面侧视图，示出了相邻阳极之间的侧向电流泄漏。
15.图5为根据实施方案的例示性有机发光二极管显示器的横截面侧视图，示出了有机发光二极管的不同层。
16.图6为根据实施方案的具有像素定义层的例示性有机发光二极管显示器的横截面侧视图。
17.图7为根据实施方案的具有像素定义层的例示性有机发光二极管显示器的横截面侧视图，所述像素定义层由两个离散部分形成并且在至少一个有机发光二极管层中形成中断部分。
18.图8为根据实施方案的具有像素定义层的例示性有机发光二极管显示器的横截面侧视图，所述像素定义层由三个离散部分形成并且在至少一个有机发光二极管层中形成中断部分。
19.图9为根据实施方案的例示性有机发光二极管显示器的横截面侧视图，示出了图8的像素定义层中的底切可以如何导致空隙插置在至少一个有机发光二极管层中的各部分之间。
具体实施方式
20.图1中示出了可具有显示器的类型的例示性电子设备。电子设备10可为计算设备诸如膝上型计算机、包含嵌入式计算机的计算机监视器、平板电脑、蜂窝电话、媒体播放器或其他手持式或便携式电子设备、较小的设备(诸如腕表设备、挂式设备、耳机或听筒设备、被嵌入在眼镜中的设备或者佩戴在用户的头部上的其他装备，或其他可穿戴式或微型设备)、显示器、包含嵌入式计算机的计算机显示器、不包含嵌入式计算机的计算机显示器、游戏设备、导航设备、嵌入式系统(诸如其中具有显示器的电子装备被安装在信息亭或汽车中的系统)、或其他电子装备。电子设备10可具有一副眼镜(例如，支撑框架)的形状，可形成具有头盔形状的外壳，或者可具有用于帮助将一个或多个显示器的部件安装和固定在用户的头部上或眼睛附近的其他构型。
21.如图1所示，电子设备10可包括控制电路16用于支持设备10的操作。控制电路可包括存储器，诸如硬盘驱动器存储器、非易失性存储器(例如，被配置为形成固态驱动器的闪存存储器或其他电可编程只读存储器)、易失性存储器(例如，静态随机存取存储器或动态随机存取存储器)等等。控制电路16中的处理电路可用于控制设备10的操作。该处理电路可基于一个或多个微处理器、微控制器、数字信号处理器、基带处理器、电源管理单元、音频芯片、专用集成电路等。
22.设备10中的输入
‑
输出电路诸如输入
‑
输出设备12可用于允许将数据提供至设备10，并且允许将数据从设备10提供至外部设备。输入
‑
输出设备12可包括按钮、操纵杆、滚轮、触控板、小键盘、键盘、麦克风、扬声器、音频发生器、振动器、相机、传感器、发光二极管和其他状态指示器、数据端口等。用户可由通过输入
‑
输出设备12供应命令来控制设备10的操作，并且可使用输入
‑
输出设备12的输出资源从设备10接收状态信息和其他输出。
23.输入
‑
输出设备12可包括一个或多个显示器，诸如显示器14。显示器14可为包括用于采集来自用户的触摸输入的触摸传感器的触摸屏显示器，或者显示器14可对触摸不敏感。显示器14的触摸传感器可基于电容性触摸传感器电极的阵列、声学触摸传感器结构、电阻性触摸部件、基于力的触摸传感器结构、基于光的触摸传感器，或其他合适的触摸传感器布置。用于显示器14的触摸传感器可由形成在具有显示器14的像素的公共显示器基板上的电极形成，或可由与显示器14的像素重叠的独立触摸传感器面板形成。如果需要，显示器14可对触摸不敏感(即，触摸传感器可被省略)。电子设备10中的显示器14可以是抬头显示器，其可在不需要用户远离典型视点的情况下观看，或者可以是结合到佩戴在用户头部的设备中的头戴式显示器。如果需要，显示器14也可以是用于显示全息图的全息显示器。
24.可使用控制电路16来在设备10上运行软件，诸如操作系统代码和应用程序。在设备10的操作期间，运行在控制电路16上的软件可在显示器14上显示图像。
25.图2为例示性显示器的图示。如图2所示，显示器14可包括层，诸如基板层26。基板层诸如层26可由矩形平面材料层或具有其他形状(例如，圆形或具有一个或多个弯曲边缘和/或直边缘的其他形状)的材料层形成。显示器14的基板层可包括玻璃层、聚合物层、硅层、包括聚合物材料和无机材料的复合膜、金属箔等。
26.显示器14可具有用于为用户显示图像的像素22的阵列，诸如像素阵列28。阵列28中的像素22可被布置成行和列。阵列28的边缘可以是直的或者弯曲的(即，阵列28中的像素22的每行和/或像素22的每列可具有相同的长度或者可具有不同的长度)。在阵列28中可存在任何合适数量的行和列(例如，十个或更多个、一百个或更多个，或者一千个或更多个等等)。显示器14可包括不同颜色的像素22。例如，显示器14可包括红色像素、绿色像素、和蓝色像素。
27.显示驱动器电路20可用于控制像素28的操作。显示驱动器电路20可由集成电路、薄膜晶体管电路、和/或其他合适的电路形成。图2的例示性显示驱动器电路20包括显示驱动器电路20a和附加显示驱动器电路诸如栅极驱动器电路20b。栅极驱动器电路20b可沿显示器14的一个或多个边缘形成。例如，栅极驱动器电路20b可沿显示器14的左侧和右侧布置，如图2所示。
28.如图2所示，显示驱动器电路20a(例如，一个或多个显示驱动器集成电路、薄膜晶体管电路等)可包含用于通过信号路径24与系统控制电路进行通信的通信电路。路径24可由柔性印刷电路上的迹线或其他缆线形成。控制电路可被定位在电子设备10中的一个或多个印刷电路上。在操作期间，控制电路(例如，图1的控制电路16)可为电路诸如电路20中的显示驱动器集成电路提供图像数据，以用于使图像被显示在显示器14上。图2的显示驱动器电路20a被定位在显示器14的顶部处。这仅是例示性的。显示驱动器电路20a可被定位在显示器14的顶部和底部两者处，或者被定位在设备10的其他部分中。
29.为了在像素22上显示图像，显示驱动器电路20a可在通过信号路径30向支持性显示驱动器电路诸如栅极驱动器电路20b发出控制信号时将对应图像数据供应到数据线d。利用图2的例示性布置，数据线d竖直延伸穿过显示器14，并且与像素22的相应列相关联。
30.栅极驱动器电路20b(有时被称为栅极线驱动器电路或水平控制信号电路)可使用一个或多个集成电路来实现，和/或可使用基板26上的薄膜晶体管电路来实现。水平控制线g(有时被称为栅极线、扫描线、发射控制线等)水平延伸穿过显示器14。每个栅极线g与像素
22的相应行相关联。如果需要，可存在多个水平控制线诸如与像素的每行相关联的栅极线g。显示器14中的单独控制的信号路径和/或全局信号路径也可用于发布其他信号(例如，电源信号等)。
31.栅极驱动器电路20b可断言显示器14中的栅极线g上的控制信号。例如，栅极驱动器电路20b可在路径30上接收来自电路20a的时钟信号和其他控制信号，并可响应于所接收到的信号，从阵列28中的像素22的第一行中的栅极线信号g开始顺序断言栅极线g上的栅极线信号。在每个栅极线被断言时，来自数据线d的数据可被加载到像素的对应行中。通过这种方式，控制电路诸如显示驱动器电路20a和20b可为像素22提供用于指示像素22在显示器14上显示期望图像的信号。每个像素22可具有对来自显示驱动器电路20的控制信号和数据信号进行响应的发光二极管和电路(例如，基板26上的薄膜电路)。
32.栅极驱动器电路20b可包括栅极驱动器电路块，诸如栅极驱动器行块。每个栅极驱动器行块可包括电路诸如输出缓冲器和其他输出驱动器电路、寄存器电路(例如，可链接在一起形成移位寄存器的寄存器)，以及信号线、电力线和其他互连器。每个栅极驱动器行块可向显示器14的有效区域中的像素阵列的对应像素行中的一个或多个相应栅极线提供一个或多个栅极信号。
33.可用于阵列28中的每个像素22的类型的例示性像素电路的示意图在图3中被示出。如图3所示，显示器像素22可包括发光二极管38。可将正电源电压elvdd提供至正电源端子34，并且可将接地电源电压elvss提供至接地电源端子36。二极管38具有阳极(端子an)和阴极(端子cd)。驱动晶体管32的状态控制流经二极管38的电流量，并且因此控制来自显示器像素22的发射光40的量。由于二极管38的阴极cd耦接至接地端子36，因此二极管38的阴极端子cd有时可被称为二极管38的接地端子。
34.为确保晶体管38在连续的数据帧之间保持在期望状态，显示器像素22可包括存储电容器，诸如存储电容器cst。在存储电容器cst上的电压被施加到节点a处的晶体管32的栅极以控制晶体管32。可使用一个或多个开关晶体管诸如开关晶体管30来将数据加载到存储电容器cst中。当开关晶体管30关闭时，数据线d从存储电容器cst隔离，并且在端子a上的栅极电压等于存储在存储电容器cst中的数据值(即，来自在显示器14上显示的显示数据的先前帧的数据值)。当断定与显示器像素22相关联的行中的栅极线g(有时被称为扫描线)时，开关晶体管30将被导通并且数据线d上的新数据信号将被加载到存储电容器cst中。电容器cst上的新信号在节点a处被施加到晶体管32的栅极，从而调节晶体管32的状态并调节由发光二极管38发射的光40的对应量。如果需要，用于控制显示器14中的显示像素的发光二极管(例如，诸如图3的显示像素电路的显示像素电路中的晶体管、电容器等)的操作的电路可以使用其他配置形成(例如，包括用于补偿驱动晶体管32中的阈值电压变化的电路的配置等)。图3的显示器像素电路仅为例示性的。
35.图4是具有有机发光二极管显示器像素的例示性显示器的横截面侧视图。如图所示，显示器14可包括基板26。基板26可以由玻璃、塑料、聚合物、硅或任何其他所需材料形成。阳极诸如阳极42
‑
1、42
‑
2和42
‑
3可在基板上形成。阳极42
‑
1、42
‑
2和42
‑
3可由导电材料形成并且可被oled层45和阴极54覆盖。oled层45可包括用于形成有机发光二极管的一个或多个层。例如，层45可以包括以下中的一者或多者：空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、发射层(eml)、电子传输层(etl)、电子注入层(eil)、电荷生成层(cgl)等。阴极54可以是形成
在oled层45上的导电层。阴极层54可为显示器14中的所有二极管形成公共阴极端子(参见例如图3的阴极端子cd)。阴极层54可以由透明导电材料(例如，氧化铟锡、足够薄以使其透明的金属层、薄金属和氧化铟锡的组合等)形成。显示器14中的每个阳极可独立地控制，使得显示器14中的每个二极管可独立地控制。这允许每个像素22产生独立控制的光量。
36.阳极42
‑
1、42
‑
2和42
‑
3可各自与相应像素相关联。例如，阳极42
‑
1可与像素22
‑
1相关联，阳极42
‑
2可与像素22
‑
2相关联，并且阳极42
‑
3可与像素22
‑
3相关联。为了从像素发射光，可向相应像素的阳极施加电压。举一个例子，其中希望从像素22
‑
2发光(不从像素22
‑
1和22
‑
3发光)。可将电压施加到阳极42
‑
2，这使得光56从像素22
‑
2发出。如前所述，如果由于电压施加到阳极42
‑
2而没有从像素22
‑
1和22
‑
3发射光，则是理想的。然而，如图所示，泄漏可以通过阳极42
‑
2和阳极42
‑
1之间以及阳极42
‑
2和阳极42
‑
3之间的oled层45发生。在阳极42
‑
2和相邻阳极之间可能存在电阻58(即，与oled层相关联的电阻)，这有助于防止泄漏。电阻越大，将到达阳极42
‑
1和42
‑
3的泄漏电流就越少。然而，电阻可能不够大以完全消除阳极42
‑
2与阳极42
‑
1和42
‑
3之间的泄漏。如图所示，即使像素22
‑
1和22
‑
3意图关闭，也可以从像素22
‑
1和22
‑
3发射光56。相邻阳极之间的电阻58可随着相邻阳极之间的距离60减小而减小。为了使显示器分辨率最大化，希望相邻阳极之间的距离60较小。然而，这减小了阳极之间的电阻58并且增加了像素之间的串扰。
37.虽然图4中未示出，显示器14可以任选地包括像素定义层(pdl)。像素定义层可以由电介质材料形成，并且可以插置在显示器的相邻阳极之间。像素定义层可以具有其中形成阳极的开口，从而限定每个像素的面积。有机发光二极管显示器的以下实施方案中的每一个可任选地包括像素定义层。在一些情况下，像素定义层可以以减少相邻像素之间泄漏的方式成形。
38.图5为具有有机发光二极管显示器像素的例示性显示器的横截面侧视图。图5示出了图4的oled层45的细节。如图所示，oled层45(有时称为有机叠层、有机叠堆或有机发光二极管叠堆)可以包括多个导电有机发光二极管层。图5示出了五个例示性有机发光二极管层。有机发光二极管层45
‑
1形成于阳极42
‑
1和42
‑
2上方。显示器内相邻阳极之间的距离(例如，阳极42
‑
1和42
‑
2之间的边缘到边缘距离)可以小于100微米、小于50微米、小于20微米、小于10微米、小于5微米、小于3微米、小于2微米、小于1微米、介于1微米和5微米之间、介于0.5微米和10微米之间、大于0.5微米、大于0.1微米等。有机发光二极管层45
‑
2形成于有机发光二极管层45
‑
1上方，有机发光二极管层45
‑
3形成于有机发光二极管层45
‑
2上方，有机发光二极管层45
‑
4形成于有机发光二极管层45
‑
3上方，有机发光二极管层45
‑
5形成于有机发光二极管层45
‑
4上方，并且阴极层54形成于有机发光二极管层45
‑
5上方。每个有机发光二极管层有时可以称为导电有机发光二极管层、公共有机发光二极管层、侧向导电有机发光二极管层等。
39.显示器14中的有机发光二极管层存在许多可能的布置。在一个例示性实施方案中，有机发光二极管层45
‑
1可以为空穴注入层，有机发光二极管层45
‑
2可以为空穴传输层，有机发光二极管层45
‑
3可以为发射层，有机发光二极管层45
‑
4可以为电子传输层，并且有机发光二极管层45
‑
5可以为电子注入层。如果需要，有机发光二极管可以倒置，使得阴极逐像素图案化而阳极为公共层。在这种情况下，有机发光二极管层45
‑
1可以为电子注入层，有机发光二极管层45
‑
2可以为电子传输层，有机发光二极管层45
‑
3可以为发射层，有机发光
二极管层45
‑
4可以为空穴传输层，并且有机发光二极管层45
‑
5可以为空穴注入层。
40.包括在图5中的阳极42和阴极54之间的层的示例仅是例示性的。如果需要，这些层可以包括电子阻挡层、电荷生成层、空穴阻挡层等。空穴注入层和空穴传输层可以统称为空穴层。电子传输层和电子注入层可以统称为电子层。在一个例示性布置中，有机发光二极管层45
‑
1可以为空穴层，有机发光二极管层45
‑
2可以为第一发射层，有机发光二极管层45
‑
3可以为电荷生成层(例如，包括用于在串联二极管中注入电子和空穴的n掺杂层和p掺杂层的层)、有机发光二极管层45
‑
4可以为第二发射层，并且有机发光二极管层45
‑
5可以为电子层。
41.一般来讲，任何所期望的层可以包括在阳极和阴极之间，并且在显示器上形成且具有非零电导率的任何层可以认为是公共侧向导电层。oled层45中的每个层可以由任何期望的材料形成。在一些实施方案中，层可由有机材料形成。然而，在一些情况下，一个或多个层可以由无机材料或掺杂有有机或无机掺杂剂的材料形成。发射层可以包括有机电致发光材料。
42.在后续的实施方案中，图案化阳极被描述为定位在公共阴极层下方。然而，应当理解，在这些实施方案的每一个中，阳极和阴极可如前所述倒置。
43.无论有机发光二极管层的具体布置如何，共用侧向导电层的存在可以为泄漏电流提供从一个二极管侧向流入相邻二极管的机会，从而潜在地破坏相邻二极管。每层的电导率可以有助于泄漏电流的传递到相邻二极管的量。例如，具有低电阻率(并因此具有高电导率)的有机发光二极管层可能易受将泄漏电流传递到相邻像素的影响。具有高电阻率(并因此具有低电导率)的有机发光二极管层可能不太容易将泄漏电流传递到相邻像素。随着像素之间的距离减小(以增大显示器的分辨率)，产生可检测泄漏的电导率的阈值可以变小。为了减少阳极之间通过有机发光二极管层的泄漏，可能有利的是在相邻阳极之间的有机发光二极管层中形成中断部分。这些中断部分将破坏有机发光二极管层中的导电泄漏路径，以防止泄漏电流通过有机发光二极管层传递。
44.在有机发光二极管层中形成中断部分可以减少相邻像素之间的泄漏电流。然而，可能期望阴极层54跨像素保持连续层。另外，如前所述，有机发光二极管层中的一些可以具有比其他有机发光二极管层高的电导率。因此，显示器可以优化为在高电导率有机发光二极管层和跨显示器的连续阴极层中具有中断部分。
45.在一些情况下，像素定义层可以用于在有机发光二极管层中的一些中形成中断部分，同时保持阴极层中的连续性。图6为具有像素定义层的例示性有机发光二极管显示器的横截面侧视图。如图6所示，像素定义层76可以在显示器的阳极之间的基板26上形成。像素定义层可以是不透明的，因此可限定发射光的每个像素的面积。像素定义层可由任何期望的材料形成。像素定义层可由一种或多种材料(例如，氮化硅、二氧化硅等)形成。如果需要，像素定义层也可由有机材料形成。每个像素定义层的形状可以在上覆的有机发光二极管显示器层中形成中断部分，如图7至图9中更详细所述。
46.如前所述，可能期望在显示器中的有机发光二极管层中的一者或多者中产生中断部分(以防止通过有机发光二极管层的侧向泄漏)。然而，也可期望在显示器中的一个或多个其他层(例如，阴极54)中保持连续性。因此，像素定义层的形状可以被设计成使得沉积在像素定义层上方的一个或多个期望的有机发光二极管层具有中断部分，而沉积在像素定义
层上方的附加有机发光二极管层和/或阴极54不具有中断部分。被成形为在所选上覆层中形成中断部分的像素定义层的详细视图在图7和图8中示出。
47.图7为可以在显示器中的有机发光二极管层中形成中断部分的例示性像素定义层的横截面侧视图。如图7所示，像素定义层(pdl)76具有底切102。底切102有时也可以称为凹陷部102、腔体102、空穴102、凹痕102等。底切是被像素定义层的一部分覆盖的像素定义层材料的边缘中的空隙。如图7所示，底切102可以具有宽度104和高度106。在该布置中，宽度104被定义为像素定义层的部分76
‑
1的边缘与像素定义层的部分76
‑
2的边缘之间的距离。高度106被定义为像素定义层的部分76
‑
1的下表面与阳极42之间的距离。宽度104和高度106可以各自为任何期望的距离(例如，小于1微米、小于500纳米、小于250纳米、小于150纳米、小于100纳米、小于75纳米、小于50纳米、小于35纳米、小于25纳米、小于20纳米、大于10纳米、大于15纳米、大于20纳米、介于10和100纳米之间等)。高度106和宽度104可以相同或不同。在一个示例中，高度106可以小于50纳米，并且宽度104可以大于15纳米。
48.在图7的示例中，像素定义层76可以由部分76
‑
1和76
‑
2(有时称为层76
‑
1和76
‑
2)形成，各部分由不同材料形成。换句话讲，当形成像素定义层时，部分76
‑
1和76
‑
2可以单独沉积。每个部分可以由任何期望的材料(例如，氮化硅、二氧化硅、有机材料等)形成。在一个示例中，部分76
‑
1可以由二氧化硅(sio2)形成，并且部分76
‑
2可以由氮化硅(sin)形成。该示例仅仅是例示性的。
49.部分76
‑
1可以具有厚度110，并且部分76
‑
2可以具有厚度108。厚度108和110可以各自为任何期望的距离(例如，小于1微米、小于500纳米、小于250纳米、小于150纳米、小于100纳米、小于75纳米、小于50纳米、小于35纳米、小于25纳米、小于20纳米、大于10纳米、大于20纳米、介于10纳米和100纳米之间等)。厚度108和110可以是相同的或也可以是不同的。应当注意，由于存在阳极42，像素定义层部分76
‑
2的厚度可以变化。例如，在图7中，部分76
‑
2在基板26的不包括阳极42的区域上方的部分中具有厚度108。部分76
‑
2具有比与阳极42重叠的部分中的厚度108(例如，等于高度106)小的厚度。该示例仅仅是例示性的。如果需要，部分76
‑
2可以具有均匀的厚度(在阳极的边缘上方具有阶跃变化)。
50.可以选择部分76
‑
1和76
‑
2的边缘的角度以控制有机发光二极管层的中断部分。如图7所示，部分76
‑
2具有边缘表面112，该边缘表面相对于阳极42的平面上表面(并且相对于部分76
‑
2的平面下表面)成角度116。部分76
‑
1具有边缘表面114，该边缘表面相对于阳极42的平面上表面(并且相对于部分76
‑
1的平面下表面)成角度118。厚度116和118可以是相同的或也可以是不同的。每个角度可以是任何期望的角度(例如，介于45
°
和90
°
之间、介于25
°
和135
°
之间、介于45
°
和55
°
之间、介于55
°
和65
°
之间、介于75
°
和85
°
之间、介于85
°
和95
°
之间、介于45
°
和65
°
之间、介于70
°
和90
°
之间、介于10
°
和45
°
之间、小于90
°
等)。
51.像素定义层的任何尺寸可以调整成在形成于像素定义层上方的有机发光二极管层上赋予所期望的中断部分。例如，每个像素定义层部分的厚度108和110、底切102的宽度104和高度106、角度116和118等可以选择成使得当有机发光二极管层沉积在像素定义层上方时形成期望的中断部分。像素定义层部分和有机发光二极管层可以使用气相沉积技术、光刻技术等形成。为了修改像素定义层部分的尺寸，可以调整曝光水平、掩模轮廓、沉积压力、气体组成和/或其他所期望的制造特性。
52.图8为可以在显示器中的有机发光二极管层中形成中断部分的另一例示性像素定
义层的横截面侧视图。如图8所示，像素定义层(pdl)76同样具有底切102。底切102有时也可以称为凹陷部102、腔体102、空穴102、凹痕102等。底切是像素定义层材料中的空隙，该空隙仍然由像素定义层的一部分所覆盖。如图8所示，底切102可以具有宽度104和高度106。在该布置中，宽度104被定义为像素定义层的部分76
‑
1的边缘与像素定义层的部分76
‑
2的边缘之间的距离。高度106被定义为像素定义层的部分76
‑
1的下表面与像素定义层的部分76
‑
3的上表面之间的距离。宽度104和高度106可以各自为任何期望的距离(例如，小于1微米、小于500纳米、小于250纳米、小于150纳米、小于100纳米、小于75纳米、小于50纳米、小于35纳米、小于25纳米、小于20纳米、大于10纳米、大于20纳米、介于10和100纳米之间等)。高度106和宽度104可以相同或不同。在一个示例中，高度106可以小于50纳米，宽度104可以大于20纳米，厚度108可以小于50纳米，厚度110可以小于20纳米，并且厚度122可以小于50纳米。
53.在图8的示例中，像素定义层76可以由部分76
‑
1、76
‑
2和76
‑
3(有时称为层76
‑
1、76
‑
2和76
‑
3)形成，各部分由不同材料形成。换句话讲，当形成像素定义层时，部分76
‑
1、76
‑
2和76
‑
3可以单独沉积。每个部分可以由任何期望的材料(例如，氮化硅、二氧化硅、有机材料等)形成。在一个示例中，部分76
‑
1和76
‑
3可以由二氧化硅(sio2)形成，并且部分76
‑
2可以由氮化硅(sin)形成。该示例仅仅是例示性的。
54.部分76
‑
1可以具有厚度110，部分76
‑
2可以具有厚度108，并且部分76
‑
3可以具有厚度122。厚度108、110和122可以各自为任何期望距离(例如，小于1微米、小于500纳米、小于250纳米、小于150纳米、小于100纳米、小于75纳米、小于50纳米、小于35纳米、小于25纳米、小于20纳米、大于10纳米、大于20纳米、介于10和100纳米之间等)。厚度108、110和122可以相同或不同。应当注意，由于存在阳极42，像素定义层部分76
‑
3的厚度可以变化。例如，在图8中，部分76
‑
3在基板26的不包括阳极42的区域上方的部分中具有厚度122。部分76
‑
3具有比与阳极42重叠的部分中的厚度122小的厚度130。所减小的厚度区域中的部分76
‑
3的厚度130可以是任何期望的距离(例如，小于1微米、小于500纳米、小于250纳米、小于150纳米、小于100纳米、小于75纳米、小于50纳米、小于35纳米、小于25纳米、小于20纳米、大于10纳米、大于20纳米、介于10和100纳米之间等)。该示例仅仅是例示性的。如果需要，部分76
‑
3可以具有均匀的厚度(在阳极的边缘上方具有阶跃变化)。
55.部分76
‑
1、76
‑
2和76
‑
3的边缘的角度可以选择成控制有机发光二极管层的中断部分。如图8所示，部分76
‑
3具有边缘表面126，该边缘表面相对于阳极42的平面上表面(并且相对于部分76
‑
3的平面下表面)成角度128。部分76
‑
2具有边缘表面112，该边缘表面相对于阳极42的平面上表面(并且相对于部分76
‑
2的平面下表面)成角度116。部分76
‑
1具有边缘表面114，该边缘表面相对于阳极42的平面上表面(并且相对于部分76
‑
1的平面下表面)成角度118。角度116、118和128可以相同或不同。每个角度可以是任何期望的角度(例如，介于45
°
和90
°
之间、介于25
°
和135
°
之间、介于45
°
和55
°
之间、介于55
°
和65
°
之间、介于75
°
和85
°
之间、介于85
°
和95
°
之间、介于45
°
和65
°
之间、介于70
°
和90
°
之间、介于10
°
和45
°
之间、小于90
°
等)。
56.在图8中，层76
‑
3的一部分可以不被层76
‑
1覆盖。换句话讲，层76
‑
3延伸经过层76
‑
1的边缘(例如，朝向阳极的中心)。层76
‑
3的未被层76
‑
1覆盖的部分的宽度124可以为任何期望的距离(例如，小于1微米、小于500纳米、小于250纳米、小于150纳米、小于100纳米、小于75纳米、小于50纳米、小于35纳米、小于25纳米、小于20纳米、大于10纳米、大于20纳米、介
于10和100纳米之间等)。层76
‑
3的未被层76
‑
1覆盖的部分可以被称为像素定义层的台阶部分。宽度124可以为大于40纳米。
57.像素定义层的任何尺寸可以调整成在形成于像素定义层上方的有机发光二极管层上赋予所期望的中断部分。例如，每个像素定义层部分的厚度108、110、122和130、底切102的宽度104和高度106、角度116、118、128、台阶部分宽度124等均可以被选择成使得当有机发光二极管层沉积在像素定义层上方时形成期望的中断部分。像素定义层部分和有机发光二极管层可以使用气相沉积技术、光刻技术等形成。为了修改像素定义层部分的尺寸，可以调整曝光水平、掩模轮廓、沉积压力、气体组成和/或其他所期望的制造特性。
58.图9为示出可以如何在沉积在像素定义层上方的有机发光二极管中形成中断部分的横截面侧视图。图8的像素定义层在图9中示出。然而，应当理解，如果需要，可以替代地使用图7的像素定义层。如图9所示，有机发光二极管层45
‑
1、45
‑
2、45
‑
3、45
‑
4和45
‑
5形成在像素定义层76和阳极42上方。阴极层54形成在有机发光二极管层上方。
59.底切102的存在可以导致在像素定义层和有机发光二极管层之间存在空隙142。在图9的示例中，空隙142(有时称为空气填充空隙142、空气填充区域142、绝缘体填充空隙142等)在有机发光二极管层45
‑
1的相应部分之间形成中断部分。空隙可以填充有空气或任何其他所期望的材料。空隙还在有机发光二极管层45
‑
2的相应部分之间形成中断部分。最后，空隙在有机发光二极管层45
‑
3的相应部分之间形成中断部分。这样，可以防止通过有机发光二极管层45
‑
1、45
‑
2和45
‑
3的侧向泄漏。空隙在有机发光二极管层45
‑
1、45
‑
2和45
‑
3中形成中断部分时，可以不在有机发光二极管层45
‑
4、有机发光二极管层45
‑
5和阴极层54之间形成中断部分。
60.像素定义层76的形状可以确定多少有机发光二极管层被空隙142中断。在图9中，三个有机发光二极管层(45
‑
1、45
‑
2和45
‑
3)被空隙142中断，而两个有机发光二极管层(45
‑
4和45
‑
5)不被空隙142中断。如前所述，在一个例示性布置中，有机发光二极管层45
‑
1可以为空穴注入层，有机发光二极管层45
‑
2可以为空穴传输层，有机发光二极管层45
‑
3可以为发射层，有机发光二极管层45
‑
4可以为电子传输层，并且有机发光二极管层45
‑
5可以为电子注入层。在另一个例示性布置中，有机发光二极管层45
‑
1可以为空穴层，有机发光二极管层45
‑
2可以为第一发射层，有机发光二极管层45
‑
3可以为电荷生成层，有机发光二极管层45
‑
4可以为第二发射层，并且有机发光二极管层45
‑
5可以为电子层。
61.有机发光二极管层45
‑
3(例如，被空隙中断的最后一层)可以具有比有机发光二极管层45
‑
4(例如，未被空隙中断的第一层)高的电导率。换句话讲，有机发光二极管层中的中断部分可以传导以确保中断部分为高电导率有机发光二极管层。这可以有效地减少显示器中像素之间的侧向泄漏。可以保持剩余有机发光二极管层(例如，45
‑
4和45
‑
5)中的连续性，同时仍确保令人满意的光泄漏水平。
62.一般来讲，有机发光二极管层中的每个可以具有任何期望的电导率，并且中断部分可以由像素定义层76传导穿过有机发光二极管层，直到侧向光泄漏降低到令人满意的水平(同时保持阴极层的连续性)。换句话讲，在有机发光二极管层45
‑
3具有低电导率并且有机发光二极管层45
‑
2具有高电导率(例如，高于层45
‑
3)的示例中，中断部分可以仅存在于有机发光二极管层45
‑
1和45
‑
2中(而有机发光二极管层45
‑
3、45
‑
4和45
‑
5保持连续)。在有机发光二极管层45
‑
2具有低电导率并且有机发光二极管层45
‑
1具有高电导率(例如，高于
层45
‑
2)的又一示例中，中断部分可以仅存在于有机发光二极管层45
‑
1中(而有机发光二极管层45
‑
2、45
‑
3、45
‑
4和45
‑
5保持连续)。
63.图7和图8的像素定义层布置可以在制造有机发光二极管显示器中实现高收益。显示器可以以晶圆或母玻璃级制造，然后切割成单独的显示器。在这种类型的工艺中，图7和图8的稳固设计可以确保在晶圆或母玻璃上的显示器具有令人满意的显示性能(例如，具有减小的侧向泄漏和阴极连续性)。
64.根据一个实施方案，提供了一种显示器，该显示器包括：基板；包括第一有机发光二极管像素和第二有机发光二极管像素的像素阵列，其中第一有机发光二极管像素包括位于基板上的第一图案化电极并且第二有机发光二极管像素包括位于基板上的第二图案化电极；位于基板上的像素定义层，该像素定义层插置在第一图案化电极和第二图案化电极之间；以及形成在像素定义层上方的导电层，该导电层具有第一部分和第二部分，该第一部分形成第一有机发光二极管像素的一部分，该第二部分通过空隙与第一部分电隔离，该空隙至少部分地由像素定义层的边缘中的底切限定。
65.根据另一实施方案，像素定义层具有由第一材料形成的第一部分和由不同于第一材料的第二材料形成的第二部分。
66.根据另一实施方案，第一材料是二氧化硅，并且第二材料是氮化硅。
67.根据另一个实施方案，像素定义层的第一部分延伸经过像素定义层的第二部分的边缘，以限定像素定义层的边缘中的底切。
68.根据另一个实施方案，底切具有宽度，该宽度为像素定义层的第一部分的边缘与像素定义层的第二部分的边缘之间的距离。
69.根据另一个实施方案，底切的宽度大于十五纳米。
70.根据另一个实施方案，底切具有高度，该高度为像素定义层的第一部分的下表面与第一图案化电极的上表面之间的距离。
71.根据另一个实施方案，底切的高度大于十纳米。
72.根据另一个实施方案，像素定义层包括第三部分，该第三部分插置在像素定义层的第二部分和第一图案化电极之间。
73.根据另一个实施方案，底切具有高度，该高度为像素定义层的第一部分的下表面与像素定义层的第三部分的上表面之间的距离。
74.根据另一个实施方案，底切的高度大于二十纳米。
75.根据另一个实施方案，像素定义层的第三部分延伸经过像素定义层的第一部分的边缘。
76.根据另一个实施方案，像素定义层的第一部分由二氧化硅形成，像素定义层的第二部分由氮化硅形成，并且像素定义层的第三部分由二氧化硅形成。
77.根据另一个实施方案，显示器包括：形成在第一导电层上方的第二导电层，该第二导电层具有第三部分和第四部分，该第三部分形成第一有机发光二极管像素的一部分，该第三部分通过空隙与第四部分电隔离；以及形成于第二导电层上方的第三导电层，该第三导电层具有第五部分，该第五部分形成于第二导电层的第三部分上方，该第三导电层具有第六部分，该第六部分形成于第二导电层的第四部分上方，该第三导电层的第五部分形成第一有机发光二极管像素的一部分，并且该第三导电层的第五部分和第六部分是电连接的
并且不被空隙中断。
78.根据另一个实施方案，第二导电层具有比第三导电层高的电导率。
79.根据另一个实施方案，第二导电层包括电荷生成层。
80.根据一个实施方案，提供了一种显示器，该显示器包括：基板；包括第一有机发光二极管像素和第二有机发光二极管像素的像素阵列；该第一有机发光二极管像素包括位于基板上的第一图案化电极，并且第二有机发光二极管像素包括位于基板上的第二图案化电极；以及位于基板上的不透明像素定义层，该不透明像素定义层插置在第一图案化电极和第二图案化电极之间，该像素定义层包括形成在第一图案化电极上的第一部分、形成在第一部分上且具有边缘的第二部分、以及形成在第二部分上且具有边缘的第三部分，并且第三部分的边缘朝向第一图案化电极的中心延伸经过第二部分的边缘。
81.根据另一个实施方案，像素定义层的第一部分为二氧化硅层，像素定义层的第二部分为氮化硅层，并且像素定义层的第三部分为二氧化硅层。
82.根据另一个实施方案，像素定义层的第一部分具有上表面，该上表面在第一区域中与像素定义层的第二部分和第三部分均重叠、在第二区域中与像素定义层的第二部分和像素定义层的第三部分均不重叠，并且在第三区域中仅与像素定义层的第三部分重叠，该第三区域插置在第一区域和第二区域之间。
83.根据一个实施方案，提供了一种显示器，该显示器包括：基板；包括第一有机发光二极管像素和第二有机发光二极管像素的像素阵列，该第一有机发光二极管像素包括位于基板上的第一图案化电极，并且第二有机发光二极管像素包括位于基板上的第二图案化电极；位于基板上的像素定义层，该像素定义层插置在第一图案化电极和第二图案化电极之间；以及多个导电有机发光二极管层，该多个导电有机发光二极管层形成于像素定义层以及第一图案化电极和第二图案化电极上方，该像素定义层具有底切，该底切在多个导电有机发光二极管层中的至少一者中形成中断部分，以减少第一有机发光二极管像素和第二有机发光二极管像素之间通过多个导电有机发光二极管层的侧向泄漏。
84.前文仅为例示性的，并且在不脱离所述实施方案的范围和实质的情况下，本领域的技术人员可作出各种修改。前述实施方案可独立实施或可以任意组合实施。