用于互连结构的阻挡层及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种用于互连结构的阻挡层，设置在所述互连结构的金属互连材料与电介质层之间，其特征在于，所述阻挡层包括第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层环绕在所述金属互连材料外层，所述第二阻挡层环绕在所述第一阻挡层外侧。2.根据权利要求1所述用于互连结构的阻挡层，其特征在于，通过原子层淀积形成所述第一阻挡层和所述第二阻挡层。3.根据权利要求1所述用于互连结构的阻挡层，其特征在于，所述第一阻挡层的材料选自钨、钽、钛、钌、铂、钼、锰、铬、锌、铪中的一种。4.根据权利要求1所述用于互连结构的阻挡层，其特征在于，所述第二阻挡层的材料选自氮化钽、氮化钛和氮化钨中的一种。5.一种如权利要求1-4所述的用于互连结构的阻挡层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在所述互连结构的金属互连材料外侧沉积第一阻挡层；在所述第一阻挡层外侧沉积第二阻挡层。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，通过原子层淀积形成所述第一阻挡层和所述第二阻挡层。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在同一腔室内沉积所述第一阻挡层和所述第二阻挡层。8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一阻挡层的材料选自钨、钽、钛、钌、铂、钼、锰、铬、锌、铪中的一种。9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第二阻挡层的材料选自氮化钽、氮化钛和氮化钨中的一种。10.一种互连结构，包括金属互连材料、电介质层和设置在所述金属互连材料外侧的衬垫，其特征在于，还包括如权利要求1-5所述的阻挡层，所述阻挡层设置在所述衬垫与所述电介质层之间。

技术总结
本发明公开了用于互连结构的阻挡层，设置在互连结构的金属互连材料与电介质层之间，阻挡层包括第一阻挡层和第二阻挡层，第一阻挡层环绕在金属互连材料外层，第二阻挡层环绕在第一阻挡层外侧。本发明提供的阻挡层，包括两层由原子层沉淀形成的阻挡层，通过两层不同材料制成的阻挡层，利用具有稳定金属性能和良好附着力的材料可以提升原有的阻挡层与金属互连材料之间的附着力，由此，可以改善现有的单层阻挡层性能较差以及由ALD和PVD形成的双阻挡层带来的高阻抗问题；进而减少从互连电流到损坏集成电路的热量，改善IC电路的RC延迟，提高IC生产的成品率。IC生产的成品率。IC生产的成品率。


技术研发人员：杨弦龙 姜德新
受保护的技术使用者：广东汉岂工业技术研发有限公司
技术研发日：2020.05.15
技术公布日：2021/11/19