基板处理装置和基板处理方法与流程

1.本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法。


背景技术：

2.在专利文献1中，已知一种通过在贮存有处理液的处理槽中浸渍多个基板来一并地蚀刻多个基板的技术。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2018
‑
14470号公报


技术实现要素：

6.发明要解决的问题
7.本公开提供一种在一并地蚀刻多个基板的技术中能够提高蚀刻处理的均匀性的技术。
8.用于解决问题的方案
9.基于本公开的一个方式的基板处理装置具备处理槽、第一喷出口群及第二喷出口群、第一变更部、第二变更部以及控制部。处理槽用于将多个基板浸渍于处理液来进行蚀刻处理。第一喷出口群及第二喷出口群配置于处理槽的内部且比多个基板靠下方的位置，用于向处理槽的内部喷出处理液。第一变更部用于变更从第一喷出口群喷出的处理液的流量。第二变更部用于变更从第二喷出口群喷出的处理液的流量。控制部在蚀刻处理过程中控制第一变更部和第二变更部，来进行使从第一喷出口群喷出的处理液的流量和从第二喷出口群喷出的处理液的流量以互不相同的方式增加和减少的流量变更处理。
10.发明的效果
11.根据本公开，在一并地蚀刻多个基板的技术中，能够提高蚀刻处理的均匀性。
附图说明
12.图1是表示基板处理的一例的图。
13.图2是表示第一实施方式所涉及的基板处理装置的结构的图。
14.图3是表示第一实施方式所涉及的处理液供给部的结构的图。
15.图4是表示第一实施方式所涉及的基板处理装置所执行的处理的过程的流程图。
16.图5是第一实施方式所涉及的流量变更处理的说明图。
17.图6是表示发生液流的淤滞的位置因流量变更处理而变化的样子的图。
18.图7是表示发生液流的淤滞的位置因流量变更处理而变化的样子的图。
19.图8是表示第一实施方式的变形例所涉及的基板处理装置的结构的图。
20.图9是第一实施方式的变形例所涉及的流量变更处理的说明图。
21.图10是表示第二实施方式所涉及的基板处理装置的结构的图。
22.图11是从上方观察第二实施方式所涉及的气体供给部的图。
23.图12是第二实施方式所涉及的流量变更处理的说明图。
24.图13是表示蚀刻处理过程中的面内温度差随时间变化的曲线图。
25.附图标记说明
26.1：基板处理装置；11：内槽；12：外槽；20：基板保持部；30：处理液供给部；30_1～30_3：处理液供给部；31_1～31_3：喷嘴；32_1～32_3：喷出口；50：循环流路；51：排出路径；52_1～52_3：供给路径；53_1：旁通路径；55：泵；56：加热器；57：过滤器；60_1～60_3：流量变更部；70：控制装置；71：控制部；72：存储部；80：气体供给部；81：喷嘴；82：喷出口；83：供给路径；84：气体供给源；85：流量变更部；100：多晶硅膜；101：钨膜；102：氮化钛膜；103：氧化硅膜；w：晶圆。
具体实施方式
27.下面，参照附图来详细地说明用于实施基于本公开的基板处理装置以及基板处理方法的方式(下面记载为“实施方式”)。此外，本公开并不受该实施方式限定。另外，能够在不使处理内容矛盾的范围内将各实施方式适当地进行组合。另外，在下面的各实施方式中，对相同的部位标注相同的标记并省略重复的说明。
28.另外，在下面所示的实施方式中，有时使用“固定”、“正交”、“垂直”或者“平行”之类的表达，但这些表达无需严格为“固定”、“正交”、“垂直”或者“平行”。即，上述的各表达允许例如制造精度、设置精度等的偏差。
29.另外，在下面参照的各附图中，有时示出规定相互正交的x轴方向、y轴方向以及z轴方向、并将z轴正方向设为铅垂向上的方向的正交坐标系，以使得易于理解说明。另外，有时将以铅垂轴为旋转中心的旋转方向称为θ方向。
30.<关于基板处理>
31.首先，参照图1来对基于本公开的基板处理的一例进行说明。图1是表示基板处理的一例的图。
32.如图1所示，在基于本公开的基板处理中，例如对在多晶硅膜100上形成有钨膜101、氮化钛膜102以及氧化硅膜103的晶圆w进行蚀刻。具体地说，氧化硅膜103以相互隔开间隔的方式在多晶硅膜100上形成多层，氮化钛膜102以覆盖氧化硅膜103的方式形成在各氧化硅膜103的周围。另外，钨膜101以覆盖氮化钛膜102及氧化硅膜103的方式形成。因而，在蚀刻处理前，氮化钛膜102和氧化硅膜103为被钨膜101覆盖的状态。
33.在基于本公开的基板处理中，通过对钨膜101及氮化钛膜102进行回蚀，来在晶圆w上形成凹部。作为对钨膜101和氮化钛膜102进行蚀刻的处理液，例如使用含有磷酸(h3po4)、醋酸(ch3cooh)、硝酸(hno3)以及水(h2o)作为成分的处理液。
34.具体地说，首先，仅对在表面露出的钨膜101进行蚀刻，由此使被钨膜101覆盖的氮化钛膜102露出(第一蚀刻处理)。之后，对钨膜101和氮化钛膜102同时进行蚀刻(第二蚀刻处理)。
35.专利文献1中公开有如下技术：从设置于处理槽的底部的气体喷嘴供给氮气等气体，来在处理槽内形成处理液的液流，由此提高蚀刻处理的均匀性。
36.然而，在上述的技术中，有可能在晶圆的面内形成蚀刻量极少的区域(下面记载为
“
特异区域”)。
37.作为其原因之一，能够列举出液流的淤滞。即，认为当存在处理液不流动而停滞的地方时，该地方的处理液的置换性降低，从而该地方的蚀刻量降低。
38.因此，在第一实施方式中，通过强行扰乱处理槽内的液流，来避免在固定的地方发生液流的淤滞。由此，难以形成特异区域，因此能够提高蚀刻处理的均匀性。
39.另外，在第二蚀刻处理中发生贾凡尼式腐蚀也被认为是原因之一。贾凡尼式腐蚀是指在使不同的金属在水溶液中接触的情况下电位(标准电极电位)更低的金属急剧地腐蚀的现象。越是增大向处理槽内供给的气体的流量，越显著地发生贾凡尼式腐蚀。
40.因此，在第二实施方式中，设为在从开始进行蚀刻处理起经过了固定期间后限制向处理槽内的气体供给。由此，在对钨膜101和氮化钛膜102同时进行蚀刻的第二蚀刻处理中，能够抑制贾凡尼式腐蚀的发生。
41.(第一实施方式)
42.<基板处理装置的结构>
43.首先，参照图2来说明第一实施方式所涉及的基板处理装置的结构。图2是表示第一实施方式所涉及的基板处理装置的结构的图。
44.图2所示的基板处理装置1通过使以垂直姿势被保持的多个晶圆w浸渍于处理液，来对多个晶圆w一并地进行蚀刻处理。如上所述，蚀刻处理使用含有磷酸、醋酸、硝酸以及水的处理液，通过所述的蚀刻处理，来对钨膜101和氮化钛膜102进行蚀刻。
45.如图2所示，第一实施方式所涉及的基板处理装置1具备内槽11、外槽12、基板保持部20、处理液供给部30_1～30_3、循环流路50、流量变更部60_1～60_3以及控制装置70。
46.此外，下面，在不对处理液供给部30_1～30_3进行区别的情况下，有时仅记载为处理液供给部30。另外，在不对流量变更部60_1～60_3进行区别的情况下，有时仅记载为流量变更部60。
47.(内槽11和外槽12)
48.内槽11是上方开放的箱形的槽，在内槽11的内部贮存处理液。由多个晶圆w形成的批量晶圆浸渍于内槽11。像这样，内槽11相当于使多个基板浸渍于处理液来进行蚀刻处理的处理槽的一例。
49.外槽12配置于内槽11的上部周围。外槽12的上方开放，用于贮存从内槽11溢出的处理液。像这样，外槽12相当于用于贮存从处理槽溢出的处理液的溢出槽的一例。
50.此外，外槽12也可以与用于供给处理液的新液的新液供给部连接。另外，外槽12还可以与单独地供给作为处理液的成分的磷酸、醋酸、硝酸以及水的单独供给部连接。
51.(基板保持部20)
52.基板保持部20将多个晶圆w以垂直姿势(纵向的状态)进行保持。另外，基板保持部20将多个晶圆w以在水平方向(在此为y轴方向)上以固定间隔排列的状态进行保持。基板保持部20与未图示的升降机构连接，从而能够使多个晶圆w在处于内槽11的内部的处理位置与处于内槽11的上方的等待位置之间移动。
53.(处理液供给部30)
54.处理液供给部30配置于内槽11的内部且比多个晶圆w靠下方的位置，用于向内槽11的内部喷出处理液。
55.在此，参照图3来说明处理液供给部30的结构。图3是表示第一实施方式所涉及的处理液供给部30的结构的图。
56.如图3所示，处理液供给部30_1～30_3具备喷嘴31_1～31_3。喷嘴31_1～31_3例如是圆筒状的构件，沿多个晶圆w的排列方向(y轴方向)延伸。在喷嘴31_1～31_3的上部，沿喷嘴31_1～31_3的延伸方向设置有多个喷出口32_1～32_3。喷出口32_1～32_3例如为圆形，开口径直径例如为0.5mm～1.0mm左右。喷出口32_1～32_3例如朝向铅垂上方(z轴正方向)喷出处理液。
57.喷嘴31_1～31_3与后述的供给路径52_1～52_3连接，用于将从供给路径52_1～52_3供给来的处理液从多个喷出口32_1～32_3喷出。
58.(循环流路50)
59.返回到图2。循环流路50将外槽12与处理液供给部30_1～30_3连接。具体地，循环流路50具备排出路径51、多个供给路径52_1～52_3以及多个旁通路径53_1～53_3。排出路径51与外槽12的底部连接。
60.在排出路径51设置有泵55、加热器56以及过滤器57。泵55用于将外槽12内的处理液送出至排出路径51。加热器56用于将流过排出路径51的处理液加热为适于蚀刻处理的温度。过滤器57用于从流过排出路径51的处理液中去除杂质。泵55及加热器56与控制装置70电连接，来由控制装置70进行控制。
61.多个供给路径52_1～52_3从排出路径51分支出来。其中，供给路径52_1与处理液供给部30_1连接，供给路径52_2与处理液供给部30_2连接，供给路径52_3与处理液供给部30_3连接。
62.多个旁通路径53_1～53_3将多个供给路径52_1～52_3与外槽12连接。具体地，旁通路径53_1从供给路径52_1分支出来，来与外槽12连接，旁通路径53_2从供给路径52_2分支出来，来与外槽12连接，旁通路径53_3从供给路径52_3分支出来，来与外槽12连接。
63.(流量变更部60)
64.流量变更部60_1～60_3例如是lfc(liquid flow controller：液体流量控制器)，用于变更向处理液供给部30_1～30_3供给的处理液的流量。即，流量变更部60_1～60_3用于变更从设置于处理液供给部30_1～30_3的多个喷出口32_1～32_3喷出的处理液的流量。
65.具体地，流量变更部60_1设置于旁通路径53_1，通过变更流过旁通路径53_1的处理液的流量，来变更从供给路径52_1向处理液供给部30_1供给的处理液的流量。流量变更部60_2设置于旁通路径53_2，通过变更流过旁通路径53_2的处理液的流量，来变更从供给路径52_2向处理液供给部30_2供给的处理液的流量。流量变更部60_3设置于旁通路径53_3，通过变更流过旁通路径53_3的处理液的流量，来变更从供给路径52_3向处理液供给部30_3供给的处理液的流量。
66.流量变更部60_1～60_3与控制装置70电连接，来由控制装置70进行控制。
67.(控制装置70)
68.控制装置70例如是计算机，具备控制部71和存储部72。存储部72例如通过ram、闪存(flash memory)等半导体存储器元件、或者硬盘、光盘等存储装置来实现，存储用于控制在基板处理装置1中执行的各种处理的程序。控制部71包括具有cpu(central processing unit：中央处理单元)、rom(read only memory：只读存储器)、ram(random access memory：
随机存取存储器)、输入输出端口等的微计算机、各种电路，控制部71通过读取并执行存储部72中存储的程序，来控制基板处理装置1的动作。
69.此外，也可以是，所述的程序记录于计算机可读取的存储介质，从该存储介质被安装到控制装置70的存储部72。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(hd)、软盘(fd)、光盘(cd)、磁光盘(mo)、存储卡等。
70.(基板处理装置1的具体的动作)
71.接着，参照图3和图4来说明第一实施方式所涉及的基板处理装置1的具体的动作。图4是表示第一实施方式所涉及的基板处理装置1所执行的处理的过程的流程图。此外，按照控制部71的控制来执行图4所示的各处理。
72.如图4所示，在基板处理装置1中，首先，进行使多个晶圆w浸渍于内槽11的搬入处理(步骤s101)。在搬入处理中，控制部71控制基板保持部20具备的未图示的升降机构来使基板保持部20下降，由此使多个晶圆w浸渍于内槽11中贮存的处理液。
73.此外，在搬入处理开始前，控制部71控制泵55，来预先开始从外槽12向处理液供给部30_1～30_3供给处理液。另外，在搬入处理开始前，控制部71控制流量变更部60_1～60_3，来将旁通路径53_1～53_3关闭。即，在搬入处理开始前，将流过循环流路50的处理液全部供给到处理液供给部30_1～30_3。
74.接着，在基板处理装置1中，进行蚀刻处理(步骤s102)。在蚀刻处理中，将使多个晶圆w浸渍于内槽11内的处理液的状态持续预先决定的时间。由此，首先，在表面露出的钨膜101被蚀刻而使氮化钛膜102露出，之后，钨膜101和氮化钛膜102同时被进行蚀刻。
75.之后，在基板处理装置1中，进行搬出处理(步骤s103)。在搬出处理中，控制部71控制基板保持部20具备的未图示的升降机构，来使基板保持部20上升，由此将多个晶圆w从内槽11提起。当搬出处理结束时，控制部71结束基板处理装置1中的一系列的基板处理。
76.控制部71在蚀刻处理过程中进行对从处理液供给部30_1～30_3供给来的处理液的流量进行变更的流量变更处理。参照图5～图7来说明所述的流量变更处理的内容。
77.图5是第一实施方式所涉及的流量变更处理的说明图。另外，图6和图7是表示发生液流的淤滞的位置因流量变更处理而变化的样子的图。
78.图5示出蚀刻处理过程中的“循环流量”、“喷出流量”、“旁通流量”以及“阀开度”的随时间的变化。“循环流量”是指流过循环流路50的处理液的流量，“喷出流量”是指从处理液供给部30_1～30_3喷出的处理液的流量。另外，“旁通流量”是指从旁通路径53_1～53_3向外槽12供给的处理液的流量，“阀开度”是指流量变更部60_1～60_3所具有的开闭阀(电磁阀)的开度。
79.另外，在图5中，用实线表示与处理液供给部30_1对应的流量或开度，用虚线表示与处理液供给部30_2对应的流量或开度，用单点划线表示与处理液供给部30_3对应的流量或开度。另外，在图5中，用双点划线表示循环流量。
80.另外，在图6和图7中，用实心箭头表示从处理液供给部30_1～30_3喷出的处理液，用实心箭头的长度表示处理液的喷出流量。另外，在图6和图7中，用带阴影线的箭头表示在内槽11内形成的处理液的液流。
81.如图5所示，控制部71变更流量变更部60_1～60_3的阀开度来变更旁通流量，由此变更处理液供给部30_1～30_3的喷出流量。
82.控制部71使从处理液供给部30_1喷出的处理液的流量、从处理液供给部30_2喷出的处理液的流量以及从理液供给部30_3喷出的处理液的流量以互不相同的方式增加和减少。
83.例如，在图5所示的例子中，控制部71通过使流量变更部60_1～60_3的阀开度在第一开度v1与第二开度v2(<v1)之间交替地变更，来使旁通流量在第三流量f3与第四流量f4(<f3)之间交替地变化。由此，控制部71能够使处理液供给部30_1～30_3的喷出流量在第一流量f1与第二流量f2(<f1)之间交替地变更。
84.也可以是，在上述处理中，控制部71使处理液供给部30_1～30_3间喷出流量的变更方向不同。例如，控制部71在使处理液供给部30_1的喷出流量从第一流量f1向第二流量f2减少的定时，使处理液供给部30_2的喷出流量从第二流量f2向第一流量f1增加。另外，控制部71在使处理液供给部30_1的喷出流量从第二流量f2向第一流量f1增加的定时，使处理液供给部30_2的喷出流量从第一流量f1向第二流量f2减少。通过像这样使处理液供给部30_1～30_3间喷出流量的变更方向不同，能够扰乱内槽11内的处理液的液流。
85.另外，控制部71也可以使变更喷出流量的定时在处理液供给部30_1～30_3间不同。例如，控制部71在使处理液供给部30_1的喷出流量从第一流量f1减少到第二流量f2后，在到使处理液供给部30_1的喷出流量从第二流量f2向第一流量f1增加为止的期间，使处理液供给部30_3的喷出流量从第一流量f1向第二流量f2减少。像这样使变更喷出流量的定时在处理液供给部30_1～30_3间不同，也能够扰乱内槽11内的处理液的液流。
86.根据第一实施方式所涉及的基板处理装置1，如图6所示，即使在内槽11内的液流发生了淤滞sa，通过扰乱处理液的液流，也能够如图7所示，使发生淤滞sa的地方变化。由此，能够抑制在晶圆w上形成蚀刻量极少的特异区域。即，能够提高蚀刻处理的均匀性。
87.另外，在第一实施方式所涉及的基板处理装置1中，设为将流过循环流路50的处理液中的不向处理液供给部30_1～30_3供给的处理液排出到与循环流路50连接的外槽12。由此，如图5所示，能够在使循环流量维持在固定的流量f0的同时，变更处理液供给部30_1～30_3的喷出流量。通过像这样使循环流量保持固定，能够使泵55的负荷保持固定。如果泵55的负荷发生变动，则有可能使作用于过滤器57的压力发生变化而从过滤器57排出异物。第一实施方式所涉及的基板处理装置1控制流量变更部60_1～60_3以使循环流量变得固定，由此能够使泵55的负荷保持固定。因而，根据基板处理装置1，能够抑制从过滤器57排出异物。
88.如图5所示，也可以是，控制部71在蚀刻处理过程中多次进行上述的流量变更处理，即，多次进行使处理液供给部30_1～30_3的喷出流量增加和减少的处理。流量变更处理可以连续地进行，也可以间歇地进行。通过像这样执行多次流量变更处理，能够提高扰乱处理液的液流的效果。
89.另外，控制部71还可以在从开始进行蚀刻处理起到蚀刻处理结束为止的期间重复进行流量变更处理。通过像这样在蚀刻处理的整个期间持续进行流量变更处理，能够进一步提高扰乱处理液的液流的效果。
90.在图5所示的例子中，设为处理液供给部30_1～30_3间变更前的喷出流量(例如第一流量f1)与变更后的喷出流量(例如第二流量f2)相同。不限于此，也可以是，控制部71使处理液供给部30_1～30_3间变更前的喷出流量及变更后的喷出流量中的至少一方不同。由
此，能够提高扰乱处理液的液流的效果。
91.在图5所示的例子中，设为处理液供给部30_1～30_3间喷出流量的变更周期(从变更喷出流量起到恢复到原来的喷出流量为止的时间)相同，但也可以是，控制部71使处理液供给部30_1～30_3间喷出流量的变更周期不同。由此，能够提高扰乱处理液的液流的效果。
92.另外，在图5所示的例子中，设为在第一流量f1与第二流量f2之间变更处理液供给部30_1～30_3的喷出流量，但也可以是，控制部71使处理液供给部30_1～30_3的喷出流量多阶段地增加或者减少。例如，可以是，控制部71在使处理液供给部30_1～30_3的喷出流量减少(增加)之后，将减少(增加)后的喷出流量维持固定时间，之后使喷出流量进一步减少(增加)。由此，能够提高扰乱处理液的液流的效果。
93.<第一实施方式所涉及的基板处理装置1的变形例>
94.接着，参照图8来说明上述的第一实施方式所涉及的基板处理装置1的变形例。图8是表示第一实施方式的变形例所涉及的基板处理装置的结构的图。
95.如图8所示，变形例所涉及的基板处理装置1a具备循环流路50a。循环流路50a具备排出路径51、多个供给路径52_1～52_3以及一个旁通路径53a。旁通路径53a从排出路径51分支出来，来与外槽12连接。
96.另外，在变形例所涉及的基板处理装置1a中，流量变更部60_1～60_3分别设置于供给路径52_1～52_3。具体地，流量变更部60_1设置于供给路径52_1，流量变更部60_2设置于供给路径52_2，流量变更部60_3设置于供给路径52_3。
97.接着，参照图9来说明变形例所涉及的流量变更处理的内容。图9是第一实施方式的变形例所涉及的流量变更处理的说明图。在图9中，用单点双划线表示旁通流量。
98.如图9所示，控制部71使流量变更部60_1～60_3的阀开度在第一开度v1与第二开度v2之间变更，由此使处理液供给部30_1～30_3的喷出流量在第一流量f1与第二流量f2之间变更。由此，内槽11内的处理液的液流被扰乱，由此能够抑制形成特异区域。
99.在变形例中，旁通流量与处理液供给部30_1～30_3的喷出流量的总量相应地变动。即，当处理液供给部30_1～30_3的喷出流量的总量增加时，旁通流量减少，当处理液供给部30_1～30_3的喷出流量的总量减少时，旁通流量增加。由此，能够使循环流量保持为流量f0。
100.(第二实施方式)
101.图10是表示第二实施方式所涉及的基板处理装置的结构的图。如图10所示，第二实施方式所涉及的基板处理装置1b具备循环流路50b。
102.循环流路50b除了不具有旁通路径这一点以外，具有与上述的循环流路50、50a同样的结构。即，循环流路50b具备与外槽12连接的排出路径51以及从排出路径51分支出来来与处理液供给部30_1～30_3连接的供给路径52_1～52_3。另外，在排出路径51设置有泵55、加热器56以及过滤器57。
103.另外，基板处理装置1b具备气体供给部80。气体供给部80配置于内槽11的内部且比多个晶圆w和多个处理液供给部30_1～30_3靠下方的位置。所述的气体供给部80具备多个喷嘴81，通过从所述的喷嘴81向内槽11的内部喷出气体，来使内槽11的内部产生处理液的液流。
104.参照图11来说明气体供给部80的结构。图11是从上方观察第二实施方式所涉及的
气体供给部80的图。
105.如图11所示，气体供给部80所具备的多个喷嘴81例如是圆筒状的构件，沿多个晶圆w的排列方向(y轴方向)延伸。在喷嘴81的上部，沿喷嘴81的延伸方向设置有多个喷出口82。此外，多个喷出口82不一定设置于喷嘴81的上部。例如，多个喷出口82也可以是设置于喷嘴81的下部来向斜下方喷出气体的结构。
106.多个喷嘴81经由供给路径83来与气体供给源84连接。气体供给源84用于向多个喷嘴81供给气体。在此，设为从气体供给源84向多个喷嘴81供给氮气，但从气体供给源84向多个喷嘴81供给的气体例如也可以是氩气等除氮气以外的非活性气体。
107.在供给路径83设置有流量变更部85。流量变更部85例如由lfc、用于使供给路径83全闭或全开的开闭阀等构成，用于变更从气体供给源84向多个喷嘴81供给的氮气的流量。
108.接着，参照图12来说明第二实施方式所涉及的流量变更处理的内容。图12是第二实施方式所涉及的流量变更处理的说明图。
109.控制部71通过控制流量变更部85，来在期间t1从气体供给部80以第一流量f11喷出氮气。另外，控制部71通过控制流量变更部85，来将接着期间t1之后的期间t2的氮气的喷出流量变更为比第一流量f1少的第二流量，在此变更为0。期间t2至少持续至蚀刻处理结束为止。
110.期望期间t2的开始定时例如是蚀刻处理中的比被钨膜101覆盖的氮化钛膜102露出的定时早的定时。
111.通过像这样在对钨膜101和氮化钛膜102同时进行蚀刻的后期的蚀刻处理中使氮气的喷出流量降低，能够抑制贾凡尼式腐蚀的发生。
112.另外，在使多个晶圆w浸渍于内槽11不久的蚀刻处理的前期向内槽11内喷出氮气，由此能够有效地提高蚀刻处理的均匀性。
113.参照图13对该点进行说明。图13是表示蚀刻处理过程中的面内温度差随时间变化的曲线图。面内温度差是指晶圆w的面内的最高温度与最低温度之差。在图13中，用实线表示一边从气体供给部喷出氮气一边进行蚀刻处理的情况下的面内温度差随时间的变化，用虚线表示不从气体供给部喷出氮气地进行蚀刻处理的情况下的面内温度差随时间的变化。
114.如图13所示，在一边进行氮气的喷出一边进行蚀刻处理的情况下，与不进行氮气的喷出地进行蚀刻处理的情况相比较，能够提早减小晶圆w的面内温度差。知道了该效果在蚀刻处理的初期特别明显。
115.晶圆w的面内温度越小，蚀刻量的面内偏差越小。因而，通过在蚀刻处理的初期的期间t1一边从气体供给部80喷出氮气一边进行蚀刻处理，能够提高蚀刻处理的均匀性。
116.像这样，在第二实施方式所涉及的基板处理装置1b中，在蚀刻处理的初期从气体供给部80喷出氮气，另一方面，在蚀刻处理的后期限制氮气的喷出量，更优选的是，设为停止氮气的喷出。由此，在蚀刻处理的前期提早减小晶圆w的面内温度差，由此能够提高蚀刻处理的面内均匀性。另外，在蚀刻处理的后期抑制贾凡尼式腐蚀的发生，由此能够抑制蚀刻处理的面内均匀性的降低。
117.因而，根据第二实施方式所涉及的基板处理装置1b，在一并地蚀刻形成有多种金属层的多个晶圆w的技术中，能够提高蚀刻处理的均匀性。
118.此外，在图12所示的例子中，设为期间t1包括蚀刻处理开始前的搬入处理，但期间
t1只要至少包括蚀刻处理开始后的期间即可。期间t1的开始定时例如可以是紧挨着使多个晶圆w开始浸渍于内槽11内的处理液之前的定时，也可以是紧接在使多个晶圆w浸渍于内槽11内的处理液结束之后的定时。另外，期间t1的开始定时还可以是从使多个晶圆w开始浸渍于内槽11内的处理液起到浸渍结束为止的期间内的定时。
119.(其它变形例)
120.在第一实施方式中，对基板处理装置1、1a具备三个喷嘴31_1～31_3的情况的例子进行了说明，但基板处理装置1、1a只要具备至少两个以上喷嘴即可。
121.在第一实施方式中，示出了基板处理装置1、1a具备多个喷嘴31_1～31_3、并在各喷嘴31_1～31_3设置有多个喷出口32_1～32_3的情况的例子。不限于此，例如也可以是，基板处理装置1、1a具备在一个平板状的构件上设置有供给路径不同的多个喷出口群(包括第一喷出口群及第二喷出口群)的处理液供给部。
122.如上所述，实施方式所涉及的基板处理装置(作为一例，基板处理装置1、1a)具备处理槽(作为一例，内槽11)、第一喷出口群(作为一例，设置于处理液供给部30_1～30_3的多个喷出口32_1～32_3中的任一方)及第二喷出口群(作为一例，设置于处理液供给部30_1～30_3的多个喷出口32_1～32_3中的另外的任一方)、第一变更部(作为一例，多个流量变更部60_1～60_3中的任一方)、第二变更部(作为一例，多个流量变更部60_1～60_3中的另外的任一方)以及控制部(作为一例，控制部71)。处理槽用于使多个基板(作为一例，晶圆w)浸渍于处理液来进行蚀刻处理。第一喷出口群和第二喷出口群配置于处理槽的内部且比多个基板靠下方的位置，用于向处理槽的内部喷出处理液。第一变更部用于变更从第一喷出口群喷出的处理液的流量。第二变更部用于变更从第二喷出口群喷出的处理液的流量。控制部在蚀刻处理过程中控制第一变更部和第二变更部，来进行使从第一喷出口群喷出的处理液的流量和从第二喷出口群喷出的处理液的流量以互不相同的方式增加和减少的流量变更处理。因而，根据实施方式所涉及的基板处理装置，在一并地蚀刻多个基板的技术中，能够提高蚀刻处理的均匀性。
123.也可以是，控制部进行多次流量变更处理。由此，能够提高扰乱处理液的液流的效果。
124.也可以是，控制部在从开始进行蚀刻处理起到蚀刻处理结束为止的期间重复进行流量变更处理。由此，能够进一步提高扰乱处理液的液流的效果。
125.也可以是，控制部在流量变更处理中使变更从第一喷出口群喷出的处理液的流量的处理与变更从第二喷出口群喷出的处理液的流量的处理在不同的定时进行。通过像这样使第一喷出口群和第二喷出口群的变更喷出流量的定时不同，能够扰乱处理槽内的处理液的液流。
126.也可以是，控制部在流量变更处理中在使从第一喷出口群喷出的处理液的流量增加的定时，使从第二喷出口群喷出的处理液的流量减少。通过像这样使第一喷出口群和第二喷出口群的喷出流量的变更方向不同，能够扰乱处理槽内的处理液的液流。
127.也可以是，实施方式所涉及的基板处理装置(作为一例，基板处理装置1)具备溢出槽(作为一例，外槽12)和循环流路(作为一例，循环流路50)。溢出槽用于贮存从处理槽溢出的处理液。循环流路将溢出槽与第一喷出口群及第二喷出口群连接。另外，也可以是，循环流路具备排出路径(作为一例，排出路径51)、第一供给路径(作为一例，多个供给路径52_1
～52_3中的任一方)、第二供给路径(作为一例，多个供给路径52_1～52_3中的另外的任一方)、第一旁通路径(作为一例，多个旁通路径53_1～53_3中的任一方)以及第二旁通路径(作为一例，多个旁通路径53_1～53_3中的另外的任一方)。排出路径与溢出槽连接。第一供给路径从排出路径分支出来，来与第一喷出口群连接。第二供给路径从排出路径分支出来，来与第二喷出口群连接。第一旁通路径从第一供给路径分支出来，来与溢出槽连接。第二旁通路径从第二供给路径分支出来，来与溢出槽连接。在该情况下，第一变更部可以设置于第一旁通路径。另外，第二变更部可以设置于第二旁通路径。通过设为所述的结构，能够在使循环流量保持固定的同时，变更第一喷出口群及第二喷出口群的喷出流量。因而，例如泵的负荷被保持固定，由此能够抑制从过滤器排出异物。
128.也可以是，实施方式所涉及的基板处理装置(作为一例，基板处理装置1a)具备溢出槽(作为一例，外槽12)和循环流路(作为一例，循环流路50a)。溢出槽用于贮存从处理槽溢出的处理液。循环流路将溢出槽与第一喷出口群及第二喷出口群连接。另外，也可以是，循环流路具备排出路径(作为一例，排出路径51)、第一供给路径(作为一例，多个供给路径52_1～52_3中的任一方)、第二供给路径(作为一例，多个供给路径52_1～52_3中的另外的任一方)以及旁通路径(作为一例，旁通路径53a)。排出路径与溢出槽连接。第一供给路径从排出路径分支出来，来与第一喷出口群连接。第二供给路径从排出路径分支出来，来与第二喷出口群连接。旁通路径从排出路径分支出来，来与溢出槽连接。在该情况下，也可以是，第一变更部设置于第一供给路径。另外，也可以是，第二变更部设置于第二供给路径。通过设为所述的结构，能够在使循环流量保持固定的同时，变更第一喷出口群和第二喷出口群的喷出流量。因而，例如泵的负荷被保持固定，由此能够抑制从过滤器排出异物。
129.也可以是，控制部控制第一变更部和第二变更部来进行流量变更处理，以使流过循环流路的处理液的流量固定。由此，例如泵的负荷被保持固定，由此能够抑制从过滤器排出异物。
130.另外，实施方式所涉及的基板处理装置(作为一例，基板处理装置1b)具备处理槽(作为一例，内槽11)、气体供给部(作为一例，气体供给部80)、变更部(作为一例，流量变更部85)以及控制部(作为一例，控制部71)。处理槽用于使具有多种金属层的多个基板(作为一例，晶圆w)浸渍于处理液来进行蚀刻处理。气体供给部配置于处理槽的内部且比多个基板靠下方的位置，用于向处理槽的内部喷出气体(作为一例，氮气)。变更部用于变更从气体供给部喷出的气体的流量。控制部控制变更部，来在从开始进行蚀刻处理起的第一期间(作为一例，期间t1)从气体供给部以第一流量(作为一例，第一流量f11)喷出气体后，将从气体供给部供给的气体的流量变更为比第一流量少的第二流量(作为一例，0)。因而，根据实施方式所涉及的基板处理装置，在一并地蚀刻形成有多种金属层的多个基板的技术中，能够提高蚀刻处理的均匀性。
131.应认为本次公开的实施方式的所有点均是例示性而非限制性的。实际上，上述的实施方式能够通过多种方式来实现。另外，也可以不脱离所附权利要求书的范围及其主旨地，对上述的实施方式以各种方式进行省略、置换、变更。