三维存储器件和方法与流程

技术特征：
1.一种存储器件，包括：字线，沿第一方向延伸；数据存储层，位于所述字线的侧壁上；沟道层，位于所述数据存储层的侧壁上；背栅隔离件，位于所述沟道层的侧壁上；以及位线，具有第一主区域和第一延伸区域，所述第一主区域接触所述沟道层，所述第一延伸区域通过所述背栅隔离件与所述沟道层分离，所述位线沿第二方向延伸，所述第二方向垂直于所述第一方向。2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述位线的第一主区域通过所述沟道层与所述数据存储层的侧壁分离。3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述位线的第一主区域接触所述数据存储层的侧壁和所述沟道层的单个侧壁。4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述位线的第一主区域接触所述数据存储层的侧壁和所述沟道层的多个侧壁。5.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：源极线，具有第二主区域和第二延伸区域，所述第二主区域接触所述沟道层，所述第二延伸区域通过所述背栅隔离件与所述沟道层分离，所述源极线沿所述第二方向延伸；以及隔离区域，位于所述源极线和所述位线之间。6.根据权利要求5所述的存储器件，其中，所述隔离区域、所述位线的第一延伸区域和所述源极线的第二延伸区域沿第三方向具有同一宽度，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向。7.根据权利要求5所述的存储器件，其中，所述隔离区域沿所述第一方向具有第一宽度，并且所述背栅隔离件沿所述第一方向具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度。8.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述背栅隔离件包括氧化铝。9.一种存储器件，包括：位线，沿第一方向延伸，所述位线自上向下看具有第一t形截面；源极线，沿所述第一方向延伸，所述源极线自上向下看具有第二t形截面；隔离区域，位于所述源极线和所述位线之间；字线，沿第二方向延伸，所述第二方向垂直于所述第一方向；背栅隔离件，位于所述字线与所述隔离区域、所述位线的第一部分和所述源极线的第二部分中的每一个之间；沟道层，位于所述背栅隔离件和所述字线之间；以及数据存储层，位于所述沟道层和所述字线之间。10.一种形成存储器件的方法，包括：在一对第一介电层之间形成字线；在所述第一介电层的侧壁和所述字线的侧壁上沉积数据存储层；在所述数据存储层的侧壁上沉积沟道层；在所述沟道层的侧壁上沉积第一介电层；在所述第一介电层的侧壁上形成第一隔离区域；
去除所述第一隔离区域的第一部分，去除后保留所述第一隔离区域的第二部分；在去除所述第一隔离区域的第一部分之后，图案化所述第一介电层以形成背栅隔离件；以及在所述第一隔离区域的第二部分的相反侧形成位线和源极线，所述背栅隔离件将所述沟道层与所述位线的第一部分和所述源极线的第二部分分离。

技术总结
在实施例中，一种器件包括：字线，沿第一方向延伸；数据存储层，位于字线的侧壁上；沟道层，位于数据存储层的侧壁上；背栅隔离件，位于沟道层的侧壁上；以及位线，具有第一主区域和第一延伸区域，第一主区域接触沟道层，第一延伸区域通过背栅隔离件与沟道层分离，位线沿第二方向延伸，第二方向垂直于第一方向。本申请的实施例提供了三维存储器件和方法。的实施例提供了三维存储器件和方法。的实施例提供了三维存储器件和方法。


技术研发人员：林孟汉 贾汉中 王圣祯 杨丰诚 林佑明 林仲德
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.04.06
技术公布日：2021/11/19