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小发散角MicroLED器件及MicroLED阵列的制作方法

2021-11-20 01:17:00 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种小发散角micro led器件,其特征在于:包括微光学系统1、micro led颗粒 2、隔离结构3、像素电极4、阴极电极5,所述像素电极4位于底部,所述micro led颗粒 2与所述隔离结构3置于所述像素电极4上方,所述阴极电极5置于所述micro led颗粒 2与所述隔离结构3上方,所述微光学系统1置于所述阴极电极5上方。2.如权利要求1所述的小发散角micro led器件,其特征在于,所述微光学系统1为透射式光学系统,可透射所述micro led颗粒 2发出的光,且透过率大于等于80%;所述微光学系统1口径小于等于500微米;所述微光学系统1为起到收敛所述micro led颗粒 2发出的发出的光发散角作用的一片或多片透镜的组合。3.如权利要求1所述的小发散角micro led器件,其特征在于,所述micro led颗粒 2为采用垂直结构的任意形状的半导体发光二极管微粒,其任意一边的边长或直径小于等于500微米,发光波长范围为170nm~800nm。4.如权利要求1所述的小发散角micro led器件,其特征在于,所述隔离结构3由绝缘材料填充。5.如权利要求1所述的小发散角micro led器件,其特征在于,所述像素电极4具体为金属电极并与外部电路相连;所述像素电极4由硅基或玻璃基上的cmos电路驱动实现独立开关及为所述micro led颗粒2进行供电。6.如权利要求1所述的小发散角micro led器件,其特征在于,所述阴极电极5为金属电极或半导体电极并与外部电路相连;所述阴极电极5电阻率小于等于9*10-4
ωcm;所述阴极电极5是对所述micro led颗粒 2所发射光线透射的电极材料或对所述micro led颗粒 2所发射光线反射的电极材料。7.一种micro led阵列,其特征在于,包括权利要求1-6任意一项所述的小发散角micro led器件。8.一种micro led阵列,其特征在于,包括权利要求1-6任意一项所述的小发散角micro led器件所组成的任意数量的阵列。

技术总结
本发明提供了小发散角Micro LED器件及Micro LED阵列,包括微光学系统、Micro LED颗粒、隔离结构、像素电极、阴极电极。由于LED发光原理因素,Micro LED器件出光发散角过大,而在工业曝光领域和图像投影领域受投影镜头数值孔径限制,需要Micro LED器件及其阵列所发出的光具有较小的发散角。本专利通过在Micro LED器件上集成隔离结构、微光学系统的方式进一步收敛发散角使之满足工业曝光领域和图像投影领域的应用。凭借高集成度和可控的光场发散角度,最终将Micro LED推向工业曝光领域和图像投影领域的大规模应用阶段。图像投影领域的大规模应用阶段。图像投影领域的大规模应用阶段。


技术研发人员:孙雷 张婧姣
受保护的技术使用者:廊坊广通电子设备有限公司
技术研发日:2020.05.13
技术公布日:2021/11/19
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