一种等离子体蚀刻装置的制作方法

技术特征：
1.一种等离子体蚀刻装置，其特征在于，包括：腔体；进气口，所述进气口设于所述腔体的一侧，用于供目标气体通入所述腔体；排气口，所述排气口设于所述腔体远离所述进气口的一侧，用于排气；第一电极组件，所述第一电极组件设于所述腔体远离所述进气口的一侧，所述第一电极组件的不同区域相独立，能够接入不同的电压；第二电极组件，所述第二电极组件设于所述腔体远离所述第一电极组件的一侧，且与所述第一电极组件相对。2.如权利要求1所述的等离子体蚀刻装置，其特征在于，所述第一电极组件包括：电极底板，所述电极底板绝缘；至少两个电极片，所述电极片设置于所述电极底板之中，各所述电极片对应不同区域，各所述电极片相互独立。3.如权利要求2所述的等离子体蚀刻装置，其特征在于，所述等离子体蚀刻装置还包括电源装置，所述电源装置包括至少两个直流供电单元，每个所述直流供电单元相互独立且能够提供不同的电压，每个所述直流供电单元分别与不同的所述电极片相连接，向对应的电极片供电。4.如权利要求1所述的等离子体蚀刻装置，其特征在于，还包括托盘，所述托盘设置于所述第一电极组件远离所述腔体的内壁的一侧，所述托盘用于承载待蚀刻物体。5.如权利要求4所述的等离子体蚀刻装置，其特征在于，所述等离子体蚀刻装置包括多个所述进气口，所述进气口均匀排列为与所述托盘的轮廓一致的图形。6.如权利要求4或5所述的等离子体蚀刻装置，其特征在于，所述第一电极组件包括第一区域，所述第一区域的形状为与所述托盘形状相同的中空图形，以及包括一个位于所述托盘中心点且与所述托盘形状相同的第二区域，所述第二区域设于所述第一区域的中空部分内。7.如权利要求6所述的等离子体蚀刻装置，其特征在于，所述第一电极组件包括至少两个第一区域，其中，较小的所述第一区域设于较大的所述第一区域的中空部分内，所述第二区域设于最小的所述第一区域的中空部分内。8.如权利要求6所述的等离子体蚀刻装置，其特征在于，所述托盘为圆形托盘，所述第一区域为环形，所述第二区域为圆形。9.如权利要求1
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5任一项所述的等离子体蚀刻装置，其特征在于，所述第一电极组件包括多个第三区域，所述第三区域呈阵列排布。10.如权利要求1
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5任一项所述的等离子体蚀刻装置，其特征在于，所述等离子体蚀刻装置包括多个所述排气口，所述排气口环绕所述第一电极组件均匀设置。

技术总结
本实用新型涉及一种等离子体蚀刻装置。等离子体蚀刻装置包括腔体；进气口，进气口设于腔体的一侧，用于供目标气体通入腔体；排气口，排气口设于腔体远离进气口的一侧，用于排气；第一电极组件，第一电极组件设于腔体远离进气口的一侧，第一电极组件的不同区域相独立，能够接入不同的电压；第二电极组件，第二电极组件设于腔体远离第一电极组件的一侧，且与第一电极组件相对。通过第一电极组件的不同区域可接入不同的电压，能够实现差异化的电压控制，在一些蚀刻过程中，通过上述等离子体蚀刻装置能够达到改善蚀刻均一性的效果。能够达到改善蚀刻均一性的效果。能够达到改善蚀刻均一性的效果。


技术研发人员：张彬彬 苏财钰 张涛 苟先华 肖峰
受保护的技术使用者：重庆康佳光电技术研究院有限公司
技术研发日：2021.05.11
技术公布日：2021/11/17