能防止撕裂或褶皱不良的电解铜箔及其制法、包括电解铜箔的电极以及包括电极的二次电池的制作方法

技术特征：
1.一种电解铜箔，其中，包括铜层，所述电解铜箔具有：0.8至12.5的谷平均粗糙度；0.49至1.28的(220)面的结构系数[tc(220)]；25至51kgf/mm2的抗拉强度；以及3％以下的宽度方向重量偏差，所述宽度方向重量偏差由下述式1计算，所述谷平均粗糙度由下述式2计算：式1宽度方向重量偏差(％)＝(重量的标准偏差/重量的算术平均)
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100式2谷平均粗糙度(vmr)＝[粗糙度轮廓的最大谷深(rv)]/[表面粗糙度(ra)]。2.根据权利要求1所述的电解铜箔，其中，具有2.5μm以下的表面粗糙度。3.根据权利要求1所述的电解铜箔，其中，两个面的表面粗糙度之差为0.65μm以下。4.根据权利要求1所述的电解铜箔，其中，具有4至30μm的厚度。5.根据权利要求1所述的电解铜箔，其中，包括配置在所述铜层上的保护层。6.根据权利要求5所述的电解铜箔，其中，所述保护层包含铬cr、硅烷化合物以及氮化合物中的至少一种。7.一种二次电池用电极，其中，包括：电解铜箔；以及活性物质层，配置在所述电解铜箔上，所述电解铜箔包括铜层，所述电解铜箔具有：0.8至12.5的谷平均粗糙度；0.49至1.28的(220)面的结构系数[tc(220)]；25至51kgf/mm2的抗拉强度；以及3％以下的宽度方向重量偏差，所述宽度方向重量偏差由下述式1计算，所述谷平均粗糙度由下述式2计算：式1宽度方向重量偏差(％)＝(重量的标准偏差/重量的算术平均)
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100式2谷平均粗糙度(vmr)＝[粗糙度轮廓的最大谷深(rv)]/[表面粗糙度(ra)]。8.根据权利要求7所述的二次电池用电极，其中，
所述电解铜箔具有2.5μm以下的表面粗糙度。9.根据权利要求7所述的二次电池用电极，其中，所述电解铜箔的两个面的表面粗糙度之差为0.65μm以下。10.根据权利要求7所述的二次电池用电极，其中，所述电解铜箔具有4至30μm的厚度。11.根据权利要求7所述的二次电池用电极，其中，所述电解铜箔包括配置在所述铜层上的保护层。12.根据权利要求11所述的二次电池用电极，其中，所述保护层包含铬cr、硅烷化合物以及氮化合物中的至少一种。13.根据权利要求7所述的二次电池用电极，其中，所述活性物质层包含选自由碳；si、ge、sn、li、zn、mg、cd、ce、ni或fe的金属；含所述金属的合金；所述金属的氧化物；以及所述金属和碳的复合物构成的组中的一种以上的活性物质。14.一种二次电池，其特征在于，包括：正极；负极，由所述权利要求7至13中任一项所述的二次电池用电极构成；电解质，在所述正极和所述负极之间提供使锂离子能够移动的环境；以及分隔膜，使所述正极和所述负极电绝缘。15.一种电解铜箔的制造方法，其中，包括：准备电解液的步骤；以及使用所述电解液进行电镀以形成铜层的步骤，所述电解液包含：70至90g/l的铜离子；50至150g/l的硫酸；5至45mg/l的砷as；5至25mg/l的乙酰胺；以及5至20mg/l的聚丙二醇ppg，所述形成铜层的步骤包括：向所述电解液中以彼此隔开的方式配置的电极板和旋转滚筒之间施加40至80a/dm2的电流密度的步骤。16.根据权利要求15所述的电解铜箔的制造方法，其中，在所述形成铜层的步骤中，所述电解液以5％以下的每分钟流量偏差供应，所述每分钟流量偏差由下述式4计算：式4电解液的每分钟流量偏差(％)＝[(每分钟流量的最大值
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每分钟流量的最小值)/每分钟流量的平均值]
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100。17.根据权利要求15所述的电解铜箔的制造方法，其中，还包括：在所述铜层上形成保护层的步骤。18.根据权利要求17所述的电解铜箔的制造方法，其中，所述形成保护层的步骤包括：使用铬cr、硅烷化合物以及氮化合物中的至少一种来对
所述铜层的表面进行防锈处理的步骤。19.根据权利要求17所述的电解铜箔的制造方法，其中，所述形成保护层的步骤包括：在包含0.5至1.5g/l的铬cr的防锈液中浸渍所述铜层的步骤。

技术总结
本发明的一实施例提供一种电解铜箔，包括铜层，所述电解铜箔具有0.8至12.5的谷平均粗糙度(Valley Mean Roughness)，0.49至1.28的(220)面的结构系数[TC(220)]，25至51kgf/mm2的抗拉强度，以及3％以下的宽度方向重量偏差。以及3％以下的宽度方向重量偏差。以及3％以下的宽度方向重量偏差。


技术研发人员：金昇玟 郑仁秀 金英泰 全相炫
受保护的技术使用者：SK纳力世有限公司
技术研发日：2020.11.13
技术公布日：2021/11/17