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气体混合装置、半导体工艺的气体输运系统和半导体设备的制作方法

2021-11-18 00:02:00 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种气体混合装置,其特征在于,包括:混合本体,所述混合本体包括相对设置的进气端和出气端,所述混合本体内设有匀气腔;至少两个进气口,设置于所述进气端,每个所述进气口通过各自的通道与所述匀气腔连通,其中所述通道的延伸方向偏离所述匀气腔的中轴线,以使从所述通道进入所述匀气腔内的气流形成旋转气流。2.根据权利要求1所述的气体混合装置,其特征在于,各所述通道所在的直线与所述中轴线的垂直距离相等。3.根据权利要求1所述的气体混合装置,其特征在于,所述混合本体的内壁横截面为圆形。4.根据权利要求3所述的气体混合装置,其特征在于,所述气体混合装置包括两个相对设置的进气口,所述进气口的轴向垂直于所述匀气腔的中轴线,所述通道一端连通于所述进气口,另一端沿所述匀气腔的切线延伸至所述匀气腔内,且所述两个通道相互平行。5.根据权利要求1所述的气体混合装置,其特征在于,多个所述通道相对于所述匀气腔均匀分布。6.根据权利要求1所述的气体混合装置,其特征在于,所述出气端设有挡板,所述挡板上设有多个通气孔。7.一种半导体工艺的气体输运系统,其特征在于,包括:权利要求1至6任一项所述的气体混合装置;至少两个气体管路,每个所述气体管路连通于所述气体混合装置的其中一个进气口;所述气体混合装置的出气端用于与反应腔室的进气口连通。8.根据权利要求7所述的半导体工艺的气体输运系统,其特征在于,所述气体输运系统还包括:三通阀,所述三通阀包括第一端、第二端和第三端,所述第一端与所述气体混合装置的出气端连通,所述第二端用于与所述反应腔室的进气口连通;所述第三端连接有背压阀。9.根据权利要求8所述的半导体工艺的气体输运系统,其特征在于,所述气体输运系统还包括:气动阀和尾气处理器,所述气动阀连接于所述背压阀的后端,所述尾气处理器连接于所述气动阀。10.一种半导体设备,其特征在于,包括反应腔室和权利要求7

9任一项所述的气体输运系统,所述气体混合装置出气端与所述反应腔室连通。

技术总结
本实用新型公开了一种气体混合装置、半导体工艺的气体输运系统和半导体设备,其中气体混合装置包括:混合本体,混合本体包括相对设置的进气端和出气端,混合本体内设有匀气腔;至少两个进气口,设置于进气端,每个进气口通过各自的通道与匀气腔连通,其中通道的延伸方向偏离匀气腔的中轴线,以使从通道进入匀气腔内的气流形成旋转气流。本实用新型气体混合装置的通道的延伸方向偏离柱形腔体的中轴线,气体沿着柱形腔体内壁进行旋转,通过旋转来实现气体旋转混流,气体边旋转边流向出气端,能够实现两种或多种气体的充分均匀混合,减小浓度波动,并使通入腔室的气流稳定。并使通入腔室的气流稳定。并使通入腔室的气流稳定。


技术研发人员:周志文
受保护的技术使用者:北京北方华创微电子装备有限公司
技术研发日:2020.12.21
技术公布日:2021/11/17
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