声波谐振器及无线通信设备的制作方法

1.本技术涉及通信领域，更具体地，涉及通信领域中的声波谐振器、滤波器及无线通信设备。


背景技术：

2.薄膜体声波谐振器(film bulk acoustic resonator，fbar)滤波器在无线通信领域已经成为主流射频频率器件。fbar具有超高的q值，所以由fbar构成的滤波器具有非常好的滚降特性、带外抑制和带内插损。
3.如图1所示，fbar具有以下结构：压电薄膜夹于上下两层金属电极之间形成三明治状结构，一交变射频电压施加于两电极之间，在压电薄膜内形成交变电场，在特定频率下会激励起沿z轴传播的纵向声波，形成驻波振荡。
4.fbar谐振器中的绝大多数声波垂直(沿z轴)传播，但是各种边界条件的存在会导致横向(水平)声波的传播，称为横向驻波。横向驻波会导致带内纹波，会降低q值。特别是，随着通信技术的发展出现，fbar工作频率提升，厚度(具体地说，是z轴方向的厚度)变薄，集成度提升器件尺寸减小，厚度与宽度之比增大，导致压电层的横向振动特性影响更加显著。如何抑制横向驻波，是提升fbar滤波器滤波特性的关键技术。
5.随着fbar工作频率提升器件厚度变薄，集成度提升要求器件横向尺寸的减小。而厚度与宽度之比的增大，导致压电层的横向振动特性影响更加显著。特别地，当fbar的电极两侧彼此平行时，在一对侧上产生的侧向模式会被另一侧反射并彼此叠加。如果横向模态相互叠加并放大，振幅非常小的横向模态也会影响横向振动特性，对器件性能造成不利影响。目前常用的是仅采用不规则电极形状来减少横向驻波的影响，但这种设计对较高频率寄生波的抑制效果并不明显。


技术实现要素：

6.本技术提供一种声波谐振器、滤波器、接收机、发射机及无线通信设备，能够抑制横向驻波，提高对较高频率寄生波的抑制效果。
7.第一方面，提供一种声波谐振器，包括：第一电极，由导电材料制成；第二电极，由导电材料制成；压电层，由压电材料制成，配置在所述第一电极和所述第二电极之间；其中，所述第一电极包括：第一区域，所述第一区域的材料具有第一密度；第二区域，形成为包围所述第一区域的环状区域，与所述第一区域电气连通(或者说，电学连通)，所述第二区域的材料具有第二密度，所述第二密度与所述第一密度相异。
8.根据本技术提供的声波谐振器，通过使第一电极包括位于中央位置的第一区域和包围该第一区域的第二区域，并使该第一区域和第二区域均为导电材料制成，该第二区域的密度与该第一区域的密度不同，从而形成边界条件，能够抑制寄生模式，提高功率容量，并且不会对器件的有效面积和结构稳定性等造成影响。
9.在本技术中，第一电极形成为片状或板状。
10.并且，第一电极与第二电极平行配置。
11.作为示例而非限定，该第一区域的材料可以包括但不限于钼、钛、铂、铝、铜或金等。
12.另外，该第二区域的材料可以包括但不限于钼、钛、铂、铝、铜或金等。
13.应理解，以上列举的第一区域和第二区域的材料仅为示例性说明，本技术并未限定于此，例如，第一区域或第二区域的材料还可以为合金等材料。
14.可选地，所述第一区域与所述第二区域在第一方向上的高度相同，所述第一方向与所述第一电极的配置平面垂直。
15.或者，所述第一区域与所述第二区域在第一方向上的高度不同。
16.例如，所述第一区域在所述第一方向上的高度可以大于该第二区域的在所述第一方向上的高度。
17.应理解以上列举的第一区域和第二区域在第一方向上的高度的关系仅示例性说明，本技术并未特别限定，例如，所述第一区域在所述第一方向上的高度也可以小于该第二区域的高度。
18.可选地，所述第二区域的外边缘与内边缘之间的宽度d2大于或等于0.5微米，且小于或等于10微米。
19.从而，能够灵活应对不同频率的信号的滤波需求。
20.在本技术中，术语“外边缘”可以理解为环形区域(或者说，环形区域在配置平面上的投影)的外环边缘，术语“内边缘”可以理解为环形区域(或者说，环形区域在配置平面上的投影)的内环边缘，以下，为了避免赘述，省略对相同或相似情况的说明。
21.可选地，所述第一区域的材料具有第一导热率，所述第二区域的材料具有第二导热率，所述第一导热率大于所述第二导热率。
22.由于电极的中心区域的发热量较大，因此，通过使位于中心的第一区域的材料的导热率大于位于边缘的第二区域的导热率，能够有利于声波谐振器的散热，进一步提高本技术的声波谐振器的性能。
23.可选地，所述第一区域与所述第二区域中，密度大的区域的在所述第一方向上的高度大于密度小的区域在所述第一方向上的高度。
24.从而，能够显著提高第一区域与第二区域之间的边界条件的效果，进一步抑制寄生模式，提高本技术的声波谐振器的性能。
25.可选地，所述第一区域与所述第二区域在第一方向上的高度差大于或等于5纳米，并且，小于或等于100纳米，所述第一方向与所述第一电极的配置平面垂直。
26.从而，能够在使第一区域与第二区域之间形成边界条件的基础上，灵活应对对于不同频率范围的信号的滤波。
27.可选地，所述第一密度和所述第二密度中，较大一方是较小一方的3倍，或者，较大一方是较小一方的7倍。
28.通过增大第一区域与第二区域的密度差异，能够显著提高第一区域与第二区域之间的边界条件的效果，进一步抑制寄生模式，提高本技术的声波谐振器的性能。
29.可选地，所述第一区域的材料为钨，所述第二区域的材料为铝；或者
30.所述第一区域的材料为铝，所述第二区域的材料为钨。
31.通过选用上述材料，能够容易地实现增大第一区域与第二区域的密度差异，从而进一步提高本技术的声波谐振器的实用性。
32.可选地，当所述第二密度小于所述第一密度时，所述第一电极还包括：第三区域，形成为包围所述第二区域的环状区域，与所述第二区域电气连通，所述第三区域的材料具有第三密度，所述第二密度小于所述第三密度。
33.该第三区域的密度与该第二区域的密度不同，从而能够在第二区域和第三区域之间形成边界条件，能够进一步抑制寄生模式。
34.作为示例而非限定，该第三区域的材料可以包括但不限于钨、钼、钛、铂、铝、铜或金等。
35.应理解，以上列举的第三区域的材料仅为示例性说明，本技术并未限定于此，例如，第三区域的材料还可以为合金等材料。
36.可选地，所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域在第一方向上的高度相同，所述第一方向与所述第一电极的配置平面垂直。
37.或者，所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域在第一方向上的高度不同，例如，所述第三区域在所述第一方向上的高度可以大于该第一区域的在所述第一方向上的高度，并且，所述第一区域在所述第一方向上的高度可以大于该第二区域的在所述第一方向上的高度。
38.通过使密度大的区域的高度大于密度小的区域的高度，能够进一步提高边界条件的效果，能够进一步抑制寄生模式。
39.可选地，所述第三区域的外边缘和内边缘之间的宽度d3大于或等于0.5微米，且小于或等于10微米。
40.可选地，所述第一密度小于所述第三密度。
41.可选地，所述第三区域的材料具有第三导热率，所述第一导热率大于所述第三导热率。
42.可选地，所述第一电极还包括：第四区域，形成为包围所述第三区域的环状区域，与所述第三区域电气连通，所述第四区域的材料具有第四密度，所述第三密度小于所述第四密度。
43.该第四区域的密度与该第三区域的密度不同，从而能够在第四区域和第三区域之间形成边界条件，能够进一步抑制寄生模式。
44.作为示例而非限定，该第四区域的材料可以包括但不限于钨、钼、钛、铂、铝、铜或金等。
45.应理解，以上列举的第四区域的材料仅为示例性说明，本技术并未限定于此，例如，第四区域的材料还可以为合金等材料。
46.可选地，所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域和所述第四区域在第一方向上的高度相同，所述第一方向与所述第一电极的配置平面垂直。
47.或者，所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域和所述第四区域在第一方向上的高度不同，例如，所述第四区域在所述第一方向上的高度可以大于该第一区域的在所述第一方向上的高度，并且，所述第一区域在所述第一方向上的高度可以大于该第二区域的在所述第一方向上的高度。并且，再例如，所述第三区域在所述第一方向上的高度可以大于
该第一区域的在所述第一方向上的高度。例如，所述第三区域与第一区域在所述第一方向上的高度可以相同。
48.通过使密度大的区域的高度大于密度小的区域的高度，能够进一步提高边界条件的效果，能够进一步抑制寄生模式。
49.可选地，所述第三区域的外边缘与内边缘之间的宽度d3大于或等于0.1微米，且小于或等于2微米，所述第四区域的外边缘与内边缘之间的宽度d4大于或等于0.5微米，且小于或等于10微米。
50.从而，能够在提高第一区域与第二区域之间的边界条件的基础上，灵活应对对于不同频率范围的信号的滤波。
51.可选地，所述第一密度与所述第三密度相同。
52.例如，第一区域与第三区域的材料可以相同。
53.可选地，所述第四区域的材料具有第四导热率，所述第一导热率大于所述第四导热率。
54.可选地，所述声波谐振器还包括：衬底，其中，下电极设置在所述衬底上，所述下电极为所述第一电极或所述第二电极中的一方；声隔离层，位于所述下电极和所述衬底之间；其中，上电极在所述第一电极的配置平面上的投影位于所述声隔离层在所述第一电极的配置平面上的投影内部，所述上电极为所述第一电极或所述第二电极中的另一方。
55.第二方面，提供了一种滤波器，包括声波谐振器，所述声波谐振器包括：第一电极，由导电材料制成；第二电极，由导电材料制成；压电层，由压电材料制成，配置在所述第一电极和所述第二电极之间；其中，所述第一电极包括：第一区域，所述第一区域的材料具有第一密度；第二区域，形成为包围所述第一区域的环状区域，与所述第一区域电气连通，所述第二区域的材料具有第二密度，所述第二密度与所述第一密度相异。
56.根据本技术提供的声波谐振器，通过使第一电极包括位于中央位置的第一区域和包围该第一区域的第二区域，并使该第一区域和第二区域均为导电材料制成，该第二区域的密度与该第一区域的密度不同，从而形成边界条件，能够抑制寄生模式，提高功率容量，并且不会对器件的有效面积和结构稳定性等造成影响。
57.在本技术中，第一电极形成为片状或板状。
58.并且，第一电极与第二电极平行配置。
59.作为示例而非限定，该第一区域的材料可以包括但不限于钼、钛、铂、铝、铜或金等。
60.另外，该第二区域的材料可以包括但不限于钼、钛、铂、铝、铜或金等。
61.应理解，以上列举的第一区域和第二区域的材料仅为示例性说明，本技术并未限定于此，例如，第一区域或第二区域的材料还可以为合金等材料。
62.可选地，所述第一区域与所述第二区域在第一方向上的高度相同，所述第一方向与所述第一电极的配置平面垂直。
63.或者，所述第一区域与所述第二区域在第一方向上的高度不同。
64.例如，所述第一区域在所述第一方向上的高度可以大于该第二区域的在所述第一方向上的高度。
65.应理解以上列举的第一区域和第二区域在第一方向上的高度的关系仅示例性说
明，本技术并未特别限定，例如，所述第一区域在所述第一方向上的高度也可以小于该第二区域的高度。
66.可选地，所述第二区域的外边缘与内边缘之间的宽度d2大于或等于0.5微米，且小于或等于10微米。
67.在本技术中，术语“外边缘”可以理解为环形区域(或者说，环形区域在配置平面上的投影)的外环边缘，术语“内边缘”可以理解为环形区域(或者说，环形区域在配置平面上的投影)的内环边缘，以下，为了避免赘述，省略对相同或相似情况的说明。
68.可选地，所述第一区域的材料具有第一导热率，所述第二区域的材料具有第二导热率，所述第一导热率大于所述第二导热率。
69.可选地，所述第一区域与所述第二区域中，密度大的一方的在所述第一方向上的高度大于密度小的一方在所述第一方向上的高度。
70.可选地，所述第一区域与所述第二区域在第一方向上的高度差大于或等于5纳米，并且，小于或等于100纳米，所述第一方向与所述第一电极的配置平面垂直。
71.可选地，所述第一密度和所述第二密度中，较大一方是较小一方的3倍，或者，较大一方是较小一方的7倍。
72.可选地，所述第一区域的材料为钨，所述第二区域的材料为铝；或者
73.所述第一区域的材料为铝，所述第二区域的材料为钨。
74.可选地，当所述第二密度小于所述第一密度时，所述第一电极还包括：第三区域，形成为包围所述第二区域的环状区域，与所述第二区域电气连通，所述第三区域的材料具有第三密度，所述第二密度小于所述第三密度。
75.作为示例而非限定，该第三区域的材料可以包括但不限于钨、钼、钛、铂、铝、铜或金等。
76.应理解，以上列举的第三区域的材料仅为示例性说明，本技术并未限定于此，例如，第三区域的材料还可以为合金等材料。
77.可选地，所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域在第一方向上的高度相同，所述第一方向与所述第一电极的配置平面垂直。
78.或者，所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域在第一方向上的高度不同，例如，所述第三区域在所述第一方向上的高度可以大于该第一区域的在所述第一方向上的高度，并且，所述第一区域在所述第一方向上的高度可以大于该第二区域的在所述第一方向上的高度。
79.可选地，所述第三区域的外边缘和内边缘之间的宽度d3大于或等于0.5微米，且小于或等于10微米。
80.可选地，所述第一密度小于所述第三密度。
81.可选地，所述第三区域的材料具有第三导热率，所述第一导热率大于所述第三导热率。
82.可选地，所述第一电极还包括：第四区域，形成为包围所述第三区域的环状区域，与所述第三区域电气连通，所述第四区域的材料具有第四密度，所述第三密度小于所述第四密度。
83.作为示例而非限定，该第四区域的材料可以包括但不限于钨、钼、钛、铂、铝、铜或
金等。
84.应理解，以上列举的第四区域的材料仅为示例性说明，本技术并未限定于此，例如，第四区域的材料还可以为合金等材料。
85.可选地，所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域和所述第四区域在第一方向上的高度相同，所述第一方向与所述第一电极的配置平面垂直。
86.或者，所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域和所述第四区域在第一方向上的高度不同，例如，所述第四区域在所述第一方向上的高度可以大于该第一区域的在所述第一方向上的高度，并且，所述第一区域在所述第一方向上的高度可以大于该第二区域的在所述第一方向上的高度。并且，再例如，所述第三区域在所述第一方向上的高度可以大于该第一区域的在所述第一方向上的高度。例如，所述第三区域与第一区域在所述第一方向上的高度可以相同。
87.可选地，所述第三区域的外边缘与内边缘之间的宽度d3大于或等于0.1微米，且小于或等于2微米，所述第四区域的外边缘与内边缘之间的宽度d4大于或等于0.5微米，且小于或等于10微米。
88.可选地，所述第一密度与所述第三密度相同。
89.例如，第一区域与第三区域的材料可以相同。
90.可选地，所述第四区域的材料具有第四导热率，所述第一导热率大于所述第四导热率。
91.可选地，所述声波谐振器还包括：衬底，其中，下电极设置在所述衬底上，所述下电极为所述第一电极或所述第二电极中的一方；声隔离层，位于所述下电极和所述衬底之间；其中，上电极在所述第一电极的配置平面上的投影位于所述声隔离层在所述第一电极的配置平面上的投影内部，所述上电极为所述第一电极或所述第二电极中的另一方。
92.第三方面，提供一种无线通信设备，包括接收机和/或发射机，所述接收机或发射机中的至少一方包括第二方面或第二方面中的任意一种可能的实现方式的滤波器。
93.第四方面，提供一种终端设备，包括收发器，用于接收下行信号或发送上行信号，所述收发器包括第二方面或第二方面中的任意一种可能的实现方式的滤波器，所述滤波器用于在所述上行信号发送之前对待发送的上行信号进行滤波，或者在接收到所述下行信号后对接收到的下行信号进行滤波；处理器，用于对所述信号进行信号处理，例如，对待发送数据进行编码调制等以生成上行信号，或者，对接收到的下行信号进行解调或解码等。
94.第五方面，提供一种基站，包括收发器，用于接收上行信号或发送下行信号，所述收发器包括第二方面或第二方面中的任意一种可能的实现方式的滤波器，所述滤波器用于在所述下行信号发送之前对待发送的下行信号进行滤波，或者在接收到所述上行信号后对接收到的上行信号进行滤波；处理器，用于对所述信号进行信号处理，例如，对待发送数据进行编码调制等以生成下行信号，或者，对接收到的上行信号进行解调或解码等。
附图说明
95.图1是声波谐振器的示意性结构图。
96.图2是本技术的声波谐振器的一例的正视剖面图。
97.图3是图2所述的声波谐振器的上电极的俯视图。
98.图4是本技术的声波谐振器的另一例的正视剖面图。
99.图5是本技术的声波谐振器的再一例的正视剖面图。
100.图6本技术的声波谐振器的再一例的正视剖面图。
101.图7是图6所述的声波谐振器的上电极俯视图。
102.图8是本技术的声波谐振器的另一例的正视剖面图。
103.图9是本技术的声波谐振器的再一例的正视剖面图。
104.图10本技术的声波谐振器的再一例的正视剖面图。
105.图11是图10所述的声波谐振器的上电极俯视图。
106.图12是本技术的声波谐振器的另一例的正视剖面图。
107.图13是本技术的声波谐振器的再一例的正视剖面图。
108.图14是本技术的滤波器的一例的示意图。
109.图15是本技术的滤波器的另一例的示意图。
110.图16是本技术的无线通信设备的射频模块的示意图。
111.图17是本技术的终端设备的示意图。
112.图18是本技术的基站的示意图。
具体实施方式
113.下面将结合附图，对本技术中的技术方案进行描述。
114.图2示出了本技术的声波谐振器的一例的示意性结构图。
115.如图2所示，该声波谐振器(或者说，薄膜体声波谐振器)包括：
116.衬底；
117.下电极(即，第二电极的一例)，配置在衬底上方；
118.压电层，配置在下电极上方；
119.上电极(即，第一电极的一例)，配置在压电层上方。
120.应理解，以上列举的声波谐振器的结构仅为是理性说明，本技术并未特别限定。
121.例如，在下电极和衬底之间可以形成声隔离层(或者说，声隔离器)。
122.下面分别对上述各部分进行详细说明。
123.a.衬底
124.作为示例而非限定，该衬底可以形成为长方体或正方体。
125.本技术的下电极配置在该衬底的上表面。
126.以下，为了便于理解和说明，将三维坐标系的x轴方向和y轴方向形成的平面，记做平面#a(即，配置平面的一例)。则该衬底的上表面与该平面#a平行或近似平行。
127.该衬底可以为半导体材料，例如，硅等。
128.需要说明的是，根据配置需要，本技术的声波谐振器也可以不包括衬底。
129.b.声隔离层
130.该声隔离层可以位于衬底内部，用于反射声波。
131.例如，如图2所示，该声隔离层可以是在衬底内形成的空气腔。
132.或者，该声隔离层可以是声学反射镜。
133.需要说明的是，根据配置需要，本技术的声波谐振器也可以不包括声隔离层。
134.c.下电极
135.如图2所示，下电极位于声隔离层上方(具体地说，是三维坐标系的z轴方向上的上方)。
136.或者说，下电极设置在衬底的上表面上。
137.作为示例而非限定，如图2所示，下电极的边界(或者说，边缘)位于声隔离层边界外侧。或者说，该声隔离层在平面#a上的投影位于该下电极在该平面#a上的投影的内部。
138.在本技术中，该下电极可以由导电材料制成。
139.作为示例而非限定，该下电极材料可以包括但不限于钼、钛、铂、铝、铜、金等。
140.在本技术中，该下电极可以形成为沿平面#a方向延展的片状或板状。
141.作为示例而非限定，该下电极的形状(具体地说，是下电极在该平面#a方向上的投影的形状)可以包括但不限于正方形或长方形等多边形或不规则几何图形，本技术并未特别限定。
142.d.压电层(或者说，薄膜体压电层)，
143.如图2所示，压电层位于下电极上方(具体地说，是三维坐标系的z轴方向上的上方)。
144.在本技术中，该在本技术中，该上电极可以形成为沿平面#a方向延展的薄膜装
145.在本技术中，压电层能够产生压电效应或逆压电效应。
146.其中，压电效应是指：某些电介质在沿一定方向上受到外力的作用而变形时，其内部会产生极化现象，同时在它的两个相对表面上出现正负相反的电荷。当外力去掉后，它又会恢复到不带电的状态，这种现象称为正压电效应。当作用力的方向改变时，电荷的极性也随之改变。相反，当在电介质的极化方向上施加电场，这些电介质也会发生变形，电场去掉后，电介质的变形随之消失，这种现象称为逆压电效应。
147.压电效应的原理是，如果对压电材料施加压力，它便会产生电位差(称之为正压电效应)，反之施加电压，则产生机械应力(称为逆压电效应)。如果压力是一种高频震动，则产生的就是高频电流。而高频电信号加在压电陶瓷上时，则产生高频声信号(机械震动)。
148.作为示例而非限定，该压电层的材料可以包括但不限于氮化铝(aln)、氮化钪铝(alscn)、锆钛酸铅(pzt)、铌酸锂(linbo3)等。
149.e.上电极
150.如图2所示，上电极位于压电层上方(具体地说，是三维坐标系的z轴方向上的上方)。
151.作为示例而非限定，如图2所示，上电极的边界(或者说，边缘)位于声隔离层边界内侧。或者说，该上电极在该平面#a上的投影位于该声隔离层在平面#a上的投影的内部。
152.在本技术中，该上电极可以由导电材料制成。
153.在本技术中，该上电极可以形成为沿平面#a方向延展的片状或板状。
154.作为示例而非限定，该上电极的形状(具体地说，是下电极在该平面#a方向上的投影的形状)可以包括但不限于多边形(例如，不规则多边形)或不规则几何图形，本技术并未特别限定。例如，如图3所示，该上电极可以形成为梯形。
155.如图2或图3所示，在本技术中，该上电极可以包括区域#1(即，第一区域的一例)和区域#2(即，第二区域的一例)。
156.其中，区域#2形成为包围区域#1的环形区域。
157.并且，该区域#2与区域#1电气连通，例如，可以通过在区域#1周围采用例如气相沉积等方式生成与该区域#1电气连通的区域#2。
158.作为示例而非限定，作为示例而非限定，区域#1的边界(或者说，边缘)位于声隔离层边界内侧。或者说，该区域#1在平面#a上的投影位于该声隔离层在该平面#a上的投影的内部。
159.并且，该区域#1的高度(具体地说，是z轴方向上的高度)为大于或等于0.05微米(μm)，并且小于或等于0.6μm。
160.该区域#1由导电材料制成，例如，该区域#1的材料为钼、钛、铂、铝、铜或金等。
161.应理解，以上列举的该区域#1的材料仅为示例性说明，本技术并未限定于此。
162.下面，对该区域#2的参数进行详细说明
163.1.区域#2的大小
164.区域#2的边界可以位于声隔离层边界内侧。或者说，该区域#2在平面#a上的投影位于该声隔离层在该平面#a上的投影的内部。
165.2.区域#2的宽度
166.作为示例而非限定，该区域#2的外环边缘与内环边缘的宽度d2(或者说，该区域#2在平面#a上的投影的环形宽度，或者，该区域#2的厚度)大于或等于0.5μm，并且小于或等于10μm。
167.应理解，以上列举的区域#2的宽度d2的大小仅为示例性说明，本技术并未特别限定，可以根据区域#1的范围、声隔离层的范围等参数任意调整区域#2的宽度d2的大小。
168.3.区域#2的高度
169.该区域#2的高度(具体地说，是z轴方向上的高度)可以为大于或等于0.05微米(μm)，并且小于或等于0.6μm。
170.例如，如图2所示，该区域#2的高度与区域#1的高度可以相同。
171.或者，该区域#2的高度h2与区域#1的高度h1也可以不同。例如，所述区域#1和所述区域#2中，密度大的一方的区域的高度大于密度小的一方的区域的高度，例如，如图4所示，如果区域#1的密度ρ1大于区域#2的密度ρ2，则h1大于h2。
172.4.区域#2的材料
173.该区域#2由导电材料制成，例如，该区域#2的材料为钼、钛、铂、铝、铜或金等。
174.应理解，以上列举的该区域#2的材料仅为示例性说明，本技术并未限定于此。
175.5.区域#2的密度(具体地说，是区域#2的密度与区域#1的密度的关系)
176.在本技术中，区域#2的密度ρ2与区域#1的密度ρ1不同，从而使形成声学反射边界条件，进而抑制横向寄生模式。
177.例如，在本技术中，可以通过材料的选择，实现区域#2的密度小于区域#1的密度。
178.再例如，在本技术中，可以通过材料的选择，实现区域#2的密度大于区域#1的密度。
179.作为示例而非限定，例如，可以通过材料的选择，实现ρ1是ρ2的3倍或3倍以上。
180.再例如，可以通过材料的选择，实现ρ2是ρ1的3倍或3倍以上。
181.作为示例而非限定，例如，可以通过材料的选择，实现ρ1是ρ2的7倍或7倍以上，例
如，使区域#1的材料为钨，区域#2的材料为铝。
182.再例如，可以通过材料的选择，实现ρ2是ρ1的3倍或3倍以上，例如，使区域#1的材料为铝，区域#2的材料为钼。
183.6.区域#2的导热率(具体地说，是区域#2的导热率与区域#1的导热率的关系)
184.在本技术中，区域#2的导热率k2小于区域#1的导热率k1。
185.具体地说，fbar是利用压电效应产生射频段的谐振工作的，相对于传统介质器件存在介电损耗外，还存在因为压电体机械振动导致的机电损耗，所以fbar工作时会出现明显的升温或热应力，升温或热应力必然导致fbar性能的漂移，当漂移超过设计指标，器件就不能用了，这就是fbar功率容量低的原因。由于是机械谐振，所以在谐振区中间位置，谐振幅最大，因为电极质量负载产生的热量最多。因为是悬浮结构这部分散热又最困难，所以器件的发热问题在此区域表现最为明显，产生的不良影响也最严重，是制约器件最大功率容量关键位置。
186.根据本技术提供的方案，通过使区域#2的导热率k2小于区域#1的导热率k1，能够提高位于谐振区中间位置的区域#1的散热效果，从而能够提高fbar的功率容量。
187.例如，在本技术中，可以通过材料的选择，实现区域#2的导热率k2小于区域#1的导热率k1。
188.下面，对该声波谐振器的制备方法进行说明。
189.(a)在硅衬底上沉积牺牲层材料，牺牲层材料可以是二氧化硅、磷硅玻璃等介质材料。通过光刻、刻蚀工艺将牺牲层材料的图形制作成预定声隔离层的图形，形成声隔离层的牺牲层；
190.(b)利用外延工艺在硅衬底上无牺牲层材料的表面外延硅或者锗，外延高度大于等于牺牲层高度，通过化学机械抛光工艺将牺牲层和衬底加工成平整的表面，以利于后续电极和压电层的沉积和图形化工艺；
191.(c)利于物理气相沉积工艺或其他工艺在牺牲层和衬底上方沉积下电极材料，下电极材料可以是钼、铂、钨、铝等金属材料，通过光刻和刻蚀工艺形成下电极；
192.(d)在物理气相沉积工艺在下电极上方沉积压电层；
193.(e)利用物理气相沉积工艺在压电层上方沉积区域#1的电极材料，通过光刻和刻蚀工艺形成区域#1电极；
194.(f)利用物理气相沉积工艺在压电层上方沉积区域#2的电极材料，通过光刻和刻蚀工艺形成区域#2电极；
195.(h)利用腐蚀溶液或者气体去除牺牲层材料形成声隔离层。
196.图5是本技术的声波谐振器的再一例的正视剖面图。与图2所示的声波谐振器的不同之处在于图5所示的声波谐振器的下电极包括两个区域，并且，该两个区域的参数与图2所示的声波谐振器的上电极的两个区域的参数相似，这里，为了避免赘述，省略详细说明。
197.此外为了提高压电层的性能，在图5所示声波谐振器中，下电极的两个区域的高度(具体地说，是z轴方向的高度)相同，并且，下电极的两个区域的上表面(即，与压电层接触的表面)平坦度相同。
198.图6和图7示出了本技术的声波谐振器的再一例。与图2所示的声波谐振器的不同之处在于图6和图7所示的声波谐振器的上电极包括三个区域。为了避免赘述，以下，主要对
上电极的三个区域进行详细说明。
199.如图6或图7所示，在本技术中，该上电极可以包括区域#1(即，第一区域的一例)、区域#2(即，第二区域的一例)和区域#3(即，第三区域的一例)。
200.其中，区域#2形成为包围区域#1的环形区域。
201.并且，该区域#2与区域#1电气连通，例如，可以通过在区域#1周围采用例如气相沉积等方式生成与该区域#1电气连通的区域#2。
202.区域#3形成为包围区域#2的环形区域。
203.并且，该区域#3与区域#2电气连通，例如，可以通过在区域#2周围采用例如气相沉积等方式生成与该区域#2电气连通的区域#3。
204.作为示例而非限定，作为示例而非限定，区域#1的边界(或者说，边缘)位于声隔离层边界内侧。或者说，该区域#1在平面#a上的投影位于该声隔离层在该平面#a上的投影的内部。
205.并且，该区域#1的高度(具体地说，是z轴方向上的高度)为大于或等于0.05微米(μm)，并且小于或等于0.6μm。
206.该区域#1由导电材料制成，例如，该区域#1的材料为钼、钛、铂、铝、铜或金等。
207.应理解，以上列举的该区域#1的材料仅为示例性说明，本技术并未限定于此。
208.下面，对该区域#2的参数进行详细说明
209.1.区域#2的大小
210.区域#2的边界可以位于声隔离层边界内侧。或者说，该区域#2在平面#a上的投影位于该声隔离层在该平面#a上的投影的内部。
211.2.区域#2的宽度
212.作为示例而非限定，该区域#2的外环边缘与内环边缘的宽度d2(或者说，该区域#2在平面#a上的投影的环形宽度，或者，该区域#2的厚度)大于或等于0.5μm，并且小于或等于10μm。
213.应理解，以上列举的区域#2的宽度d2的大小仅为示例性说明，本技术并未特别限定，可以根据区域#1的范围、声隔离层的范围等参数任意调整区域#2的宽度d2的大小。
214.3.区域#2的高度
215.该区域#2的高度(具体地说，是z轴方向上的高度)可以为大于或等于0.05微米(μm)，并且小于或等于0.6μm。
216.例如，如图2所示，该区域#2的高度与区域#1的高度可以相同。
217.或者，该区域#2的高度h2与区域#1的高度h1也可以不同。例如，如图4所示，h1大于h2。
218.4.区域#2的材料
219.该区域#2由导电材料制成，例如，该区域#2的材料为钼、钛、铂、铝、铜或金等。
220.应理解，以上列举的该区域#2的材料仅为示例性说明，本技术并未限定于此。
221.5.区域#2的密度(具体地说，是区域#2的密度与区域#1的密度的关系)
222.在本技术中，区域#2的密度ρ2小于区域#1的密度ρ1，从而使形成声学反射边界条件，进而抑制横向寄生模式。
223.例如，在本技术中，可以通过材料的选择，实现区域#2的密度小于区域#1的密度。
224.6.区域#2的导热率(具体地说，是区域#2的导热率与区域#1的导热率的关系)
225.在本技术中，区域#2的导热率k2小于区域#1的导热率k1。
226.例如，在本技术中，可以通过材料的选择，实现区域#2的导热率k2小于区域#1的导热率k1。
227.下面，对该区域#3的参数进行详细说明
228.a.区域#3的大小
229.区域#3的边界可以位于声隔离层边界内侧。或者说，该区域#3在平面#a上的投影位于该声隔离层在该平面#a上的投影的内部。
230.b.区域#3的宽度
231.作为示例而非限定，该区域#3的外环边缘与内环边缘的宽度d3(或者说，该区域#3在平面#a上的投影的环形宽度，或者，该区域#3的厚度)大于或等于0.5μm，并且小于或等于10μm。
232.应理解，以上列举的区域#3的宽度d3的大小仅为示例性说明，本技术并未特别限定，可以根据区域#1的范围、区域#2的范围、声隔离层的范围等参数任意调整区域#3的宽度d3的大小。
233.c.区域#3的高度
234.该区域#3的高度(具体地说，是z轴方向上的高度)可以为大于或等于0.05微米(μm)，并且小于或等于0.6μm。
235.例如，如图6所示，该区域#3的高度与区域#1和/或区域#2的高度相同。
236.或者，该区域#3的高度h3与区域#1的高度h1也可以不同。例如，如图8所示，h3大于h1。该区域#3的高度h3与区域#2的高度h2也可以不同。例如，如图8所示，h3大于h2。
237.例如，h1＝h2＝h3。
238.再例如，h3＞h1＞h2。
239.d.区域#3的材料
240.该区域#3由导电材料制成，例如，该区域#3的材料为钼、钛、铂、铝、铜或金等。
241.应理解，以上列举的该区域#3的材料仅为示例性说明，本技术并未限定于此。
242.e.区域#3的密度(具体地说，是区域#3的密度与区域#1的密度及区域#2的密度的关系)
243.在本技术中，区域#3的密度ρ3大于区域#1的密度ρ1，并且，区域#3的密度ρ3大于区域#2的密度ρ2。从而使形成声学反射边界条件，进而抑制横向寄生模式
244.例如，ρ3＞ρ1＞ρ2。
245.在本技术中，可以通过材料的选择，实现区域#3的密度大于区域#1的密度及区域#2的密度。
246.f.区域#3的导热率(具体地说，是区域#3的导热率与区域#1的导热率和/或区域#2的导热率的关系)
247.在本技术中，区域#3的导热率k3小于区域#1的导热率k1。
248.例如，在本技术中，可以通过材料的选择，实现区域#3的导热率k3小于区域#1的导热率k1。
249.并且，在本技术中，区域#3的导热率k3与区域#2的导热率k2的关系并未特别限定。
250.下面，对该声波谐振器的制备方法进行说明。
251.(a)在硅衬底上沉积牺牲层材料，牺牲层材料可以是二氧化硅、磷硅玻璃等介质材料。通过光刻、刻蚀工艺将牺牲层材料的图形制作成预定声隔离层的图形，形成声隔离层的牺牲层；
252.(b)利用外延工艺在硅衬底上无牺牲层材料的表面外延硅或者锗，外延高度大于等于牺牲层高度，通过化学机械抛光工艺将牺牲层和衬底加工成平整的表面，以利于后续电极和压电层的沉积和图形化工艺；
253.(c)利于物理气相沉积工艺或其他工艺在牺牲层和衬底上方沉积下电极材料，下电极材料可以是钼、铂、钨、铝等金属材料，通过光刻和刻蚀工艺形成下电极；
254.(d)在物理气相沉积工艺在下电极上方沉积压电层；
255.(e)利用物理气相沉积工艺在压电层上方沉积区域#1的电极材料，通过光刻和刻蚀工艺形成区域#1电极；
256.(f)利用物理气相沉积工艺在压电层上方沉积区域#2的电极材料，通过光刻和刻蚀工艺形成区域#2电极；
257.(g)利用物理气相沉积工艺在压电层上方沉积区域#3的电极材料，通过光刻和刻蚀工艺形成区域#3电极；
258.(h)利用腐蚀溶液或者气体去除牺牲层材料形成声隔离层。
259.图9是本技术的声波谐振器的再一例的正视剖面图。与图6所示的声波谐振器的不同之处在于图9所示的声波谐振器的下电极包括三个区域，并且，该三个区域的参数与图6所示的声波谐振器的上电极的三个区域的参数相似，这里，为了避免赘述，省略详细说明。
260.此外为了提高压电层的性能，在图9所示声波谐振器中，下电极的三个区域的高度(具体地说，是z轴方向的高度)相同，并且，下电极的三个区域的上表面(即，与压电层接触的表面)平坦度相同。
261.图10和图11示出了本技术的声波谐振器的再一例。与图2所示的声波谐振器的不同之处在于图10和图11所示的声波谐振器的上电极包括四个区域。为了避免赘述，以下，主要对上电极的四个区域进行详细说明。
262.如图10或图11所示，在本技术中，该上电极可以包括区域#1(即，第一区域的一例)、区域#2(即，第二区域的一例)、区域#3’(即，第三区域的一例)和区域#4(即，第三区域的一例)。
263.其中，区域#2形成为包围区域#1的环形区域。
264.并且，该区域#2与区域#1电气连通，例如，可以通过在区域#1周围采用例如气相沉积等方式生成与该区域#1电气连通的区域#2。
265.区域#3形成为包围区域#2的环形区域。
266.并且，该区域#3’与区域#2电气连通，例如，可以通过在区域#2周围采用例如气相沉积等方式生成与该区域#2电气连通的区域#3’。
267.并且，该区域#4与区域#3’电气连通，例如，可以通过在区域#3’周围采用例如气相沉积等方式生成与该区域#3’电气连通的区域#4。
268.作为示例而非限定，作为示例而非限定，区域#1的边界(或者说，边缘)位于声隔离层边界内侧。或者说，该区域#1在平面#a上的投影位于该声隔离层在该平面#a上的投影的
内部。
269.并且，该区域#1的高度(具体地说，是z轴方向上的高度)为大于或等于0.05微米(μm)，并且小于或等于0.6μm。
270.该区域#1由导电材料制成，例如，该区域#1的材料为钼、钛、铂、铝、铜或金等。
271.应理解，以上列举的该区域#1的材料仅为示例性说明，本技术并未限定于此。
272.下面，对该区域#2的参数进行详细说明
273.1.区域#2的大小
274.区域#2的边界可以位于声隔离层边界内侧。或者说，该区域#2在平面#a上的投影位于该声隔离层在该平面#a上的投影的内部。
275.2.区域#2的宽度
276.作为示例而非限定，该区域#2的外环边缘与内环边缘的宽度d2(或者说，该区域#2在平面#a上的投影的环形宽度，或者，该区域#2的厚度)大于或等于0.5μm，并且小于或等于10μm。
277.应理解，以上列举的区域#2的宽度d2的大小仅为示例性说明，本技术并未特别限定，可以根据区域#1的范围、声隔离层的范围等参数任意调整区域#2的宽度d2的大小。
278.3.区域#2的高度
279.该区域#2的高度(具体地说，是z轴方向上的高度)可以为大于或等于0.05微米(μm)，并且小于或等于0.6μm。
280.例如，如图2所示，该区域#2的高度与区域#1的高度可以相同。
281.或者，该区域#2的高度h2与区域#1的高度h1也可以不同。例如，如图4所示，h1大于h2。
282.4.区域#2的材料
283.该区域#2由导电材料制成，例如，该区域#2的材料为钼、钛、铂、铝、铜或金等。
284.应理解，以上列举的该区域#2的材料仅为示例性说明，本技术并未限定于此。
285.5.区域#2的密度(具体地说，是区域#2的密度与区域#1的密度的关系)
286.在本技术中，区域#2的密度ρ2小于区域#1的密度ρ1，从而使形成声学反射边界条件，进而抑制横向寄生模式。
287.例如，在本技术中，可以通过材料的选择，实现区域#2的密度小于区域#1的密度。
288.6.区域#2的导热率(具体地说，是区域#2的导热率与区域#1的导热率的关系)
289.在本技术中，区域#2的导热率k2小于区域#1的导热率k1。
290.例如，在本技术中，可以通过材料的选择，实现区域#2的导热率k2小于区域#1的导热率k1。
291.下面，对该区域#3的参数进行详细说明
292.a.区域#3’的大小
293.区域#3’的边界可以位于声隔离层边界内侧。或者说，该区域#3’在平面#a上的投影位于该声隔离层在该平面#a上的投影的内部。
294.b.区域#3’的宽度
295.作为示例而非限定，该区域#3’的外环边缘与内环边缘的宽度d3’(或者说，该区域#3’在平面#a上的投影的环形宽度，或者，该区域#3’的厚度)大于或等于0.1μm，并且小于
或等于2μm。
296.应理解，以上列举的区域#3’的宽度d3’的大小仅为示例性说明，本技术并未特别限定，可以根据区域#1的范围、区域#2的范围、区域#4的范围、声隔离层的范围等参数任意调整区域#3’的宽度d3’的大小。
297.c.区域#3’的高度
298.该区域#3’的高度(具体地说，是z轴方向上的高度)可以为大于或等于0.05微米(μm)，并且小于或等于0.6μm。
299.例如，如图10所示，该区域#3’的高度与区域#1和/或区域#2的高度相同。
300.或者，该区域#3’的高度h3’与区域#2的高度h2也可以不同。例如，如图12所示，h3’大于h2。
301.并且，本技术并未特别限定该区域#3’的高度与区域#1的高度的关系。
302.例如，h1＝h2＝h3。
303.再例如，h3＝h1＞h2。
304.d.区域#3’的材料
305.该区域#3’由导电材料制成，例如，该区域#3’的材料为钼、钛、铂、铝、铜或金等。
306.应理解，以上列举的该区域#3’的材料仅为示例性说明，本技术并未限定于此。
307.作为示例而非限定，区域#3’与区域#1的材料可以相同。
308.e.区域#3’的密度(具体地说，是区域#3’的密度与区域#1的密度及区域#2的密度的关系)
309.作为示例而非限定，在本技术中，区域#3’的密度ρ3’大于区域#2的密度ρ2。区域#3’的密度ρ3’等于区域#1的密度ρ1。
310.即，ρ3’＝ρ1＞ρ2。
311.在本技术中，可以通过材料的选择，实现上述密度关系。
312.f.区域#3’的导热率(具体地说，是区域#3’的导热率与区域#1的导热率和/或区域#2的导热率的关系)
313.在本技术中，区域#3’的导热率k3’等于区域#1的导热率k1。
314.并且，在本技术中，区域#3’的导热率k3’与区域#2的导热率k2的关系并未特别限定。
315.下面，对该区域#4的参数进行详细说明
[0316]ⅰ.区域#4的大小
[0317]
区域#4的边界可以位于声隔离层边界内侧。或者说，该区域#4在平面#a上的投影位于该声隔离层在该平面#a上的投影的内部。
[0318]ⅱ.区域#4的宽度
[0319]
作为示例而非限定，该区域#4的外环边缘与内环边缘的宽度d4(或者说，该区域#4在平面#a上的投影的环形宽度，或者，该区域#4的厚度)大于或等于0.5μm，并且小于或等于10μm。
[0320]
应理解，以上列举的区域#4的宽度d4的大小仅为示例性说明，本技术并未特别限定，可以根据区域#1的范围、区域#2的范围、区域#3’的范围、声隔离层的范围等参数任意调整区域#4的宽度d4的大小。
[0321]ⅲ.区域#4的高度
[0322]
该区域#4的高度(具体地说，是z轴方向上的高度)可以为大于或等于0.05微米(μm)，并且小于或等于0.6μm。
[0323]
例如，如图10所示，该区域#4的高度与区域#1、区域#2和/或区域3’的高度相同。
[0324]
或者，该区域#4的高度h4与区域#2的高度h2也可以不同。例如，如图12所示，h4大于h2。并且，该区域#4的高度h4与区域#1的高度h1也可以不同。例如，如图12所示，h4大于h1。
[0325]
例如，h1＝h2＝h3＝h4。
[0326]
再例如，h4＞h3＝h1＞h2。
[0327]ⅳ.区域#4的材料
[0328]
该区域#4由导电材料制成，例如，该区域#4的材料为钼、钛、铂、铝、铜或金等。
[0329]
应理解，以上列举的该区域#4的材料仅为示例性说明，本技术并未限定于此。
[0330]
ⅴ
.区域#4的密度(具体地说，是区域#4的密度与区域#1的密度、区域#2的密度及区域#3的密度的关系)
[0331]
作为示例而非限定，在本技术中，区域#4的密度ρ4大于区域#2的密度ρ2。区域#4的密度ρ4大于区域#1的密度ρ1。
[0332]
即，ρ4＞ρ3’＝ρ1＞ρ2。
[0333]
在本技术中，可以通过材料的选择，实现上述密度关系。从而形成声学反射边界条件，抑制谐振器的寄生模式。
[0334]
ⅵ
.区域#4的导热率(具体地说，是区域#4的导热率与区域#1的导热率的关系)
[0335]
在本技术中，区域#4的导热率k4小于区域#1的导热率k1。
[0336]
并且，在本技术中，区域#4的导热率k4与区域#2的导热率k2的关系并未特别限定。
[0337]
下面，对该声波谐振器的制备方法进行说明。
[0338]
(a)在硅衬底上沉积牺牲层材料，牺牲层材料可以是二氧化硅、磷硅玻璃等介质材料。通过光刻、刻蚀工艺将牺牲层材料的图形制作成预定声隔离层的图形，形成声隔离层的牺牲层；
[0339]
(b)利用外延工艺在硅衬底上无牺牲层材料的表面外延硅或者锗，外延高度大于等于牺牲层高度，通过化学机械抛光工艺将牺牲层和衬底加工成平整的表面，以利于后续电极和压电层的沉积和图形化工艺；
[0340]
(c)利于物理气相沉积工艺或其他工艺在牺牲层和衬底上方沉积下电极材料，下电极材料可以是钼、铂、钨、铝等金属材料，通过光刻和刻蚀工艺形成下电极；
[0341]
(d)在物理气相沉积工艺在下电极上方沉积压电层；
[0342]
(e)利用物理气相沉积工艺在压电层上方沉积区域#1的电极材料，通过光刻和刻蚀工艺形成区域#1电极；
[0343]
(f)利用物理气相沉积工艺在压电层上方沉积区域#2的电极材料，通过光刻和刻蚀工艺形成区域#2电极；
[0344]
(g)利用物理气相沉积工艺在压电层上方沉积区域#3的电极材料，通过光刻和刻蚀工艺形成区域#3电极；
[0345]
(h)利用物理气相沉积工艺在压电层上方沉积区域#4的电极材料，通过光刻和刻
蚀工艺形成区域#4电极；
[0346]
(i)利用腐蚀溶液或者气体去除牺牲层材料形成声隔离层。
[0347]
图13是本技术的声波谐振器的再一例的正视剖面图。与图10所示的声波谐振器的不同之处在于图13所示的声波谐振器的下电极包括四个区域，并且，该四个区域的参数与图10所示的声波谐振器的上电极的四个区域的参数相似，这里，为了避免赘述，省略详细说明。
[0348]
此外为了提高压电层的性能，在图13所示声波谐振器中，下电极的四个区域的高度(具体地说，是z轴方向的高度)相同，并且，下电极的四个区域的上表面(即，与压电层接触的表面)平坦度相同。
[0349]
图14示出了本技术的滤波器的一例的示意图，如图14所示，该滤波器包括多个的声波谐振器，其中，该多个声波谐振器中的至少一个谐振器具有如上述图2至图13中的任一附图所示的声波谐振器的结构。这里，为了避免赘述，省略其详细说明。并且，该两个并联的声波谐振器的结构可以相同也可以不同，本技术并未特别限定。并且根据图14所示的声波谐振器的连接方式可以形成网格型滤波器。
[0350]
图15示出了本技术的滤波器的另一例的示意图，如图15所示，该滤波器包括多个的声波谐振器，其中，该多个声波谐振器中的至少一个谐振器具有如上述图2至图13中的任一附图所示的声波谐振器的结构。这里，为了避免赘述，省略其详细说明。并且，该两个并联的声波谐振器的结构可以相同也可以不同，本技术并未特别限定。并且根据图15所示的声波谐振器的连接方式可以形成阶梯型滤波器。
[0351]
图16示出了本技术的无线通信设备(具体地说是无线通信设备的射频前端)的结构图，如图16所示，该通信设备包括接收(rx)和发射(tx)两条通信链路。一方面，天线接收到微弱的rx信号，rx滤波器#1，例如带通滤波器(band pass filter，bpf)将其从广泛的电磁波频谱中挑选出，并经由低噪声放大器(low noise amplifier，lna)放大，再通过rx滤波器#2，例如bpf，传输至混频器；另一方面，从调制器传输来的tx信号先经过tx滤波器#2，例如bpf滤除tx信号之外的频谱，再经过功率放大器(power amplifier，pa)将所需发射的tx信号放大，然后通过tx滤波器#1，例如bpf，经由同一个天线将tx信号发送出去。
[0352]
其中，该rx滤波器#1、rx滤波器#2、tx滤波器#1、tx滤波器#2中的至少一个滤波器具有如上述图2至图13中的任一附图所示的声波谐振器的结构。这里，为了避免赘述，省略其详细说明。
[0353]
图17示出了一种简化的终端设备的结构示意图。便于理解和图示方便，图17中，终端设备以手机作为例子。如图17所示，终端设备包括处理器、存储器、射频电路、天线以及输入输出装置。处理器主要用于对通信协议以及通信数据进行处理，以及对终端设备进行控制，执行软件程序，处理软件程序的数据等。存储器主要用于存储软件程序和数据。射频电路主要用于基带信号与射频信号的转换以及对射频信号的处理。天线主要用于收发电磁波形式的射频信号。输入输出装置，例如触摸屏、显示屏，键盘等主要用于接收用户输入的数据以及对用户输出数据。需要说明的是，有些种类的终端设备可以不具有输入输出装置。在本技术中，射频电路可以包括多个滤波器，该多个滤波器中的至少一个滤波器具有如上述图2至图13中的任一附图所示的声波谐振器的结构。
[0354]
当需要发送数据时，处理器对待发送的数据进行基带处理后，输出基带信号至射
频电路，射频电路将基带信号进行射频处理后将射频信号通过天线以电磁波的形式向外发送。当有数据发送到终端设备时，射频电路通过天线接收到射频信号，将射频信号转换为基带信号，并将基带信号输出至处理器，处理器将基带信号转换为数据并对该数据进行处理。为便于说明，图17中仅示出了一个存储器和处理器，在实际的终端设备产品中，可以存在一个或多个处理器和一个或多个存储器。存储器也可以称为存储介质或者存储设备等。存储器可以是独立于处理器设置，也可以是与处理器集成在一起，本技术实施例对此不做限制。
[0355]
在本技术实施例中，可以将具有收发功能的天线和射频电路视为终端设备的收发单元，将具有处理功能的处理器视为终端设备的处理单元。
[0356]
图18示出了一种简化的基站结构示意图。基站包括收发器以及处理器。收发器主要用于射频信号的收发以及射频信号与基带信号的转换；处理器部分主要用于基带处理，对基站进行控制等。收发器通常可以称为收发单元、收发机、收发电路等。处理器通常是基站的控制中心，通常可以称为处理单元。
[0357]
收发器包括天线和射频电路，其中射频电路主要用于进行射频处理。可选地，可以将收发器中用于实现接收功能的器件视为接收单元，将用于实现发送功能的器件视为发送单元，即收发器包括接收单元和发送单元。接收单元也可以称为接收机、接收器、或接收电路等，发送单元可以称为发射机、发射器或者发射电路等。
[0358]
处理器可以包括一个或多个单板，每个单板可以包括一个或多个处理器和一个或多个存储器。处理器用于读取和执行存储器中的程序以实现基带处理功能以及对基站的控制。若存在多个单板，各个单板之间可以互联以增强处理能力。作为一种可选的实施方式，也可以是多个单板共用一个或多个处理器，或者是多个单板共用一个或多个存储器，或者是多个单板同时共用一个或多个处理器。
[0359]
在本技术中，收发器(例如，收发器中的射频电路)可以包括多个滤波器，该多个滤波器中的至少一个滤波器具有如上述图2至图13中的任一附图所示的声波谐振器的结构。
[0360]
专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本技术的范围。
[0361]
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统、装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
[0362]
在本技术所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统和装置，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
[0363]
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
[0364]
另外，在本技术各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
[0365]
以上所述，仅为本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何
熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。