半导体元件结构及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种半导体元件结构，包括：一半导体基底，具有一图案密集区以及一图案稀疏区；一绝缘组件，界定出一第一主动区以及一第二主动区在该图案密集区中；一第一掺杂区以及一第二掺杂区，位在该第一主动区与该第二主动区中；一第一金属栓塞以及一第二金属栓塞，该第一金属栓塞设置在该第一掺杂区上，该第二金属栓塞设置在该第二主动区中的该第一掺杂区上；一第三金属栓塞以及一第四金属栓塞，设置在该半导体基底的该图案稀疏区上；以及一介电层，设置在该半导体基底的该图案密集区与该图案稀疏区上，其中该介电层位在该第一金属栓塞与该第二金属栓塞之间的一第一部分是通过一第一气隙而与该半导体基底分开设置，以及该介电层位在该第三金属栓塞与该第四金属栓塞之间的一第二部分是直接接触该半导体基底。2.如权利要求1所述的半导体元件结构，其中，该第二部分的一高度是大于该第一部分的一高度。3.如权利要求2所述的半导体元件结构，其中，该第二部分的该高度是大致相同于该第三金属栓塞的一高度。4.如权利要求1所述的半导体元件结构，其中，该介电层的该第二部分的一宽度是大于该介电层的该第一部分的一宽度。5.如权利要求1所述的半导体元件结构，其中，一衬垫层是包围该第一气隙设置。6.如权利要求1所述的半导体元件结构，其中，该第一金属栓塞与该第二金属栓塞分开设置一第一距离，该第三金属栓塞与该第四金属栓塞分开设置一第二距离，而该第二距离是大于该第一距离。7.如权利要求1所述的半导体元件结构，其中，该介电层是覆盖该第一金属栓塞、该第二金属栓塞、该第三金属栓塞以及该第四金属栓塞，且该第一金属栓塞的一上表面是高于该介电层的该第一部分的一下表面。8.如权利要求1所述的半导体元件结构，还包括：一第一字元线，埋置在一第一沟槽中，该第一沟槽是邻近该第一掺杂区设置；一高位面位元线接触点，位在该第一掺杂区上；以及一第二气隙，围绕该高位面位元线接触点设置；其中该第一字元线包括一下电极结构以及一上电极结构，该上电极结构位在该下电极结构上；以及其中该上电极结构包括一源极层、一导电层以及一功函数调整层，该源极层大致覆盖该第一沟槽的一侧壁，该导电层设置在该源极层上，该功函数调整层设置在该源极层与该导电层之间。9.如权利要求8所述的半导体元件结构，还包括：一第二字元线，埋置在一第二沟槽中，该第二沟槽是位在该半导体基底的该第二主动区中，该第二主动区是通过该绝缘组件而与该第一主动区分开设置，且该第二掺杂区位在邻近该第二字元线处；一低位面位元线，位在该第二掺杂区上；以及一第三气隙，位在邻近该低位面位元线处。
10.如权利要求9所述的半导体元件结构，还包括：一高位面位元线，位在该高位面位元线接触点上；以及一低位面位元线接触点，位在该低位面位元线与该第二掺杂区之间；其中该低位面位元线接触点的一高度是小于该高位面位元线接触点的一高度。11.如权利要求10所述的半导体元件结构，其中，该低位面位元线的一宽度是大于该低位面位元线接触点的一宽度。12.如权利要求10所述的半导体元件结构，其中，该高位面位元线的一宽度是大于该高位面位元线接触点的一宽度。13.如权利要求10所述的半导体元件结构，其中，该高位面位元线接触点的一高度是大致相同于该低位面位元线接触点与该低位面位元线的一总高度。14.如权利要求10所述的半导体元件结构，其中，该高位面位元线接触点的一上表面以及该低位面位元线的一上表面是大致在相同位面。15.如权利要求10所述的半导体元件结构，其中，该高位面位元线非对称地位在该高位面位元线接触点上。16.如权利要求8所述的半导体元件结构，其中，该下电极结构的一功函数是高于该上电极结构的一功函数。17.如权利要求8所述的半导体元件结构，其中，该功函数调整层共形地覆盖该源极层的一内侧壁。18.如权利要求8所述的半导体元件结构，其中，该源极层延伸在该下电极结构与该导电层之间，以覆盖该下电极结构的一上表面。19.如权利要求8所述的半导体元件结构，其中，该功函数调整层包含一金属或一金属氮化物，且其中该功函数调整元素包含镧。20.一种半导体元件结构的制备方法，包括：形成一第一金属栓塞、一第二金属栓塞、一第三金属栓塞以及一第四金属栓塞在一半导体基底上，其中该第一金属栓塞与该第二金属栓塞形成在该半导体基底的一图案密集区上，而该第三金属栓塞与该第四金属栓塞是在该半导体基底的一图案稀疏区上；形成一能量可移除层，以覆盖该第一金属栓塞、该第二金属栓塞、该第三金属栓塞以及该第四金属栓塞；执行一蚀刻制程，以从该基底移除该能量可移除层，同时余留一能量可移除区块在一单元区的该第一金属栓塞与该第二金属栓塞之间；形成一介电层，以覆盖该能量可移除区块以及该第一金属栓塞、该第二金属栓塞、该第三金属栓塞与该第四金属栓塞；以及执行一热处理制程，以转换该能量可移除层成为一气隙结构，该气隙结构包括一气隙，该气隙是被衬垫层所包围；其中该介电层的一第一部分延伸在该第一金属栓塞与该第二金属栓塞之间，以使该介电层的该第一部分与该半导体基底通过该气隙而分开设置，同时该介电层的一第二部分延伸在该第三金属栓塞与该第四金属栓塞之间，以使该介电层的该第二部分直接接触该半导体基底。

技术总结
本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包含半导体基底，具有图案密集区以及图案稀疏区；绝缘组件，界定出第一主动区以及第二主动区在图案密集区中；第一掺杂区以及第二掺杂区，位在第一主动区与第二主动区中；第一金属栓塞以及第二金属栓塞，第一金属栓塞设置在第一掺杂区上，第二金属栓塞设置在第二主动区中的第一掺杂区上；第三金属栓塞以及第四金属栓塞，设置在半导体基底的图案稀疏区上；以及介电层，设置在半导体基底的图案密集区与图案稀疏区上，介电层位在第一金属栓塞与第二金属栓塞之间的第一部分通过第一气隙与半导体基底分开设置，以及介电层位在第三金属栓塞与第四金属栓塞之间的第二部分直接接触半导体基底。分直接接触半导体基底。分直接接触半导体基底。


技术研发人员：蔡子敬
受保护的技术使用者：南亚科技股份有限公司
技术研发日：2021.05.10
技术公布日：2021/11/14