处理方法和基板处理装置与流程

技术特征：
1.一种基板的处理方法，包括以下工序：工序(a)，将在蚀刻对象膜之上具有掩膜的基板提供至载置台；工序(b)，利用包括第一气体和第二气体且所述第一气体相对于所述第二气体的流量比r1被进行了控制的处理气体的等离子体，来使沉积物沉积于所述掩膜；以及工序(c)，利用与所述处理气体为同一气体种类且所述第一气体相对于所述第二气体的流量比r2被控制为r2<r1的处理气体的等离子体，来去除所述掩膜的一部分和/或所述沉积物的一部分，其中，将所述工序(b)和所述工序(c)进行预先决定的次数，来将所述掩膜的图案的侧面的锥角控制为期望的角度。2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，在从所述工序(b)向所述工序(c)切换时以及从所述工序(c)向所述工序(b)切换时，维持所述等离子体。3.根据权利要求1或2所述的处理方法，其特征在于，在所述工序(b)中，使所述沉积物沉积，并使所述锥角增加，在所述工序(c)中，去除所述沉积物的一部分，并使所述锥角减少。4.根据权利要求3所述的处理方法，其特征在于，在将所述掩膜的初始状态的所述锥角设为θ0、将所述工序(b)和所述工序(c)重复预先决定的次数n、将所述次数为第n次的所述工序(b)的锥角的增加量设为δθ
d，n
、将所述次数为第n次的工序(c)的锥角的减少量设为δθ
t，n
时，式(1)成立，【数1】其中，n为1以上的整数，n≤n。5.根据权利要求4所述的处理方法，其特征在于，调整所述工序(b)和所述工序(c)的工艺条件，以使所述式(1)成立。6.根据权利要求5所述的处理方法，其特征在于，所述工艺条件为所述工序(b)和所述工序(c)的处理时间、所述工序(b)中的所述第一气体相对于所述第二气体的流量比以及所述工序(c)中的所述第一气体相对于所述第二气体的流量比中的至少一方。7.根据权利要求5或6所述的处理方法，其特征在于，在所述工序(b)和所述工序(c)中，除了所述第一气体相对于所述第二气体的流量比以外的所述工艺条件相同。8.根据权利要求1至7中的任一项所述的处理方法，其特征在于，所述第一气体包括用于生成能够通过等离子体来使所述沉积物沉积于所述蚀刻对象膜之上的前体的气体。9.根据权利要求1至8中的任一项所述的处理方法，其特征在于，所述第一气体包括碳氢化合物即ch气体、氢氟碳化合物即chf气体以及碳氟化合物即
cf气体中的至少一种。10.根据权利要求1至9中的任一项所述的处理方法，其特征在于，所述第二气体包括用于生成能够通过等离子体来去除沉积于所述蚀刻对象膜之上的所述沉积物的前体的气体。11.根据权利要求1至10中的任一项所述的处理方法，其特征在于，所述第二气体至少包括含氧气体。12.根据权利要求11所述的处理方法，其特征在于，所述含氧气体包括氧即o2气体、二氧化碳即co2气体、一氧化碳即co气体以及臭氧即o3气体中的至少一种。13.根据权利要求1至12中的任一项所述的处理方法，其特征在于，在进行所述工序(b)和所述工序(c)之前还具有工序(d)，在该工序(d)中，利用氢即h2气体的等离子体或溴化氢即hbr气体的等离子体来对所述掩膜进行处理。14.根据权利要求1至13中的任一项所述的处理方法，其特征在于，在将所述工序(b)和所述工序(c)进行了预先决定的次数之后还具有工序(e)，在该工序(e)中，经由所述掩膜对所述蚀刻对象膜进行蚀刻。15.根据权利要求1至14中的任一项所述的处理方法，其特征在于，在将所述工序(b)和所述工序(c)重复的次数为2以上的情况下，所述次数为第n次的第一工序和所述次数为第n 1次的所述第一工序的工艺条件相同。16.根据权利要求1至14中的任一项所述的处理方法，其特征在于，在将所述工序(b)和所述工序(c)重复的次数为2以上的情况下，所述次数为第n次的第一工序和所述次数为第n 1次的所述第一工序的工艺条件不同。17.根据权利要求1至16中的任一项所述的处理方法，其特征在于，在将所述工序(b)和所述工序(c)重复的次数为2以上的情况下，所述次数为第n次的第二工序和所述次数为第n 1次的第二工序的工艺条件相同。18.根据权利要求1至16中的任一项所述的处理方法，其特征在于，在将所述工序(b)和所述工序(c)重复的次数为2以上的情况下，所述次数为第n次的第二工序和所述次数为第n 1次的第二工序的工艺条件不同。19.一种基板处理装置，具有控制部和用于载置基板的载置台，其中，所述控制部使得进行以下工序：工序(a)，将在蚀刻对象膜之上具有掩膜的基板提供至载置台；工序(b)，利用包括第一气体和第二气体且所述第一气体相对于所述第二气体的流量比r1被进行了控制的处理气体的等离子体，来使沉积物沉积于所述掩膜；以及工序(c)，利用与所述处理气体为同一气体种类且所述第一气体相对于所述第二气体的流量比r2被控制为r2<r1的处理气体的等离子体，来去除所述掩膜的一部分和/或所述沉积物的一部分，所述控制部使所述工序(b)和所述工序(c)进行预先决定的次数，来将所述掩膜的图案的侧面的锥角控制为期望的角度。

技术总结
本发明提供一种基板的处理方法和基板处理装置，能够抑制掩模图案的偏差并且改善生产率。包括以下工序：工序(a)，将在蚀刻对象膜之上具有掩膜的基板提供至载置台；工序(b)，利用包括第一气体和第二气体且所述第一气体相对于所述第二气体的流量比(R1)被进行了控制的处理气体的等离子体，来使沉积物沉积于所述掩膜；以及工序(c)，利用与所述处理气体为同一气体种类且所述第一气体相对于所述第二气体的流量比(R2)被控制为R2<R1的处理气体的等离子体，来去除所述掩膜的一部分和/或所述沉积物的一部分，将所述(b)的工序和所述工序(c)进行预先决定的次数，来将所述掩膜的图案的侧面的锥角控制为期望的角度。锥角控制为期望的角度。锥角控制为期望的角度。


技术研发人员：德尾高宏 吉村正太 森北信也
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2021.04.19
技术公布日：2021/11/14