一种像素结构、显示面板及其制备方法、显示装置与流程

1.本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种像素结构、显示面板及其制备方法、显示装置。


背景技术：

2.oled(organic light emitting diode，有机发光二极管)显示装置由于具有自发光、无需背光模组、对比度及清晰度高、视角宽、全固化、适用于挠曲性面板、温度特性好、低功耗、响应速度快以及制造成本低等一系列优异特性，已经成为新一代平面显示装置的重点发展方向之一，因此日益受到越来越多的关注。
3.尽管oled显示装置的制造技术已较为成熟，但是，oled显示的色域范围较小，成为制约其走向更大范围应用和提高竞争力的一个关键因素。


技术实现要素：

4.本发明提供一种像素结构、显示面板及其制备方法、显示装置，以解决现有的oled显示装置的色域范围较小的问题。
5.为了解决上述问题，本发明公开了一种第一像素结构，包括：
6.第一像素界定层，设置在基板上，所述基板包括第一阳极层和电极引线，所述第一像素界定层上设置有露出所述第一阳极层的第一像素开口和露出所述电极引线的凹槽，所述凹槽环绕所述第一像素开口；
7.阻断层，部分覆盖所述第一像素界定层，所述阻断层环绕所述凹槽；
8.第一发光器件膜层，设置在所述第一像素开口中；
9.电极层，覆盖所述第一发光器件膜层，且通过所述第一像素界定层上的所述凹槽与所述电极引线连接；
10.第二发光器件膜层，设置在所述电极层上，所述第二发光器件膜层与所述第一发光器件膜层的发光颜色不同，所述阻断层环绕所述第一发光器件膜层、所述电极层及所述第二发光器件膜层；
11.第一阴极层，覆盖所述第二发光器件膜层。
12.可选地，所述阻断层靠近所述凹槽一侧的第一坡度角大于或等于90
°
，且小于或等于145
°
。
13.可选地，所述阻断层包括叠层设置的第一阻断部和第二阻断部，所述第一阻断部靠近所述第一像素界定层设置，所述第二阻断部靠近所述凹槽的一侧超出所述第一阻断部。
14.可选地，在所述第一像素结构的叠层方向上，所述阻断层的高度大于或等于0.1μm，且小于或等于0.5μm。
15.可选地，所述电极层包括叠层设置的第一介质电极层、金属电极层和第二介质电极层，所述第一介质电极层靠近所述第一发光器件膜层设置。
16.为了解决上述问题，本发明还公开了一种显示面板，包括上述的第一像素结构。
17.可选地，所述显示面板还包括与所述第一像素结构相邻的第二像素结构，所述第二像素结构包括：
18.第二像素界定层，设置在所述基板上，所述第二像素界定层与所述第一像素界定层同层设置，所述基板还包括第二阳极层，所述第二像素界定层上设置有露出所述第二阳极层的第二像素开口；
19.第三发光器件膜层，设置在所述第二像素开口中，所述第三发光器件膜层与所述第一发光器件膜层同层设置；
20.第二阴极层，覆盖所述第三发光器件膜层，所述第二阴极层与所述电极层同层设置，所述第一阴极层与所述第二阴极层连接。
21.可选地，所述第二像素结构还包括：
22.有机拓扑绝缘层，部分覆盖所述第二阴极层，所述第二阴极层靠近所述第一像素结构的一部分露出所述有机拓扑绝缘层，所述第一阴极层覆盖所述第二阴极层露出所述有机拓扑绝缘层的部分。
23.可选地，所述阻断层远离所述凹槽一侧的第二坡度角大于或等于10
°
，且小于或等于80
°
。
24.可选地，所述显示面板还包括：
25.光取出层，覆盖所述第一像素结构和所述第二像素结构；
26.封装层，覆盖所述光取出层。
27.可选地，不同的所述第三发光器件膜层的发光颜色包括至少一种，所述第三发光器件膜层与所述第一发光器件膜层及所述第二发光器件膜层的发光颜色均不同。
28.为了解决上述问题，本发明还公开了一种显示面板的制备方法，所述方法包括：
29.提供基板；所述基板包括第一阳极层和电极引线；
30.在所述基板上形成第一像素界定层；所述第一像素界定层上设置有露出所述第一阳极层的第一像素开口；
31.在所述第一像素界定层上形成露出所述电极引线的凹槽；所述凹槽环绕所述第一像素开口；
32.在所述第一像素界定层上形成阻断层；所述阻断层部分覆盖所述第一像素界定层，所述阻断层环绕所述凹槽；
33.在所述第一像素开口中形成第一发光器件膜层；
34.形成电极层；所述电极层覆盖所述第一发光器件膜层，且通过所述第一像素界定层上的所述凹槽与所述电极引线连接；
35.在所述电极层上形成第二发光器件膜层；所述第二发光器件膜层与所述第一发光器件膜层的发光颜色不同，所述阻断层环绕所述第一发光器件膜层、所述电极层及所述第二发光器件膜层；
36.形成第一阴极层；所述第一阴极层覆盖所述第二发光器件膜层。
37.可选地，所述基板还包括第二阳极层，所述在所述基板上形成第一像素界定层，包括：在所述基板上同层形成第一像素界定层和第二像素界定层；所述第二像素界定层上设置有露出所述第二阳极层的第二像素开口；
38.所述形成电极层之前，还包括：在所述第二像素开口中形成第三发光器件膜层；所述第三发光器件膜层与所述第一发光器件膜层同层设置；
39.所述形成电极层，包括：形成电极材料层，所述电极材料层在所述阻断层处断裂，形成同层的所述电极层和所述第二阴极层；所述第二阴极层覆盖所述第三发光器件膜层；
40.在所述电极层上形成第二发光器件膜层之后，还包括：形成有机拓扑绝缘层；所述有机拓扑绝缘层部分覆盖所述第二阴极层，所述第二阴极层靠近所述第一像素结构的一部分露出所述有机拓扑绝缘层；所述第一阴极层覆盖所述第二阴极层露出所述有机拓扑绝缘层的部分。
41.可选地，所述在所述第一像素界定层上形成阻断层，包括：
42.通过掩膜版，在所述第一像素界定层上形成阻断基层；
43.对所述阻断基层靠近所述凹槽的一侧进行刻蚀，以使所述阻断基层靠近所述凹槽的一侧具有第一坡度角；
44.对所述阻断基层远离所述凹槽的一侧进行刻蚀，以使所述阻断基层远离所述凹槽的一侧具有第二坡度角。
45.可选地，所述在所述第一像素界定层上形成阻断层，包括：
46.通过掩膜版，在所述第一像素界定层上形成第一阻断基层；
47.通过所述掩膜版，在所述第一阻断基层上形成第二阻断基层；
48.通过第一刻蚀气体，对所述第二阻断基层靠近所述凹槽的一侧进行刻蚀，得到第二阻断部；
49.通过第二刻蚀气体，对所述第一阻断基层靠近所述凹槽的一侧进行刻蚀，得到第一阻断部；所述第二刻蚀气体与所述第一刻蚀气体不同，所述第二阻断部靠近所述凹槽的一侧超出所述第一阻断部靠近所述凹槽的一侧；
50.对所述第一阻断基层和所述第二阻断基层远离所述凹槽的一侧进行刻蚀，以使所述第一阻断基层和所述第二阻断基层远离所述凹槽的一侧具有第二坡度角。
51.为了解决上述问题，本发明还公开了一种显示装置，包括上述显示面板。
52.与现有技术相比，本发明包括以下优点：
53.在本发明实施例中，在第一像素结构中，发光颜色不同的第一发光器件膜层与第二发光器件膜层可以叠层设置，二者之间的电极层可同时作为第一发光器件膜层的阴极，以及第二发光器件膜层的阳极，并通过阻断层将不同像素结构的电极层进行分隔，从而实现第二发光器件膜层阳极的单独控制，如此，第一发光器件膜层和第二发光器件膜层均可独立工作。在应用时，可以根据色域需要，选取不同的发光材料分别制作第一发光器件膜层和第二发光器件膜层中的发光层，如此，第一发光器件膜层和第二发光器件膜层所混合叠加的发光颜色不同于单独发光器件的发光颜色，从而可以扩展显示装置的色域，且无需对显示装置的各个像素结构进行重新排布。
附图说明
54.图1示出了本发明实施例一的一种第一像素结构的截面图；
55.图2示出了本发明实施例一的另一种第一像素结构的截面图；
56.图3示出了本发明实施例一的又一种第一像素结构的截面图；
57.图4示出了本发明实施例一的再一种第一像素结构的截面图；
58.图5示出了本发明实施例二的一种显示面板的截面图；
59.图6示出了本发明实施例二的另一种显示面板的截面图；
60.图7示出了本发明实施例二的又一种显示面板的截面图；
61.图8示出了本发明实施例二的再一种显示面板的截面图；
62.图9示出了本发明实施例二的一种发光器件的俯视排布图；
63.图10示出了本发明实施例二的一种发光器件的截面排布图；
64.图11示出了本发明实施例二的一种发光器件串联示意图；
65.图12示出了本发明实施例二的一种显示面板的色域分布图；
66.图13示出了本发明实施例三的一种显示面板的制备方法的步骤流程图；
67.图14示出了本发明实施例三的一种基板的示意图；
68.图15示出了本发明实施例三的一种形成第一像素界定层和第二像素界定层后的显示面板示意图；
69.图16示出了本发明实施例三的一种形成凹槽后的显示面板示意图；
70.图17示出了本发明实施例三的一种形成阻断层坡度角后的显示面板示意图；
71.图18示出了本发明实施例三的一种形成第一发光器件膜层和第三发光器件膜层后的显示面板示意图；
72.图19示出了本发明实施例三的一种形成电极层和第二阴极层后的显示面板示意图；
73.图20示出了本发明实施例三的一种形成第二发光器件膜层后的显示面板示意图；
74.图21示出了本发明实施例三的一种形成有机拓扑绝缘层后的显示面板示意图；
75.图22示出了本发明实施例三的一种形成第一阴极层后的显示面板示意图；
76.图23示出了本发明实施例三的一种形成光取出层和封装层后的显示面板示意图。
具体实施方式
77.为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
78.实施例一
79.图1示出了本发明实施例一的一种第一像素结构的截面图，图2示出了本发明实施例一的另一种第一像素结构的截面图，参照图1和图2，第一像素结构包括：
80.第一像素界定层20，设置在基板10上，基板10包括第一阳极层11和电极引线12，第一像素界定层20上设置有露出第一阳极层11的第一像素开口21和露出电极引线12的凹槽22，凹槽22环绕第一像素开口21；
81.阻断层30，部分覆盖第一像素界定层20，阻断层30环绕凹槽22；
82.第一发光器件膜层40，设置在第一像素开口21中；
83.电极层50，覆盖第一发光器件膜层40，且通过第一像素界定层20上的凹槽11与电极引线12连接；
84.第二发光器件膜层60，设置在电极层50上，第二发光器件膜层60与第一发光器件膜层40的发光颜色不同，阻断层30环绕第一发光器件膜层40、电极层50及第二发光器件膜
层60；
85.第一阴极层70，覆盖第二发光器件膜层60。
86.其中，第一发光器件膜层40通常包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等，当然，在一些实施方式中，还可以包括电子阻挡层、空穴阻挡层等，本发明实施例对此不作具体限定。第二发光器件膜层60也具有与第一发光器件膜层40类似的膜层。
87.第一阴极层70可选自mg、ag和al中的至少一种。
88.在本发明实施例中，第一发光器件膜层40也即第一发光器件，第二发光器件膜层60也即第二发光器件，发光颜色不同的第一发光器件与第二发光器件可以叠层设置，第一发光器件与第二发光器件之间的电极层50，可同时作为第一发光器件的阴极，以及第二发光器件的阳极，并通过阻断层30将不同像素结构的电极层进行分隔，从而实现第二发光器件的阳极的单独控制，如此，第一发光器件和第二发光器件均可独立工作。在应用时，可以根据色域需要，选取不同的发光材料分别制作第一发光器件和第二发光器件中的发光层，如此，第一发光器件和第二发光器件所混合叠加的发光颜色不同于单独发光器件的发光颜色，从而可以扩展显示装置的色域，且无需对显示装置的各个像素结构进行重新排布。
89.电极引线12用于向电极层50输入控制信号，以实现第一发光器件和第二发光器件的发光控制。可选地，电极引线12可以为金属引线。其中，在一种可选的具体方案中，电极引线12可以与第一阳极层11同层设置，如此，电极引线12与第一像素界定层20之间的其他层则无需挖槽。当然，电极引线12也可以不与第一阳极层11同层设置，而与基板10中的其他层同层设置，例如源漏极走线层等，本发明实施例对此不作具体限定。
90.在本发明实施例中，阻断层30可以使电极材料层形成在其上时，在阻断层30的边缘处因段差而产生断裂，从而对电极材料层进行分隔，如此，通过一次电极材料层的形成工艺，即可同时得到第一像素结构中的电极层50，以及其他像素结构中同层的电极层。由于第二发光器件膜层60需要单独进行控制，且电极层50同时作为第二发光器件膜层60的阳极，因此，通过设置阻断层30，可实现第二发光器件膜层60的阳极的图案化，从而可实现第二发光器件膜层60的单独控制。
91.在一种可选的实现方式中，参照图1，阻断层30靠近凹槽22一侧的第一坡度角α大于或等于10
°
，且小于或等于80
°
。如此，阻断层30靠近凹槽22一侧的边缘处将形成台阶状，从而有利于电极层50在此处断开。
92.可选地，阻断层30可以选用氧化硅、氧化铝、氧化钛、氮化硅中的任一种。
93.在另一种可选的实现方式中，参照图2，阻断层30包括叠层设置的第一阻断部31和第二阻断部32，第一阻断部31靠近第一像素界定层20设置，第二阻断部32靠近凹槽22的一侧超出第一阻断部31。靠上的第二阻断部32靠近凹槽22的一侧超出靠下的第一阻断部31，从而可以在阻断层30靠近凹槽22一侧的位置形成台阶状，从而有利于电极层50在此处断开。
94.可选地，第一阻断部31可以选用氧化硅、氧化铝、氧化钛中的任一种，第二阻断部32可以选用氮化硅。
95.另外，对于显示面板中任意相邻的两个像素结构，当这两个像素结构均为上述的第一像素结构时，阻断层30远离凹槽22一侧的形状也可以是上述两种实现方式中的任一
种。位于相邻的第一像素结构之间的阻断层部分可以共用，在这种情况下，由于阻断层30远离其中一个第一像素结构的凹槽22的一侧，也即是阻断层30靠近另一个第一像素结构的凹槽22的一侧，因此，对于相邻的两个第一像素结构，阻断层30两侧的形状可以相同，相应的，阻断层30的截面呈倒梯形(如图3)或t形(如图4)。
96.而当这两个像素结构中只有其中一个为上述的第一像素结构时，阻断层30远离凹槽22一侧则可以设置为斜坡状，阻断层30远离凹槽22一侧的第二坡度角β可以大于或等于10
°
，且小于或等于80
°
。如此，另一像素结构中的一些膜层可以沿阻断层30远离凹槽22的一侧进行爬坡，有利于不同像素结构之间的膜层搭接。
97.还可选地，在第一像素结构的叠层方向上，阻断层30的高度大于或等于0.1μm，且小于或等于0.5μm。
98.另外，还可选地，电极层50包括叠层设置的第一介质电极层、金属电极层和第二介质电极层，第一介质电极层靠近第一发光器件膜层40设置。其中，电极层50采用介质/金属/介质(dmd)复合结构，可以获得较好的光学特性和电学特。
99.进一步可选地，第一介质电极层和第二介质电极层可分别独立地选自moo3、zno和zns中的任一种，金属电极层可选自mg、ag和al中的至少一种。在一种具体的示例中，电极层50可以包括叠层设置的moo3层、mgag复合金属层和moo3层。
100.可选地，在电极层50的叠层方向上，电极层50的厚度大于或等于且小于或等于其中，具体可选地，在电极层50的叠层方向上，第一介质电极层的厚度可以大于或等于且小于或等于金属电极层的厚度可以大于或等于且小于或等于第二介质电极层的厚度可以大于或等于且小于或等于在实际应用中，电极层50的厚度可以根据需要调整。
101.此外，电极层50还需具有一定的透过率，以保证第一像素结构的出光率。
102.另外，还可选地，凹槽22为至少一个。当凹槽22为两个以上时，各个凹槽22为同心设置，各个凹槽22的几何中心均为第一像素结构的几何中心。
103.可选地，凹槽22的宽度大于或等于1μm，且小于或等于10μm。
104.在本发明实施例中，在第一像素结构中，发光颜色不同的第一发光器件膜层与第二发光器件膜层可以叠层设置，电极层可同时作为第一发光器件膜层的阴极，以及第二发光器件膜层的阳极，并通过阻断层将不同像素结构的电极层进行分隔，从而实现第二发光器件膜层阳极的单独控制，如此，第一发光器件膜层和第二发光器件膜层均可独立工作。在应用时，可以根据色域需要，选取不同的发光材料分别制作第一发光器件膜层和第二发光器件膜层中的发光层，如此，第一发光器件膜层和第二发光器件膜层所混合叠加的发光颜色不同于单独发光器件的发光颜色，从而可以扩展显示装置的色域，且无需对显示装置的各个像素结构进行重新排布。
105.实施例二
106.图5示出了本发明实施例二的一种显示面板的截面图，图6示出了本发明实施例二的另一种显示面板的截面图，参照图5和图6，显示面板包括上述的第一像素结构100。
107.在该显示面板中，位于相邻的第一像素结构100之间的阻断层部分可以共用，阻断层30的截面可以呈倒梯形(如图5)或t形(如图6)。不同第一像素结构100中的第一发光器件
膜层40的发光颜色可以不同，不同第一像素结构100中的第二发光器件膜层60的发光颜色也可以不同。
108.在本发明实施例中，显示面板中的像素结构可以均为第一像素结构100，也即显示面板中的每个像素结构都包括叠层设置的两个发光器件，其中一个可以提供基础的发光颜色，例如红、绿、蓝，另一个可以提供辅助的发光颜色，例如黄、青、紫，用于提升显示面板的色域。当然，也可以只是显示面板中的一部分像素结构为第一像素结构100。
109.图7示出了本发明实施例二的又一种显示面板的截面图，图8示出了本发明实施例二的再一种显示面板的截面图，可选地，参照图7和图8，显示面板还包括与第一像素结构100相邻的第二像素结构200(需要说明的是，在图7
‑
8中，与最右侧的第二像素结构200相邻的第一像素结构未示出)，第二像素结构200包括：
110.第二像素界定层80，设置在基板10上，第二像素界定层80与第一像素界定层20同层设置，基板10还包括第二阳极层13，第二像素界定层80上设置有露出第二阳极层13的第二像素开口81；
111.第三发光器件膜层90，设置在第二像素开口81中，第三发光器件膜层90与第一发光器件膜层40同层设置；
112.第二阴极层110，覆盖第三发光器件膜层90，第二阴极层110与电极层50同层设置，第一阴极层70与第二阴极层110连接。
113.其中，第二阴极层110可选自mg、ag和al中的至少一种。
114.在该显示面板中，除第一像素结构100之外，还可以包括仅有一个发光器件的第二像素结构200。其中，第一像素结构100的第一阴极层70可以与第二像素结构200的第二阴极层110连接，如此，第一阴极层70和第二阴极层110可以通过同一控制信号进行控制。电极层50则通过另外的控制信号进行控制。在实际应用中，保证电极层50与第一阳极层11(第一发光器件膜层40的阴阳极)之间的电压差、第一阴极层70与电极层50(第二发光器件膜层60的阴阳极)之间电压差，以及第二阴极层110与第二阳极层13(第三发光器件膜层90的阴阳极)之间的电压差相同即可。
115.可以理解的是，在实际制备过程中，相邻的第二像素界定层80与第一像素界定层20可以一体成型，参照图5至图8。
116.可选地，第二像素结构200还包括：
117.有机拓扑绝缘层120，部分覆盖第二阴极层110，第二阴极层110靠近第一像素结构100的一部分露出有机拓扑绝缘层120，第一阴极层70覆盖第二阴极层110露出有机拓扑绝缘层120的部分。
118.其中，有机拓扑绝缘层120的表面不利于阴极层材料的沉积，因此，在形成第一像素结构100的第二阴极层110时，有机拓扑绝缘层120的存在可以避免在第二像素结构200中多形成一层阴极层，如此，避免了第二像素结构200的透过率降低。有机拓扑绝缘层120位于第一像素结构之外，也即是通过有机拓扑绝缘层120，可以实现第二阴极层110的图案化。
119.此外，有机拓扑绝缘层120也具有一定的透过率，可以满足显示面板的出光率需要。
120.进一步地，当于第一像素结构100相邻的像素结构均为第二像素结构200时，可选地，参照图7和图8，在第一像素结构100中，阻断层30远离凹槽22一侧的第二坡度角β大于或
等于10
°
，且小于或等于80
°
。阻断层30远离凹槽22一侧，也即靠近第二像素结构200的一侧，可以设置为斜坡状，如此，第二像素结构200中的第二阴极层110可以沿阻断层30远离凹槽22的一侧进行爬坡，进而第一像素结构100中的第一阴极层70可以与爬坡的第二阴极层110搭接，这样，第一阴极层70和第二阴极层110便可以通过同一控制信号进行控制。
121.还可选地，参照图5至图8，显示面板还包括：
122.光取出层130，覆盖第一像素结构100和第二像素结构200；
123.封装层140，覆盖光取出层130。
124.其中，光取出层130采用高折射率材料，可提高显示面板的光取出率。
125.可选地，不同的第三发光器件膜层90的发光颜色包括至少一种，第三发光器件膜层90与第一发光器件膜层40及第二发光器件膜层60的发光颜色均不同。
126.可选地，在一种示例中，第一发光器件膜层40的发光颜色为绿色和青色中的一者，第二发光器件膜层60的发光颜色为绿色和青色中的另一者，一部分第三发光器件膜层90的发光颜色为红色，另一部分第三发光器件膜层90的发光颜色为蓝色。
127.在该示例中，只有绿色子像素中，叠层设置了绿色发光器件和青色发光器件，而红色子像素中只包括红色发光器件，蓝色子像素中只包括蓝色发光器件，红色、蓝色、绿色发光器件的俯视排布图如图9所示，红色、蓝色、绿色、青色发光器件的截面排布图如图10所示，绿色、青色发光器件串联示意图参照图11。图12示出了一种显示面板的色域分布图，图12中的实线三角区域abc为目前常见的显示面板的色域分布，而通过叠层设置绿色发光器件和青色发光器件，可使显示面板的色域扩展为区域abcd，从而提升了显示面板的色域性能。
128.在本发明实施例中，可选地，显示面板可以为oled显示面板、mini
‑
led显示面板、micro
‑
led显示面板等，本发明实施例对此不作具体限定。
129.此外，在实际应用中，出于提升色域的需求，用于提升色域的第二发光器件膜层60还可以与第一发光器件膜层40及第三发光器件膜层90排布在同一平面，例如，可以在同一平面上排布红色、蓝色、绿色、青色子像素。
130.在本发明实施例中，在第一像素结构中，发光颜色不同的第一发光器件膜层与第二发光器件膜层可以叠层设置，二者之间的电极层可同时作为第一发光器件膜层的阴极，以及第二发光器件膜层的阳极，并通过阻断层将不同像素结构的电极层进行分隔，从而实现第二发光器件膜层阳极的单独控制，如此，第一发光器件膜层和第二发光器件膜层均可独立工作。在应用时，可以根据色域需要，选取不同的发光材料分别制作第一发光器件膜层和第二发光器件膜层中的发光层，如此，第一发光器件膜层和第二发光器件膜层所混合叠加的发光颜色不同于单独发光器件的发光颜色，从而可以扩展显示装置的色域，且无需对显示装置的各个像素结构进行重新排布。
131.实施例三
132.参照图13，示出了本发明实施例三的一种显示面板的制备方法的步骤流程图，该制备方法包括以下步骤：
133.步骤1301：提供基板10；基板10包括第一阳极层11和电极引线12。
134.可选地，基板10还包括第二阳极层13，如图14所示，基板10上还设置有tft阵列(图示中未示出)。
135.步骤1302：在基板10上形成第一像素界定层20；第一像素界定层20上设置有露出第一阳极层11的第一像素开口21。
136.可选地，步骤1302具体包括：在基板10上同层形成第一像素界定层20和第二像素界定层80；第二像素界定层80上形成有露出第二阳极层13的第二像素开口81，如图15所示。
137.其中，第一像素界定层20和第二像素界定层80可以通过掩膜版制作。
138.步骤1303：在第一像素界定层20上形成露出电极引线12的凹槽22；凹槽22环绕第一像素开口21。
139.其中，凹槽22可以通过掩膜版制作，形成凹槽22后的显示面板如图16所示。
140.步骤1304：在第一像素界定层20上形成阻断层30；阻断层30部分覆盖第一像素界定层20，阻断层30环绕凹槽22。
141.在一种可选的实现方式中，步骤1304具体包括：
142.通过掩膜版，在第一像素界定层20上形成阻断基层；
143.对阻断基层靠近凹槽22的一侧进行刻蚀，以使阻断基层靠近凹槽22的一侧具有第一坡度角α；
144.对阻断基层远离凹槽的一侧进行刻蚀，以使阻断基层远离凹槽的一侧具有第二坡度角β。
145.其中，可以分两次刻蚀步骤，分别对阻断基层靠近凹槽22的一侧，以及阻断基层远离凹槽的一侧进行刻蚀，从而对阻断基层的两侧分别刻蚀得到各自的坡度角，如图17所示。可选地，这两次刻蚀步骤具体可以是干法刻蚀。此外，本发明实施例对于这两次刻蚀步骤的执行顺序不作限定。
146.在另一种可选的实现方式中，步骤1304具体包括：
147.通过掩膜版，在第一像素界定层上形成第一阻断基层；
148.通过掩膜版，在第一阻断基层上形成第二阻断基层；
149.通过第一刻蚀气体，对第二阻断基层靠近凹槽的一侧进行刻蚀，得到第二阻断部32；
150.通过第二刻蚀气体，对第一阻断基层靠近凹槽的一侧进行刻蚀，得到第一阻断部；第二刻蚀气体与第一刻蚀气体不同，第二阻断部靠近凹槽的一侧超出第一阻断部31；
151.对第一阻断基层和第二阻断基层远离凹槽的一侧进行刻蚀，以使第一阻断基层和第二阻断基层远离凹槽的一侧具有第二坡度角β。
152.其中，第一阻断基层和第二阻断基层可以采用不同的材料，进而可以通过不同的刻蚀气体，分别对第二阻断基层及第一阻断基层靠近凹槽22的一侧，以及第二阻断基层及第一阻断基层远离凹槽22的一侧进行刻蚀，从而得到第二阻断部32靠近凹槽22的一侧超出第一阻断部31的形貌。
153.可选地，分别对阻断层30两侧的两次刻蚀步骤具体可以是干法刻蚀。此外，本发明实施例对于这两次刻蚀步骤的执行顺序不作限定。
154.步骤1305：在第一像素开口21中形成第一发光器件膜层40。
155.可选地，在步骤1306之前，还包括：在第二像素开口81中形成第三发光器件膜层90；第三发光器件膜层90与第一发光器件膜层40同层设置。
156.其中，可以将步骤1304得到的显示面板放入蒸镀腔体，进行发光器件的蒸镀。具体
地，可以通过fmm(fine metal mask，精细金属掩模版)，在第一像素开口21中蒸镀得到第一发光器件膜层40，以及在第二像素开口81中蒸镀得到第三发光器件膜层90，如图18所示。其中，同一发光颜色的发光器件膜层通过fmm一次蒸镀成型，不同发光颜色的发光器件膜层通过fmm分别蒸镀成型，蒸镀顺序不作限定。
157.步骤1306：形成电极层50；电极层50覆盖第一发光器件膜层40，且通过第一像素界定层20上的凹槽22与电极引线12连接。
158.可选地，步骤1306具体包括：形成电极材料层，电极材料层在阻断层30处断裂，形成同层的电极层50和第二阴极层110；第二阴极层110覆盖第三发光器件膜层90。
159.其中，阻断层30可以与其他膜层产生一定的段差，从而当电极材料层形成在其上时，电极材料层会在阻断层30靠近凹槽22一侧的边缘处产生断裂，从而分隔为同层的电极层50(属于第一像素结构)和第二阴极层110(属于第二像素结构)，如图19所示。如此，第一像素结构中的电极层50作为发光器件的阳极时，能够实现单独控制。
160.可选地，电极层50和第二阴极层110可以采用open mask(开放式掩膜版)进行制作。
161.在一种示例中，对于moo3/mgag/moo3的复合电极材料层，首先可以蒸镀moo3层，然后共蒸法蒸镀mgag复合层，之后再蒸镀moo3层。可以理解的是，对于介质/金属/介质的复合结构的电极层50和第二阴极层110，均可以采用上述示例中的方法制备。
162.步骤1307：在电极层50上形成第二发光器件膜层60；第二发光器件膜层60与第一发光器件膜层40的发光颜色不同，阻断层30环绕第一发光器件膜层40、电极层50及第二发光器件膜层60。
163.其中，可以在蒸镀腔体中，通过fmm在电极层50上进行第二发光器件膜层60的蒸镀，使第二发光器件膜层60形成在阻断层30所环绕的范围以内，如图20所示。
164.当显示面板中的像素结构均为第一像素结构时，继续执行步骤1308。
165.当显示面板中的像素结构还包括第二像素结构时，可选地，在步骤1307之后，还包括：形成有机拓扑绝缘层120；有机拓扑绝缘层120部分覆盖第二阴极层110，第二阴极层110靠近第一像素结构的一部分露出有机拓扑绝缘层120。
166.其中，可以通过fmm，在第二像素结构的第二阴极层110上蒸镀形成有机拓扑绝缘层120，如图21所示。
167.需要说明的是，相邻的第二像素结构的有机拓扑绝缘层120可以是一体结构，当然，也可以是通过掩膜版制备而成的独立结构，在本发明实施例中，保证有机拓扑绝缘层120覆盖第二像素结构的出光区域，且能够使第二阴极层110部分露出即可。
168.在一种可选方案中，形成有机拓扑绝缘层120所需的fmm的开孔可以小于形成发光器件所需的fmm的开孔，也即使有机拓扑绝缘层120的面积小于发光器件膜层的面积，如此，不同第二像素结构的有机拓扑绝缘层120为独立结构，且能够保证有机拓扑绝缘层120的边缘相对于第二阴极层110内缩，保证第二阴极层110部分露出。在具体应用时，有机拓扑绝缘层120的边缘相对于第二阴极层110可以内缩0.1
‑
20μm，在一示例中，可以内缩5μm。
169.步骤1308：形成第一阴极层70；第一阴极层70覆盖第二发光器件膜层60。
170.当显示面板中的像素结构均为第一像素结构时，参照图5和图6，可以整层蒸镀第一阴极层70。
171.当显示面板中的像素结构还包括第二像素结构时，可以采用open mask蒸镀第一阴极层70，第一阴极层70覆盖第二阴极层110露出有机拓扑绝缘层120的部分，从而使第一阴极层70与第二阴极层110相连接，如图22所示。第一阴极层70只在有机拓扑绝缘层120之外的区域成膜，从而避免了第二像素结构的透过率降低。
172.形成第一阴极层70之后，可整层制备光取出层130，然后在光取出层130上整层制备封装层140，如图23所示。
173.在本发明实施例中，在显示面板中，发光颜色不同的第一发光器件膜层与第二发光器件膜层可以叠层设置，二者之间形成的电极层可同时作为第一发光器件膜层的阴极，以及第二发光器件膜层的阳极，并通过阻断层将不同像素结构的电极层进行分隔，从而实现第二发光器件膜层阳极的单独控制，如此，第一发光器件膜层和第二发光器件膜层均可独立工作。在应用时，可以根据色域需要，选取不同的发光材料分别制作第一发光器件膜层和第二发光器件膜层中的发光层，如此，第一发光器件膜层和第二发光器件膜层所混合叠加的发光颜色不同于单独发光器件的发光颜色，从而可以扩展显示装置的色域，且无需对显示装置的各个像素结构进行重新排布。
174.实施例四
175.本发明实施例还公开了一种显示装置，包括上述显示面板。
176.在本发明实施例中，在显示面板中，发光颜色不同的第一发光器件膜层与第二发光器件膜层可以叠层设置，二者之间的电极层可同时作为第一发光器件膜层的阴极，以及第二发光器件膜层的阳极，并通过阻断层将不同像素结构的电极层进行分隔，从而实现第二发光器件膜层阳极的单独控制，如此，第一发光器件膜层和第二发光器件膜层均可独立工作。在应用时，可以根据色域需要，选取不同的发光材料分别制作第一发光器件膜层和第二发光器件膜层中的发光层，如此，第一发光器件膜层和第二发光器件膜层所混合叠加的发光颜色不同于单独发光器件的发光颜色，从而可以扩展显示装置的色域，且无需对显示装置的各个像素结构进行重新排布。
177.对于前述的各方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本发明所必须的。
178.本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
179.最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
180.以上对本发明所提供的一种像素结构、显示面板及其制备方法、显示装置，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的
说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。