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有机发光二极管显示装置的制作方法

2021-11-15 17:42:00 来源:中国专利 TAG:

有机发光二极管显示装置
1.本技术要求于2020年4月27日在韩国知识产权局提交的第10

2020

0050863号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
2.本公开的一些示例实施例的方面涉及一种有机发光二极管(oled)显示器。


背景技术:

3.显示装置是能够显示图像(例如,静态图像或视频图像)的装置,并且最近,有机发光二极管(oled)显示器已经在消费者市场中引起关注。
4.有机发光二极管显示器通常具有自发光特性,并且因为有机发光二极管显示器不使用单独的光源(例如,背光),所以与液晶显示装置不同,有机发光二极管显示器可以具有相对小的厚度和重量。此外,有机发光二极管显示器表现出高质量特性(诸如,低功耗、高亮度、高响应速度等)。
5.因为有机发光二极管显示器通过自身发射光,所以每个像素的有机发光二极管可以单独地发射光。为此,可以包括光发射信号发生器,并且光发射信号被传输到每个像素,使得有机发光二极管可以发射光。
6.在这种情况下,输入到光发射信号发生器的信号或从光发射信号发生器输出的信号可能受到施加到相邻光发射信号发生器的信号的干扰,从而导致信号改变。
7.在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对背景技术的理解,因此在该背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。


技术实现要素:

8.本公开的一些示例实施例的方面涉及一种有机发光二极管(oled)显示器,例如,涉及一种包括光发射信号发生器的有机发光二极管显示器。
9.一些示例实施例的方面可以减少由于输入到相邻光发射信号发生器和从相邻光发射信号发生器输出的信号的干扰而引起的信号改变。
10.根据本发明的实施例的特征不限于上述特征,并且可以在不脱离根据本发明的实施例的精神和范围的范围内进行各种扩展。
11.根据一些示例实施例的有机发光二极管(oled)显示器包括:显示区域,通过接收光发射信号来发射光并且包括多个像素行;光发射信号发生器,位于显示区域的外围,并且包括连接到所述多个像素行的多个光发射信号级;以及第一高电压传输线和第二高电压传输线,连接到光发射信号发生器,其中,第一高电压传输线可以连接到所述多个光发射信号级之中的多个奇数编号的光发射信号级,并且第二高电压传输线可以连接到所述多个光发射信号级之中的多个偶数编号的光发射信号级。
12.根据一些示例性实施例,第一高电压传输线和第二高电压传输线可以彼此绝缘。
13.根据一些示例实施例,所述多个光发射信号级顺序地布置,并且包括被顺序地施
加高电压的第一光发射信号级、第二光发射信号级、第三光发射信号级、第四光发射信号级和第五光发射信号级,第一光发射信号级、第三光发射信号级和第五光发射信号级可以从第一高电压传输线接收第一高电压。并且第二光发射信号级和第四光发射信号级可以从第二高电压传输线接收第二高电压。
14.根据一些示例实施例,第一光发射信号级、第三光发射信号级和第五光发射信号级可以以四个水平时段为间隔顺序地接收第一高电压,并且第二光发射信号级和第四光发射信号级可以以四个水平时段为间隔顺序地接收第二高电压。
15.根据一些示例实施例,oled显示器还可以包括在显示区域与光发射信号发生器之间的扫描信号发生器。
16.根据一些示例实施例,可以在四个水平时段的后两个水平时段期间施加前一级扫描信号。
17.根据一些示例实施例,所述多个光发射信号级中的每个光发射信号级可以包括接收两个时钟信号的第一时钟输入端子和第二时钟输入端子、从前一级的光发射信号级接收光发射信号的控制端子以及输出光发射信号的输出端子,所述多个光发射信号级中的每个光发射信号级可以包括高电平输出部分和低电平输出部分。高电平输出部分可以将高电压输出到输出端子,并且低电平输出部分可以将低电压输出到输出端子。
18.根据一些示例实施例,所述多个光发射信号级中的每个光发射信号级可以连接到所述多个像素行之中的两个像素行,并且可以将光发射信号施加到所述多个像素行。
19.根据一些示例实施例,所述多个像素行可以包括顺序地布置的第一像素行、第二像素行、第三像素行、第四像素行、第五像素行、第六像素行、第七像素行和第八像素行,所述多个光发射信号级可以包括顺序地布置的第一光发射信号级、第二光发射信号级、第三光发射信号级和第四光发射信号级。第一光发射信号级可以连接到第一像素行和第二像素行,第二光发射信号级可以连接到第三像素行和第四像素行,第三光发射信号级可以连接到第五像素行和第六像素行,第四光发射信号级可以连接到第七像素行和第八像素行,第一光发射信号级和第三光发射信号级可以通过第一高电压传输线接收第一高电压,并且第二光发射信号级和第四光发射信号级可以通过第二高电压传输线接收第二高电压。
20.根据一些示例实施例,第一光发射信号级和第三光发射信号级可以以四个水平时段为间隔顺序地接收第一高电压,并且第二光发射信号级和第四光发射信号级可以以四个水平时段为间隔顺序地接收第二高电压。
21.根据一些示例实施例的oled显示器包括:显示区域,通过接收光发射信号来发射光并且包括多个像素行;第一光发射信号发生器和第二光发射信号发生器,位于显示区域的相对侧,并且包括连接到所述多个像素行的多个光发射信号级;以及两条第一高电压传输线和两条第二高电压传输线,位于显示区域的相对侧,并且连接到光发射信号发生器,其中,所述两条第一高电压传输线可以连接到所述多个光发射信号级之中的多个奇数编号的光发射信号级,所述两条第二高电压传输线可以连接到所述多个光发射信号级之中的多个偶数编号的光发射信号级,并且所述两条第一高电压传输线可以彼此连接,并且所述两条第二高电压传输线可以彼此连接。
22.根据一些示例实施例,可以能够通过减少由于输入到相邻光发射信号发生器和从相邻光发射信号发生器输出的信号的干扰而引起的信号改变来提高光发射信号发生器的
信号的准确度。
23.根据本发明的实施例的特征不限于上述特征,并且根据本发明的实施例可以在不脱离根据本发明的实施例的精神和范围的范围内进行各种扩展。
附图说明
24.图1是根据一些示例实施例的oled显示器的框图。
25.图2是根据一些示例实施例的光发射信号发生器的一部分的框图。
26.图3是根据一些示例实施例的光发射信号发生器中的一个级的电路图。
27.图4是根据一些示例实施例的施加到级的信号的波形图。
28.图5至图10是提供用于描述图3的级的操作的图。
29.图11是根据一些示例实施例的光发射信号发生器的输出信号的波形图。
30.图12是根据一些示例实施例的光发射信号发生器的一些信号的波形图。
31.图13是根据一些示例实施例的有机发光二极管显示器的框图。
具体实施方式
32.在下文中将参照附图更全面地描述本发明的一些示例实施例的方面,在附图中示出了发明的示例实施例。如本领域技术人员将认识到的,可以以各种不同的方式修改描述的示例实施例,所有各种不同的方式不脱离根据本发明的实施例的精神或范围。
33.因此,附图和描述本质上将被认为是说明性的而非限制性的,并且在整个说明书中同样的附图标记表示同样的元件。
34.因为为了更好地理解和易于描述,任意地示出了附图中示出的每个构造的尺寸和厚度,所以根据本发明的实施方式不限于此,并且为了清楚,夸大了部分和区域的厚度。在附图中,为了清楚,夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。另外,在附图中,为了更好地理解和易于描述,夸大了一些层和区域的厚度。
35.将理解的是,当元件(诸如,层、膜、区域或基底)被称为“在”另一元件“上”时,该元件可以直接在所述另一元件上,或者也可以存在中间元件。相反,当元件被称为“直接在”另一元件“上”时,不存在中间元件。此外,在整个说明书中,词语“在”目标元件“上”将被理解为位于目标元件上方或下方,并且不一定将被理解为位于基于重力的相反方向的“上侧处”。
36.另外,除非明确地相反描述,否则词语“包括”及其变型(诸如,“包含”及其变型)将被理解为暗示包括所陈述的元件(元素)但不排除任何其他元件(元素)。
37.此外,在整个说明书中,短语“在平面上”意指从顶部观看目标部分,词语“在剖面上”意指观看通过从侧面垂直切割目标部分而形成的剖面。
38.另外,在整个说明书中,表述“连接到”不一定意指两个或更多个组成元件直接连接,而是两个或更多个组成元件可以通过其他组成元件间接连接,并且不仅可以电连接而且可以物理连接,或者可以根据位置或功能不同地连接,同时是一体的。
39.首先,参照图1,将描述根据一些示例实施例的有机发光二极管(oled)显示器(或显示装置)。图1是根据一些示例实施例的oled显示器的框图。
40.参照图1,根据一些示例实施例的oled显示器包括显示区域300和在显示区域300
的外围处的非显示区域。
41.显示区域300包括多个像素px以及连接到多个像素px的信号线121、123和151。
42.非显示区域包括用于驱动像素px的扫描信号发生器410和光发射信号发生器510,以及连接到扫描信号发生器410和光发射信号发生器510的第一时钟信号传输线clk1、第三时钟信号传输线clk3、第一高电压传输线vgh1和第二高电压传输线vgh2。第一高电压传输线vgh1和第二高电压传输线vgh2电绝缘,因此可以单独地传输高电压。
43.除了扫描信号发生器410和光发射信号发生器510之外,非显示区域还可以包括另一驱动器(诸如,数据驱动器)。另外,根据一些示例实施例,非显示区域还可以包括低电压传输线。
44.显示区域300的多个像素px在行方向和列方向上布置。然而,这不是限制性的,并且多个像素px的对齐可以改变。根据一些示例实施例,每个像素px包括形成在基底上的像素电路部分和形成在像素电路部分上的光发射元件部分。光发射元件部分包括有机发光二极管(oled),并且从像素电路部分接收电流并且根据电流的强度发射光。
45.每个像素px连接到信号线121、123和151,并且信号线121、123和151包括扫描线121、前一级扫描线123和光发射信号线151。根据一些示例实施例,信号线还可以包括连接到数据驱动器的数据线。
46.扫描线121、前一级扫描线123和光发射信号线151在第一方向上延伸,并且数据线可以在与第一方向不同的第二方向上延伸。
47.扫描信号发生器410包括多个扫描信号级gd(例如,gd[0]至gd[10])。每个扫描信号级gd生成并且输出栅极信号,并且输出的栅极信号通过扫描线121传输到包括在当前级像素行中的像素px,并且通过前一级扫描线123传输到包括在下一像素行中的像素px。另外,每个扫描信号级gd将栅极信号作为进位信号施加到下一级的扫描信号级gd。具有栅极导通电压和栅极截止电压的栅极信号被交替地施加,并且在一帧期间包括至少一个栅极导通电压。
[0048]
扫描信号发生器410还可以包括第0扫描信号级gd[0],以将栅极信号施加到连接到第一像素行中的像素的前一级扫描线123。
[0049]
根据一些示例实施例,光发射信号发生器510位于扫描信号发生器410外部。
[0050]
光发射信号发生器510包括多个光发射信号级em。单条光发射信号线151连接到一个对应的光发射信号级em并且因此接收来自光发射信号级em的光发射信号。
[0051]
从一个光发射信号级em输出的光发射信号被形成为同时地(或并发地)施加到连接到两个像素行的像素px。也就是说,在图1中,由em[1,2]表示的光发射信号级表示发射信号同时地(或并发地)施加到第一像素行和第二像素行。然而,根据一些示例实施例,光发射信号可以仅施加到一个像素行,或者可以公共地施加到三个或更多个像素行。如所描述的,一个光发射信号级em可以与n条光发射信号线151连接,并且可以将光发射信号同时地(或并发地)施加到包括在n个像素行中的像素px。这里,n是1或更大的自然数。
[0052]
在图1中,示出了从顶部顺序地放置的第一光发射信号级em[1,2]、第二光发射信号级em[3,4]、第三光发射信号级em[5,6]、第四光发射信号级em[7,8]和第五光发射信号级em[9,10],但是它们可以仅是光发射信号发生器510的一部分,并且光发射信号发生器510可以包括被顺序地施加高电压的多个光发射信号级。
[0053]
第一光发射信号级em[1,2]、第二光发射信号级em[3,4]、第三光发射信号级em[5,6]、第四光发射信号级em[7,8]和第五光发射信号级em[9,10]连接到第一时钟信号传输线clk1和第三时钟信号传输线clk3,并且因此接收时钟信号。
[0054]
与第一光发射信号级em[1,2]、第三光发射信号级em[5,6]和第五光发射信号级em[9,10]类似,奇数编号的光发射信号级连接到第一高电压传输线vgh1并且因此从第一高电压传输线vgh1接收高电压。类似地,与第二光发射信号级em[3,4]和第四光发射信号级em[7,8]类似,偶数编号的光发射信号级连接到第二高电压传输线vgh2并且因此从第二高电压传输线vgh2接收高电压。
[0055]
如所描述的,奇数编号的光发射信号级和偶数编号的光发射信号级连接到不同的高电压传输线,使得可以减小由相邻光发射信号级之间的信号干扰引起的施加的高电压的大小的改变。
[0056]
具有(与发光区段对应的)低电平电压和(与写入区段对应的)高电平电压的光发射信号被交替地施加。一帧包括一个高电平电压区段(写入区段)。另外,与期间施加有一个栅极导通电压的时间段相比,具有低电平电压和高电平电压的光发射信号在较长的时间段被施加。由于这样的特征,光发射信号可以同时地(或并发地)施加到多条光发射信号线151。然而,期间施加有一个栅极导通电压的时间段非常短,使得栅极信号仅施加到每个扫描信号级gd的一条扫描线121和一条前一级扫描线123。
[0057]
接下来,参照图2,将更详细地描述光发射信号发生器。图2是根据一些示例实施例的光发射信号发生器的一部分的框图。
[0058]
参照图2,光发射信号发生器510包括多个光发射信号级em,并且与第一时钟信号传输线clk1、第三时钟信号传输线clk3、第一高电压传输线vgh1和第二高电压传输线vgh2连接。
[0059]
光发射信号发生器510的每个光发射信号级em包括接收两个时钟信号的第一时钟输入端子in1和第二时钟输入端子in2、接收控制信号flm或来自前一级的光发射信号级em的光发射信号的控制端子acl_flm以及输出光发射信号的输出端子out。
[0060]
将光发射信号施加到第一光发射信号线em line 1和第二光发射信号线em line 2的光发射信号级em[1,2](下文中被称为第一光发射级)将光发射信号施加到连接到第一像素行和第二像素行的像素px。结果,连接到第一像素行和第二像素行的像素px同时地(或并发地)发射光。
[0061]
控制信号flm从外部施加到第一光发射信号级em[1,2]的控制端子acl_flm,第一时钟信号em_clk1施加到第一时钟输入端子in1,并且第三时钟信号em_clk3施加到第二时钟输入端子in2。第一光发射信号级em[1,2]连接到第一高电压传输线vgh1,因此从第一高电压传输线vgh1接收高电压。
[0062]
光发射信号通过第一光发射信号级em[1,2]的输出端子out施加到第一光发射信号线em line 1和第二光发射信号线em line 2。
[0063]
从第一光发射信号级em[1,2]输出的光发射信号施加到下一个第二光发射信号级em[3,4]的控制端子acl_flm作为进位信号。
[0064]
将光发射信号施加到第三光发射信号线em line 3和第四光发射信号线em line 4的光发射信号级em[3,4](下文中被称为第二光发射信号级)将光发射信号施加到连接到
第三像素行和第四像素行的像素px。因此,连接到第三像素行和第四像素行的所有像素px同时地(或并发地)发射光。
[0065]
在第二光发射信号级em[3,4]中,光发射信号作为进位信号从第一光发射信号级em[1,2]施加到控制端子acl_flm,第三时钟信号em_clk3施加到第一时钟输入端子in1,并且第一时钟信号em_clk1施加到第二时钟输入端子in2。同时,第二光发射信号级em[3,4]连接到第二高电压传输线vgh2,因此从第二高电压传输线vgh2接收高电压。
[0066]
另外,光发射信号通过第二光发射信号级em[3,4]的输出端子out施加到第三光发射信号线em line 3和第四光发射信号线em line 4。
[0067]
同时,从第二光发射信号级em[3,4]输出的光发射信号作为进位信号,并且施加到第三光发射信号级em[5,6]的控制端子acl_flm。
[0068]
将光发射信号施加到第五光发射信号线em line 5和第六光发射信号线em line 6的光发射信号级em[5,6](下文中被称为第三光发射信号级)将光发射信号施加到连接到第五像素行和第六像素行的像素px。因此,连接到第五像素行和第六像素行的所有像素px同时地(或并发地)发射光。
[0069]
在第三光发射信号级em[5,6]中,光发射信号作为进位信号从第二光发射信号级em[3,4]施加到控制端子acl_flm,第一时钟信号em_clk1施加到第一时钟输入端子in1,并且第三时钟信号em_clk3施加到第二时钟输入端子in2。第三光发射信号级em[5,6]连接到第一高电压传输线vgh1,因此被施加有来自第一高电压传输线vgh1的高电压。
[0070]
另外,光发射信号通过第三光发射信号级em[5,6]的输出端子out施加到第五光发射信号线em line 5和第六光发射信号线em line 6。
[0071]
同时,从第三光发射信号级em[5,6]输出的光发射信号作为进位信号,并且施加到第四光发射信号级的控制端子acl_flm。
[0072]
通过这样的过程,光发射信号发生器510的多个光发射信号级em顺序地施加光发射信号。
[0073]
与第一光发射信号级em[1,2]、第三光发射信号级em[5,6]和第五光发射信号级em[9,10]类似,奇数编号的光发射信号级连接到第一高电压传输线vgh1并且从第一高电压传输线vgh1接收高电压。类似地,与第二光发射信号级em[3,4]和第四光发射信号级em[7,8]类似的偶数编号的光发射信号级连接到第二高电压传输线vgh2,因此从第二高电压传输线vgh2接收高电压。
[0074]
如所描述的,奇数编号的光发射信号级和偶数编号的光发射信号级连接到不同的高电压传输线,使得可以减小由于相邻光发射信号级之间的信号干扰而引起的施加的高电压的大小的改变。这将在后面更详细地描述。
[0075]
根据一些示例实施例,一个光发射信号级em连接到两个像素行并且因此向其施加光发射信号,但是根据一些示例实施例,一个光发射信号级em连接到三个或更多个像素行并且因此可以向其施加光发射信号。
[0076]
接下来,参照图5至图10,将与图3和图4一起描述光发射信号级em的操作。图3是根据一些示例实施例的光发射信号发生器中的一个级的电路图,图4是根据一些示例实施例的施加到级的信号的波形图。图5至图10是提供用于描述图3的级的操作的图。
[0077]
根据一些示例实施例的光发射信号发生器510的光发射信号级em中的每个包括高
电平输出部分551、低电平输出部分552、第一节点第一控制器553、第一节点第二控制器554、第二节点第一控制器555、第二节点第二控制器556和第三节点控制器557。
[0078]
高电平输出部分551是输出光发射信号的高电压vgh的部分,并且低电平输出部分552是输出光发射信号的低电压vgl的部分。高电平输出部分551和低电平输出部分552与输出端子out连接,并且当从高电平输出部分551输出高电压vgh时,低电平输出部分552不输出低电压vgl,并且当低电平输出部分552输出低电压vgl时,高电平输出部分551不输出高电压vgh。
[0079]
根据第一节点n1的电压控制高电平输出部分551,并且第一节点n1的电压由第一节点n1的第一节点第一控制器553和第一节点第二控制器554控制。
[0080]
根据第二节点n2的电压控制低电平输出部分552,并且第二节点n2的电压由第二节点第一控制器555和第二节点第二控制器556控制。在图3中,第二节点第一控制器555被划分为第一子第二节点第一控制器555

1和第二子第二节点第一控制器555

2。
[0081]
第一节点第二控制器554由第三节点n3的电压控制,并且第三节点n3的电压由第三节点控制器557控制。
[0082]
与图2的奇数编号的光发射信号级em类似,在图3的光发射信号级em中,针对时钟信号的第一时钟信号线连接到第一时钟输入端子in1并且因此施加第一时钟信号em_clk1,并且针对时钟信号的第二时钟信号线连接到第二时钟输入端子in2并且因此施加第三时钟信号em_clk3。相反,与施加到奇数编号的光发射信号级em的时钟信号相反的时钟信号可以施加到偶数编号的光发射信号级em。
[0083]
现在将详细地描述每个部分。
[0084]
高电平输出部分551包括第九晶体管t9,并且第九晶体管t9的控制电极连接到第一节点n1,输入电极连接到高电压vgh的端子,并且输出电极连接到输出端子out。因此,当第一节点n1的电压为低电压时,高电压vgh被输出到输出端子out,并且当第一节点n1的电压为高电压时,第九晶体管t9不输出任何内容。
[0085]
低电平输出部分552包括第十晶体管t10,并且第十晶体管t10的控制电极与第二节点n2连接,输入电极与低电压vgl的端子连接,并且输出电极与输出端子out连接。因此,当第二节点n2的电压为低电压时,低电压vgl被输出到输出端子out,并且当第二节点n2的电压为高电压时,第十晶体管t10不输出任何内容。
[0086]
第一节点n1的电压由第一节点第一控制器553和第一节点第二控制器554控制。
[0087]
第一节点第一控制器553包括一个晶体管(即,第八晶体管)t8和一个电容器(即,第一电容器)c1。第八晶体管t8的控制电极连接到第二节点n2,输入电极连接到高电压vgh,并且输出电极连接到第一节点n1。同时,第一电容器c1的两个电极分别连接到第八晶体管t8的输入电极和输出电极,使得第一电容器c1连接在第一节点n1与高电压vgh的端子之间。当第二节点n2的电压为低电压时,第八晶体管t8将高电压vgh传输到第一节点n1,并且第一电容器c1存储并且保持第一节点n1的电压。也就是说,第一节点第一控制器553用于将第一节点n1的电压改变为高电压vgh。
[0088]
同时,第一节点第二控制器554包括两个晶体管(即,第六晶体管t6和第七晶体管t7)和一个电容器(即,第二电容器c2)。第六晶体管t6的控制电极连接到第一时钟输入端子in1,输出电极连接到第一节点n1,并且输入电极连接到第四节点n4。第七晶体管t7的控制
电极连接到第三节点n3,输出电极连接到第四节点n4,并且输入电极连接到第一时钟输入端子in1。这里,输入电极和输出电极可以根据连接的电压的大小而具有相反输入和输出。第一节点第二控制器554用于将第一节点n1的电压改变为时钟信号的低电压。
[0089]
同时,第二电容器c2连接在第三节点n3与第四节点n4之间,并且第四节点n4的电压可以通过使用两个节点之间的电压差来升高。
[0090]
第二节点n2的电压由第二节点第一控制器555和第二节点第二控制器556控制。
[0091]
第二节点第一控制器555由第一子第二节点第一控制器555

1和第二子第二节点第一控制器555

2形成,并且第一子第二节点第一控制器555

1由一个晶体管(即,第一晶体管t1)形成,并且第二子第二节点第一控制器555

2由一个电容器(即,第三电容器c3)形成。第一晶体管t1的控制电极连接到第二时钟输入端子in2,输入电极连接到控制端子acl_flm,并且输出电极连接到第二节点n2。第三电容器c3的一个电极连接到第二节点n2,并且另一电极连接到第一时钟输入端子in1。
[0092]
由于第三电容器c3的结构,第二节点n2的电压也可能由于施加到第一时钟输入端子in1的可变时钟信号而改变。因此,为了减小第二节点n2的电压的波动,可以将第三电容器c3的电容设定为高。因此,尽管施加到第三电容器c3的一侧的时钟信号改变,但是另一侧的电压(即,第二节点n2的电压)没有很大改变。由于这样的第三电容器c3,第一时钟输入端子in1的电容与第二时钟输入端子in2的电容相比具有非常高的值。
[0093]
当施加到第二时钟输入端子in2的第三时钟信号em_clk3具有低电压时,包括在第二节点第一控制器555中的第一晶体管t1将第二节点n2的电压改变为控制信号flm的电压或前一级的光发射信号的电压,并且第三电容器c3存储并且保持改变的电压。也就是说,第二节点第一控制器555用于根据进位信号(即,控制信号flm或前一级的光发射信号)将第二节点n2的电压改变为高电压或低电压。
[0094]
第二节点第二控制器556由两个晶体管(即,第二晶体管t2和第三晶体管t3)形成。第二晶体管t2的控制电极连接到第三节点n3,输入电极连接到高电压vgh的端子,并且输出电极连接到第三晶体管t3的输入电极。第三晶体管t3的控制电极与第一时钟输入端子in1连接,输入电极与第二晶体管t2的输出电极连接,并且输出电极与第二节点n2连接。也就是说,第二节点第二控制器556可以通过将高电压vgh连接到第二节点n2来防止第二节点n2的电压改变为低电压。
[0095]
第三节点控制器557由两个晶体管(即,第四晶体管t4和第五晶体管t5)形成。第四晶体管t4的控制电极连接到第二节点n2,输入电极连接到第二时钟输入端子in2,输出电极连接到第三节点n3。第五晶体管t5的控制电极连接到第二时钟输入端子in2,输入电极连接到低电压vgl的端子,并且输出电极连接到第三节点n3。第五晶体管t5用于使第三节点n3的电压为低电压vgl,并且第四晶体管t4用于使第三节点n3的电压为第二时钟输入端子in2的电压,使得第三节点n3的电压变为高电压(即,时钟信号的高电压)。
[0096]
具有这样的配置的光发射信号级em根据施加到第一时钟输入端子in1、第二时钟输入端子in2和控制端子acl_flm的信号进行操作,并且这将参照图4至图10进行描述。
[0097]
图4是根据一些示例实施例的施加到级的信号的波形,并且图5至图10被提供以用于描述图3的级的操作。
[0098]
首先,将参照图4描述施加到光发射信号级em的第一时钟输入端子in1、第二时钟
输入端子in2和控制端子acl_flm的信号。根据一些示例实施例,第一时钟信号em_clk1施加到第一时钟输入端子in1,并且第三时钟信号em_clk3施加到第二时钟输入端子in2。第一时钟信号em_clk1和第三时钟信号em_clk3是其中高电压和低电压重复的时钟信号,并且相对于彼此具有反转特性。
[0099]
同时,外部施加的控制信号flm作为进位信号传输到第一光发射信号级em[1,2]的控制端子acl_flm,并且前一光发射信号级的输出信号作为进位信号传输到第二光发射信号级em[3,4]。控制信号flm和光发射信号在一个帧期间具有一个高电压区段,并且具有低电压的控制信号flm和光发射信号在剩余区段期间被施加。高电压区段是期间将数据电压写入像素px中的区段(即,写入区段),并且像素px在低电压区段(即,发光区段)期间发射光。
[0100]
在图4中,示出了扫描信号gi和前一级扫描信号gw。在图4中,具有低电压的扫描信号在一个帧周期期间被施加三次,但这仅仅是示例,并且根据一些示例实施例,具有低电压的扫描信号可以被施加一次,或者具有低电压的扫描信号被施加与一次或三次不同的多次。施加到一个像素px的当前级扫描信号gi和前一级扫描信号gw应该在施加到相应像素px的光发射信号的一个高电压区段(即,写入区段)期间存在。
[0101]
在图4中,施加到光发射信号级的电压被分成区段(a)、(b)、(c)、(d)、(e)和(f)。现在将参照图5至图10描述针对每个区段的光发射信号级的操作。在图5至图10中,当晶体管截止时,用x标记,并且当晶体管导通并执行主操作时,用使晶体管的输入电极和输出电极连接的直线标记。另外,为了易于观看,在括号中示出了第一节点n1、第二节点n2、第三节点n3和第四节点n4处的电压。括号中的h表示高电压,l表示低电压。
[0102]
首先,参照图5,将描述光发射信号级em在区段(a)处的操作。
[0103]
在区段(a)中,具有低电压的控制信号flm施加到控制端子acl_flm,具有高电压的第一时钟信号em_clk1施加到第一时钟输入端子in1,并且具有低电压的第三时钟信号em_clk3施加到第二时钟输入端子in2。
[0104]
由于第一时钟信号em_clk1具有高电压,所以第三晶体管t3和第六晶体管t6截止,并且第一晶体管t1和第五晶体管t5被低电压的第三时钟信号em_clk3导通。低电压的控制信号flm经由第一晶体管t1施加到第二节点n2,使得第二节点n2的低电压存储在第三电容器c3中。第十晶体管t10被第二节点n2的低电压导通,因此低电压vgl被输出到输出端子out。另外,第八晶体管t8由第二节点n2的低电压导通,因此第一节点n1变为高电压vgh,并且第一电容器c1的两端变为高电压vgh。因此,第九晶体管t9截止。
[0105]
另外,第四晶体管t4被第二节点n2的低电压导通,因此具有低电压的第三时钟信号em_clk3被施加,使得第三节点n3的电压被施加为低电压。另外,也通过第五晶体管t5施加低电压vgl。
[0106]
第七晶体管t7被第三节点n3的低电压vgl导通,并且高电压的第一时钟信号em_clk1施加到第四节点n4。因此,高电压(第四节点n4)和低电压(第三节点n3)施加到第二电容器c2的相对端。
[0107]
另外,第二晶体管t2被第三节点n3的低电压vgl导通,但是第三晶体管t3截止,因此高电压vgh不传输到第二节点n2,而是仅传输到第三晶体管t3的输入电极。
[0108]
也就是说,在区段(a)中,第一节点n1被施加有高电压h,第二节点n2被施加有低电
压l,第三节点n3被施加有低电压l,并且第四节点n4被施加有高电压h,并且作为主操作,第十晶体管t10由于第二节点n2的低电压l而导通,因此低电压vgl施加到输出端子out。在这种情况下,接收光发射信号的像素px处于期间像素px发射光的光发射区段。
[0109]
接下来,参照图6,将描述光发射信号级的在区段(b)中的操作。
[0110]
在区段(b)中,控制信号flm保持低电压,改变为低电压的第一时钟信号em_clk1施加到第一时钟输入端子in1,并且改变为高电压的第三时钟信号em_clk3施加到第二时钟输入端子in2。
[0111]
第三晶体管t3和第六晶体管t6被低电压的第一时钟信号em_clk1导通,并且第一晶体管t1和第五晶体管t5被高电压的第三时钟信号em_clk3截止。因为第一晶体管t1处于截止状态,所以保持存储在第三电容器c3中的低电压,并且第二节点n2的电压具有低电压值。因此,第十晶体管t10导通,因此低电压vgl被输出到输出端子out。
[0112]
另外,第八晶体管t8也被第二节点n2的低电压导通,因此第一节点n1变为高电压vgh,第九晶体管t9保持截止状态,并且第一电容器c1的相对端变为高电压vgh。
[0113]
另外,第四晶体管t4也被第二节点n2的低电压导通,因此高电压的第三时钟信号em_clk3施加到第三节点n3,使得第三节点n3的电压改变为高电压值。在这种情况下,因为第五晶体管t5处于截止状态,所以第三节点n3的电压由于第四晶体管t4的输入而改变为高电压。
[0114]
第七晶体管t7由于第三节点n3的高电压而截止,并且第六晶体管t6由于低电压的第一时钟信号em_clk1而导通,使得第一节点n1和第四节点n4彼此连接。在这种情况下,与第二电容器c2连接的第三节点n3的电压从低电压改变为高电压,因此第四节点n4的电压和连接到第四节点n4的第一节点n1的电压升高。因此,第一节点n1的电压可以具有比高电压vgh高的电压值。
[0115]
同时,第二晶体管t2由于第三节点n3的高电压而保持截止状态,并且第三晶体管t3被低电压的第一时钟信号em_clk1导通。在这种情况下,当第三晶体管t3在区段(b)中导通时,在区段(a)中经由第二晶体管t2传输到第三晶体管t3的输入电极的高电压vgh可以传输到第二节点n2。因此,可以防止或减少第二节点n2处的不期望的电压降。也就是说,第一时钟信号em_clk1施加在第三电容器c3的一端处,但是第一时钟信号em_clk1在区段(b)中从高电压改变为低电压,因此第二节点n2的电压可能下降。然而,第二节点n2的电压可以由通过经由第二节点第二控制器556施加的高电压vgh保持。此外,不管第一时钟信号em_clk1的电压电平的摆动如何,第三电容器c3的电容被增大以保持第二节点n2的电压恒定。
[0116]
也就是说,在区段(b)中,第一节点n1和第四节点n4被施加有升高的高电压h,第二节点n2被施加有低电压l,并且第三节点n3被施加有高电压h,并且作为主操作,第十晶体管t10被第二节点n2的低电压导通,使得低电压vgl连续地施加到输出端子out。同样在这种情况下,接收光发射信号的像素px处于光发射区段中,使得像素px发射光。
[0117]
将区段(a)和区段(b)进行比较,时钟信号被反相并且被施加,但是第一节点n1的电压被保持在高电压,第二节点n2的电压被保持在低电压,并且低电压vgl被连续地输出到输出端子out。
[0118]
接下来,参照图7,将描述光发射信号级在区段(c)中的操作。
[0119]
在区段(c)中,控制信号flm改变为高电压,改变为高电压的第一时钟信号em_clk1
施加到第一时钟输入端子in1,并且改变为低电压的第三时钟信号em_clk3施加到第二时钟输入端子in2。
[0120]
第三晶体管t3和第六晶体管t6被高电压的第一时钟信号em_clk1截止,并且第一晶体管t1和第五晶体管t5被低电压的第三时钟信号em_clk3导通。高电压的控制信号flm经由第一晶体管t1施加到第二节点n2,使得第二节点n2的电压改变为高电压,然后存储在第三电容器c3中。第十晶体管t10被第二节点n2的高电压截止。另外,第八晶体管t8被第二节点n2的高电压截止。
[0121]
同时,因为第五晶体管t5导通,所以低电压vgl施加到第三节点n3。在这种情况下,因为第二节点n2具有高电压,所以第四晶体管t4截止。因此,第三节点n3的电压由第五晶体管t5控制,并且改变为低电压vgl。
[0122]
第二晶体管t2和第七晶体管t7由于第三节点n3的低电压而导通。第七晶体管t7导通,因此第四节点n4被施加有高电压的第一时钟信号em_clk1。因此,高电压(第四节点n4)和低电压(第三节点n3)施加到第二电容器c2的相应端。另外,第二晶体管t2导通但第三晶体管t3截止,使得高电压vgh仅传输到第三晶体管t3的输入电极,并且高电压vgh不传输到第二节点n2。
[0123]
因为第六晶体管t6和第八晶体管t8截止,所以第一节点n1的在区段(b)中的电压被保持,从而保持高电压状态。
[0124]
也就是说,在区段(c)中,第一节点n1被施加有高电压h,第二节点n2被施加有高电压h,第三节点n3被施加有低电压l,并且第四节点n4被施加有高电压h,并且第十晶体管t10和第九晶体管t9都处于截止状态,因此没有电压可以被输出到输出端子out。例如,低电压vgl被输出,直到第二节点n2的电压变为第十晶体管t10的截止电压,并且当第十晶体管t10截止时,输出电压逐渐增大。
[0125]
接下来,参照图8,将描述光发射信号级在区段(d)中的操作。
[0126]
在区段(d)中,控制信号flm保持为高电压,第一时钟信号em_clk1改变为低电压,然后施加到第一时钟输入端子in1,并且第三时钟信号em_clk3改变为高电压,然后施加到第二时钟输入端子in2。
[0127]
第三晶体管t3和第六晶体管t6被低电压的第一时钟信号em_clk1导通,并且第一晶体管t1和第五晶体管t5被高电压的第三时钟信号em_clk3截止。
[0128]
因为第一晶体管t1处于截止状态,所以存储在第三电容器c3中的高电压被保持,使得第二节点n2处的电压具有高电压值。因此,第十晶体管t10保持截止状态。另外,由于第二节点n2的高电压,第八晶体管t8和第四晶体管t4也保持截止状态。
[0129]
第五晶体管t5被高电压的第三时钟信号em_clk3截止。因为第四晶体管t4和第五晶体管t5都截止,所以第三节点n3处的电压不变,并且保持为低电压,该低电压是区段(c)中第三节点n3处的电压。
[0130]
第七晶体管t7由于第三节点n3的低电压而保持导通状态,并且第六晶体管t6被低电压的第一时钟信号em_clk1导通,使得第一节点n1、第四节点n4和低电压的第一时钟信号em_clk1彼此连接。因此,第一节点n1处的电压和第四节点n4处的电压改变为低电压。第九晶体管t9被低电压的第一节点n1导通,因此,高电压vgh被输出到输出端子out。
[0131]
同时,第二晶体管t2被第三节点n3的低电压导通,并且第三晶体管t3也被低电压
的第一时钟信号em_clk1导通,因此高电压vgh的端子与第二节点n2连接。因此,第二节点n2的电压保持为高电压vgh,使得第十晶体管t10不能导通。
[0132]
也就是说,在区段(d)中,第一节点n1和第四节点n4被施加有低电压l,第二节点n2被施加有高电压h,并且第三节点n3被施加有低电压l,并且作为主操作,第九晶体管t9被第一节点n1的低电压导通,使得高电压vgh被输出到输出端子out。在这种情况下,接收光发射信号的像素px处于写入区段中,在该写入部分期间,数据电压存储在像素px中的电容器中。
[0133]
接下来,参照图9,将描述光发射信号级在区段(e)中的操作。
[0134]
在区段(e)中,控制信号flm保持高电压,第一时钟信号em_clk1改变为高电压,然后施加到第一时钟输入端子in1,并且第三时钟信号em_clk3改变为低电压,然后施加到第二时钟输入端子in2。
[0135]
第三晶体管t3和第六晶体管t6由于高电压的第一时钟信号em_clk1而截止,并且第一晶体管t1和第五晶体管t5由于低电压的第三时钟信号em_clk3而导通。
[0136]
高电压的控制信号flm经由第一晶体管t1施加到第二节点n2,使得第二节点n2的电压保持为高电压。第十晶体管t10由于第二节点n2的高电压而截止。另外,由于第二节点n2的高电压,第八晶体管t8和第四晶体管t4也保持截止状态。
[0137]
第五晶体管t5导通,因此低电压vgl施加到第三节点n3。在这种情况下,因为第四晶体管t4截止,所以第四晶体管t4不能改变第三节点n3的电压。
[0138]
第三节点n3具有低电压vgl,因此第二晶体管t2和第七晶体管t7导通。第七晶体管t7导通,因此高电压的第一时钟信号em_clk1施加到第四节点n4。因此,第二电容器c2的相对端分别被施加有高电压(第四节点n4)和低电压(第三节点n3)。
[0139]
另外,第二晶体管t2导通但第三晶体管t3截止,因此高电压vgh仅传输到第三晶体管t3的输入电极,而不传输到第二节点n2。
[0140]
因为第六晶体管t6被高电压的第一时钟信号em_clk1截止,所以存储在第一电容器c1中的电压不改变,并且第一节点n1的电压保持为低电压。因此,第九晶体管t9导通,并且高电压vgh被连续地输出到输出端子out。
[0141]
也就是说,在区段(e)中,第一节点n1被施加有低电压l,第二节点n2也被施加有高电压h,第三节点n3被施加有低电压l,并且第四节点n4被施加有高电压h,并且第九晶体管t9保持导通状态,使得高电压vgh被输出到输出端子out。
[0142]
将区段(d)和区段(e)进行比较,时钟信号被反相然后被施加,但是第一节点n1的电压保持为低电压,使得高电压vgh被连续地输出到输出端子out。另外,第二节点n2的电压保持为高电压,使得低电压vgl不传输到输出端子out。
[0143]
接下来,参照图10,将描述光发射信号级在区段(f)中的操作。
[0144]
在区段(f)中,控制信号flm改变为低电压,第一时钟信号em_clk1改变为高电压并且施加到第一时钟输入端子in1,并且第三时钟信号em_clk3改变为低电压并且然后施加到第二时钟输入端子in2。
[0145]
此外,区段(f)在与区段(d)处于相同状态的区段之后施加。因此,它将被描述为区段(d)的下一个施加的区段。
[0146]
第三晶体管t3和第六晶体管t6被高电压的第一时钟信号em_clk1截止,并且第一晶体管t1和第五晶体管t5被低电压的第三时钟信号em_clk3导通。
[0147]
低电压的控制信号经由第一晶体管t1施加到第二节点n2,使得第二节点n2的电压改变为低电压,并且第十晶体管t10导通。因此,低电压vgl开始被输出到输出端子out。由于第二节点n2的低电压,第八晶体管t8和第四晶体管t4也处于导通状态。
[0148]
因为第八晶体管t8导通,所以高电压vgh施加到第一节点n1,并且第九晶体管t9由于第一节点n1的高电压而截止,使得高电压vgh不再被输出到输出端子out。
[0149]
当第四晶体管t4导通时,低电压的第三时钟信号em_clk3施加到第三节点n3。另外,低电压vgl经由导通的第五晶体管t5施加到第三节点n3。因此,第三节点n3具有低电压。
[0150]
第二晶体管t2和第七晶体管t7由于第三节点n3的低电压而导通。第七晶体管t7导通,因此高电压的第一时钟信号em_clk1施加到第四节点n4。因此,高电压(第四节点n4)和低电压(第三节点n3)施加到第二电容器c2的相对端。
[0151]
另外,尽管第二晶体管t2导通,但是第三晶体管t3截止,因此高电压vgh仅传输到第三晶体管t3的输入电极,而不传输到第二节点n2。
[0152]
因为第六晶体管t6由于高电压的第一时钟信号em_clk1而截止,所以第一节点n1的电压不受影响。因此,第一节点n1的电压由第八晶体管t8控制,并且高电压vgh经由第八晶体管t8传输并且第一节点n1的电压保持为高电压。
[0153]
也就是说,在区段(f)中,第一节点n1被施加有高电压h,第二节点n2被施加有低电压l,第三节点n3被施加有低电压l,并且第四节点n4被施加有高电压h,第九晶体管t9截止,并且第十晶体管t10开始导通,使得输出端子out的电压从高电压vgh改变为低电压vgl,然后输出。
[0154]
在区段(f)之后,与区段(b)对应的区段被定位,并且此后如上所述反复地操作。
[0155]
光发射信号级输出从控制信号延迟半个时钟周期的光发射信号。也就是说,因为施加到下一级的光发射信号级的进位信号被延迟半个时钟周期,所以在输出光发射信号之中的高电压vgh的施加时序也通过延迟半个时钟周期而被顺序地输出。
[0156]
接下来,将参照图11详细地描述根据一些示例实施例的光发射信号级的输出信号。图11是根据一些示例实施例的光发射信号发生器的输出信号的波形图。
[0157]
参照图11,第一光发射信号级em[1,2]的第一输出信号gc[1,2]保持高电压vgh,然后在期间驱动了连接到第一光发射信号级em[1,2]的两个像素行的两个水平时段2h之后,第二光发射信号级em[3,4]的第二输出信号gc[3,4]从低电压vgl改变为高电压vgh。随后,第三光发射信号级em[5,6]的第三输出信号gc[5,6]从低电压vgl改变为高电压vgh(参照d1)。类似地,在两个水平时段2h之后,第四光发射信号级em[7,8]的第四输出信号gc[7,8]从低电压vgl改变为高电压vgh(参照dd1),然后第五光发射信号级em[9,10]的第五输出信号gc[9,10]从低电压vgl改变为高电压vgh(参照d2)。并且类似地,之后,输出信号gc[n,n 1]从低电压vgl改变为高电压vgh。
[0158]
如前所述,奇数编号的光发射信号级(诸如,第一光发射信号级em[1,2]、第三光发射信号级em[5,6]和第五光发射信号级em[9,10])与第一高电压传输线vgh1连接,因此从第一高电压传输线vgh1接收高电压。另外,偶数编号的光发射信号级(诸如,第二光发射信号级em[3,4]和第四光发射信号级em[7,8])与第二高电压传输线vgh2连接,因此从第二高电压传输线vgh2接收高电压。
[0159]
当高电压施加到连接到第一高电压传输线vgh1的第三光发射信号级em[5,6]时
(d1),连接到作为同一高电压传输线的第一高电压传输线vgh1并且因此从第一高电压传输线vgh1接收高电压的第一光发射信号级em[1,2]的第一输出信号gc[1,2]的信号电阻可能增大,并且可能发生干扰,使得第一光发射信号级em[1,2]的第一输出信号gc[1,2]的高电压vgh的大小可能改变。类似地,当高电压施加到连接到第一高电压传输线vgh1的第五光发射信号级em[9,10]时(d2),连接到作为同一高电压传输线的第一高电压传输线vgh1的第一光发射信号级em[1,2]的第一输出信号gc[1,2]的强度和第三光发射信号级em[5,6]的第三输出信号gc[5,6]的强度可能改变。
[0160]
另外,与连接到第二高电压传输线vgh2并且从第二高电压传输线vgh2接收高电压的第二光发射信号级em[3,4]和第四光发射信号级em[7,8]类似,偶数编号的光发射信号级的第二输出信号gc[3,4]和第四输出信号gc[7,8]可能由于第二高电压传输线vgh2的电阻以及第二输出信号gc[3,4]与第四输出信号gc[7,8]之间的信号干扰而经历强度变化。
[0161]
当奇数编号的光发射信号级(例如,第一光发射信号级em[1,2]、第三光发射信号级em[5,6]和第五光发射信号级em[9,10])和偶数编号的光发射信号级(例如,第二光发射信号级em[3,4]和第四光发射信号级em[7,8])都连接到一条相同的高电压传输线时,第一光发射信号级em[1,2]的高电压输出值会在针对每两个水平时段2h将高电压顺序地施加到下一级的光发射信号级(诸如,第二光发射信号级em[3,4]的第二输出信号gc[3,4]和第三光发射信号级em[5,6]的第三输出信号gc[5,6])时改变。另外,当针对每两个水平时段2h将高电压顺序地施加到下一级处的光发射信号级时,也会改变第二光发射信号级em[3,4]的第二输出信号gc[3,4]的高电压值。
[0162]
也就是说,顺序地,每当针对每两个水平时段2h将高电压施加到下一级的光发射信号级时,输入到前一级的光发射信号级的高电压值和从前一级的光发射信号级输出的高电压值会改变。
[0163]
然而,在根据一些示例实施例的有机发光二极管(oled)显示器中,奇数编号的光发射信号级(诸如,第一光发射信号级em[1,2]、第三光发射信号级em[5,6]和第五光发射信号级em[9,10])连接到第一高电压传输线vgh1,因此从第一高电压传输线vgh1接收高电压。并且偶数编号的光发射信号级(诸如,第二光发射信号级em[3,4]和第四光发射信号级em[7,8])连接到第二高电压传输线vgh2,因此从第二高电压传输线vgh2接收高电压。
[0164]
如此,奇数编号的光发射信号级和偶数编号的光发射信号级连接到不同的高电压传输线,因此输入到偶数编号的光发射信号级的高电压的大小和输入到奇数编号的光发射信号级的高电压的大小可以不受彼此影响。
[0165]
因此,能够通过输入到奇数编号的光发射信号级的高电压与输入到偶数编号的光发射信号级的高电压之间的信号干扰来减小施加到光发射信号级和从光发射信号级输出的高电压的大小的改变。另外,每当在比两个水平时段2h长的时段(例如,每四个水平时段4h)中将高电压施加到光发射信号级的下一级时,连接到同一第一高电压传输线vgh1的光发射信号级的前一级的光发射信号级的高电压的大小可以改变。
[0166]
接下来,参照图11和图12,将描述根据另一实施例的有机发光二极管显示器的栅极信号。图12是根据一些示例实施例的光发射信号发生器的一些信号的波形图。
[0167]
如前所述,在根据一些示例实施例的有机发光二极管显示器中,奇数编号的光发射信号级和偶数编号的光发射信号级连接到不同的高电压传输线,因此输入到偶数编号的
光发射信号级的高电压的大小和输入到奇数编号的光发射信号级的高电压的大小可以不受彼此影响。
[0168]
因此,能够通过输入到奇数编号的光发射信号级的高电压与输入到偶数编号的光发射信号级的高电压之间的信号干扰来减小施加到光发射信号级和从光发射信号级输出的高电压的大小的改变。另外,每当在比两个水平时段2h长的时段(例如,每四个水平时段4h)中将高电压施加到光发射信号级的下一级时,连接到同一第一高电压传输线vgh1的光发射信号级的前一级的光发射信号级的高电压的大小可以改变。
[0169]
如在图12中所示的第一位置d1和第二位置d2中,当针对每四个水平时段4h将高电压施加到下一级的光发射信号级时,连接到第一高电压传输线vgh1的光发射信号级的前一级的光发射信号级的高电压的大小可以改变。在这种情况下,参照图12中由c标记的部分,可以在其中光发射信号级的高电压的大小改变的第一位置d1与第二位置d2之间的时段中的下一(或后)两个水平时段2h期间输入前一级扫描信号gw(例如,gw[1]和gw[2])。可以在高电压的大小不改变的同时输入前一级扫描信号gw,由此可以通过调节前一级扫描信号gw的输入时间来防止前一级的光发射信号级的高电压大小的改变影响下一光发射信号级的高电压的大小,因此可以不影响连接到下一级的光发射信号级的两个像素行的光发射的强度。
[0170]
接下来,将更详细地描述根据一些示例实施例的有机发光二极管显示器。图13是根据一些示例实施例的有机发光二极管显示器的框图。
[0171]
参照图13,根据一些示例实施例的有机发光二极管显示器与根据关于图1至图3示出和描述的示例实施例的有机发光二极管显示器类似。因此,可以省略对类似组成元件的一些详细描述。
[0172]
参照图13,与关于图1至图3示出和描述的根据一些示例实施例的有机发光二极管显示器不同,在根据一些示例实施例的有机发光二极管显示器中,扫描信号发生器410和420、光发射信号发生器510和520、第一时钟信号传输线clk1、第三时钟信号传输线clk3、第一高电压传输线vgh1和第二高电压传输线vgh2分别位于显示区域300的相对侧处。位于显示区域300的相对侧处的两条第一时钟信号传输线clk1可以彼此连接,并且位于显示区域300的相对侧处的两条第二高电压传输线vgh2可以彼此连接。
[0173]
例如,第一扫描信号发生器410和第一光发射信号发生器510位于显示区域300的右侧处,并且第二扫描信号发生器420和第二光发射信号发生器520位于显示区域300的左侧处。
[0174]
第一扫描信号发生器410和第二扫描信号发生器420连接到同一信号线,并且包括多个相同的扫描信号级gd。另外,第一光发射信号发生器510和第二光发射信号发生器520连接到同一信号线,并且包括多个相同的光发射信号级em。
[0175]
如所描述的,类似结构的第一扫描信号发生器410和第二扫描信号发生器420以及第一光发射信号发生器510和第二光发射信号发生器520放置在显示区域300的相应侧处,因此可以防止位于同一像素行中的多个像素px的信号延迟。
[0176]
另外,如在先前描述的示例实施例的有机发光二极管显示器中,在根据一些示例实施例的有机发光二极管显示器中,奇数编号的光发射信号级连接到第一高电压传输线vgh1并且因此接收高电压,并且偶数编号的光发射信号级连接到第二高电压传输线vgh2并
且因此从第二高电压传输线vgh2接收高电压。
[0177]
如此,奇数编号的光发射信号级和偶数编号的光发射信号级连接到不同的高电压传输线,从而减小了由于相邻光发射信号级之间的信号干扰而引起的施加的高电压的大小的改变。
[0178]
另外,当高电压大小不改变时,可以输入前一级扫描信号gw,由此可以防止前一级中的光发射信号级的高电压大小的改变影响下一光发射信号级的高电压的大小。
[0179]
虽然已经结合目前被认为是实际的示例实施例描述了根据本公开的实施例,但是将理解的是,根据本发明的实施例不限于公开的实施例。相反,公开的实施例旨在覆盖包括在所附权利要求及其等同物的精神和范围内的各种修改和等同布置。
[0180]
附图标记中的一些的描述
[0181]
300:显示区域
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410、420:扫描信号发生器
[0182]
510、520:光发射信号发生器
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121:扫描线
[0183]
123:前一级扫描线
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151:光发射信号线
[0184]
551:高电平输出部分
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552:低电平输出部分
[0185]
553:第一节点第一控制器
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554:第一节点第二控制器
[0186]
555:第二节点第一控制器
[0187]
555

1:第一子第二节点第一控制器
[0188]
555

2:第二子第二节点第一控制器
[0189]
556:第二节点第二控制器
[0190]
557:第三节点控制器
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em:光发射信号级
[0191]
gd:扫描信号级
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gi:扫描信号
[0192]
gw:前一级扫描信号
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flm:控制信号
[0193]
in1、in2:时钟输入端子
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out:输出端子
[0194]
clk1、clk3:时钟信号传输线
[0195]
vgh1、vgh2:高电压传输线
再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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