半导体结构及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：第一基板，具有支撑垫；第二基板，位于所述第一基板上；金属层，位于所述第二基板内，且所述金属层从所述支撑垫延伸至所述第二基板的顶面；缓冲结构，位于所述第二基板内，所述缓冲结构被所述金属层围绕，其中所述缓冲结构的顶面低于所述金属层的顶面；以及阻障结构，位于所述金属层与所述缓冲结构上。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，进一步包含：钝化层，位于所述第二基板上。3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述阻障结构具有第一部分与第二部分，所述第一部分位于所述钝化层上，所述第二部分位于所述金属层与所述阻障结构上。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，进一步包含：隔离层，位于所述第二基板的侧壁上。5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，进一步包含：第一阻障层，位于所述支撑垫与所述隔离层上；以及第二阻障层，位于所述金属层上。6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，进一步包含：凸块，位于所述阻障结构上。7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属层的一部分位于所述缓冲结构与所述第二基板之间。8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一基板上包含内连接结构，并且所述支撑垫位于所述内连接结构中。9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述缓冲结构由有机材料制成。10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述缓冲结构的所述顶面低于所述第二基板的顶面。11.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包含：接合第一基板与第二基板，其中所述第一基板具有支撑垫；蚀刻所述第二基板，以形成开口，其中所述支撑垫通过所述开口而暴露；在所述支撑垫与围绕所述开口的所述第二基板的侧壁上形成金属层；在所述金属层上形成缓冲结构；蚀刻所述缓冲结构，使得所述缓冲结构的顶面低于所述金属层的顶面；以及形成阻障结构，位于所述金属层与所述缓冲结构上。12.如权利要求11所述的形成半导体结构的方法，其特征在于，进一步包含：在蚀刻所述第二基板之前，在所述第二基板上形成钝化层。13.如权利要求12所述的形成半导体结构的方法，其特征在于，进一步包含：蚀刻所述钝化层，以形成开口，其中所述钝化层的所述开口连通于所述第二基板的所述开口，且比所述第二基板的所述开口宽。14.如权利要求11所述的形成半导体结构的方法，其特征在于，进一步包含：
在形成所述金属层之前，在所述第二基板的所述侧壁上形成隔离层，使得所述金属层形成于所述隔离层上。15.如权利要求14所述的形成半导体结构的方法，其特征在于，进一步包含：在所述隔离层与所述支撑垫上形成第一阻障层；以及在所述金属层上形成第二阻障层。16.如权利要求11所述的形成半导体结构的方法，其特征在于，蚀刻所述缓冲结构，使得所述缓冲结构的所述顶面低于所述第二基板的顶面。17.如权利要求11所述的形成半导体结构的方法，其特征在于，进一步包含：在所述阻障结构上形成凸块。

技术总结
本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括第一基板、第二基板、金属层、缓冲结构以及阻障结构。第一基板具有支撑垫。第二基板设置于第一基板上。金属层设置于第二基板内，且从支撑垫延伸至第二基板的顶面。缓冲结构设置于第二基板内，且被金属层围绕，其中缓冲结构的顶面低于金属层的顶面。阻障结构设置于金属层与缓冲结构上。本发明的半导体结构及其形成方法，因其缓冲结构位于第二基板内且被金属层围绕，因而具有补偿应力的效果，因此半导体结构的效能可以被改善。因此半导体结构的效能可以被改善。因此半导体结构的效能可以被改善。


技术研发人员：施信益
受保护的技术使用者：南亚科技股份有限公司
技术研发日：2020.06.12
技术公布日：2021/11/14