1.本发明是有关于一种处理条件选择方法、基板处理方法、基板制品制造方法、处理条件选择装置、计算机程序以及存储介质。
背景技术：
：：2.在专利文献1所述的半导体装置中，制作对应表并决定形成于半导体基板上的绝缘膜的蚀刻时间。对应表是对照形成于半导体基板上的停止膜(stopperfilm)的膜厚平均值与绝缘膜的蚀刻时间。3.现有技术文献4.专利文献5.专利文献1：日本特开2004‑71862号公报技术实现要素：6.发明所要解决的课题7.然而，在专利文献1所述的半导体装置中，对应表不过是对照针对基板的确定的25个部位测定停止膜的膜厚并从测定结果求出膜厚平均值与绝缘膜的蚀刻时间。8.另一方面，本发明的发明人具有下述的卓见：针对基板的某个位置(以下记载为“位置lc”)的蚀刻处理对位置lc附近的膜厚分部造成影响。9.因此，对应表即使对基板的确定的25个部位的膜厚平均值制定良好的蚀刻时间，绝缘膜的蚀刻也不一定会在基板的广范的区域皆良好。其结果，当观察基板的广范的区域时，有可能在蚀刻后的绝缘膜的厚度中产生参差不齐。10.换言之，有可能在蚀刻液等处理液进行处理后的对象物的厚度中产生参差不齐。11.本发明是有鉴于上述课题而提出的，其目的在于提供一种能在构成基板的对象物的广范的区域中抑制处理后的对象物的厚度的参差不齐的处理条件选择方法、基板处理方法、基板制品制造方法、处理条件选择装置、计算机程序以及存储介质。12.用于解决课题的手段13.根据本发明的一方式的处理条件选择方法中，从多个参照处理条件中选择通过处理液对构成基板的对象物进行处理时能够使用的处理条件。处理条件选择方法包括：在所述处理液进行处理前，在所述对象物的多个测定位置分别测定出所述对象物的厚度的步骤；比较表示在多个所述测定位置分别测定出的多个所述厚度的分布的厚度图案与预先存储于存储部的多个参照图案，根据规定规则从多个所述参照图案中确定与所述厚度图案相关度高的参照图案的步骤；以及从所述存储部取得与多个所述参照图案分别相关联的多个参照处理条件中的、与所确定的所述参照图案相关联的参照处理条件而作为所述处理条件的步骤。多个所述参照图案分别表示参照对象物的物理量的分布。多个所述参照处理条件分别表示过去对具有所述参照图案的所述参照对象物执行了所述处理液的处理时的处理条件。14.优选地，在本发明的处理条件选择方法中，预先将多个所述参照图案的每一个分类为多个参照组中的某一个。优选地，根据参照图案的形状的特征来决定多个所述参照组。优选地，确定所述参照图案的所述步骤包括：将所述厚度图案分类为多个所述参照组中的某一个参照组的步骤；以及以多个所述参照图案中的、分类为分类有所述厚度图案的所述参照组的2个以上的参照图案为对象，根据所述规定规则进行所述厚度图案与所述参照图案的比较，决定与所述厚度图案相关度高的所述参照图案的步骤。15.优选地，在本发明的处理条件选择方法中，多个所述参照组包括第1参照组、第2参照组以及第3参照组中的至少一个。优选地，所述第1参照组表示在从所述对象物或者所述参照对象物的中心部至边缘部之间具有极小部的图案的组。优选地，所述第2参照组表示在从所述对象物或者所述参照对象物的中心部至边缘部之间具有极大部的图案的组。优选地，所述第1参照组表示从所述对象物或者所述参照对象物的中心部朝边缘部向一方向倾斜的图案的组。16.优选地，在本发明的处理条件选择方法中，在分类有所述厚度图案的所述参照组为所述第1参照组的情况下，在决定所述参照图案的所述步骤中，比较基于所述厚度图案的第1差分与基于所述参照图案的第2差分，根据比较结果来决定与所述厚度图案相关度高的所述参照图案。优选地，所述第1差分表示所述厚度图案的极小部所示的所述对象物的厚度与所述厚度图案的边缘部所示的所述对象物的边缘部的厚度的差分。优选地，所述第2差分表示所述参照图案的极小部所示的所述参照对象物的物理量与所述参照图案的边缘部所示的所述参照对象物的边缘部的物理量的差分。17.优选地，在本发明的处理条件选择方法中，在分类有所述厚度图案的所述参照组为所述第2参照组的情况下，在决定所述参照图案的所述步骤中，比较基于所述厚度图案的第1距离与基于所述参照图案的第2距离，根据比较结果来决定与所述厚度图案相关度高的所述参照图案。优选地，所述第1距离表示从所述对象物的中心部至所述厚度图案的极大部所对应的位置为止的距离。优选地，所述第2距离表示从所述参照对象物的中心部至所述参照图案的极大部所对应的位置为止的距离。18.优选地，在本发明的处理条件选择方法中，在分类有所述厚度图案的所述参照组为所述第3参照组的情况下，在决定所述参照图案的所述步骤中，比较所述厚度图案的倾斜与所述参照图案的倾斜，根据比较结果来决定与所述厚度图案相关度高的所述参照图案。19.优选地，在本发明的处理条件选择方法中，确定所述参照图案的所述步骤还包括：使所述厚度图案的维度与所述参照图案的维度一致的步骤。优选地，在决定所述参照图案的所述步骤中，使所述厚度图案的维度与所述参照图案的维度一致后，根据所述规定规则决定与所述厚度图案相关度高的所述参照图案。20.优选地，在本发明的处理条件选择方法中，多个所述参照处理条件分别包括：表示包含所述参照对象物的基板的旋转速度的信息、表示对所述参照对象物喷出所述处理液的喷嘴的折返位置的信息以及表示沿着所述参照对象物的所述喷嘴的移动速度的信息。21.优选地，本发明的处理条件选择方法还包括：比较表示所述厚度图案的特征的第1特征量与表示所述参照图案的特征的第2特征量，根据比较结果来调整通过从所述存储部取得的所述步骤所取得的所述处理条件所包含的表示所述喷嘴的移动速度的信息的步骤。优选地，所述第1特征量表示所述厚度图案的极值、所述厚度图案所示的所述对象物的中心部的厚度、或者所述厚度图案所示的所述对象物的边缘部的厚度。优选地，所述第2特征量表示所述参照图案的极值、所述参照图案所示的所述参照对象物的中心部的物理量、或者所述参照图案所示的所述参照对象物的边缘部的物理量。22.在本发明的处理条件选择方法中，在确定所述参照图案的所述步骤中，根据用户向输入装置的输入结果来确定与所述厚度图案相关度高的所述参照图案。23.优选地，本发明的处理条件选择方法还包括：在显示装置上显示为了确定或者调整与所述处理液进行处理前的所述对象物的所述厚度图案相关度高的所述参照图案的信息而利用的信息、或者为了评价所述处理液进行处理后的所述对象物的厚度图案的信息而利用的信息的步骤。24.优选地，在本发明的处理条件选择方法中，所述处理液是对所述对象物进行蚀刻的蚀刻液。优选地，所述物理量是蚀刻率(etchingrate)或者蚀刻量。25.优选地，在本发明的处理条件选择方法中，所述处理液是对所述对象物进行去除的去除液。优选地，所述物理量是去除率或者去除量。26.根据本发明的其他方式，基板处理方法包括：上述方式的处理条件选择方法；以及按照在所述处理条件选择方法中选择出的所述处理条件，通过处理液对所述对象物进行处理的步骤。27.优选地，本发明的基板处理方法还包括：在所述处理液进行处理后的所述对象物的多个测定位置，分别测定出处理后的所述对象物的厚度的步骤。28.优选地，本发明的基板处理方法还包括：将表示处理前的所述对象物的厚度的分布的处理前的所述厚度图案、与处理前的所述厚度图案相关度高的所述参照图案、所述处理条件、以及表示处理后的所述对象物的厚度的分布的处理后的厚度图案关联起来存储于存储部的步骤。29.优选地，本发明的基板处理方法还包括：将表示处理前的所述对象物的厚度的分布的处理前的所述厚度图案、与处理前的所述厚度图案相关度高的所述参照图案、所述处理条件、表示处理后的所述对象物的厚度的分布的处理后的厚度图案、以及针对处理后的所述厚度图案的评价结果关联起来存储于存储部的步骤。30.根据本发明的另一方式，在基板制品制造方法中，通过上述其他方式的基板处理方法来处理所述基板，而制造作为处理后的所述基板的基板制品。31.根据本发明的另一方式，处理条件选择装置从多个参照处理条件中选择通过处理液对构成基板的对象物进行处理时能够使用的处理条件。处理条件选择装置具备厚度测定部、存储部、确定部以及取得部。厚度测定部在所述处理液进行处理前，在所述对象物的多个测定位置分别测定出所述对象物的厚度。存储部预先存储分别表示参照对象物的物理量的分布的多个参照图案。确定部比较表示在多个所述测定位置分别测定出的多个所述厚度的分布的厚度图案与多个所述参照图案，根据规定规则从多个所述参照图案中确定与所述厚度图案相关度高的参照图案。取得部从所述存储部取得与多个参照图案分别相关联的多个参照处理条件中的、与所确定的所述参照图案相关联的参照处理条件而作为所述处理条件。多个所述参照处理条件分别表示过去对具有所述参照图案的所述参照对象物执行了所述处理液的处理时的处理条件。32.根据本发明的另一方式，计算机程序从多个参照处理条件中选择通过处理液对构成基板的对象物进行处理时能够使用的处理条件。计算机程序使计算机执行如下步骤：在所述处理液进行处理前，在所述对象物的多个测定位置分别测定出所述对象物的厚度；比较表示在多个所述测定位置分别测定出的多个所述厚度的分布的厚度图案与预先存储于存储部的多个参照图案，根据规定规则从多个所述参照图案中确定与所述厚度图案相关度高的参照图案；以及从所述存储部取得与多个所述参照图案分别相关联的多个参照处理条件中的、与所确定的所述参照图案相关联的参照处理条件而作为所述处理条件。多个所述参照图案分别表示参照对象物的物理量的分布。多个所述参照处理条件分别表示过去对具有所述参照图案的所述参照对象物执行了所述处理液的处理时的处理条件。33.根据本发明的另一方式，存储介质存储上述方式的计算机程序。34.发明效果35.根据本发明，能提供一种能在构成基板的对象物的广范的区域内抑制处理后的对象物的厚度的参差不齐的处理条件选择方法、基板处理方法、基板制品制造方法、处理条件选择装置、计算机程序以及存储介质。附图说明36.图1是表示本发明的实施方式的基板处理装置的图。37.图2是表示实施方式的基板处理装置的喷嘴对基板的扫描处理的平面图。38.图3是表示实施方式的基板处理装置的光学探头(opticalprobe)对基板的扫描处理的平面图。39.图4的(a)是表示基于实施方式的基板处理装置的蚀刻前的厚度图案的图，(b)是表示基于实施方式的基板处理装置的蚀刻率分布的图，(c)是表示基于实施方式的基板处理装置的蚀刻后的厚度图案的图。40.图5是表示实施方式的基板处理装置的控制装置的框图。41.图6的(a)是表示分类为实施方式的第1参照组的厚度图案的图，(b)是表示分类为实施方式的第2参照组的厚度图案的图，(c)是表示分类为实施方式的第3参照组的厚度图案的图。42.图7的(a)是表示分类为实施方式的第1参照组的多个参照图案(pattern)的图，(b)是表示分类为实施方式的第1参照组的参照图案的详细情况的图。43.图8的(a)是表示分类为实施方式的第2参照组的多个参照图案的图，(b)是表示分类为实施方式的第2参照组的参照图案的详细情况的图。44.图9的(a)是表示分类为实施方式的第3参照组的多个参照图案的图，(b)是表示分类为实施方式的第3参照组的参照图案的详细情况的图。45.图10是表示实施方式的基板处理方法的流程图。46.图11是表示图10的步骤s3的流程图。具体实施方式47.以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。此外，图中对于相同或者相应的部分赋予同样的参照符号而不进行重复的说明。此外，在本发明的实施方式中，x轴、y轴以及z轴彼此正交，x轴以及y轴在水平方向上平行，z轴在铅锤方向上平行。此外，“平面视图”表示从铅锤上方观察对象。48.参照图1～图11，对本发明的实施方式的基板处理装置100进行说明。首先，参照图1对基板处理装置100进行说明。图1是表示基板处理装置100的图。图1所示的基板处理装置100通过处理液对基板w进行处理。49.具体而言，基板处理装置100通过处理液对构成基板w的对象物进行处理。以下，将处理液的处理对象即对象物称为“对象物tg”。构成基板w的对象物tg例如是基板本体(例如，由硅构成的基板本体)或者形成于基板本体的表面的物质。形成于基板本体的表面的物质例如是与基板本体相同材料的物质(例如，由硅构成的层)或者与基板本体不同材料的物质(例如，氧化硅膜、氮化硅膜或抗蚀剂(resist))。“物质”也可以构成膜。50.基板处理装置100是逐片地处理基板w的叶片型。基板w为略圆板状。51.基板w例如是半导体晶圆、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、场发射显示器(fed；fieldemissiondisplay)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模(photomask)用基板、陶瓷基板或者太阳能电池用基板。在以下的实施方式的说明中，基板w是半导体晶圆。52.尤其，在本实施方式中，基板处理装置100作为“处理条件选择装置”发挥作用，“处理条件选择装置”从多个参照处理条件中选择通过处理液处理构成基板w的对象物tg时可使用的处理条件。53.如图1所示，基板处理装置100具备处理单元1、显示装置19、输入装置20、控制装置21、阀v1、供给配管k1、阀v2以及供给配管k2。54.控制装置21控制处理单元1、显示装置19、输入装置20、阀v1以及阀v2。显示装置19显示各种信息。显示装置19例如是液晶显示器。输入装置20接受来自用户的输入，并将表示输入结果的信息输出至控制装置21。输入装置20例如包括触控面板和指示设备(pointingdevice)。触控面板例如配置于显示装置19的显示面。显示装置19和输入装置20例如构成图形用户界面(graphicaluserinterface)。55.处理单元1向基板w喷出处理液来处理基板w。具体而言，处理单元1包括腔室(chamber)2、旋转卡盘(spinchuck)3、旋转马达(spinmotor)5、喷嘴7、喷嘴移动部9、喷嘴11、多个防护罩(guard)13(在本实施方式中为2个防护罩13)、厚度测定部15以及探头(probe)移动部17。56.腔室2具有略箱形状。腔室2收纳基板w、旋转卡盘3、旋转马达5、喷嘴7、喷嘴移动部9、喷嘴11、多个防护罩13、厚度测定部15、探头移动部17、供给配管k1的一部分以及供给配管k2的一部分。57.旋转卡盘3保持基板w地旋转。具体而言，旋转卡盘3在腔室2内水平地保持基板w的同时，使基板w绕着旋转轴线ax旋转。具体而言，旋转卡盘3由旋转马达5驱动而旋转。58.旋转卡盘3包括多个卡盘部件32和旋转基座(spinbase)33。多个卡盘部件32沿着基板w的周缘设置于旋转基座33。多个卡盘部件32以水平姿势保持基板w。旋转基座33为略圆板状，以水平姿势支撑多个卡盘部件32。旋转马达5使旋转基座33绕旋转轴线ax旋转。因此，旋转基座33绕旋转轴线ax旋转。其结果，由设置于旋转基座33的多个卡盘部件32所保持的基板w绕着旋转轴线ax旋转。具体而言，旋转马达5包括马达本体51和轴53。轴53与旋转基座33耦合。并且，马达本体51使轴53旋转，由此使旋转基座33旋转。59.喷嘴7在基板w的旋转中朝基板w喷出处理液。处理液是药液。60.以下，在本实施方式中，说明基板处理装置100对基板w(具体而言为对象物tg)执行蚀刻处理且处理液为蚀刻液的情况。因此，基板处理装置100作为“处理条件选择装置”发挥作用，“处理条件选择装置”从多个参照处理条件中选择通过蚀刻液对构成基板w的对象物tg进行蚀刻处理时可使用的处理条件。61.蚀刻液例如是氢氟硝酸(氢氟酸(hf)与硝酸(hno3)的混合液)、氢氟酸、缓冲氢氟酸(bhf；bufferedhydrogenfluoride)、氟化铵(ammoniumfluoride)、hfeg(氢氟酸与乙二醇的混合液)、或者磷酸(h3po4)。62.供给配管k1对喷嘴7供给蚀刻液。阀v1切换开始对喷嘴7供给蚀刻液以及停止对喷嘴7供给蚀刻液。63.喷嘴移动部9使喷嘴7在略铅锤方向以及略水平方向上移动。具体而言，喷嘴移动部9包括臂91、转动轴93以及喷嘴移动机构95。臂91沿着略水平方向延伸。在臂91的前端部配置有喷嘴7。臂91与转动轴93耦合。转动轴93沿略铅锤方向延伸。喷嘴移动机构95使转动轴93绕着沿略铅锤方向的转动轴线转动，并使臂91沿略水平面转动。其结果，喷嘴7沿略水平面移动。此外，喷嘴移动机构95使转动轴93沿略铅锤方向进行升降，而使臂91进行升降。其结果，喷嘴7沿略铅锤方向移动。喷嘴移动机构95例如包括滚珠丝杠(ballscrew)机构和向滚珠丝杠机构赋予驱动力的电动马达。64.喷嘴11在基板w的旋转中朝基板w喷出冲洗液。冲洗液例如是去离子水、碳酸水、电解离子水、氢水、臭氧水或者稀释浓度(例如，10ppm～100ppm左右)的盐酸水。65.供给配管k2对喷嘴11供给冲洗液。阀v2切换开始对喷嘴11供给冲洗液以及停止对喷嘴11供给冲洗液。66.多个防护罩13分别具有略筒形状。多个防护罩13分别接住从基板w排出的处理液或者冲洗液。67.厚度测定部15以非接触方式测定对象物tg的厚度，并将表示对象物tg的厚度的信息输出至控制装置21。厚度测定部15例如通过光谱干扰(spectralinterference)法测定对象物tg的厚度。具体而言，厚度测定部15包括光学探头151、连接线153以及厚度测定器155。光学探头151包含透镜(lens)。连接线153连接光学探头151与厚度测定器155。连接线153包括光纤。厚度测定器155包括光源以及受光元件。厚度测定器155的光源射出的光经由连接线153以及光学探头151射出至对象物tg。被对象物tg反射的光经由光学探头151以及连接线153被厚度测定器155的受光元件接收。厚度测定器155解析所接收的光，并根据解析结果算出对象物tg的厚度。厚度测定器155将表示对象物tg的厚度的信息输出至控制装置21。68.探头移动部17使光学探头151在略铅锤方向以及略水平方向上移动。具体而言，探头移动部17包括臂171、转动轴173以及探头移动机构175。臂171沿着略水平方向延伸。在臂171的前端部配置有光学探头151。臂171与转动轴173耦合。转动轴173沿着略铅锤方向延伸。探头移动机构175使转动轴173绕着沿略铅锤方向的转动轴线转动，而使臂171沿略水平面转动。其结果，光学探头151沿略水平面移动。此外，探头移动机构175使转动轴173沿略铅锤方向进行升降，而使臂171进行升降。其结果，光学探头151沿略铅锤方向移动。探头移动机构175例如包括滚珠丝杠机构以及对滚珠丝杠机构赋予驱动力的电动马达。69.接着，参照图2说明喷嘴7对基板w的扫描处理。图2是表示喷嘴7对基板w的扫描处理的平面图。如图2所示，喷嘴7的扫描处理是指，一边移动喷嘴7一边将处理液喷出至对象物tg以便俯视观看时处理液对于对象物tg的表面的着液位置形成圆弧状的轨迹tj1。轨迹tj1通过基板w的边缘部eg和基板w的中心部ct。中心部ct表示基板w中旋转轴线ax通过的部分。边缘部eg表示基板w的周缘部。在基板w的旋转中执行喷嘴7对基板w的扫描处理。喷嘴7对基板w的扫描处理中，喷嘴7的移动速度是固定的。例如，通过喷嘴7移动时的喷嘴7的角速度或者速度来表示喷嘴7的移动速度。70.具体而言，喷嘴7进行向顺时针的转动方向rt1的转动以及向逆时针的转动方向rt2的转动。也就是说，喷嘴7向转动方向rt1转动并在折返位置tr1折返而向转动方向rt2转动。然后，喷嘴7在折返位置tr2折返而向转动方向rt1转动。也就是说，喷嘴7在折返位置tr1与折返位置tr2之间反复移动。折返位置tr1表示转动方向rt1上的喷嘴7的折返位置。折返位置tr2表示转动方向rt2上的喷嘴7的折返位置。俯视观看时，折返位置tr1和折返位置tr2在轨迹tj1上夹着中心部ct。根据处理液的处理条件，适当地变更折返位置tr1和折返位置tr2。此外，对于折返位置tr3予以后述。71.接着，参照图3说明光学探头151对基板w的扫描处理。图3表示光学探头151对基板w的扫描处理的平面图。如图3所示，光学探头151的扫描处理是指，一边移动光学探头151一边测定对象物tg的厚度，以便俯视观看时，针对对象物tg的厚度的测定位置形成圆弧状的轨迹tj2。轨迹tj2通过基板w的边缘部eg以及基板w的中心部ct。在基板w的旋转中执行光学探头151对基板w的扫描处理。72.具体而言，俯视观看时，光学探头151一边在基板w的中心部ct与边缘部eg之间移动一边移动测定位置。换言之，厚度测定部15在对象物tg的多个测定位置分别测定对象物tg的厚度。其结果，在从基板w的中心部ct至边缘部eg，测定出对象物tg的厚度的分布。也就是说，测定基板w的径方向rd上的对象物tg的厚度的分布。73.接着，参照图4的(a)～图4的(c)说明基板处理装置100针对基板w(具体而言为对象物tg)的蚀刻处理。图4的(a)是表示蚀刻前的厚度图案ta、tb、tc的图。图4的(b)是表示蚀刻率(etchingrate)分布ea、eb、ec的图。图4的(c)是表示蚀刻后的厚度图案tar、tbr、tcr的图。“厚度图案”表示在对象物tg的多个测定位置分别测定出的多个厚度的分布。即，“厚度图案”表示基板w的径方向rd上的对象物tg的厚度的分布。74.在图4的(a)～图4的(c)中，横轴表示基板w上的位置。在图4的(a)和图4的(c)中，纵轴表示对象物tg的厚度。在图4的(b)中，纵轴表示对象物tg的蚀刻率。蚀刻率是每单位时间的蚀刻量。75.如图4的(a)所示，对象物tg在蚀刻前具有厚度图案ta的情况下，如图4的(b)所示，将处理条件决定为具有与厚度图案ta相关度高的蚀刻率分布ea，并执行蚀刻处理。其结果，根据本实施方式，如图4的(c)所示，对象物tg在蚀刻前具有厚度图案ta的情况下，蚀刻后的对象物tg的厚度图案tar变得略平坦(flat)。即，能在对象物tg的广范的区域(从中心部ct至边缘部eg为止的区域)抑制蚀刻后的对象物tg的厚度的参差不齐(variation)。76.同样地，如图4的(a)和图4的(b)所示，将处理条件决定为具有与蚀刻前的对象物tg的厚度图案tb相关度高的蚀刻率分布eb，并执行蚀刻处理。其结果，如图4的(c)所示，对象物tg在蚀刻前具有厚度图案tb的情况下，蚀刻后的对象物tg的厚度图案tbr变得略平坦。77.同样地，如图4的(a)和图4的(b)所示，将处理条件决定为具有与蚀刻前的对象物tg的厚度图案tc相关度高的蚀刻率分布ec，并执行蚀刻处理。其结果，如图4的(c)所示，对象物tg在蚀刻前具有厚度图案tc的情况下，蚀刻后的对象物tg的厚度图案tcr变得略平坦。78.此外，以对象物的厚度在径方向上略均匀(即，对象物的厚度图案略平坦)为前提决定了蚀刻率分布变成略固定的处理条件的情况下，对象物的厚度在径方向上不均匀时，蚀刻后的对象物的厚度图案不会变得略平坦，有可能在蚀刻后的对象物的厚度中产生参差不齐。79.接着，参照图5说明控制装置21。图5表示控制装置21的框图。如图5所示，控制装置21包括控制部31和存储部41。控制部31控制存储部41。此外，控制部31控制基板处理装置100的其他各构成。80.控制部31包括cpu(centralprocessingunit；中央处理器)这样的处理器。存储部41包括存储装置，存储数据以及计算机程序。具体而言，存储部41包括半导体内存这样的主存储装置、半导体内存和/或硬盘驱动器这样的辅助存储装置。存储部41也可以包括光盘这样的可移动介质(removablemedia)。控制部31的处理器执行存储部41的存储装置所存储的计算机程序而控制基板处理装置100的各构成。存储部41相当于“存储介质”的一例。“存储介质”例如是非临时性计算机可读存储介质。81.具体而言，存储部41存储制程(recipe)数据415和计算机程序417。此外，存储部41包括参照图案数据库411。优选地，存储部41包括处理结果数据库413。82.参照图案数据库411存储多个参照图案rp。分别将多个参照图案rp预先分类为多个参照组g中的某一个。多个参照组g是根据参照图案rp的形状的特征来决定的。此外，参照图案数据库411存储多个参照处理条件。将多个参照处理条件分别与多个参照图案rp关联起来。83.处理结果数据库413存储表示处理液对对象物tg的处理结果的信息。制程数据415包括表示多个制程的信息。多个制程分别规定基板w的处理内容以及处理顺序。计算机程序417使控制部31的处理器执行包含本实施方式的处理条件选择方法的基板处理方法。例如，计算机程序417使控制部31的处理器动作，以便从多个参照处理条件中选择通过处理液对构成基板w的对象物tg进行处理时可使用的处理条件。处理器相当于“计算机”的一例。84.控制部31包括确定部311和取得部313。控制部31的处理器执行计算机程序417而作为确定部311和取得部313发挥功能。85.确定部311从厚度测定部15取得在处理液的处理前由厚度测定部15测定的表示对象物tg的厚度的信息。表示对象物tg的厚度的信息包括处理液的处理前的对象物tg的厚度图案(以下，有时称为“厚度图案tm”)。86.确定部311比较厚度图案tm与预先存储于存储部41(具体而言为参照图案数据库411)的多个参照图案rp。然后，确定部311根据规定规则(以下，记载为“规定规则ru”)从多个参照图案rp中确定与厚度图案tm相关度高的参照图案rp。换言之，在本说明书中，“与厚度图案tm相关度高的参照图案rp”例如是“具有与厚度图案tm的形状(轮廓(profile))类似的形状(轮廓)的参照图案rp”。87.例如，确定部311根据规定规则ru从多个参照图案rp中确定与厚度图案tm相关度最高的参照图案rp。换言之，在本说明书中，“与厚度图案tm相关度最高的参照图案rp”例如是“具有与厚度图案tm的形状(轮廓)最近似的形状(轮廓)的参照图案rp”。88.相关度高的基准由规定规则ru决定。相关度高的基准通过实验性和/或经验性地决定。例如，相关度高表示在厚度图案tm与参照图案rp之间1个以上的特征一致或者近似。89.存在多个与厚度图案tm相关度最高的参照图案rp的情况下，确定部311选择对参照图案数据库411的登记日期时间最新的参照图案rp。然后，确定部311将所选择的参照图案rp确定为“与厚度图案tm相关度高的参照图案rp”。90.表示规定规则ru的信息例如存储于存储部41。存储部41也可以存储多个规定规则ru。该情况下，用户能够经由输入装置20从多个规定规则ru中选择与状况对应的规定规则ru。然后，确定部311根据用户选择的规定规则ru进行比较动作，来确定与厚度图案tm相关度高的参照图案rp。91.此外，也可以利用可内置或者读入规定规则ru的检索引擎。检索引擎将厚度图案tm检索为输入信息而进行比较动作，确定与厚度图案tm相关度高的参照图案rp。92.多个参照图案rp分别表示参照对象物的物理量的分布。参照对象物是构成过去处理过的基板的对象物。参照对象物例如是过去处理过的基板本体。或者，参照对象物例如是形成于基板本体的表面的物质，且是过去处理过的物质。形成于基板本体的表面的物质例如是与基板本体相同材料的物质或者与基板本体不同材料的物质。“物质”也可以构成膜。[0093]“过去处理过的基板”的素材以及构成与包含对象物tg的基板w的素材以及构成相同。此外，“参照对象物”的素材以及构成与对象物tg的素材以及构成相同。[0094]取得部313从存储部41(具体而言为参照图案数据库411)取得分别与多个参照图案rp相关联的多个参照处理条件中的、与确定部311确定的参照图案rp相关联的参照处理条件而作为针对对象物tg的处理条件。即，取得部313将所取得的参照处理条件决定为处理条件。“处理条件”是通过处理液对对象物tg进行处理时可使用的处理条件。[0095]多个参照处理条件分别表示过去对具有与参照处理条件相关联的参照图案rp的参照对象物执行了处理液的处理时的处理条件。该情况下的“处理液”与对对象物tg进行处理时的处理液相同。[0096]以上，如参照图5进行说明的那样，根据本实施方式，取得与对象物tg的厚度图案tm相关度高的参照图案rp所关联的参照处理条件而作为针对对象物tg的处理条件。即，从多个参照处理条件中取得与对象物tg的厚度图案tm相关度高的参照图案rp所关联的参照处理条件而作为针对对象物tg的处理条件。因此，按照所选择的处理条件处理对象物tg，由此能在构成基板w的对象物tg的广范的区域抑制处理后的对象物tg的厚度的参差不齐。在本实施方式中，“广范的区域”表示从基板w的中心部ct至边缘部eg为止的区域。[0097]尤其，在本实施方式中，处理液是蚀刻对象物tg的蚀刻液。该情况下，定义参照图案rp的“参照对象物的物理量的分布”中的“物理量”是蚀刻率。即，参照图案rp表示参照对象物的蚀刻率的分布。[0098]因此，选择表示与对象物tg的厚度图案tm相关度高的蚀刻率的分布的参照图案rp。并且，取得与表示这样的蚀刻率的分布的参照图案rp关联的参照处理条件而作为针对对象物tg的处理条件。因此，按照所取得的处理条件对对象物tg进行蚀刻处理，由此能在对象物tg的广范的区域抑制蚀刻处理后的对象物tg的厚度的参差不齐。即，在对象物tg的广范的区域能使蚀刻处理后的对象物tg的厚度图案(以下，有时记载为“厚度图案tmr”)略平坦。[0099]以图4的(a)～图4的(c)为例，图4的(a)所示的蚀刻处理前的厚度图案ta～tc分别相当于蚀刻处理前的厚度图案tm。此外，图4的(b)所示的蚀刻率分布ea～ec分别相当于表示与厚度图案tm相关度高的蚀刻率的分布的参照图案rp。并且，图4的(c)所示的蚀刻处理后的厚度图案tar～tcr分别相当于蚀刻处理后的厚度图案tmr。[0100]此外，定义参照图案rp的“参照对象物的物理量的分布”中的“物理量”也可以是蚀刻量。即，参照图案rp也可以表示参照对象物的蚀刻量的分布。[0101]此外，在本实施方式中，多个参照处理条件分别包括表示包含参照对象物的基板的旋转速度的信息、表示对参照对象物喷出处理液的喷嘴7的折返位置的信息、以及表示沿着参照对象物的喷嘴7的移动速度的信息。因此，取得与对象物tg的厚度图案tm相关度高的参照图案rp相关联的参照处理条件而作为针对对象物tg的处理条件，由此能够根据对象物tg的厚度图案tm来适当地决定处理时的基板w的旋转速度、向对象物tg喷出处理液的喷嘴7的折返位置、以及沿着对象物tg的喷嘴7的移动速度。其结果，能够在对象物tg的广范的区域进一步抑制处理后的对象物tg的厚度的参差不齐。具体而言，能在对象物tg的广范的区域进一步抑制蚀刻处理后的对象物tg的厚度的参差不齐。[0102]接着，参照图5说明控制部31的确定部311。如图5所示，优选地，确定部311包括分类部311a和决定部311c。[0103]分类部311a将蚀刻处理前的对象物tg的厚度图案tm分类为多个参照组g中的某一个参照组g。然后，决定部311c将多个参照图案rp中的、分类为分类有对象物tg的厚度图案tm的参照组g的2个以上的参照图案rp作为对象，根据规定规则ru进行厚度图案tm与参照图案rp的比较，决定与厚度图案tm相关度高的参照图案rp。因此，根据本实施方式，比较所有的参照图案rp的每一个与厚度图案tm来确定与厚度图案tm相关度高的参照图案rp的情况相比，能在短时间内决定与厚度图案tm相关度高的参照图案rp。“通过决定部311c决定的参照图案rp”相当于“通过确定部311确定的参照图案rp”。[0104]例如，决定部311c从多个参照图案rp中的、分类为分类有对象物tg的厚度图案tm的参照组g的2个以上的参照图案rp中决定与厚度图案tm相关度最高的参照图案rp。[0105]存在多个与厚度图案tm相关度最高的参照图案rp的情况下，决定部311c选择对参照图案数据库411的登记日期时间最新的参照图案rp。并且，确定部311c将所选择的参照图案rp确定成“与厚度图案tm相关度高的参照图案rp”。[0106]对每个参照组g决定规定规则ru。表示规定规则ru的信息例如按参照组g存储于存储部41。存储部41也可以对每个参照组g存储多个规定规则ru。该情况下，用户能够经由输入装置20，根据参照组g从多个规定规则ru中选择与状况对应的规定规则ru。并且，确定部311c根据用户选择的规定规则ru进行比较动作，决定与厚度图案tm相关度高的参照图案rp。[0107]此外，也可以利用可内置或者读入规定规则ru的检索引擎。检索引擎将分类为分类有厚度图案tm的参照组g的2个以上的参照图案rp作为对象，检索厚度图案tm而作为输入信息，由此进行比较动作，决定与厚度图案tm相关度高的参照图案rp。[0108]取得部313从存储部41(具体而言为参照图案数据库411)取得与决定部311c决定的参照图案rp相关联的参照处理条件而作为针对对象物tg的处理条件。[0109]优选地，确定部311还包括预处理部311b。预处理部311b使对象物tg的厚度图案tm的维度(“长度l”)与参照图案rp的维度(“长度l”/“时间t”)一致。[0110]例如，预处理部311b将参照图案rp的维度变换为厚度图案tm的维度。具体而言，该情况下，预处理部311b算出变换系数cv。并且，预处理部311b对分类有厚度图案tm的参照组g所包含的多个参照图案rp的每一个乘以变换系数cv，由此将多个参照图案rp的每一个的维度变换为厚度图案tm的维度。[0111]变换系数cv是将平均值av1除以平均值av2而算出的。平均值av1是构成厚度图案tm的多个厚度值的平均值。平均值av2是多个蚀刻率值的平均值，该多个蚀刻率值构成分类有厚度图案tm的参照组g所包含的多个参照图案rp。[0112]例如，预处理部311b也可以将厚度图案tm的维度变换为参照图案rp的维度。例如，预处理部311b也可以对厚度图案tm以及参照图案rp执行标准化或规范化，而将厚度图案tm与参照图案rp无维度化。[0113]通过预处理部311b使厚度图案tm的维度与参照图案rp的维度一致后，决定部311c根据规定规则ru从分类有厚度图案tm的参照组g所包含的多个参照图案rp中决定与厚度图案tm相关度高的参照图案rp(即，与厚度图案tm类似的参照图案rp)。因此，根据本实施方式，能更高精度地决定与厚度图案tm相关度高的参照图案rp(即，与厚度图案tm类似的参照图案rp)。[0114]接着，参照图5～图9的(b)说明参照组g。如图5所示，多个参照组g包括第1参照组g1、第2参照组g2以及第3参照组g3中的至少一个。在本实施方式中，多个参照组g包括第1参照组g1、第2参照组g2以及第3参照组g3。因此，分类部311a将蚀刻处理前的对象物tg的厚度图案tm分类为第1参照组g1～第3参照组g3中的某一个参照组。[0115]另一方面，在本实施方式中，预先将多个参照图案rp的每一个分类为第1参照组g1～第3参照组g3中的某一个参照组g。然后，通过预处理部311b使厚度图案tm的维度与参照图案rp的维度一致后，决定部311c根据规定规则ru从第1参照组g1～第3参照组g3中的、分类为分类有对象物tg的厚度图案tm的参照组g的2个以上的参照图案rp，决定与厚度图案tm相关度高的参照图案rp(即，与厚度图案tm类似的参照图案rp)。[0116]图6的(a)是表示分类为第1参照组g1的厚度图案t1的图。横轴表示基板w上的位置，纵轴表示对象物tg的厚度。如图6的(a)所示，分类部311a将蚀刻处理前的对象物tg的厚度图案t1分类为第1参照组g1。第1参照组g1表示在从对象物tg或者参照对象物的中心部ct至边缘部eg间具有极小部的图案(即，朝下方凸起的曲线状的图案)的组。这种图案是厚度图案t1和参照图案rp1的“特征”的一例。厚度图案t1在从中心部ct至边缘部eg间具有厚度的极小部p1。[0117]图6的(b)是表示分类为第2参照组g2的厚度图案t2的图。横轴表示基板w上的位置，纵轴表示对象物tg的厚度。如图6的(b)所示，分类部311a将蚀刻处理前的对象物tg的厚度图案t2分类为第2参照组g2。第2参照组g2表示在从对象物tg或者参照对象物的中心部ct至边缘部eg间具有极大部的图案(即，朝上方凸起的曲线状的图案)的组。这种图案是厚度图案t2和参照图案rp2的“特征”的一例。厚度图案t2在从中心部ct至边缘部eg间具有厚度的极大部p3。[0118]图6的(c)是表示分类为第3参照组g3的厚度图案t3的图。横轴表示基板w上的位置，纵轴表示对象物tg的厚度。如图6的(c)所示，分类部311a将蚀刻处理前的对象物tg的厚度图案t3分类为第3参照组g3。第3参照组g3表示从对象物tg或者参照对象物的中心部ct朝边缘部eg往一方向倾斜的图案的组。在本实施方式中，第3参照组g3表示以从对象物tg或者参照对象物的中心部ct朝边缘部eg增加的方式倾斜的图案的组。这样的图案是厚度图案t3和参照图案rp3的“特征”的一例。厚度图案t2以从中心部ct朝边缘部eg增加的方式倾斜。[0119]图7的(a)是表示分类为第1参照组g1的多个参照图案rp1的图。如图7的(a)所示，多个表格(table)bl1属于第1参照组g1。多个图表bl1的每一个包括彼此不同的多个参照图案rp1。[0120]多个表格bl1分别与表示彼此不同的多个旋转速度的信息相关联。并且，1个表格bl1所包含的多个参照图案rp1与表示相同旋转速度的信息相关联。“旋转速度”表示包含参照对象物的基板的旋转速度，例如通过单位时间的基板的旋转数来表示。表示多个旋转速度的信息的每一个是参照处理条件之一。[0121]在多个表格bl1的每一个中，u轴表示转动方向rt1(图2)上的喷嘴7的折返位置tr1，v轴表示转动方向rt2(图2)上的喷嘴7的折返位置tr2。折返位置tr1和折返位置tr2分别表示从基板的中心部ct起的位置。[0122]并且，在多个表格bl1的每一个中，通过1个折返位置tr1和1个折返位置tr2来确定1个参照图案rp1。即，针对1个参照图案rp1，关联有1个折返位置tr1和1个折返位置tr2。表示折返位置tr1的信息和表示折返位置tr2的信息是参照处理条件之一。[0123]此外，第1参照组g1所包含的多个参照图案rp1(具体而言为所有的参照图案rp1)与表示相同移动速度的信息相关联。“移动速度”是沿着参照对象物的喷嘴7的移动速度。表示喷嘴7的移动速度的信息是参照处理条件之一。[0124]图7的(b)是表示参照图案rp1的详细情况的图。横轴表示基板上的位置，纵轴表示参照对象物的蚀刻率。如图7的(b)所示，将参照图案rp1分类为第1参照组g1。参照图案rp1在从中心部ct至边缘部eg之间具有蚀刻率的极小部p1#。[0125]图8的(a)是表示分类为第2参照组g2的多个参照图案rp2的图。如图8的(a)所示，多个表格bl2属于第2参照组g2。多个表格bl2的每一个包含彼此不同的多个参照图案rp2。在表格bl2包含参照图案rp2的点上，表格bl2与包含参照图案rp1的表格bl1(图7的(a))不同。但是，表格bl2的其他点与表格bl1相同，省略说明。[0126]图8的(b)是表示参照图案rp2的详细情形的图。横轴表示基板上的位置，纵轴表示参照对象物的蚀刻率。如图8的(b)所示，将参照图案rp2分类为第2参照组g2。参照图案rp2在从中心部ct至边缘部eg之间具有蚀刻率的极大部p3#。[0127]图9的(a)是表示分类为第3参照组g3的多个参照图案rp3的图。如图9的(a)所示，多个表格bl3属于第3参照组g3。多个表格bl3的每一个包括彼此不同的多个参照图案rp3。在表格bl3包含参照图案rp3的点上，表格bl3与包含参照图案rp1的表格bl1(图7的(a))不同。但是，表格bl3的其他点与表格bl1相同，因此省略说明。[0128]图9的(b)是表示参照图案rp3的详细情况的图。横轴表示基板上的位置，纵轴表示参照对象物的蚀刻率。如图9的(b)所示，将参照图案rp3分类为第3参照组g3。在参照图案rp3中，从中心部ct朝边缘部eg蚀刻率往一方向倾斜。具体而言，在参照图案rp3中，以蚀刻率从中心部ct朝边缘部eg增加的方式倾斜。[0129]以上，如参照图5～图9的(b)说明的那样，根据本实施方式，第1参照组g1至第3参照组g3分别是简单形状的图案的组。因此，分类部311a能容易地进行厚度图案tm的分类。[0130]接着，参照图6的(a)和图7的(b)来说明将厚度图案t1分类为第1参照组g1时的决定部311c的处理的详细内容。在分类有厚度图案t1的参照组g为第1参照组g1的情况下，使厚度图案t1与参照图案rp1的维度一致后，决定部311c比较基于厚度图案t1的第1差分d1与基于参照图案rp1的第2差分d1#，根据比较结果，从多个参照图案rp1中决定与厚度图案t1相关度高的参照图案rp1(即，与厚度图案t1类似的参照图案rp1)。这样的决定规则是第1参照组g1中的规定规则ru的一例。[0131]如图6的(a)所示，第1差分d1表示厚度图案t1的极小部p1所示的对象物tg的厚度t2与厚度图案t1的边缘部p2所示的对象物tg的边缘部eg的厚度t0的差分的绝对值。[0132]如图7的(b)所示，第2差分d1#表示参照图案rp1的极小部p1#所示的参照对象物的蚀刻率t2#与参照图案rp1的边缘部p2#所示的参照对象物的边缘部eg的蚀刻率t0#的差分的绝对值。[0133]基板w的旋转速度的影响容易显现于对象物tg的边缘部eg的蚀刻率，因此在本实施方式中根据第1差分d1与第2差分d1#的比较结果来决定与厚度图案t1相关度高的参照图案rp1，由此能针对具有厚度图案t1的对象物tg取得更良好的处理条件(例如，基板w的旋转速度)。[0134]例如，决定部311c从多个参照图案rp1中决定第1差分d1与第2差分d1#的差的绝对值最小的参照图案rp1而作为与厚度图案t1相关度高的参照图案rp1。例如，决定部311c从多个参照图案rp1中决定第1差分d1与第2差分d1#的差的绝对值为预定值va1以下的参照图案rp1而作为与厚度图案t1相关度高的参照图案rp1。这些例子的这样的决定规则是第1参照组g1中的规定规则ru的一例。[0135]此外，决定部311c也可以比较图6的(a)所示的第1差分d1、距离l0、距离l1、厚度t0、厚度t1、厚度t2、差分(＝t1﹣t2)中的至少一个以上的信息与图7的(b)所示的第2差分d1#、距离l0#、距离l1#、蚀刻率t0#、蚀刻率t1#、蚀刻率t2#、差分(＝t1#﹣t2#)中的至少一个以上的信息，根据比较结果，从多个参照图案rp1中决定与厚度图案t1相关度高的参照图案rp1。这样的决定规则是第1参照组g1中的规定规则ru的一例。[0136]距离l0表示从对象物tg的中心部ct至厚度图案t1的极小部p1所对应的位置r1为止的距离。距离l1表示从对象物tg的极小部p1所对应的位置r1至对象物tg的边缘部eg为止的距离。厚度t0表示对象物tg的边缘部eg的厚度。厚度t1表示对象物tg的中心部ct的厚度。厚度t2表示由厚度图案t1的极小部p1所示的对象物tg的厚度。[0137]距离l0#表示从参照对象物的中心部ct至参照图案rp1的极小部p1#所对应的位置r1#为止的距离。距离l1#表示从参照对象物的极小部p1#所对应的位置r1#至参照对象物的边缘部eg为止的距离。蚀刻率t0#表示参照对象物的边缘部eg的蚀刻率。蚀刻率t1#表示参照对象物的中心部ct的蚀刻率。蚀刻率t2#表示由参照图案rp1的极小部p1#所示的参照对象物的蚀刻率。[0138]此外，第1差分d1、距离l0、距离l1、厚度t0、厚度t1、厚度t2以及差分(＝t1﹣t2)是厚度图案t1的“特征”的一例。此外，第2差分d1#、距离l0#、距离l1#、蚀刻率t0#、蚀刻率t1#、蚀刻率t2#以及差分(＝t1#﹣t2#)是参照图案rp1的“特征”的一例。[0139]接着，参照图6的(b)和图8的(b)来说明将厚度图案t2分类为第2参照组g2时的决定部311c的处理的详细内容。在分类有厚度图案t2的参照组g为第2参照组g2的情况下，使厚度图案t2与参照图案rp2的维度一致后，决定部311c比较基于厚度图案t2的第1距离l2与基于参照图案rp2的第2距离l2#，根据比较结果，从多个参照图案rp2中决定与厚度图案t2相关度高的参照图案rp2(即，与厚度图案t2类似的参照图案rp2)。这样的决定规则是第2参照组g2中的规定规则ru的一例。[0140]如图6的(b)所示，第1距离l2表示从对象物tg的中心部ct至厚度图案t2的极大部p3所对应的位置r2为止的距离。[0141]如图8的(b)所示，第2距离l2#表示从参照对象物的中心部ct至参照图案rp2的极大部p3#所对应的位置r2#为止的距离。[0142]在喷嘴7的折返位置，有时对象物tg的蚀刻率(etchingrate)变成最大，因此在本实施方式中，根据第1距离l2与第2距离l2#的比较结果来决定与厚度图案t2相关度高的参照图案rp2，从而能针对具有厚度图案t2的对象物tg取得更良好的处理条件(例如，喷嘴7的折返位置)。在喷嘴7的折返位置对象物tg的蚀刻率变成最大的原因在于，喷嘴7在喷嘴7的折返位置停止，因此在喷嘴7的折返位置朝对象物tg的处理液的喷出量变多。该现象在处理液为氢氟硝酸的情况下显著。[0143]例如，决定部311c从多个参照图案rp2中决定第1距离l2与第2距离l2#的差的绝对值最小的参照图案rp2而作为与厚度图案t2相关度高的参照图案rp2。例如，决定部311c从多个参照图案rp2中决定第1距离l2与第2距离l2#的差的绝对值为预定值va2以下的参照图案rp2而作为与厚度图案t2相关度高的参照图案rp2。这些例子这样的决定规则是第2参照组g2中的规定规则ru的一例。[0144]此外，决定部311c也可以比较图6的(b)所示的第1距离l2、距离l3、厚度t3、厚度t4、厚度t5、差分(＝t3﹣t5)、差分(＝t3﹣t4)中的至少一个以上的信息与图8的(b)所示的第2距离l2#、距离l3#、蚀刻率t3#、蚀刻率t4#、蚀刻率t5#、差分(＝t3#﹣t5#)、差分(＝t3#﹣t4#)中的至少一个以上的信息，根据比较结果，从多个参照图案rp2中决定与厚度图案t2相关度高的参照图案rp2。这样的决定规则是第2参照组g2中的规定规则ru的一例。[0145]距离l3表示从厚度图案t2的极大部p3所对应的位置r2至对象物tg的边缘部eg为止的距离。厚度t3表示由厚度图案t2的极大部p3所示的对象物tg的厚度。厚度t4表示对象物tg的中心部ct的厚度。厚度t5表示对象物tg的边缘部eg的厚度。[0146]距离l3#表示从参照图案rp2的极大部p3#所对应的位置r2#至参照对象物的边缘部eg为止的距离。蚀刻率t3#表示由参照图案rp2的极大部p3#所示的参照对象物的蚀刻率。蚀刻率t4#表示参照对象物的中心部ct的蚀刻率。蚀刻率t5#表示参照对象物的边缘部eg的蚀刻率。[0147]此外，第1距离l2、距离l3、厚度t3、厚度t4、厚度t5、差分(＝t3﹣t5)以及差分(＝t3﹣t4)是厚度图案t2的“特征”的一例。此外，第2距离l2#、距离l3#、蚀刻率t3#、蚀刻率t4#、蚀刻率t5#、差分(＝t3#﹣t5#)以及差分(＝t3#－t4#)是参照图案rp2的“特征”的一例。[0148]接着，参照图6的(c)和图9的(b)来说明将厚度图案t3分类为第3参照组g3时的决定部311c的处理的详细内容。在分类有厚度图案t3的参照组g为第3参照组g3的情况下，使厚度图案t3与参照图案rp3的维度一致后，决定部311c比较厚度图案t3的倾斜与参照图案rp3的倾斜，根据比较结果，从多个参照图案rp3中决定与厚度图案t3相关度高的参照图案rp3(即，与厚度图案t3类似的参照图案rp3)。这样的决定规则是第3参照组g3中的规定规则ru的一例。[0149]如图6的(c)所示，厚度图案t3的倾斜例如通过倾斜角θ表示。倾斜角θ表示厚度图案t3相对于包含对象物tg的基板w的径方向的倾斜角。[0150]如图9的(b)所示，参照图案rp3的倾斜例如通过倾斜角θ#表示。倾斜角θ#表示参照图案rp3相对于包含参照对象物的基板的径方向的倾斜角。[0151]因离心力，有时针对对象物tg的边缘部eg的处理液的量比针对对象物tg的中心部ct的处理液的量多，因此在本实施方式中根据厚度图案t3的倾斜与参照图案rp3的倾斜的比较结果来决定与厚度图案t3相关度高的参照图案rp3，由此能针对具有厚度图案t3的对象物tg取得更良好的处理条件(例如，基板w的旋转速度)。[0152]例如，决定部311c从多个参照图案rp3中决定倾斜角θ与倾斜角θ#的差的绝对值最小的参照图案rp3而作为与厚度图案t3相关度高的参照图案rp3。例如，决定部311c从多个参照图案rp3中决定倾斜角θ与倾斜角θ#的差的绝对值为预定值va3以下的参照图案rp3而作为与厚度图案t3相关度高的参照图案rp3。这些例子这样的决定规则是第3参照组g3中的规定规则ru的一例。[0153]此外，决定部311c也可以比较图6的(c)所示的倾斜角θ、厚度t6、厚度t8、差分(＝t6﹣t8)中的至少一个以上的信息与图9的(b)所示的倾斜角θ#、蚀刻率t6#、蚀刻率t8#、差分(＝t6#﹣t8#)中的至少一个以上的信息，根据比较结果，从多个参照图案rp3中决定与厚度图案t3相关度高的参照图案rp3。这样的决定规则是第3参照组g3中的规定规则ru的一例。[0154]厚度t6表示对象物tg的边缘部eg的厚度。厚度t8表示对象物tg的中心部ct的厚度。[0155]蚀刻率t6#表示参照对象物的边缘部eg的蚀刻率。蚀刻率t8#表示参照对象物的中心部ct的蚀刻率。[0156]此外，倾斜角θ、厚度t6、厚度t8以及差分(＝t6﹣t8)是厚度图案t3的“特征”的一例。此外，倾斜角θ#、蚀刻率t6#、蚀刻率t8#以及差分(＝t6#﹣t8#)是参照图案rp3的“特征”的一例。[0157]接着，参照图5～图9的(b)说明控制部31。如图5所示，优选地，控制部31还包括解析部315和调整部317。解析部315解析对象物tg的厚度图案tm而算出表示厚度图案tm的特征的第1特征量ft。第1特征量ft表示厚度图案tm的极值、厚度图案tm所示的对象物tg的中心部ct的厚度或者厚度图案tm所示的对象物tg的边缘部eg的厚度。厚度图案tm的极值是厚度图案tm的极大部或者极小部。[0158]此外，存储部41对每个参照图案rp存储表示参照图案rp的特征的第2特征量sc。第2特征量sc表示参照图案rp的极值、参照图案rp所示的参照对象物的中心部ct的蚀刻率或者参照图案rp所示的参照对象物的边缘部eg的蚀刻率。[0159]然后，调整部317比较表示厚度图案tm的特征的第1特征量ft与表示参照图案rp的特征的第2特征量sc，根据比较结果，调整由取得部313取得的处理条件所包含的表示喷嘴7的移动速度的信息。其结果，在本实施方式中，由于喷嘴7的移动速度变得更良好，因此能在构成基板w的对象物tg的广范的区域进一步地抑制蚀刻处理后的对象物tg的厚度的参差不齐。[0160]具体而言，如图6的(a)和图7的(b)所示，将厚度图案t1分类为第1参照组g1的情况下，使厚度图案t1与参照图案rp1的维度一致后，调整部317比较作为厚度图案t1的第1特征量ft的极小部p1所示的厚度t2与作为参照图案rp1的第2特征量sc的极小部p1#所示的蚀刻率t2#，根据比较结果，调整处理条件所包含的表示喷嘴7的移动速度的信息。[0161]例如，使厚度图案t1与参照图案rp1的维度一致后，在极小部p1所示的对象物tg的厚度t2比极小部p1#所示的蚀刻率t2#大的情况下，调整部317使处理条件所包含的喷嘴7的移动速度减小与厚度t2和蚀刻率t2#的差的绝对值对应的值。这是因为喷嘴7的移动速度越小则蚀刻率变得越大。另一方面，在厚度t2比蚀刻率t2#小的情况下，调整部317使处理条件所包含的喷嘴7的移动速度增大与厚度t2和蚀刻率t2#的差的绝对值对应的值。[0162]如图6的(b)和图8的(b)所示，将厚度图案t2分类为第2参照组g2的情况下，使厚度图案t2与参照图案rp2的维度一致后，调整部317比较作为厚度图案t2的第1特征量ft的对象物tg的中心部ct的厚度t4与作为参照图案rp2的第2特征量sc的参照对象物的中心部ct的蚀刻率t4#，根据比较结果，调整处理条件所包含的表示喷嘴7的移动速度的信息。[0163]例如，使厚度图案t2与参照图案rp2的维度一致后，在对象物tg的中心部ct的厚度t4比参照对象物的中心部ct的蚀刻率t4#大的情况下，调整部317使处理条件所包含的喷嘴7的移动速度减小与厚度t3和蚀刻率t4#的差的绝对值对应的值。这是因为喷嘴7的移动速度越小则蚀刻率变得越大。另一方面，在厚度t4比蚀刻率t4#小的情况下，调整部317使处理条件所包含的喷嘴7的移动速度增大与厚度t4和蚀刻率t4#的差对应的值。[0164]如图6的(c)和图9的(b)所示，将厚度图案t3分类为第3参照组g3的情况下，使厚度图案t3与参照图案rp3的维度一致后，调整部317比较作为厚度图案t3的第1特征量ft的对象物tg的中点位置rm的厚度t7与作为参照图案rp3的第2特征量sc的参照对象物的中点位置rm的蚀刻率t7#，根据比较结果，调整处理条件所包含的表示喷嘴7的移动速度的信息。[0165]例如，使厚度图案t3与参照图案rp3的维度一致后，在对象物tg的中点位置rm的厚度t7比参照对象物的中点位置rm的蚀刻率t7#大的情况下，调整部317使处理条件所包含的喷嘴7的移动速度减小与厚度t7和蚀刻率t7#的差的绝对值对应的值。这是因为喷嘴7的移动速度越小则蚀刻率变得越大。另一方面，在厚度t7比蚀刻率t7#小的情况下，调整部317使处理条件所包含的喷嘴7的移动速度增大与厚度t7和蚀刻率t7#的差的绝对值对应的值。[0166]接着，参照图5进一步说明控制部31。优选地，控制部31还包括处理时间计算部318。处理时间计算部318根据多个蚀刻率值的平均值与针对对象物tg的期望的蚀刻量算出蚀刻处理时间，该多个蚀刻率值是构成与取得部313所取得的处理条件关联起来的参照图案rp。[0167]或者，处理时间计算部318根据基于调整部317调整后的处理条件的蚀刻率与针对对象物tg的期望的蚀刻量，算出蚀刻处理时间。[0168]在本实施方式中，通过喷嘴7对基板w的扫描次数来决定蚀刻处理时间。[0169]优选地，控制部31还包括显示控制部323。显示控制部323将显示装置19控制成显示信息in1，该信息in1是为了确定或者调整与处理液进行处理前的对象物tg的厚度图案tm相关度高的参照图案rp而利用的信息。因此，显示装置19显示信息in1。其结果，根据本实施方式，用户能容易地确认或者利用信息in1。[0170]信息in1例如是对象物tg的厚度图案tm、厚度图案tm的特征量、多个参照图案rp、多个参照图案rp的每一个的特征量、或者多个参照处理条件。[0171]接着，参照图5说明通过处理液处理基板w后的处理。厚度测定部15在处理液进行处理后的对象物tg的多个测定位置，分别测定处理后的对象物tg的厚度。因此，用户能知道处理后的对象物tg的厚度，因此能进行针对处理后的对象物tg的蚀刻处理的评价。[0172]此外，优选地，控制部31还包括存储控制部321。存储控制部321把存储部41(具体而言为处理结果数据库413)控制成将表示处理前的对象物tg的厚度的分布的处理前的厚度图案tm、与处理前的厚度图案tm相关度高的参照图案rp、取得部313取得的处理条件、以及表示处理后的对象物tg的厚度的分布的处理后的厚度图案tmr关联起来进行存储。因此，存储部41将厚度图案tm、与厚度图案tm相关度高的参照图案rp、处理条件以及厚度图案tmr关联起来进行存储。其结果，根据本实施方式，用户能经由输入装置20存取存储部41，因此能有效地利用这些信息。[0173]再者，优选地，控制部31是还包括评价部319。评价部319比较处理前的厚度图案tm与处理后的厚度图案tmr，并根据比较结果进行针对处理后的对象物tg的蚀刻处理的评价。[0174]此外，显示控制部323也可以将显示装置19控制成显示信息in2，该信息in2是为了评价处理液进行处理后的对象物tg的厚度图案tmr而利用的信息。该情况下，显示装置19显示信息in2。因此，根据本实施方式，用户能确认信息in2并进行针对处理后的对象物tg的蚀刻处理的评价。然后，输入装置20从用户接受表示评价结果的信息的输入。再者，存储控制部321将存储部41(具体而言为处理结果数据库413)控制成由用户存储表示评价结果的信息。[0175]信息in2例如是取得部313所取得的处理条件、处理前的对象物tg的厚度图案tm、厚度图案tm的特征量、与厚度图案tm相关度高的参照图案rp、与厚度图案tm相关度高的参照图案rp的特征量、处理后的对象物tg的厚度图案tmr、或者厚度图案tmr的特征量。[0176]此外，存储控制部321把存储部41(具体而言为处理结果数据库413)控制成将表示处理前的对象物tg的厚度的分布的处理前的厚度图案tm、与处理前的厚度图案tm相关度高的参照图案rp、取得部313所取得的处理条件、表示处理后的对象物tg的厚度的分布的处理后的厚度图案tmr、针对处理后的厚度图案tmr的评价结果关联起来进行存储。因此，存储部41将厚度图案tm、与厚度图案tm相关度高的参照图案rp、处理条件、厚度图案tmr、针对厚度图案tmr的评价结果关联起来进行存储。其结果，根据本实施方式，用户经由输入装置20存取存储部41，由此能有效地利用这些信息。[0177]此外，控制部31的处理器执行计算机程序417而作为解析部315、调整部317、处理时间计算部318、评价部319、存储控制部321以及显示控制部323发挥功能。[0178]接着，参照图5和图10说明本发明的实施方式的基板处理方法。图10是表示基板处理方法的流程图。如图10所示，基板处理方法包括步骤s1～步骤s15。通过基板处理装置100对每一片基板w执行基板处理方法。[0179]如图5和图10所示，在步骤s1中，基板处理装置100的控制部31将旋转卡盘3控制成保持基板w。其结果，旋转卡盘3保持基板w。[0180]接着，在步骤s2中，控制部31将厚度测定部15控制成测定构成基板w的对象物tg的厚度。其结果，厚度测定部15测定处理前的对象物tg的厚度，并将表示处理前的对象物tg的厚度图案tm的信息输出至控制部31。[0181]接着，在步骤s3中，控制部31从多个参照处理条件中选择通过处理液处理构成基板w的对象物tg时可使用的处理条件。[0182]接着，在步骤s4中，控制部31将制程数据415所包含的“处理液(蚀刻液)进行的处理条件”变更成在步骤s3中所选择的处理条件。[0183]接着，在步骤s5中，控制部31将旋转马达5和喷嘴移动部9控制成按照在步骤s3中选择的处理条件通过处理液处理基板w。其结果，按照在步骤s3中选择的处理条件处理基板w。具体而言，基板w以在步骤s3中选择的处理条件所包含的旋转速度进行旋转。此外，喷嘴7以在步骤s3中选择的处理条件所包含的移动速度进行移动。并且，喷嘴7在步骤s3中选择的处理条件所包含的折返位置进行折返。[0184]接着，在步骤s6中，控制部31将阀v2控制成喷嘴11把冲洗液喷出至基板w。其结果，喷嘴11喷出冲洗液。[0185]接着，在步骤s7中，控制部31将旋转马达5控制成使基板w旋转。其结果，旋转马达5使旋转卡盘3旋转，从而使基板w旋转。通过基板w的旋转使基板w干燥。[0186]接着，在步骤s8中，控制部31将厚度测定部15控制成测定构成基板w的对象物tg的厚度。其结果，厚度测定部15测定处理后的对象物tg的厚度，并将表示处理后的厚度图案tmr的信息输出至控制部31。[0187]接着，在步骤s9中，控制部31的存储控制部321把存储部41控制成将表示处理前的对象物tg的厚度的分布的处理前的厚度图案tm、与处理前的厚度图案tm相关度高的参照图案rp、在步骤s3中选择的处理条件、表示处理后的对象物tg的厚度的分布的处理后的厚度图案tmr关联起来进行存储。其结果，存储部41(具体而言为处理结果数据库413)存储这些信息。[0188]接着，在步骤s10中，控制部31将搬运机器人控制成从腔室2取出基板w。其结果，搬运机器人从腔室2取出基板w。[0189]接着，在步骤s11中，控制部31的评价部319比较处理前的厚度图案tm与处理后的厚度图案tmr，根据比较结果进行针对处理后的对象物tg的蚀刻处理的评价。[0190]接着，在步骤s12中，控制部31的存储控制部321把存储部41控制成将表示处理前的对象物tg的厚度的分布的处理前的厚度图案tm、与处理前的厚度图案tm相关度高的参照图案rp、在步骤s3中选择的处理条件、表示处理后的对象物tg的厚度的分布的处理后的厚度图案tmr、针对处理后的厚度图案tmr的评价结果关联起来进行存储。其结果，存储部41(具体而言为处理结果数据库413)存储这些信息。[0191]接着，在步骤s13中，控制部31的显示控制部323将显示装置19控制成显示存储于参照图案数据库411的信息或者存储于处理结果数据库413的信息。其结果，显示装置19显示这些信息。[0192]接着，在步骤s14中，控制部31经由输入装置20接受来自用户的输入。具体而言，用户一边阅览在步骤s13中显示的信息一边经由输入装置20输入各种信息。并且，控制部31经由输入装置20接受来自用户的输入。[0193]接着，在步骤s15中，控制部31将存储部41控制成存储基于从用户接受的输入的信息。其结果，存储部41存储基于从用户接受的输入的信息。在步骤s15后，结束处理。[0194]在本实施方式的基板制品制造方法中，通过包含步骤s1～步骤s15的基板处理方法处理基板w，而制造作为处理后的基板w的基板制品。[0195]接着，参照图5和图11说明图10的步骤s3。图11表示图10的步骤s3的流程图。步骤s3包括步骤s21～步骤s25。步骤s3相当于“处理条件选择方法”的一例。[0196]如图5和图11所示，在步骤s21中，控制部31的确定部311比较表示在对象物tg的多个测定位置分别测定的多个厚度的分布的厚度图案tm与预先存储于存储部41的多个参照图案rp，根据规定规则ru从多个参照图案rp中确定与对象物tg的厚度图案tm相关度高的参照图案rp。[0197]接着，在步骤s22中，取得部313从存储部41取得分别与多个参照图案rp关联的多个参照处理条件中的、与在步骤s21中确定的参照图案rp关联的参照处理条件而作为处理条件。[0198]接着，在步骤s23中，解析部315解析对象物tg的厚度图案tm，算出表示厚度图案tm的特征的第1特征量ft。[0199]接着，在步骤s24中，调整部317比较表示厚度图案tm的特征的第1特征量ft与表示参照图案rp的特征的第2特征量sc，根据比较结果调整通过步骤s22取得的处理条件所包含的表示喷嘴7的移动速度的信息。[0200]接着，在步骤s25中，处理时间计算部318根据基于在步骤s24调整后的处理条件的蚀刻率和针对对象物tg的期望的蚀刻量算出蚀刻处理时间。[0201]具体而言，步骤s21包括步骤s31、步骤s51、步骤s52、步骤s61、步骤s62、步骤s71以及步骤s72。此外，步骤s22包括步骤s53、步骤s63以及步骤s73。并且，步骤s23包括步骤s54、步骤s64以及步骤s74。而且，步骤s24包括步骤s55、步骤s65以及步骤s75。再者，步骤s25包括步骤s56、步骤s66以及步骤s76。[0202]在步骤s31中，控制部31的分类部311a将处理前的对象物tg的厚度图案tm分类为多个参照组g中的某一个参照组g。具体而言，分类部311a将厚度图案tm分类为第1参照组g1至第3参照组g3中的某一个参照组g。[0203]在步骤s31中将厚度图案tm分类为第1参照组g1的情况下，处理进入步骤s51。[0204]接着，在步骤s51中，预处理部311b使厚度图案tm的维度与参照图案rp1的维度一致。[0205]接着，在步骤s52中，决定部311c使厚度图案tm的维度与参照图案rp1的维度一致后，根据规定规则ru决定与厚度图案tm相关度高的参照图案rp1(即，与厚度图案tm类似的参照图案rp1)。[0206]接着，在步骤s53中，取得部313从存储部41取得与多个参照图案rp1相关联的多个参照处理条件中的、与在步骤s52中决定的参照图案rp1相关联的参照处理条件而作为处理条件。[0207]接着，在步骤s54中，解析部315解析分类为第1参照组g1的厚度图案tm，算出表示厚度图案tm的特征的第1特征量ft。[0208]接着，在步骤s55中，调整部317比较表示厚度图案tm的特征的第1特征量ft与表示参照图案rp1的特征的第2特征量sc，根据比较结果，调整通过步骤s53取得的处理条件所包含的表示喷嘴7的移动速度的信息。[0209]接着，在步骤s56中，处理时间计算部318根据基于由步骤s55调整后的处理条件的蚀刻率和针对对象物tg的期望的蚀刻量算出蚀刻处理时间。接着，处理进入图10的步骤s4。[0210]另一方面，在步骤s31中将厚度图案tm分类为第2参照组g2的情况下，处理进入步骤s61。步骤s61～步骤s66的处理除了参照组g不同外，与步骤s51～步骤s56的处理相同，省略说明。[0211]此外，在步骤s31中将厚度图案tm分类为第3参照组g3的情况下，处理进入步骤s71。步骤s71～步骤s76的处理除了参照组g不同外，与步骤s51～步骤s56的处理相同，省略说明。[0212]此外，在步骤s21中，也可以根据用户向输入装置20的输入结果来确定与处理前的对象物tg的厚度图案tm相关度高的参照图案rp。同样地，在步骤s24中，也可以根据用户向输入装置20的输入结果来调整处理条件。[0213]以上，参照附图对本发明的实施方式进行了什么。然而，本发明并未限定于上述实施方式，在未脱离本发明的精神范围内可在各种方式中实施。此外，可适当改变上述实施方式所公开的多个构成要素。例如，也可以将某个实施方式所示的全部的构成要素中的某个构成要素追加至其他的实施方式的构成要素，或者也可以从实施方式删除某个实施方式所示的全部的构成要素中的几个构成要素。[0214]此外，为了容易理解发明，将各构成要素示意性地表示为主体，所图标的各个构成要素的厚度、长度、个数、间隔等有时因附图绘制而与实际不同。此外，上述实施方式所示的各构成要素的构成是一例，并未特别限定，在实质性未脱离本发明的效果的范围内可进行各种变更。[0215](1)在参照图1～图11说明的本实施方式中，虽然定义参照图案rp的“参照对象物的物理量的分布”中的“物理量”是蚀刻率，但也可以是参照对象物的厚度。即，参照图案rp也可以表示参照对象物的厚度的分布。[0216]该情况下，选择表示与对象物tg的厚度图案tm相关度高的厚度的分布的参照图案rp(即，表示与厚度图案tm类似的厚度的分布的参照图案rp)。并且，取得与表示这样的厚度的分布的参照图案rp相关联的参照处理条件而作为针对对象物tg的处理条件。因此，遵从所取得的处理条件来对对象物tg进行蚀刻处理，由此在对象物tg的广范的区域能抑制蚀刻处理后的对象物tg的厚度的参差不齐。[0217](2)在参照图1～图11说明的本实施方式中，作为处理液的例子说明了蚀刻液。然而，处理液只要是处理基板w则未限定于蚀刻液。例如，处理液也可以是去除对象物tg的去除液。该情况下，定义参照图案rp的“参照对象物的物理量的分布”中的“物理量”是参照对象物的去除率或者去除量。因此，该情况下，参照图案rp表示对象物tg的去除率或者去除量的分布。[0218]在基板处理装置100对基板w执行抗蚀剂去除处理的情况下，去除液例如是硫酸过氧化氢水混合液(sulfuricacid/hydrogenperoxidemixture；spm)。所谓抗蚀剂去除处理是指从半导体基板的表面去除抗蚀剂的处理。[0219](3)在参照图5说明的本实施方式中，预处理部311b也可以在分类部311a进行分类后且在决定部311c决定前使对象物tg的厚度图案tm的维度与参照图案rp的维度一致。然而，存储部41也可以预先存储通过标准化或规范化而无维度化了的多个参照图案rp。并且，预处理部311b也可以在分类部311a进行分类前通过标准化或规范化将厚度图案tm无维度化。[0220](4)图5所示的确定部311也可以从多个参照图案rp中确定与厚度图案tm相关度高的2个以上的参照图案rp。该情况下，取得部313也可以针对分别与2个以上的参照图案rp相关联的2个以上的参照处理条件进行插补(内插)或者外插，而决定处理条件。[0221](5)图5所示的确定部311也可以在从厚度图案tm去除噪声成分后，确定与厚度图案tm相关度高的参照图案rp。该情况下，能进一步高精度地确定与厚度图案tm相关度高的参照图案rp。[0222](6)能任意地决定图5所示的厚度测定部15进行的对象物tg中的测定位置。例如，也可以等间隔地设定厚度的测定位置。例如，厚度的测定位置也可以是对象物tg的中心部ct、边缘部eg以及中间位置。中间位置是中心部ct与边缘部eg之间的位置，且是根据蚀刻特性而决定的位置。例如，能针对对象物tg的确定区域缩短测定间隔，并能针对其他区域加长测定间隔。[0223](7)在参照图2说明的本实施方式中，喷嘴7在折返位置tr1与折返位置tr2进行折返。然而，喷嘴7也可以在边缘部eg侧的折返位置tr1与中心部ct侧的折返位置tr3进行折返。该情况下，参照处理条件包含折返位置tr1的信息以及折返位置tr3的信息。[0224](8)也可以不设置图11的步骤s23～步骤s25。[0225]产业可利用性[0226]本发明是一种处理条件选择方法、基板处理方法、基板制品制造方法、处理条件选择装置、计算机程序以及存储截止，且具有产业可利用性。[0227]符号说明[0228]15：厚度测定部[0229]41：存储部(存储介质)[0230]100：基板处理装置(处理条件选择装置)[0231]311：确定部[0232]313：取得部[0233]417：计算机程序[0234]w：基板。当前第1页12当前第1页12
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：：2.在专利文献1所述的半导体装置中，制作对应表并决定形成于半导体基板上的绝缘膜的蚀刻时间。对应表是对照形成于半导体基板上的停止膜(stopperfilm)的膜厚平均值与绝缘膜的蚀刻时间。3.现有技术文献4.专利文献5.专利文献1：日本特开2004‑71862号公报技术实现要素：6.发明所要解决的课题7.然而，在专利文献1所述的半导体装置中，对应表不过是对照针对基板的确定的25个部位测定停止膜的膜厚并从测定结果求出膜厚平均值与绝缘膜的蚀刻时间。8.另一方面，本发明的发明人具有下述的卓见：针对基板的某个位置(以下记载为“位置lc”)的蚀刻处理对位置lc附近的膜厚分部造成影响。9.因此，对应表即使对基板的确定的25个部位的膜厚平均值制定良好的蚀刻时间，绝缘膜的蚀刻也不一定会在基板的广范的区域皆良好。其结果，当观察基板的广范的区域时，有可能在蚀刻后的绝缘膜的厚度中产生参差不齐。10.换言之，有可能在蚀刻液等处理液进行处理后的对象物的厚度中产生参差不齐。11.本发明是有鉴于上述课题而提出的，其目的在于提供一种能在构成基板的对象物的广范的区域中抑制处理后的对象物的厚度的参差不齐的处理条件选择方法、基板处理方法、基板制品制造方法、处理条件选择装置、计算机程序以及存储介质。12.用于解决课题的手段13.根据本发明的一方式的处理条件选择方法中，从多个参照处理条件中选择通过处理液对构成基板的对象物进行处理时能够使用的处理条件。处理条件选择方法包括：在所述处理液进行处理前，在所述对象物的多个测定位置分别测定出所述对象物的厚度的步骤；比较表示在多个所述测定位置分别测定出的多个所述厚度的分布的厚度图案与预先存储于存储部的多个参照图案，根据规定规则从多个所述参照图案中确定与所述厚度图案相关度高的参照图案的步骤；以及从所述存储部取得与多个所述参照图案分别相关联的多个参照处理条件中的、与所确定的所述参照图案相关联的参照处理条件而作为所述处理条件的步骤。多个所述参照图案分别表示参照对象物的物理量的分布。多个所述参照处理条件分别表示过去对具有所述参照图案的所述参照对象物执行了所述处理液的处理时的处理条件。14.优选地，在本发明的处理条件选择方法中，预先将多个所述参照图案的每一个分类为多个参照组中的某一个。优选地，根据参照图案的形状的特征来决定多个所述参照组。优选地，确定所述参照图案的所述步骤包括：将所述厚度图案分类为多个所述参照组中的某一个参照组的步骤；以及以多个所述参照图案中的、分类为分类有所述厚度图案的所述参照组的2个以上的参照图案为对象，根据所述规定规则进行所述厚度图案与所述参照图案的比较，决定与所述厚度图案相关度高的所述参照图案的步骤。15.优选地，在本发明的处理条件选择方法中，多个所述参照组包括第1参照组、第2参照组以及第3参照组中的至少一个。优选地，所述第1参照组表示在从所述对象物或者所述参照对象物的中心部至边缘部之间具有极小部的图案的组。优选地，所述第2参照组表示在从所述对象物或者所述参照对象物的中心部至边缘部之间具有极大部的图案的组。优选地，所述第1参照组表示从所述对象物或者所述参照对象物的中心部朝边缘部向一方向倾斜的图案的组。16.优选地，在本发明的处理条件选择方法中，在分类有所述厚度图案的所述参照组为所述第1参照组的情况下，在决定所述参照图案的所述步骤中，比较基于所述厚度图案的第1差分与基于所述参照图案的第2差分，根据比较结果来决定与所述厚度图案相关度高的所述参照图案。优选地，所述第1差分表示所述厚度图案的极小部所示的所述对象物的厚度与所述厚度图案的边缘部所示的所述对象物的边缘部的厚度的差分。优选地，所述第2差分表示所述参照图案的极小部所示的所述参照对象物的物理量与所述参照图案的边缘部所示的所述参照对象物的边缘部的物理量的差分。17.优选地，在本发明的处理条件选择方法中，在分类有所述厚度图案的所述参照组为所述第2参照组的情况下，在决定所述参照图案的所述步骤中，比较基于所述厚度图案的第1距离与基于所述参照图案的第2距离，根据比较结果来决定与所述厚度图案相关度高的所述参照图案。优选地，所述第1距离表示从所述对象物的中心部至所述厚度图案的极大部所对应的位置为止的距离。优选地，所述第2距离表示从所述参照对象物的中心部至所述参照图案的极大部所对应的位置为止的距离。18.优选地，在本发明的处理条件选择方法中，在分类有所述厚度图案的所述参照组为所述第3参照组的情况下，在决定所述参照图案的所述步骤中，比较所述厚度图案的倾斜与所述参照图案的倾斜，根据比较结果来决定与所述厚度图案相关度高的所述参照图案。19.优选地，在本发明的处理条件选择方法中，确定所述参照图案的所述步骤还包括：使所述厚度图案的维度与所述参照图案的维度一致的步骤。优选地，在决定所述参照图案的所述步骤中，使所述厚度图案的维度与所述参照图案的维度一致后，根据所述规定规则决定与所述厚度图案相关度高的所述参照图案。20.优选地，在本发明的处理条件选择方法中，多个所述参照处理条件分别包括：表示包含所述参照对象物的基板的旋转速度的信息、表示对所述参照对象物喷出所述处理液的喷嘴的折返位置的信息以及表示沿着所述参照对象物的所述喷嘴的移动速度的信息。21.优选地，本发明的处理条件选择方法还包括：比较表示所述厚度图案的特征的第1特征量与表示所述参照图案的特征的第2特征量，根据比较结果来调整通过从所述存储部取得的所述步骤所取得的所述处理条件所包含的表示所述喷嘴的移动速度的信息的步骤。优选地，所述第1特征量表示所述厚度图案的极值、所述厚度图案所示的所述对象物的中心部的厚度、或者所述厚度图案所示的所述对象物的边缘部的厚度。优选地，所述第2特征量表示所述参照图案的极值、所述参照图案所示的所述参照对象物的中心部的物理量、或者所述参照图案所示的所述参照对象物的边缘部的物理量。22.在本发明的处理条件选择方法中，在确定所述参照图案的所述步骤中，根据用户向输入装置的输入结果来确定与所述厚度图案相关度高的所述参照图案。23.优选地，本发明的处理条件选择方法还包括：在显示装置上显示为了确定或者调整与所述处理液进行处理前的所述对象物的所述厚度图案相关度高的所述参照图案的信息而利用的信息、或者为了评价所述处理液进行处理后的所述对象物的厚度图案的信息而利用的信息的步骤。24.优选地，在本发明的处理条件选择方法中，所述处理液是对所述对象物进行蚀刻的蚀刻液。优选地，所述物理量是蚀刻率(etchingrate)或者蚀刻量。25.优选地，在本发明的处理条件选择方法中，所述处理液是对所述对象物进行去除的去除液。优选地，所述物理量是去除率或者去除量。26.根据本发明的其他方式，基板处理方法包括：上述方式的处理条件选择方法；以及按照在所述处理条件选择方法中选择出的所述处理条件，通过处理液对所述对象物进行处理的步骤。27.优选地，本发明的基板处理方法还包括：在所述处理液进行处理后的所述对象物的多个测定位置，分别测定出处理后的所述对象物的厚度的步骤。28.优选地，本发明的基板处理方法还包括：将表示处理前的所述对象物的厚度的分布的处理前的所述厚度图案、与处理前的所述厚度图案相关度高的所述参照图案、所述处理条件、以及表示处理后的所述对象物的厚度的分布的处理后的厚度图案关联起来存储于存储部的步骤。29.优选地，本发明的基板处理方法还包括：将表示处理前的所述对象物的厚度的分布的处理前的所述厚度图案、与处理前的所述厚度图案相关度高的所述参照图案、所述处理条件、表示处理后的所述对象物的厚度的分布的处理后的厚度图案、以及针对处理后的所述厚度图案的评价结果关联起来存储于存储部的步骤。30.根据本发明的另一方式，在基板制品制造方法中，通过上述其他方式的基板处理方法来处理所述基板，而制造作为处理后的所述基板的基板制品。31.根据本发明的另一方式，处理条件选择装置从多个参照处理条件中选择通过处理液对构成基板的对象物进行处理时能够使用的处理条件。处理条件选择装置具备厚度测定部、存储部、确定部以及取得部。厚度测定部在所述处理液进行处理前，在所述对象物的多个测定位置分别测定出所述对象物的厚度。存储部预先存储分别表示参照对象物的物理量的分布的多个参照图案。确定部比较表示在多个所述测定位置分别测定出的多个所述厚度的分布的厚度图案与多个所述参照图案，根据规定规则从多个所述参照图案中确定与所述厚度图案相关度高的参照图案。取得部从所述存储部取得与多个参照图案分别相关联的多个参照处理条件中的、与所确定的所述参照图案相关联的参照处理条件而作为所述处理条件。多个所述参照处理条件分别表示过去对具有所述参照图案的所述参照对象物执行了所述处理液的处理时的处理条件。32.根据本发明的另一方式，计算机程序从多个参照处理条件中选择通过处理液对构成基板的对象物进行处理时能够使用的处理条件。计算机程序使计算机执行如下步骤：在所述处理液进行处理前，在所述对象物的多个测定位置分别测定出所述对象物的厚度；比较表示在多个所述测定位置分别测定出的多个所述厚度的分布的厚度图案与预先存储于存储部的多个参照图案，根据规定规则从多个所述参照图案中确定与所述厚度图案相关度高的参照图案；以及从所述存储部取得与多个所述参照图案分别相关联的多个参照处理条件中的、与所确定的所述参照图案相关联的参照处理条件而作为所述处理条件。多个所述参照图案分别表示参照对象物的物理量的分布。多个所述参照处理条件分别表示过去对具有所述参照图案的所述参照对象物执行了所述处理液的处理时的处理条件。33.根据本发明的另一方式，存储介质存储上述方式的计算机程序。34.发明效果35.根据本发明，能提供一种能在构成基板的对象物的广范的区域内抑制处理后的对象物的厚度的参差不齐的处理条件选择方法、基板处理方法、基板制品制造方法、处理条件选择装置、计算机程序以及存储介质。附图说明36.图1是表示本发明的实施方式的基板处理装置的图。37.图2是表示实施方式的基板处理装置的喷嘴对基板的扫描处理的平面图。38.图3是表示实施方式的基板处理装置的光学探头(opticalprobe)对基板的扫描处理的平面图。39.图4的(a)是表示基于实施方式的基板处理装置的蚀刻前的厚度图案的图，(b)是表示基于实施方式的基板处理装置的蚀刻率分布的图，(c)是表示基于实施方式的基板处理装置的蚀刻后的厚度图案的图。40.图5是表示实施方式的基板处理装置的控制装置的框图。41.图6的(a)是表示分类为实施方式的第1参照组的厚度图案的图，(b)是表示分类为实施方式的第2参照组的厚度图案的图，(c)是表示分类为实施方式的第3参照组的厚度图案的图。42.图7的(a)是表示分类为实施方式的第1参照组的多个参照图案(pattern)的图，(b)是表示分类为实施方式的第1参照组的参照图案的详细情况的图。43.图8的(a)是表示分类为实施方式的第2参照组的多个参照图案的图，(b)是表示分类为实施方式的第2参照组的参照图案的详细情况的图。44.图9的(a)是表示分类为实施方式的第3参照组的多个参照图案的图，(b)是表示分类为实施方式的第3参照组的参照图案的详细情况的图。45.图10是表示实施方式的基板处理方法的流程图。46.图11是表示图10的步骤s3的流程图。具体实施方式47.以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。此外，图中对于相同或者相应的部分赋予同样的参照符号而不进行重复的说明。此外，在本发明的实施方式中，x轴、y轴以及z轴彼此正交，x轴以及y轴在水平方向上平行，z轴在铅锤方向上平行。此外，“平面视图”表示从铅锤上方观察对象。48.参照图1～图11，对本发明的实施方式的基板处理装置100进行说明。首先，参照图1对基板处理装置100进行说明。图1是表示基板处理装置100的图。图1所示的基板处理装置100通过处理液对基板w进行处理。49.具体而言，基板处理装置100通过处理液对构成基板w的对象物进行处理。以下，将处理液的处理对象即对象物称为“对象物tg”。构成基板w的对象物tg例如是基板本体(例如，由硅构成的基板本体)或者形成于基板本体的表面的物质。形成于基板本体的表面的物质例如是与基板本体相同材料的物质(例如，由硅构成的层)或者与基板本体不同材料的物质(例如，氧化硅膜、氮化硅膜或抗蚀剂(resist))。“物质”也可以构成膜。50.基板处理装置100是逐片地处理基板w的叶片型。基板w为略圆板状。51.基板w例如是半导体晶圆、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、场发射显示器(fed；fieldemissiondisplay)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模(photomask)用基板、陶瓷基板或者太阳能电池用基板。在以下的实施方式的说明中，基板w是半导体晶圆。52.尤其，在本实施方式中，基板处理装置100作为“处理条件选择装置”发挥作用，“处理条件选择装置”从多个参照处理条件中选择通过处理液处理构成基板w的对象物tg时可使用的处理条件。53.如图1所示，基板处理装置100具备处理单元1、显示装置19、输入装置20、控制装置21、阀v1、供给配管k1、阀v2以及供给配管k2。54.控制装置21控制处理单元1、显示装置19、输入装置20、阀v1以及阀v2。显示装置19显示各种信息。显示装置19例如是液晶显示器。输入装置20接受来自用户的输入，并将表示输入结果的信息输出至控制装置21。输入装置20例如包括触控面板和指示设备(pointingdevice)。触控面板例如配置于显示装置19的显示面。显示装置19和输入装置20例如构成图形用户界面(graphicaluserinterface)。55.处理单元1向基板w喷出处理液来处理基板w。具体而言，处理单元1包括腔室(chamber)2、旋转卡盘(spinchuck)3、旋转马达(spinmotor)5、喷嘴7、喷嘴移动部9、喷嘴11、多个防护罩(guard)13(在本实施方式中为2个防护罩13)、厚度测定部15以及探头(probe)移动部17。56.腔室2具有略箱形状。腔室2收纳基板w、旋转卡盘3、旋转马达5、喷嘴7、喷嘴移动部9、喷嘴11、多个防护罩13、厚度测定部15、探头移动部17、供给配管k1的一部分以及供给配管k2的一部分。57.旋转卡盘3保持基板w地旋转。具体而言，旋转卡盘3在腔室2内水平地保持基板w的同时，使基板w绕着旋转轴线ax旋转。具体而言，旋转卡盘3由旋转马达5驱动而旋转。58.旋转卡盘3包括多个卡盘部件32和旋转基座(spinbase)33。多个卡盘部件32沿着基板w的周缘设置于旋转基座33。多个卡盘部件32以水平姿势保持基板w。旋转基座33为略圆板状，以水平姿势支撑多个卡盘部件32。旋转马达5使旋转基座33绕旋转轴线ax旋转。因此，旋转基座33绕旋转轴线ax旋转。其结果，由设置于旋转基座33的多个卡盘部件32所保持的基板w绕着旋转轴线ax旋转。具体而言，旋转马达5包括马达本体51和轴53。轴53与旋转基座33耦合。并且，马达本体51使轴53旋转，由此使旋转基座33旋转。59.喷嘴7在基板w的旋转中朝基板w喷出处理液。处理液是药液。60.以下，在本实施方式中，说明基板处理装置100对基板w(具体而言为对象物tg)执行蚀刻处理且处理液为蚀刻液的情况。因此，基板处理装置100作为“处理条件选择装置”发挥作用，“处理条件选择装置”从多个参照处理条件中选择通过蚀刻液对构成基板w的对象物tg进行蚀刻处理时可使用的处理条件。61.蚀刻液例如是氢氟硝酸(氢氟酸(hf)与硝酸(hno3)的混合液)、氢氟酸、缓冲氢氟酸(bhf；bufferedhydrogenfluoride)、氟化铵(ammoniumfluoride)、hfeg(氢氟酸与乙二醇的混合液)、或者磷酸(h3po4)。62.供给配管k1对喷嘴7供给蚀刻液。阀v1切换开始对喷嘴7供给蚀刻液以及停止对喷嘴7供给蚀刻液。63.喷嘴移动部9使喷嘴7在略铅锤方向以及略水平方向上移动。具体而言，喷嘴移动部9包括臂91、转动轴93以及喷嘴移动机构95。臂91沿着略水平方向延伸。在臂91的前端部配置有喷嘴7。臂91与转动轴93耦合。转动轴93沿略铅锤方向延伸。喷嘴移动机构95使转动轴93绕着沿略铅锤方向的转动轴线转动，并使臂91沿略水平面转动。其结果，喷嘴7沿略水平面移动。此外，喷嘴移动机构95使转动轴93沿略铅锤方向进行升降，而使臂91进行升降。其结果，喷嘴7沿略铅锤方向移动。喷嘴移动机构95例如包括滚珠丝杠(ballscrew)机构和向滚珠丝杠机构赋予驱动力的电动马达。64.喷嘴11在基板w的旋转中朝基板w喷出冲洗液。冲洗液例如是去离子水、碳酸水、电解离子水、氢水、臭氧水或者稀释浓度(例如，10ppm～100ppm左右)的盐酸水。65.供给配管k2对喷嘴11供给冲洗液。阀v2切换开始对喷嘴11供给冲洗液以及停止对喷嘴11供给冲洗液。66.多个防护罩13分别具有略筒形状。多个防护罩13分别接住从基板w排出的处理液或者冲洗液。67.厚度测定部15以非接触方式测定对象物tg的厚度，并将表示对象物tg的厚度的信息输出至控制装置21。厚度测定部15例如通过光谱干扰(spectralinterference)法测定对象物tg的厚度。具体而言，厚度测定部15包括光学探头151、连接线153以及厚度测定器155。光学探头151包含透镜(lens)。连接线153连接光学探头151与厚度测定器155。连接线153包括光纤。厚度测定器155包括光源以及受光元件。厚度测定器155的光源射出的光经由连接线153以及光学探头151射出至对象物tg。被对象物tg反射的光经由光学探头151以及连接线153被厚度测定器155的受光元件接收。厚度测定器155解析所接收的光，并根据解析结果算出对象物tg的厚度。厚度测定器155将表示对象物tg的厚度的信息输出至控制装置21。68.探头移动部17使光学探头151在略铅锤方向以及略水平方向上移动。具体而言，探头移动部17包括臂171、转动轴173以及探头移动机构175。臂171沿着略水平方向延伸。在臂171的前端部配置有光学探头151。臂171与转动轴173耦合。转动轴173沿着略铅锤方向延伸。探头移动机构175使转动轴173绕着沿略铅锤方向的转动轴线转动，而使臂171沿略水平面转动。其结果，光学探头151沿略水平面移动。此外，探头移动机构175使转动轴173沿略铅锤方向进行升降，而使臂171进行升降。其结果，光学探头151沿略铅锤方向移动。探头移动机构175例如包括滚珠丝杠机构以及对滚珠丝杠机构赋予驱动力的电动马达。69.接着，参照图2说明喷嘴7对基板w的扫描处理。图2是表示喷嘴7对基板w的扫描处理的平面图。如图2所示，喷嘴7的扫描处理是指，一边移动喷嘴7一边将处理液喷出至对象物tg以便俯视观看时处理液对于对象物tg的表面的着液位置形成圆弧状的轨迹tj1。轨迹tj1通过基板w的边缘部eg和基板w的中心部ct。中心部ct表示基板w中旋转轴线ax通过的部分。边缘部eg表示基板w的周缘部。在基板w的旋转中执行喷嘴7对基板w的扫描处理。喷嘴7对基板w的扫描处理中，喷嘴7的移动速度是固定的。例如，通过喷嘴7移动时的喷嘴7的角速度或者速度来表示喷嘴7的移动速度。70.具体而言，喷嘴7进行向顺时针的转动方向rt1的转动以及向逆时针的转动方向rt2的转动。也就是说，喷嘴7向转动方向rt1转动并在折返位置tr1折返而向转动方向rt2转动。然后，喷嘴7在折返位置tr2折返而向转动方向rt1转动。也就是说，喷嘴7在折返位置tr1与折返位置tr2之间反复移动。折返位置tr1表示转动方向rt1上的喷嘴7的折返位置。折返位置tr2表示转动方向rt2上的喷嘴7的折返位置。俯视观看时，折返位置tr1和折返位置tr2在轨迹tj1上夹着中心部ct。根据处理液的处理条件，适当地变更折返位置tr1和折返位置tr2。此外，对于折返位置tr3予以后述。71.接着，参照图3说明光学探头151对基板w的扫描处理。图3表示光学探头151对基板w的扫描处理的平面图。如图3所示，光学探头151的扫描处理是指，一边移动光学探头151一边测定对象物tg的厚度，以便俯视观看时，针对对象物tg的厚度的测定位置形成圆弧状的轨迹tj2。轨迹tj2通过基板w的边缘部eg以及基板w的中心部ct。在基板w的旋转中执行光学探头151对基板w的扫描处理。72.具体而言，俯视观看时，光学探头151一边在基板w的中心部ct与边缘部eg之间移动一边移动测定位置。换言之，厚度测定部15在对象物tg的多个测定位置分别测定对象物tg的厚度。其结果，在从基板w的中心部ct至边缘部eg，测定出对象物tg的厚度的分布。也就是说，测定基板w的径方向rd上的对象物tg的厚度的分布。73.接着，参照图4的(a)～图4的(c)说明基板处理装置100针对基板w(具体而言为对象物tg)的蚀刻处理。图4的(a)是表示蚀刻前的厚度图案ta、tb、tc的图。图4的(b)是表示蚀刻率(etchingrate)分布ea、eb、ec的图。图4的(c)是表示蚀刻后的厚度图案tar、tbr、tcr的图。“厚度图案”表示在对象物tg的多个测定位置分别测定出的多个厚度的分布。即，“厚度图案”表示基板w的径方向rd上的对象物tg的厚度的分布。74.在图4的(a)～图4的(c)中，横轴表示基板w上的位置。在图4的(a)和图4的(c)中，纵轴表示对象物tg的厚度。在图4的(b)中，纵轴表示对象物tg的蚀刻率。蚀刻率是每单位时间的蚀刻量。75.如图4的(a)所示，对象物tg在蚀刻前具有厚度图案ta的情况下，如图4的(b)所示，将处理条件决定为具有与厚度图案ta相关度高的蚀刻率分布ea，并执行蚀刻处理。其结果，根据本实施方式，如图4的(c)所示，对象物tg在蚀刻前具有厚度图案ta的情况下，蚀刻后的对象物tg的厚度图案tar变得略平坦(flat)。即，能在对象物tg的广范的区域(从中心部ct至边缘部eg为止的区域)抑制蚀刻后的对象物tg的厚度的参差不齐(variation)。76.同样地，如图4的(a)和图4的(b)所示，将处理条件决定为具有与蚀刻前的对象物tg的厚度图案tb相关度高的蚀刻率分布eb，并执行蚀刻处理。其结果，如图4的(c)所示，对象物tg在蚀刻前具有厚度图案tb的情况下，蚀刻后的对象物tg的厚度图案tbr变得略平坦。77.同样地，如图4的(a)和图4的(b)所示，将处理条件决定为具有与蚀刻前的对象物tg的厚度图案tc相关度高的蚀刻率分布ec，并执行蚀刻处理。其结果，如图4的(c)所示，对象物tg在蚀刻前具有厚度图案tc的情况下，蚀刻后的对象物tg的厚度图案tcr变得略平坦。78.此外，以对象物的厚度在径方向上略均匀(即，对象物的厚度图案略平坦)为前提决定了蚀刻率分布变成略固定的处理条件的情况下，对象物的厚度在径方向上不均匀时，蚀刻后的对象物的厚度图案不会变得略平坦，有可能在蚀刻后的对象物的厚度中产生参差不齐。79.接着，参照图5说明控制装置21。图5表示控制装置21的框图。如图5所示，控制装置21包括控制部31和存储部41。控制部31控制存储部41。此外，控制部31控制基板处理装置100的其他各构成。80.控制部31包括cpu(centralprocessingunit；中央处理器)这样的处理器。存储部41包括存储装置，存储数据以及计算机程序。具体而言，存储部41包括半导体内存这样的主存储装置、半导体内存和/或硬盘驱动器这样的辅助存储装置。存储部41也可以包括光盘这样的可移动介质(removablemedia)。控制部31的处理器执行存储部41的存储装置所存储的计算机程序而控制基板处理装置100的各构成。存储部41相当于“存储介质”的一例。“存储介质”例如是非临时性计算机可读存储介质。81.具体而言，存储部41存储制程(recipe)数据415和计算机程序417。此外，存储部41包括参照图案数据库411。优选地，存储部41包括处理结果数据库413。82.参照图案数据库411存储多个参照图案rp。分别将多个参照图案rp预先分类为多个参照组g中的某一个。多个参照组g是根据参照图案rp的形状的特征来决定的。此外，参照图案数据库411存储多个参照处理条件。将多个参照处理条件分别与多个参照图案rp关联起来。83.处理结果数据库413存储表示处理液对对象物tg的处理结果的信息。制程数据415包括表示多个制程的信息。多个制程分别规定基板w的处理内容以及处理顺序。计算机程序417使控制部31的处理器执行包含本实施方式的处理条件选择方法的基板处理方法。例如，计算机程序417使控制部31的处理器动作，以便从多个参照处理条件中选择通过处理液对构成基板w的对象物tg进行处理时可使用的处理条件。处理器相当于“计算机”的一例。84.控制部31包括确定部311和取得部313。控制部31的处理器执行计算机程序417而作为确定部311和取得部313发挥功能。85.确定部311从厚度测定部15取得在处理液的处理前由厚度测定部15测定的表示对象物tg的厚度的信息。表示对象物tg的厚度的信息包括处理液的处理前的对象物tg的厚度图案(以下，有时称为“厚度图案tm”)。86.确定部311比较厚度图案tm与预先存储于存储部41(具体而言为参照图案数据库411)的多个参照图案rp。然后，确定部311根据规定规则(以下，记载为“规定规则ru”)从多个参照图案rp中确定与厚度图案tm相关度高的参照图案rp。换言之，在本说明书中，“与厚度图案tm相关度高的参照图案rp”例如是“具有与厚度图案tm的形状(轮廓(profile))类似的形状(轮廓)的参照图案rp”。87.例如，确定部311根据规定规则ru从多个参照图案rp中确定与厚度图案tm相关度最高的参照图案rp。换言之，在本说明书中，“与厚度图案tm相关度最高的参照图案rp”例如是“具有与厚度图案tm的形状(轮廓)最近似的形状(轮廓)的参照图案rp”。88.相关度高的基准由规定规则ru决定。相关度高的基准通过实验性和/或经验性地决定。例如，相关度高表示在厚度图案tm与参照图案rp之间1个以上的特征一致或者近似。89.存在多个与厚度图案tm相关度最高的参照图案rp的情况下，确定部311选择对参照图案数据库411的登记日期时间最新的参照图案rp。然后，确定部311将所选择的参照图案rp确定为“与厚度图案tm相关度高的参照图案rp”。90.表示规定规则ru的信息例如存储于存储部41。存储部41也可以存储多个规定规则ru。该情况下，用户能够经由输入装置20从多个规定规则ru中选择与状况对应的规定规则ru。然后，确定部311根据用户选择的规定规则ru进行比较动作，来确定与厚度图案tm相关度高的参照图案rp。91.此外，也可以利用可内置或者读入规定规则ru的检索引擎。检索引擎将厚度图案tm检索为输入信息而进行比较动作，确定与厚度图案tm相关度高的参照图案rp。92.多个参照图案rp分别表示参照对象物的物理量的分布。参照对象物是构成过去处理过的基板的对象物。参照对象物例如是过去处理过的基板本体。或者，参照对象物例如是形成于基板本体的表面的物质，且是过去处理过的物质。形成于基板本体的表面的物质例如是与基板本体相同材料的物质或者与基板本体不同材料的物质。“物质”也可以构成膜。[0093]“过去处理过的基板”的素材以及构成与包含对象物tg的基板w的素材以及构成相同。此外，“参照对象物”的素材以及构成与对象物tg的素材以及构成相同。[0094]取得部313从存储部41(具体而言为参照图案数据库411)取得分别与多个参照图案rp相关联的多个参照处理条件中的、与确定部311确定的参照图案rp相关联的参照处理条件而作为针对对象物tg的处理条件。即，取得部313将所取得的参照处理条件决定为处理条件。“处理条件”是通过处理液对对象物tg进行处理时可使用的处理条件。[0095]多个参照处理条件分别表示过去对具有与参照处理条件相关联的参照图案rp的参照对象物执行了处理液的处理时的处理条件。该情况下的“处理液”与对对象物tg进行处理时的处理液相同。[0096]以上，如参照图5进行说明的那样，根据本实施方式，取得与对象物tg的厚度图案tm相关度高的参照图案rp所关联的参照处理条件而作为针对对象物tg的处理条件。即，从多个参照处理条件中取得与对象物tg的厚度图案tm相关度高的参照图案rp所关联的参照处理条件而作为针对对象物tg的处理条件。因此，按照所选择的处理条件处理对象物tg，由此能在构成基板w的对象物tg的广范的区域抑制处理后的对象物tg的厚度的参差不齐。在本实施方式中，“广范的区域”表示从基板w的中心部ct至边缘部eg为止的区域。[0097]尤其，在本实施方式中，处理液是蚀刻对象物tg的蚀刻液。该情况下，定义参照图案rp的“参照对象物的物理量的分布”中的“物理量”是蚀刻率。即，参照图案rp表示参照对象物的蚀刻率的分布。[0098]因此，选择表示与对象物tg的厚度图案tm相关度高的蚀刻率的分布的参照图案rp。并且，取得与表示这样的蚀刻率的分布的参照图案rp关联的参照处理条件而作为针对对象物tg的处理条件。因此，按照所取得的处理条件对对象物tg进行蚀刻处理，由此能在对象物tg的广范的区域抑制蚀刻处理后的对象物tg的厚度的参差不齐。即，在对象物tg的广范的区域能使蚀刻处理后的对象物tg的厚度图案(以下，有时记载为“厚度图案tmr”)略平坦。[0099]以图4的(a)～图4的(c)为例，图4的(a)所示的蚀刻处理前的厚度图案ta～tc分别相当于蚀刻处理前的厚度图案tm。此外，图4的(b)所示的蚀刻率分布ea～ec分别相当于表示与厚度图案tm相关度高的蚀刻率的分布的参照图案rp。并且，图4的(c)所示的蚀刻处理后的厚度图案tar～tcr分别相当于蚀刻处理后的厚度图案tmr。[0100]此外，定义参照图案rp的“参照对象物的物理量的分布”中的“物理量”也可以是蚀刻量。即，参照图案rp也可以表示参照对象物的蚀刻量的分布。[0101]此外，在本实施方式中，多个参照处理条件分别包括表示包含参照对象物的基板的旋转速度的信息、表示对参照对象物喷出处理液的喷嘴7的折返位置的信息、以及表示沿着参照对象物的喷嘴7的移动速度的信息。因此，取得与对象物tg的厚度图案tm相关度高的参照图案rp相关联的参照处理条件而作为针对对象物tg的处理条件，由此能够根据对象物tg的厚度图案tm来适当地决定处理时的基板w的旋转速度、向对象物tg喷出处理液的喷嘴7的折返位置、以及沿着对象物tg的喷嘴7的移动速度。其结果，能够在对象物tg的广范的区域进一步抑制处理后的对象物tg的厚度的参差不齐。具体而言，能在对象物tg的广范的区域进一步抑制蚀刻处理后的对象物tg的厚度的参差不齐。[0102]接着，参照图5说明控制部31的确定部311。如图5所示，优选地，确定部311包括分类部311a和决定部311c。[0103]分类部311a将蚀刻处理前的对象物tg的厚度图案tm分类为多个参照组g中的某一个参照组g。然后，决定部311c将多个参照图案rp中的、分类为分类有对象物tg的厚度图案tm的参照组g的2个以上的参照图案rp作为对象，根据规定规则ru进行厚度图案tm与参照图案rp的比较，决定与厚度图案tm相关度高的参照图案rp。因此，根据本实施方式，比较所有的参照图案rp的每一个与厚度图案tm来确定与厚度图案tm相关度高的参照图案rp的情况相比，能在短时间内决定与厚度图案tm相关度高的参照图案rp。“通过决定部311c决定的参照图案rp”相当于“通过确定部311确定的参照图案rp”。[0104]例如，决定部311c从多个参照图案rp中的、分类为分类有对象物tg的厚度图案tm的参照组g的2个以上的参照图案rp中决定与厚度图案tm相关度最高的参照图案rp。[0105]存在多个与厚度图案tm相关度最高的参照图案rp的情况下，决定部311c选择对参照图案数据库411的登记日期时间最新的参照图案rp。并且，确定部311c将所选择的参照图案rp确定成“与厚度图案tm相关度高的参照图案rp”。[0106]对每个参照组g决定规定规则ru。表示规定规则ru的信息例如按参照组g存储于存储部41。存储部41也可以对每个参照组g存储多个规定规则ru。该情况下，用户能够经由输入装置20，根据参照组g从多个规定规则ru中选择与状况对应的规定规则ru。并且，确定部311c根据用户选择的规定规则ru进行比较动作，决定与厚度图案tm相关度高的参照图案rp。[0107]此外，也可以利用可内置或者读入规定规则ru的检索引擎。检索引擎将分类为分类有厚度图案tm的参照组g的2个以上的参照图案rp作为对象，检索厚度图案tm而作为输入信息，由此进行比较动作，决定与厚度图案tm相关度高的参照图案rp。[0108]取得部313从存储部41(具体而言为参照图案数据库411)取得与决定部311c决定的参照图案rp相关联的参照处理条件而作为针对对象物tg的处理条件。[0109]优选地，确定部311还包括预处理部311b。预处理部311b使对象物tg的厚度图案tm的维度(“长度l”)与参照图案rp的维度(“长度l”/“时间t”)一致。[0110]例如，预处理部311b将参照图案rp的维度变换为厚度图案tm的维度。具体而言，该情况下，预处理部311b算出变换系数cv。并且，预处理部311b对分类有厚度图案tm的参照组g所包含的多个参照图案rp的每一个乘以变换系数cv，由此将多个参照图案rp的每一个的维度变换为厚度图案tm的维度。[0111]变换系数cv是将平均值av1除以平均值av2而算出的。平均值av1是构成厚度图案tm的多个厚度值的平均值。平均值av2是多个蚀刻率值的平均值，该多个蚀刻率值构成分类有厚度图案tm的参照组g所包含的多个参照图案rp。[0112]例如，预处理部311b也可以将厚度图案tm的维度变换为参照图案rp的维度。例如，预处理部311b也可以对厚度图案tm以及参照图案rp执行标准化或规范化，而将厚度图案tm与参照图案rp无维度化。[0113]通过预处理部311b使厚度图案tm的维度与参照图案rp的维度一致后，决定部311c根据规定规则ru从分类有厚度图案tm的参照组g所包含的多个参照图案rp中决定与厚度图案tm相关度高的参照图案rp(即，与厚度图案tm类似的参照图案rp)。因此，根据本实施方式，能更高精度地决定与厚度图案tm相关度高的参照图案rp(即，与厚度图案tm类似的参照图案rp)。[0114]接着，参照图5～图9的(b)说明参照组g。如图5所示，多个参照组g包括第1参照组g1、第2参照组g2以及第3参照组g3中的至少一个。在本实施方式中，多个参照组g包括第1参照组g1、第2参照组g2以及第3参照组g3。因此，分类部311a将蚀刻处理前的对象物tg的厚度图案tm分类为第1参照组g1～第3参照组g3中的某一个参照组。[0115]另一方面，在本实施方式中，预先将多个参照图案rp的每一个分类为第1参照组g1～第3参照组g3中的某一个参照组g。然后，通过预处理部311b使厚度图案tm的维度与参照图案rp的维度一致后，决定部311c根据规定规则ru从第1参照组g1～第3参照组g3中的、分类为分类有对象物tg的厚度图案tm的参照组g的2个以上的参照图案rp，决定与厚度图案tm相关度高的参照图案rp(即，与厚度图案tm类似的参照图案rp)。[0116]图6的(a)是表示分类为第1参照组g1的厚度图案t1的图。横轴表示基板w上的位置，纵轴表示对象物tg的厚度。如图6的(a)所示，分类部311a将蚀刻处理前的对象物tg的厚度图案t1分类为第1参照组g1。第1参照组g1表示在从对象物tg或者参照对象物的中心部ct至边缘部eg间具有极小部的图案(即，朝下方凸起的曲线状的图案)的组。这种图案是厚度图案t1和参照图案rp1的“特征”的一例。厚度图案t1在从中心部ct至边缘部eg间具有厚度的极小部p1。[0117]图6的(b)是表示分类为第2参照组g2的厚度图案t2的图。横轴表示基板w上的位置，纵轴表示对象物tg的厚度。如图6的(b)所示，分类部311a将蚀刻处理前的对象物tg的厚度图案t2分类为第2参照组g2。第2参照组g2表示在从对象物tg或者参照对象物的中心部ct至边缘部eg间具有极大部的图案(即，朝上方凸起的曲线状的图案)的组。这种图案是厚度图案t2和参照图案rp2的“特征”的一例。厚度图案t2在从中心部ct至边缘部eg间具有厚度的极大部p3。[0118]图6的(c)是表示分类为第3参照组g3的厚度图案t3的图。横轴表示基板w上的位置，纵轴表示对象物tg的厚度。如图6的(c)所示，分类部311a将蚀刻处理前的对象物tg的厚度图案t3分类为第3参照组g3。第3参照组g3表示从对象物tg或者参照对象物的中心部ct朝边缘部eg往一方向倾斜的图案的组。在本实施方式中，第3参照组g3表示以从对象物tg或者参照对象物的中心部ct朝边缘部eg增加的方式倾斜的图案的组。这样的图案是厚度图案t3和参照图案rp3的“特征”的一例。厚度图案t2以从中心部ct朝边缘部eg增加的方式倾斜。[0119]图7的(a)是表示分类为第1参照组g1的多个参照图案rp1的图。如图7的(a)所示，多个表格(table)bl1属于第1参照组g1。多个图表bl1的每一个包括彼此不同的多个参照图案rp1。[0120]多个表格bl1分别与表示彼此不同的多个旋转速度的信息相关联。并且，1个表格bl1所包含的多个参照图案rp1与表示相同旋转速度的信息相关联。“旋转速度”表示包含参照对象物的基板的旋转速度，例如通过单位时间的基板的旋转数来表示。表示多个旋转速度的信息的每一个是参照处理条件之一。[0121]在多个表格bl1的每一个中，u轴表示转动方向rt1(图2)上的喷嘴7的折返位置tr1，v轴表示转动方向rt2(图2)上的喷嘴7的折返位置tr2。折返位置tr1和折返位置tr2分别表示从基板的中心部ct起的位置。[0122]并且，在多个表格bl1的每一个中，通过1个折返位置tr1和1个折返位置tr2来确定1个参照图案rp1。即，针对1个参照图案rp1，关联有1个折返位置tr1和1个折返位置tr2。表示折返位置tr1的信息和表示折返位置tr2的信息是参照处理条件之一。[0123]此外，第1参照组g1所包含的多个参照图案rp1(具体而言为所有的参照图案rp1)与表示相同移动速度的信息相关联。“移动速度”是沿着参照对象物的喷嘴7的移动速度。表示喷嘴7的移动速度的信息是参照处理条件之一。[0124]图7的(b)是表示参照图案rp1的详细情况的图。横轴表示基板上的位置，纵轴表示参照对象物的蚀刻率。如图7的(b)所示，将参照图案rp1分类为第1参照组g1。参照图案rp1在从中心部ct至边缘部eg之间具有蚀刻率的极小部p1#。[0125]图8的(a)是表示分类为第2参照组g2的多个参照图案rp2的图。如图8的(a)所示，多个表格bl2属于第2参照组g2。多个表格bl2的每一个包含彼此不同的多个参照图案rp2。在表格bl2包含参照图案rp2的点上，表格bl2与包含参照图案rp1的表格bl1(图7的(a))不同。但是，表格bl2的其他点与表格bl1相同，省略说明。[0126]图8的(b)是表示参照图案rp2的详细情形的图。横轴表示基板上的位置，纵轴表示参照对象物的蚀刻率。如图8的(b)所示，将参照图案rp2分类为第2参照组g2。参照图案rp2在从中心部ct至边缘部eg之间具有蚀刻率的极大部p3#。[0127]图9的(a)是表示分类为第3参照组g3的多个参照图案rp3的图。如图9的(a)所示，多个表格bl3属于第3参照组g3。多个表格bl3的每一个包括彼此不同的多个参照图案rp3。在表格bl3包含参照图案rp3的点上，表格bl3与包含参照图案rp1的表格bl1(图7的(a))不同。但是，表格bl3的其他点与表格bl1相同，因此省略说明。[0128]图9的(b)是表示参照图案rp3的详细情况的图。横轴表示基板上的位置，纵轴表示参照对象物的蚀刻率。如图9的(b)所示，将参照图案rp3分类为第3参照组g3。在参照图案rp3中，从中心部ct朝边缘部eg蚀刻率往一方向倾斜。具体而言，在参照图案rp3中，以蚀刻率从中心部ct朝边缘部eg增加的方式倾斜。[0129]以上，如参照图5～图9的(b)说明的那样，根据本实施方式，第1参照组g1至第3参照组g3分别是简单形状的图案的组。因此，分类部311a能容易地进行厚度图案tm的分类。[0130]接着，参照图6的(a)和图7的(b)来说明将厚度图案t1分类为第1参照组g1时的决定部311c的处理的详细内容。在分类有厚度图案t1的参照组g为第1参照组g1的情况下，使厚度图案t1与参照图案rp1的维度一致后，决定部311c比较基于厚度图案t1的第1差分d1与基于参照图案rp1的第2差分d1#，根据比较结果，从多个参照图案rp1中决定与厚度图案t1相关度高的参照图案rp1(即，与厚度图案t1类似的参照图案rp1)。这样的决定规则是第1参照组g1中的规定规则ru的一例。[0131]如图6的(a)所示，第1差分d1表示厚度图案t1的极小部p1所示的对象物tg的厚度t2与厚度图案t1的边缘部p2所示的对象物tg的边缘部eg的厚度t0的差分的绝对值。[0132]如图7的(b)所示，第2差分d1#表示参照图案rp1的极小部p1#所示的参照对象物的蚀刻率t2#与参照图案rp1的边缘部p2#所示的参照对象物的边缘部eg的蚀刻率t0#的差分的绝对值。[0133]基板w的旋转速度的影响容易显现于对象物tg的边缘部eg的蚀刻率，因此在本实施方式中根据第1差分d1与第2差分d1#的比较结果来决定与厚度图案t1相关度高的参照图案rp1，由此能针对具有厚度图案t1的对象物tg取得更良好的处理条件(例如，基板w的旋转速度)。[0134]例如，决定部311c从多个参照图案rp1中决定第1差分d1与第2差分d1#的差的绝对值最小的参照图案rp1而作为与厚度图案t1相关度高的参照图案rp1。例如，决定部311c从多个参照图案rp1中决定第1差分d1与第2差分d1#的差的绝对值为预定值va1以下的参照图案rp1而作为与厚度图案t1相关度高的参照图案rp1。这些例子的这样的决定规则是第1参照组g1中的规定规则ru的一例。[0135]此外，决定部311c也可以比较图6的(a)所示的第1差分d1、距离l0、距离l1、厚度t0、厚度t1、厚度t2、差分(＝t1﹣t2)中的至少一个以上的信息与图7的(b)所示的第2差分d1#、距离l0#、距离l1#、蚀刻率t0#、蚀刻率t1#、蚀刻率t2#、差分(＝t1#﹣t2#)中的至少一个以上的信息，根据比较结果，从多个参照图案rp1中决定与厚度图案t1相关度高的参照图案rp1。这样的决定规则是第1参照组g1中的规定规则ru的一例。[0136]距离l0表示从对象物tg的中心部ct至厚度图案t1的极小部p1所对应的位置r1为止的距离。距离l1表示从对象物tg的极小部p1所对应的位置r1至对象物tg的边缘部eg为止的距离。厚度t0表示对象物tg的边缘部eg的厚度。厚度t1表示对象物tg的中心部ct的厚度。厚度t2表示由厚度图案t1的极小部p1所示的对象物tg的厚度。[0137]距离l0#表示从参照对象物的中心部ct至参照图案rp1的极小部p1#所对应的位置r1#为止的距离。距离l1#表示从参照对象物的极小部p1#所对应的位置r1#至参照对象物的边缘部eg为止的距离。蚀刻率t0#表示参照对象物的边缘部eg的蚀刻率。蚀刻率t1#表示参照对象物的中心部ct的蚀刻率。蚀刻率t2#表示由参照图案rp1的极小部p1#所示的参照对象物的蚀刻率。[0138]此外，第1差分d1、距离l0、距离l1、厚度t0、厚度t1、厚度t2以及差分(＝t1﹣t2)是厚度图案t1的“特征”的一例。此外，第2差分d1#、距离l0#、距离l1#、蚀刻率t0#、蚀刻率t1#、蚀刻率t2#以及差分(＝t1#﹣t2#)是参照图案rp1的“特征”的一例。[0139]接着，参照图6的(b)和图8的(b)来说明将厚度图案t2分类为第2参照组g2时的决定部311c的处理的详细内容。在分类有厚度图案t2的参照组g为第2参照组g2的情况下，使厚度图案t2与参照图案rp2的维度一致后，决定部311c比较基于厚度图案t2的第1距离l2与基于参照图案rp2的第2距离l2#，根据比较结果，从多个参照图案rp2中决定与厚度图案t2相关度高的参照图案rp2(即，与厚度图案t2类似的参照图案rp2)。这样的决定规则是第2参照组g2中的规定规则ru的一例。[0140]如图6的(b)所示，第1距离l2表示从对象物tg的中心部ct至厚度图案t2的极大部p3所对应的位置r2为止的距离。[0141]如图8的(b)所示，第2距离l2#表示从参照对象物的中心部ct至参照图案rp2的极大部p3#所对应的位置r2#为止的距离。[0142]在喷嘴7的折返位置，有时对象物tg的蚀刻率(etchingrate)变成最大，因此在本实施方式中，根据第1距离l2与第2距离l2#的比较结果来决定与厚度图案t2相关度高的参照图案rp2，从而能针对具有厚度图案t2的对象物tg取得更良好的处理条件(例如，喷嘴7的折返位置)。在喷嘴7的折返位置对象物tg的蚀刻率变成最大的原因在于，喷嘴7在喷嘴7的折返位置停止，因此在喷嘴7的折返位置朝对象物tg的处理液的喷出量变多。该现象在处理液为氢氟硝酸的情况下显著。[0143]例如，决定部311c从多个参照图案rp2中决定第1距离l2与第2距离l2#的差的绝对值最小的参照图案rp2而作为与厚度图案t2相关度高的参照图案rp2。例如，决定部311c从多个参照图案rp2中决定第1距离l2与第2距离l2#的差的绝对值为预定值va2以下的参照图案rp2而作为与厚度图案t2相关度高的参照图案rp2。这些例子这样的决定规则是第2参照组g2中的规定规则ru的一例。[0144]此外，决定部311c也可以比较图6的(b)所示的第1距离l2、距离l3、厚度t3、厚度t4、厚度t5、差分(＝t3﹣t5)、差分(＝t3﹣t4)中的至少一个以上的信息与图8的(b)所示的第2距离l2#、距离l3#、蚀刻率t3#、蚀刻率t4#、蚀刻率t5#、差分(＝t3#﹣t5#)、差分(＝t3#﹣t4#)中的至少一个以上的信息，根据比较结果，从多个参照图案rp2中决定与厚度图案t2相关度高的参照图案rp2。这样的决定规则是第2参照组g2中的规定规则ru的一例。[0145]距离l3表示从厚度图案t2的极大部p3所对应的位置r2至对象物tg的边缘部eg为止的距离。厚度t3表示由厚度图案t2的极大部p3所示的对象物tg的厚度。厚度t4表示对象物tg的中心部ct的厚度。厚度t5表示对象物tg的边缘部eg的厚度。[0146]距离l3#表示从参照图案rp2的极大部p3#所对应的位置r2#至参照对象物的边缘部eg为止的距离。蚀刻率t3#表示由参照图案rp2的极大部p3#所示的参照对象物的蚀刻率。蚀刻率t4#表示参照对象物的中心部ct的蚀刻率。蚀刻率t5#表示参照对象物的边缘部eg的蚀刻率。[0147]此外，第1距离l2、距离l3、厚度t3、厚度t4、厚度t5、差分(＝t3﹣t5)以及差分(＝t3﹣t4)是厚度图案t2的“特征”的一例。此外，第2距离l2#、距离l3#、蚀刻率t3#、蚀刻率t4#、蚀刻率t5#、差分(＝t3#﹣t5#)以及差分(＝t3#－t4#)是参照图案rp2的“特征”的一例。[0148]接着，参照图6的(c)和图9的(b)来说明将厚度图案t3分类为第3参照组g3时的决定部311c的处理的详细内容。在分类有厚度图案t3的参照组g为第3参照组g3的情况下，使厚度图案t3与参照图案rp3的维度一致后，决定部311c比较厚度图案t3的倾斜与参照图案rp3的倾斜，根据比较结果，从多个参照图案rp3中决定与厚度图案t3相关度高的参照图案rp3(即，与厚度图案t3类似的参照图案rp3)。这样的决定规则是第3参照组g3中的规定规则ru的一例。[0149]如图6的(c)所示，厚度图案t3的倾斜例如通过倾斜角θ表示。倾斜角θ表示厚度图案t3相对于包含对象物tg的基板w的径方向的倾斜角。[0150]如图9的(b)所示，参照图案rp3的倾斜例如通过倾斜角θ#表示。倾斜角θ#表示参照图案rp3相对于包含参照对象物的基板的径方向的倾斜角。[0151]因离心力，有时针对对象物tg的边缘部eg的处理液的量比针对对象物tg的中心部ct的处理液的量多，因此在本实施方式中根据厚度图案t3的倾斜与参照图案rp3的倾斜的比较结果来决定与厚度图案t3相关度高的参照图案rp3，由此能针对具有厚度图案t3的对象物tg取得更良好的处理条件(例如，基板w的旋转速度)。[0152]例如，决定部311c从多个参照图案rp3中决定倾斜角θ与倾斜角θ#的差的绝对值最小的参照图案rp3而作为与厚度图案t3相关度高的参照图案rp3。例如，决定部311c从多个参照图案rp3中决定倾斜角θ与倾斜角θ#的差的绝对值为预定值va3以下的参照图案rp3而作为与厚度图案t3相关度高的参照图案rp3。这些例子这样的决定规则是第3参照组g3中的规定规则ru的一例。[0153]此外，决定部311c也可以比较图6的(c)所示的倾斜角θ、厚度t6、厚度t8、差分(＝t6﹣t8)中的至少一个以上的信息与图9的(b)所示的倾斜角θ#、蚀刻率t6#、蚀刻率t8#、差分(＝t6#﹣t8#)中的至少一个以上的信息，根据比较结果，从多个参照图案rp3中决定与厚度图案t3相关度高的参照图案rp3。这样的决定规则是第3参照组g3中的规定规则ru的一例。[0154]厚度t6表示对象物tg的边缘部eg的厚度。厚度t8表示对象物tg的中心部ct的厚度。[0155]蚀刻率t6#表示参照对象物的边缘部eg的蚀刻率。蚀刻率t8#表示参照对象物的中心部ct的蚀刻率。[0156]此外，倾斜角θ、厚度t6、厚度t8以及差分(＝t6﹣t8)是厚度图案t3的“特征”的一例。此外，倾斜角θ#、蚀刻率t6#、蚀刻率t8#以及差分(＝t6#﹣t8#)是参照图案rp3的“特征”的一例。[0157]接着，参照图5～图9的(b)说明控制部31。如图5所示，优选地，控制部31还包括解析部315和调整部317。解析部315解析对象物tg的厚度图案tm而算出表示厚度图案tm的特征的第1特征量ft。第1特征量ft表示厚度图案tm的极值、厚度图案tm所示的对象物tg的中心部ct的厚度或者厚度图案tm所示的对象物tg的边缘部eg的厚度。厚度图案tm的极值是厚度图案tm的极大部或者极小部。[0158]此外，存储部41对每个参照图案rp存储表示参照图案rp的特征的第2特征量sc。第2特征量sc表示参照图案rp的极值、参照图案rp所示的参照对象物的中心部ct的蚀刻率或者参照图案rp所示的参照对象物的边缘部eg的蚀刻率。[0159]然后，调整部317比较表示厚度图案tm的特征的第1特征量ft与表示参照图案rp的特征的第2特征量sc，根据比较结果，调整由取得部313取得的处理条件所包含的表示喷嘴7的移动速度的信息。其结果，在本实施方式中，由于喷嘴7的移动速度变得更良好，因此能在构成基板w的对象物tg的广范的区域进一步地抑制蚀刻处理后的对象物tg的厚度的参差不齐。[0160]具体而言，如图6的(a)和图7的(b)所示，将厚度图案t1分类为第1参照组g1的情况下，使厚度图案t1与参照图案rp1的维度一致后，调整部317比较作为厚度图案t1的第1特征量ft的极小部p1所示的厚度t2与作为参照图案rp1的第2特征量sc的极小部p1#所示的蚀刻率t2#，根据比较结果，调整处理条件所包含的表示喷嘴7的移动速度的信息。[0161]例如，使厚度图案t1与参照图案rp1的维度一致后，在极小部p1所示的对象物tg的厚度t2比极小部p1#所示的蚀刻率t2#大的情况下，调整部317使处理条件所包含的喷嘴7的移动速度减小与厚度t2和蚀刻率t2#的差的绝对值对应的值。这是因为喷嘴7的移动速度越小则蚀刻率变得越大。另一方面，在厚度t2比蚀刻率t2#小的情况下，调整部317使处理条件所包含的喷嘴7的移动速度增大与厚度t2和蚀刻率t2#的差的绝对值对应的值。[0162]如图6的(b)和图8的(b)所示，将厚度图案t2分类为第2参照组g2的情况下，使厚度图案t2与参照图案rp2的维度一致后，调整部317比较作为厚度图案t2的第1特征量ft的对象物tg的中心部ct的厚度t4与作为参照图案rp2的第2特征量sc的参照对象物的中心部ct的蚀刻率t4#，根据比较结果，调整处理条件所包含的表示喷嘴7的移动速度的信息。[0163]例如，使厚度图案t2与参照图案rp2的维度一致后，在对象物tg的中心部ct的厚度t4比参照对象物的中心部ct的蚀刻率t4#大的情况下，调整部317使处理条件所包含的喷嘴7的移动速度减小与厚度t3和蚀刻率t4#的差的绝对值对应的值。这是因为喷嘴7的移动速度越小则蚀刻率变得越大。另一方面，在厚度t4比蚀刻率t4#小的情况下，调整部317使处理条件所包含的喷嘴7的移动速度增大与厚度t4和蚀刻率t4#的差对应的值。[0164]如图6的(c)和图9的(b)所示，将厚度图案t3分类为第3参照组g3的情况下，使厚度图案t3与参照图案rp3的维度一致后，调整部317比较作为厚度图案t3的第1特征量ft的对象物tg的中点位置rm的厚度t7与作为参照图案rp3的第2特征量sc的参照对象物的中点位置rm的蚀刻率t7#，根据比较结果，调整处理条件所包含的表示喷嘴7的移动速度的信息。[0165]例如，使厚度图案t3与参照图案rp3的维度一致后，在对象物tg的中点位置rm的厚度t7比参照对象物的中点位置rm的蚀刻率t7#大的情况下，调整部317使处理条件所包含的喷嘴7的移动速度减小与厚度t7和蚀刻率t7#的差的绝对值对应的值。这是因为喷嘴7的移动速度越小则蚀刻率变得越大。另一方面，在厚度t7比蚀刻率t7#小的情况下，调整部317使处理条件所包含的喷嘴7的移动速度增大与厚度t7和蚀刻率t7#的差的绝对值对应的值。[0166]接着，参照图5进一步说明控制部31。优选地，控制部31还包括处理时间计算部318。处理时间计算部318根据多个蚀刻率值的平均值与针对对象物tg的期望的蚀刻量算出蚀刻处理时间，该多个蚀刻率值是构成与取得部313所取得的处理条件关联起来的参照图案rp。[0167]或者，处理时间计算部318根据基于调整部317调整后的处理条件的蚀刻率与针对对象物tg的期望的蚀刻量，算出蚀刻处理时间。[0168]在本实施方式中，通过喷嘴7对基板w的扫描次数来决定蚀刻处理时间。[0169]优选地，控制部31还包括显示控制部323。显示控制部323将显示装置19控制成显示信息in1，该信息in1是为了确定或者调整与处理液进行处理前的对象物tg的厚度图案tm相关度高的参照图案rp而利用的信息。因此，显示装置19显示信息in1。其结果，根据本实施方式，用户能容易地确认或者利用信息in1。[0170]信息in1例如是对象物tg的厚度图案tm、厚度图案tm的特征量、多个参照图案rp、多个参照图案rp的每一个的特征量、或者多个参照处理条件。[0171]接着，参照图5说明通过处理液处理基板w后的处理。厚度测定部15在处理液进行处理后的对象物tg的多个测定位置，分别测定处理后的对象物tg的厚度。因此，用户能知道处理后的对象物tg的厚度，因此能进行针对处理后的对象物tg的蚀刻处理的评价。[0172]此外，优选地，控制部31还包括存储控制部321。存储控制部321把存储部41(具体而言为处理结果数据库413)控制成将表示处理前的对象物tg的厚度的分布的处理前的厚度图案tm、与处理前的厚度图案tm相关度高的参照图案rp、取得部313取得的处理条件、以及表示处理后的对象物tg的厚度的分布的处理后的厚度图案tmr关联起来进行存储。因此，存储部41将厚度图案tm、与厚度图案tm相关度高的参照图案rp、处理条件以及厚度图案tmr关联起来进行存储。其结果，根据本实施方式，用户能经由输入装置20存取存储部41，因此能有效地利用这些信息。[0173]再者，优选地，控制部31是还包括评价部319。评价部319比较处理前的厚度图案tm与处理后的厚度图案tmr，并根据比较结果进行针对处理后的对象物tg的蚀刻处理的评价。[0174]此外，显示控制部323也可以将显示装置19控制成显示信息in2，该信息in2是为了评价处理液进行处理后的对象物tg的厚度图案tmr而利用的信息。该情况下，显示装置19显示信息in2。因此，根据本实施方式，用户能确认信息in2并进行针对处理后的对象物tg的蚀刻处理的评价。然后，输入装置20从用户接受表示评价结果的信息的输入。再者，存储控制部321将存储部41(具体而言为处理结果数据库413)控制成由用户存储表示评价结果的信息。[0175]信息in2例如是取得部313所取得的处理条件、处理前的对象物tg的厚度图案tm、厚度图案tm的特征量、与厚度图案tm相关度高的参照图案rp、与厚度图案tm相关度高的参照图案rp的特征量、处理后的对象物tg的厚度图案tmr、或者厚度图案tmr的特征量。[0176]此外，存储控制部321把存储部41(具体而言为处理结果数据库413)控制成将表示处理前的对象物tg的厚度的分布的处理前的厚度图案tm、与处理前的厚度图案tm相关度高的参照图案rp、取得部313所取得的处理条件、表示处理后的对象物tg的厚度的分布的处理后的厚度图案tmr、针对处理后的厚度图案tmr的评价结果关联起来进行存储。因此，存储部41将厚度图案tm、与厚度图案tm相关度高的参照图案rp、处理条件、厚度图案tmr、针对厚度图案tmr的评价结果关联起来进行存储。其结果，根据本实施方式，用户经由输入装置20存取存储部41，由此能有效地利用这些信息。[0177]此外，控制部31的处理器执行计算机程序417而作为解析部315、调整部317、处理时间计算部318、评价部319、存储控制部321以及显示控制部323发挥功能。[0178]接着，参照图5和图10说明本发明的实施方式的基板处理方法。图10是表示基板处理方法的流程图。如图10所示，基板处理方法包括步骤s1～步骤s15。通过基板处理装置100对每一片基板w执行基板处理方法。[0179]如图5和图10所示，在步骤s1中，基板处理装置100的控制部31将旋转卡盘3控制成保持基板w。其结果，旋转卡盘3保持基板w。[0180]接着，在步骤s2中，控制部31将厚度测定部15控制成测定构成基板w的对象物tg的厚度。其结果，厚度测定部15测定处理前的对象物tg的厚度，并将表示处理前的对象物tg的厚度图案tm的信息输出至控制部31。[0181]接着，在步骤s3中，控制部31从多个参照处理条件中选择通过处理液处理构成基板w的对象物tg时可使用的处理条件。[0182]接着，在步骤s4中，控制部31将制程数据415所包含的“处理液(蚀刻液)进行的处理条件”变更成在步骤s3中所选择的处理条件。[0183]接着，在步骤s5中，控制部31将旋转马达5和喷嘴移动部9控制成按照在步骤s3中选择的处理条件通过处理液处理基板w。其结果，按照在步骤s3中选择的处理条件处理基板w。具体而言，基板w以在步骤s3中选择的处理条件所包含的旋转速度进行旋转。此外，喷嘴7以在步骤s3中选择的处理条件所包含的移动速度进行移动。并且，喷嘴7在步骤s3中选择的处理条件所包含的折返位置进行折返。[0184]接着，在步骤s6中，控制部31将阀v2控制成喷嘴11把冲洗液喷出至基板w。其结果，喷嘴11喷出冲洗液。[0185]接着，在步骤s7中，控制部31将旋转马达5控制成使基板w旋转。其结果，旋转马达5使旋转卡盘3旋转，从而使基板w旋转。通过基板w的旋转使基板w干燥。[0186]接着，在步骤s8中，控制部31将厚度测定部15控制成测定构成基板w的对象物tg的厚度。其结果，厚度测定部15测定处理后的对象物tg的厚度，并将表示处理后的厚度图案tmr的信息输出至控制部31。[0187]接着，在步骤s9中，控制部31的存储控制部321把存储部41控制成将表示处理前的对象物tg的厚度的分布的处理前的厚度图案tm、与处理前的厚度图案tm相关度高的参照图案rp、在步骤s3中选择的处理条件、表示处理后的对象物tg的厚度的分布的处理后的厚度图案tmr关联起来进行存储。其结果，存储部41(具体而言为处理结果数据库413)存储这些信息。[0188]接着，在步骤s10中，控制部31将搬运机器人控制成从腔室2取出基板w。其结果，搬运机器人从腔室2取出基板w。[0189]接着，在步骤s11中，控制部31的评价部319比较处理前的厚度图案tm与处理后的厚度图案tmr，根据比较结果进行针对处理后的对象物tg的蚀刻处理的评价。[0190]接着，在步骤s12中，控制部31的存储控制部321把存储部41控制成将表示处理前的对象物tg的厚度的分布的处理前的厚度图案tm、与处理前的厚度图案tm相关度高的参照图案rp、在步骤s3中选择的处理条件、表示处理后的对象物tg的厚度的分布的处理后的厚度图案tmr、针对处理后的厚度图案tmr的评价结果关联起来进行存储。其结果，存储部41(具体而言为处理结果数据库413)存储这些信息。[0191]接着，在步骤s13中，控制部31的显示控制部323将显示装置19控制成显示存储于参照图案数据库411的信息或者存储于处理结果数据库413的信息。其结果，显示装置19显示这些信息。[0192]接着，在步骤s14中，控制部31经由输入装置20接受来自用户的输入。具体而言，用户一边阅览在步骤s13中显示的信息一边经由输入装置20输入各种信息。并且，控制部31经由输入装置20接受来自用户的输入。[0193]接着，在步骤s15中，控制部31将存储部41控制成存储基于从用户接受的输入的信息。其结果，存储部41存储基于从用户接受的输入的信息。在步骤s15后，结束处理。[0194]在本实施方式的基板制品制造方法中，通过包含步骤s1～步骤s15的基板处理方法处理基板w，而制造作为处理后的基板w的基板制品。[0195]接着，参照图5和图11说明图10的步骤s3。图11表示图10的步骤s3的流程图。步骤s3包括步骤s21～步骤s25。步骤s3相当于“处理条件选择方法”的一例。[0196]如图5和图11所示，在步骤s21中，控制部31的确定部311比较表示在对象物tg的多个测定位置分别测定的多个厚度的分布的厚度图案tm与预先存储于存储部41的多个参照图案rp，根据规定规则ru从多个参照图案rp中确定与对象物tg的厚度图案tm相关度高的参照图案rp。[0197]接着，在步骤s22中，取得部313从存储部41取得分别与多个参照图案rp关联的多个参照处理条件中的、与在步骤s21中确定的参照图案rp关联的参照处理条件而作为处理条件。[0198]接着，在步骤s23中，解析部315解析对象物tg的厚度图案tm，算出表示厚度图案tm的特征的第1特征量ft。[0199]接着，在步骤s24中，调整部317比较表示厚度图案tm的特征的第1特征量ft与表示参照图案rp的特征的第2特征量sc，根据比较结果调整通过步骤s22取得的处理条件所包含的表示喷嘴7的移动速度的信息。[0200]接着，在步骤s25中，处理时间计算部318根据基于在步骤s24调整后的处理条件的蚀刻率和针对对象物tg的期望的蚀刻量算出蚀刻处理时间。[0201]具体而言，步骤s21包括步骤s31、步骤s51、步骤s52、步骤s61、步骤s62、步骤s71以及步骤s72。此外，步骤s22包括步骤s53、步骤s63以及步骤s73。并且，步骤s23包括步骤s54、步骤s64以及步骤s74。而且，步骤s24包括步骤s55、步骤s65以及步骤s75。再者，步骤s25包括步骤s56、步骤s66以及步骤s76。[0202]在步骤s31中，控制部31的分类部311a将处理前的对象物tg的厚度图案tm分类为多个参照组g中的某一个参照组g。具体而言，分类部311a将厚度图案tm分类为第1参照组g1至第3参照组g3中的某一个参照组g。[0203]在步骤s31中将厚度图案tm分类为第1参照组g1的情况下，处理进入步骤s51。[0204]接着，在步骤s51中，预处理部311b使厚度图案tm的维度与参照图案rp1的维度一致。[0205]接着，在步骤s52中，决定部311c使厚度图案tm的维度与参照图案rp1的维度一致后，根据规定规则ru决定与厚度图案tm相关度高的参照图案rp1(即，与厚度图案tm类似的参照图案rp1)。[0206]接着，在步骤s53中，取得部313从存储部41取得与多个参照图案rp1相关联的多个参照处理条件中的、与在步骤s52中决定的参照图案rp1相关联的参照处理条件而作为处理条件。[0207]接着，在步骤s54中，解析部315解析分类为第1参照组g1的厚度图案tm，算出表示厚度图案tm的特征的第1特征量ft。[0208]接着，在步骤s55中，调整部317比较表示厚度图案tm的特征的第1特征量ft与表示参照图案rp1的特征的第2特征量sc，根据比较结果，调整通过步骤s53取得的处理条件所包含的表示喷嘴7的移动速度的信息。[0209]接着，在步骤s56中，处理时间计算部318根据基于由步骤s55调整后的处理条件的蚀刻率和针对对象物tg的期望的蚀刻量算出蚀刻处理时间。接着，处理进入图10的步骤s4。[0210]另一方面，在步骤s31中将厚度图案tm分类为第2参照组g2的情况下，处理进入步骤s61。步骤s61～步骤s66的处理除了参照组g不同外，与步骤s51～步骤s56的处理相同，省略说明。[0211]此外，在步骤s31中将厚度图案tm分类为第3参照组g3的情况下，处理进入步骤s71。步骤s71～步骤s76的处理除了参照组g不同外，与步骤s51～步骤s56的处理相同，省略说明。[0212]此外，在步骤s21中，也可以根据用户向输入装置20的输入结果来确定与处理前的对象物tg的厚度图案tm相关度高的参照图案rp。同样地，在步骤s24中，也可以根据用户向输入装置20的输入结果来调整处理条件。[0213]以上，参照附图对本发明的实施方式进行了什么。然而，本发明并未限定于上述实施方式，在未脱离本发明的精神范围内可在各种方式中实施。此外，可适当改变上述实施方式所公开的多个构成要素。例如，也可以将某个实施方式所示的全部的构成要素中的某个构成要素追加至其他的实施方式的构成要素，或者也可以从实施方式删除某个实施方式所示的全部的构成要素中的几个构成要素。[0214]此外，为了容易理解发明，将各构成要素示意性地表示为主体，所图标的各个构成要素的厚度、长度、个数、间隔等有时因附图绘制而与实际不同。此外，上述实施方式所示的各构成要素的构成是一例，并未特别限定，在实质性未脱离本发明的效果的范围内可进行各种变更。[0215](1)在参照图1～图11说明的本实施方式中，虽然定义参照图案rp的“参照对象物的物理量的分布”中的“物理量”是蚀刻率，但也可以是参照对象物的厚度。即，参照图案rp也可以表示参照对象物的厚度的分布。[0216]该情况下，选择表示与对象物tg的厚度图案tm相关度高的厚度的分布的参照图案rp(即，表示与厚度图案tm类似的厚度的分布的参照图案rp)。并且，取得与表示这样的厚度的分布的参照图案rp相关联的参照处理条件而作为针对对象物tg的处理条件。因此，遵从所取得的处理条件来对对象物tg进行蚀刻处理，由此在对象物tg的广范的区域能抑制蚀刻处理后的对象物tg的厚度的参差不齐。[0217](2)在参照图1～图11说明的本实施方式中，作为处理液的例子说明了蚀刻液。然而，处理液只要是处理基板w则未限定于蚀刻液。例如，处理液也可以是去除对象物tg的去除液。该情况下，定义参照图案rp的“参照对象物的物理量的分布”中的“物理量”是参照对象物的去除率或者去除量。因此，该情况下，参照图案rp表示对象物tg的去除率或者去除量的分布。[0218]在基板处理装置100对基板w执行抗蚀剂去除处理的情况下，去除液例如是硫酸过氧化氢水混合液(sulfuricacid/hydrogenperoxidemixture；spm)。所谓抗蚀剂去除处理是指从半导体基板的表面去除抗蚀剂的处理。[0219](3)在参照图5说明的本实施方式中，预处理部311b也可以在分类部311a进行分类后且在决定部311c决定前使对象物tg的厚度图案tm的维度与参照图案rp的维度一致。然而，存储部41也可以预先存储通过标准化或规范化而无维度化了的多个参照图案rp。并且，预处理部311b也可以在分类部311a进行分类前通过标准化或规范化将厚度图案tm无维度化。[0220](4)图5所示的确定部311也可以从多个参照图案rp中确定与厚度图案tm相关度高的2个以上的参照图案rp。该情况下，取得部313也可以针对分别与2个以上的参照图案rp相关联的2个以上的参照处理条件进行插补(内插)或者外插，而决定处理条件。[0221](5)图5所示的确定部311也可以在从厚度图案tm去除噪声成分后，确定与厚度图案tm相关度高的参照图案rp。该情况下，能进一步高精度地确定与厚度图案tm相关度高的参照图案rp。[0222](6)能任意地决定图5所示的厚度测定部15进行的对象物tg中的测定位置。例如，也可以等间隔地设定厚度的测定位置。例如，厚度的测定位置也可以是对象物tg的中心部ct、边缘部eg以及中间位置。中间位置是中心部ct与边缘部eg之间的位置，且是根据蚀刻特性而决定的位置。例如，能针对对象物tg的确定区域缩短测定间隔，并能针对其他区域加长测定间隔。[0223](7)在参照图2说明的本实施方式中，喷嘴7在折返位置tr1与折返位置tr2进行折返。然而，喷嘴7也可以在边缘部eg侧的折返位置tr1与中心部ct侧的折返位置tr3进行折返。该情况下，参照处理条件包含折返位置tr1的信息以及折返位置tr3的信息。[0224](8)也可以不设置图11的步骤s23～步骤s25。[0225]产业可利用性[0226]本发明是一种处理条件选择方法、基板处理方法、基板制品制造方法、处理条件选择装置、计算机程序以及存储截止，且具有产业可利用性。[0227]符号说明[0228]15：厚度测定部[0229]41：存储部(存储介质)[0230]100：基板处理装置(处理条件选择装置)[0231]311：确定部[0232]313：取得部[0233]417：计算机程序[0234]w：基板。当前第1页12当前第1页12
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