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伸缩结构及形成方法、驱动方法、电子设备、摄像模组与流程

2021-11-15 15:13:00 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种伸缩结构,其特征在于,包括:第一致动器,所述第一致动器包括第一下电极、位于所述第一下电极上的第一压电膜、位于所述第一压电膜上的第一上电极以及第一不伸缩层;第二致动器,悬置于所述第一致动器上,所述第二致动器包括:第二下电极、位于所述第二下电极上的第二压电膜、位于所述第二压电膜上的第二上电极以及第二不伸缩层;其中,所述第一不伸缩层,位于所述第一上电极上方,第二不伸缩层,位于所述第二下电极下方;或者,第一不伸缩层,位于所述第一下电极下方,第二不伸缩层,位于所述第二上电极上方。2.如权利要求1所述的伸缩结构,其特征在于,沿所述第二致动器的延伸方向,所述第二致动器具有相对的第一端和第二端;第一介质层,位于所述第一致动器和第二致动器之间,且所述第一介质层位于所述第一端位置处;第二介质层,位于所述第二致动器和第一致动器之间,且所述第二介质层位于所述第二端位置处。3.如权利要求1所述的伸缩结构,其特征在于,所述第一不伸缩层包括硅和氮化硅中的一种或两种;所述第二不伸缩层的材料包括硅和氮化硅中的一种或两种。4.如权利要求2所述的伸缩结构,其特征在于,沿所述第一致动器的延伸方向,所述第一致动器具有相对的第三端和第四端,所述第三端与所述第一介质层接触;所述第二致动器露出所述第四端。5.如权利要求4所述的伸缩结构,其特征在于,所述第一致动器包括多个所述第一压电膜;所述第一致动器还包括:第一金属层,位于所述第一压电膜之间;所述第二致动器包括多个所述第二压电膜;所述第二致动器还包括:第二金属层,位于所述第二压电膜之间。6.如权利要求1所述的伸缩结构,其特征在于,所述第一压电膜的材料包括:锆钛酸铅、氧化锌、氮化铝、氧化锌和氮化镓中的一种或多种;所述第二压电膜的材料包括:锆钛酸铅、氧化锌、氮化铝、氧化锌和氮化镓中的一种或多种。7.如权利要求1所述的伸缩结构,其特征在于,所述第二致动器与所述第一致动器平行设置。8.如权利要求2所述的伸缩结构,其特征在于,所述第一介质层的材料包括daf膜;所述第二介质层的材料包括daf膜;或者,所述第一介质层的材料包括氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮碳化硅、氮化硼、氮化硼硅和氮化硼碳硅中的一种或多种;所述第二介质层的材料包括氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮碳化硅、氮化硼、氮化硼硅和氮化硼碳硅中的一种或多种。9.如权利要求4所述的伸缩结构,其特征在于,所述伸缩结构还包括:第三介质层,位于所述第一致动器的底部,且位于所述第四端和所述第二端的正下方;衬底,位于所述第三介质层的底部,所述衬底通过所述第三介质层与所述第一致动器固定连接。
10.一种伸缩结构的形成方法,其特征在于,包括:形成第一致动器,所述第一致动器包括:第一下电极、位于所述第一下电极上的第一压电膜以及位于所述第一压电膜上的第一上电极;在所述第一致动器上形成第二致动器,所述第二致动器包括:第二下电极、位于所述第二下电极上的第二压电膜以及位于所述第二压电膜上的第二上电极;形成所述第一致动器的步骤中,所述第一致动器还包括:第一不伸缩层,位于所述第一上电极上方;形成所述第二致动器的步骤中,所述第二致动器还包括:第二不伸缩层,位于所述第二下电极下方;或者,形成所述第一致动器的步骤中,所述第一致动器还包括:第一不伸缩层,位于所述第一下电极下方;形成所述第二致动器的步骤中,所述第二致动器还包括:第二不伸缩层,位于所述第二上电极上方。11.如权利要求10所述的伸缩结构的形成方法,其特征在于,形成所述第一致动器的步骤中,沿所述第一致动器的延伸方向,所述第一致动器具有第三端以及与所述第三端相对的第四端;所述伸缩结构的形成方法还包括:在形成所述第一致动器后,形成所述第二致动器前,在所述第一致动器上形成分立的第一介质层和第二介质层,所述第一介质层位于所述第三端位置处,所述第二介质层位于所述第三端和第四端之间,且与所述第四端相邻;形成所述第二致动器的步骤中,沿所述第二致动器的延伸方向,所述第二致动器具有第一端和第二端,所述第一端与所述第一介质层的顶面接触,所述第二端与所述第二介质层的顶面接触。12.如权利要求10所述的伸缩结构的形成方法,其特征在于,所述第一不伸缩层和第二不伸缩层的材料均包括硅和氮化硅中的一种或两种。13.如权利要求11所述的伸缩结构的形成方法,其特征在于,采用点胶工艺,在所述第一致动器上形成所述第一介质层和第二介质层。14.如权利要求11所述的伸缩结构的形成方法,其特征在于,在所述第一致动器上形成第一介质层和第二介质层的步骤包括:采用第一点胶工艺,在所述第三端位置处形成底部介质层;在所述第一点胶工艺后,采用第二点胶工艺,在靠近所述第四端的位置处形成第二介质层;形成所述第二介质层后,采用所述第一点胶工艺在所述底部介质层上形成顶部介质层,所述顶部介质层和底部介质层用于构成所述第一介质层。15.如权利要求11所述的伸缩结构的形成方法,其特征在于,所述第一介质层的材料包括daf膜;所述第二介质层的材料包括daf膜。16.如权利要求11所述的伸缩结构的形成方法,其特征在于,在所述第一致动器上形成第二致动器的步骤包括:采用粘胶工艺使所述第二致动器第一端与所述第一介质层的顶面接触,所述第二端与所述第二介质层的顶面接触。17.如权利要求11所述的伸缩结构的形成方法,其特征在于,在所述第一致动器上形成第一介质层和第二介质层的步骤中,所述第一介质层和所述第二介质层的厚度相同。
18.如权利要求11所述的伸缩结构的形成方法,其特征在于,所述伸缩结构的形成方法还包括:在形成所述第一致动器前,提供基底;在所述基底上形成第三介质层;在所述第三介质层露出的所述基底上形成第一牺牲层;形成所述第一致动器的步骤包括:在所述第三介质层和靠近所述第三介质层的部分所述第一牺牲层上形成第一下电极;在所述第一下电极上形成第一压电膜;在所述第一压电膜上形成第一上电极;在所述第一上电极上形成第一不伸缩层;所述伸缩结构的形成方法还包括:形成所述第一介质层和第二介质层后,形成所述第二致动器前,在所述第一介质层和第二介质层露出的所述第一致动器以及第一牺牲层上形成第二牺牲层;形成所述第二致动器的步骤包括:在所述第一介质层、第二介质层以及第一介质层和第二介质层之间的所述第二牺牲层上形成第二不伸缩层;在所述第二不伸缩层上形成第二下电极;在所述第二下电极上形成第二压电膜;在所述第二压电膜上形成第二上电极;所述伸缩结构的形成方法还包括:形成所述第二致动器后,从所述基底中背向所述第一致动器的一面刻蚀所述基底,露出所述第一牺牲层,剩余的所述基底作为衬底;形成所述衬底后,去除所述第一牺牲层和第二牺牲层。19.如权利要求18所述的伸缩结构的形成方法,其特征在于,形成所述第一致动器的步骤中,所述第一致动器具有多个第一压电膜;在所述第一压电膜之间形成有第一金属层;形成所述第二致动器的步骤中,所述第二致动器具有多个第二压电膜;在所述第二压电膜之间形成有第二金属层;形成所述第二介质层的步骤中,还在所述第四端上形成第五介质层,所述第五介质层和所述第二介质层接触;所述伸缩结构的形成方法还包括:在形成所述第二致动器后,去除所述第一牺牲层和第二牺牲层前,在所述第五介质层上以及所述第二端上形成第四介质层。20.如权利要求10所述的伸缩结构的形成方法,其特征在于,所述第一压电膜的材料包括:锆钛酸铅、氧化锌、氮化铝、氧化锌和氮化镓中的一种或多种;所述第二压电膜的材料包括:锆钛酸铅、氧化锌、氮化铝、氧化锌和氮化镓中的一种或多种。21.如权利要求11所述的伸缩结构的形成方法,其特征在于,所述第一介质层的材料包括氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮碳化硅、氮化硼、氮化硼硅和氮化硼碳硅中的一种或多种;所述第二介质层的材料包括氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮碳化硅、氮化硼、氮化硼硅和氮化硼碳硅中的一种或多种。22.如权利要求18所述的伸缩结构的形成方法,其特征在于,第一牺牲层的材料包括氧化硅;所述第二牺牲层的材料包括氧化硅。23.如权利要求18所述的伸缩结构的形成方法,其特征在于,采用湿法刻蚀工艺去除所述第一牺牲层和第二牺牲层。24.一种如权利要求1至9任一项所述的伸缩结构的驱动方法,其特征在于,包括:执行初始驱动处理,使所述第一上电极、第一下电极、第二上电极以及第二下电极均处于浮接状态;在所述初始驱动处理后,执行位移处理,所述位移处理包括:对所述第一下电极施加第
一驱动信号,对所述第一上电极施加第二驱动信号,使所述第一压电膜的顶面和底面产生电位差,所述第一压电膜的顶面和底面产生的电位差使所述第一压电膜发生电致伸缩;对所述第二下电极施加第三驱动信号,对所述第二上电极施加第四驱动信号,使所述第二压电膜的顶面和底面产生电位差,所述第二压电膜的顶面和底面产生的电位差使所述第二压电膜发生电致伸缩,且所述第二压电膜的顶面和底面的电位差与所述第一压电膜的顶面和底面的电位差相同。25.如权利要求24所述的伸缩结构的驱动方法,其特征在于,所述第一驱动信号和第三驱动信号相同,所述第二驱动信号和第四驱动信号相同。26.一种电子设备,其特征在于,包括:固定平台;如权利要求1至9任一项所述的伸缩结构,且所述伸缩结构的一端与所述固定平台连接;被伸缩部件,与所述伸缩结构的另一端连接。27.如权利要求26所述的电子设备,其特征在于,所述伸缩结构的数量为多个,多个所述伸缩结构沿圆周方向等角度排布在所述被伸缩部件周围。28.如权利要求26所述的电子设备,其特征在于,所述伸缩结构的数量为一个或者多个,所述伸缩结构的一端与所述被伸缩部件的同一端连接。29.如权利要求26所述的电子设备,其特征在于,所述被伸缩部件包括柔性镜片、柔性电阻或柔性电容。30.一种摄像模组,其特征在于,包括:多个如权利要求1至9任一项所述的伸缩结构;被伸缩部件,与所述伸缩结构的一端连接,所述被伸缩部件包括柔性镜片;图像传感器,与所述柔性镜片相对应。

技术总结
一种伸缩结构及形成方法、驱动方法、电子设备、摄像模组,其中伸缩结构包括:第一致动器包括第一下电极、位于第一下电极上的第一压电膜、位于第一压电膜上的第一上电极以及第一不伸缩层;第二致动器悬置于第一致动器上,包括:第二下电极、位于第二下电极上的第二压电膜、位于第二压电膜上的第二上电极和第二不伸缩层;第一不伸缩层,位于第一上电极上方,第二不伸缩层,位于第二下电极下方。伸缩结构工作时,第一压电膜和第二压电膜沿着横向发生相同伸缩,第一不伸缩层和第二不伸缩层不发生横向收缩,第一压电膜和第二压电膜向着相反的方向翘曲,使第一压电膜和第二压电膜在纵向的翘曲量相互抵消,第二致动器延伸方向两端之间的横向距离缩短。距离缩短。距离缩短。


技术研发人员:黄河
受保护的技术使用者:中芯集成电路(宁波)有限公司
技术研发日:2020.04.24
技术公布日:2021/11/14
再多了解一些

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