导热性有机硅组合物、其制备方法及半导体装置与流程

技术特征：
1.一种导热性有机硅组合物，其特征在于，包含下述(a)成分及(b)成分：(a)具有烷氧基甲硅烷基的水解性有机聚硅氧烷；50～70体积％的(b)平均粒径为0.5μm以上2.0μm以下，且利用激光衍射型粒度分布测定法而得到的颗粒中粒径为10μm以上的粗粉的含量为整体的1.0体积％以下的氮化铝颗粒；该导热性有机硅组合物利用瞬态平面热源法的导热率为1.3w/mk以上。2.根据权利要求1所述的导热性有机硅组合物，其特征在于，所述氮化铝颗粒的含氧量为1.0质量％以下。3.根据权利要求1或2所述的导热性有机硅组合物，其特征在于，用激光闪光法所测得的在25℃下的热阻为5.0mm2·
k/w以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的导热性有机硅组合物，其特征在于，用螺旋式粘度计所测得的在25℃下剪切速率为6s
‑1时的绝对粘度为3～500pa
·
s。5.一种半导体装置，其特征在于，在形成于发热体与冷却体之间的厚10μm以下的间隙中存在有权利要求1～4中任一项所述的导热性有机硅组合物。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述发热体为绝缘栅双极型晶体管。7.一种制备权利要求1～4中任一项所述的导热性有机硅组合物的制备方法，其特征在于，包括在100℃以上的温度下将所述(a)成分及(b)成分混合30分钟以上的工序。

技术总结
本发明公开一种导热性有机硅组合物，其包含：(A)具有烷氧基甲硅烷基的水解性有机聚硅氧烷；50～70体积％的(B)平均粒径为0.5μm以上2.0μm以下，且利用激光衍射型粒度分布测定法而得到的颗粒中粒径为10μm以上的粗粉的含量为整体的1.0体积％以下的氮化铝颗粒，该导热性有机硅组合物利用瞬态平面热源法的导热率为1.3W/mK以上。通过本发明，能够提供一种具有高导热率、且可被压缩至10μm以下的导热性有机硅组合物及其制备方法。有机硅组合物及其制备方法。有机硅组合物及其制备方法。


技术研发人员：户谷亘 北泽启太 山口贵大
受保护的技术使用者：信越化学工业株式会社
技术研发日：2020.02.10
技术公布日：2021/11/9