用于半导体生产的热交换器温控方法及温控系统与流程

技术特征：
1.一种用于半导体生产的热交换器温控方法，其特征在于：包括：确定开启制冷的区pid，设定区pid的范围值；确定水箱的入口温度与水箱的入口目标温度之差在区pid的范围值内，区pid调用参数pid2。2.根据权利要求1所述的用于半导体生产的热交换器温控方法，其特征在于：还包括：确定水箱的入口温度与水箱的入口目标温度之差大于区pid的范围值的最大值，或确定水箱的入口温度与水箱的入口目标温度之差小于区pid的范围值的最小值，区pid调用参数pid1。3.根据权利要求1或2所述的用于半导体生产的热交换器温控方法，其特征在于：所述确定开启制冷的区pid的步骤包括：确定水箱的入口目标温度大于或等于第一判定温度，开启制冷的区pid。4.根据权利要求1或2所述的用于半导体生产的热交换器温控方法，其特征在于：所述确定开启制冷的区pid的步骤包括：确定水箱的入口目标温度大于或等于第一判定温度，且热交换器的放热通路的回口温度与水箱的入口目标温度之差小于第二判定温度，开启制冷的区pid。5.根据权利要求4所述的用于半导体生产的热交换器温控方法，其特征在于：还包括：确定关闭制冷的区pid，区pid调用参数pid1。6.根据权利要求5所述的用于半导体生产的热交换器温控方法，其特征在于：所述确定关闭制冷的区pid的步骤包括：确定水箱的入口目标温度大于或等于第一判定温度，且热交换器的放热通路的回口温度与水箱的入口目标温度之差大于或等于第二判定温度，关闭制冷的区pid。7.根据权利要求5所述的用于半导体生产的热交换器温控方法，其特征在于：所述确定关闭制冷的区pid的步骤包括：确定水箱的入口目标温度小于第一判定温度，关闭制冷的区pid。8.根据权利要求1所述的用于半导体生产的热交换器温控方法，其特征在于：所述pid2的积分系数和微分系数均为0。9.一种应用权利要求1至8任意一项所述的用于半导体生产的热交换器温控方法进行温控的温控系统，其特征在于：包括热交换器、水箱和泵体，所述热交换器的吸热通路用于与制冷系统连通形成制冷回路，所述热交换器的放热通路、所述水箱、所述泵体和负载连通形成循环回路，所述水箱的入口处设置第一温度传感器，所述热交换器的吸热通路的进口处设有电动两通阀。10.根据权利要求9所述的温控系统，其特征在于：所述热交换器的放热通路的回口处设有第二温度传感器。

技术总结
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种用于半导体生产的热交换器温控方法及温控系统，用于半导体生产的热交换器温控方法包括：确定开启制冷的区PID，设定区PID的范围值；确定水箱的入口温度与水箱的入口目标温度之差在区PID的范围值内，区PID调用参数PID2。通过控制制冷回路的制冷剂流量来控制制冷量的输出，相较于通过控制循环回路的三通控制循环液换热能耗更低，并且通过高低温度区间内对PID的分区控制满足宽温区及空载负载状态的高精度。精度。精度。


技术研发人员：常鑫 董春辉 刘紫阳 冯涛 李文博 张伟 芮守祯 何茂栋 曹小康
受保护的技术使用者：北京京仪自动化装备技术股份有限公司
技术研发日：2021.08.02
技术公布日：2021/11/9