一种硅片检测装置的制作方法

技术特征：
1.一种硅片检测装置，其特征在于，包括：传送单元，能够将硅片(10)由第一检测位置沿传送方向传送至第二检测位置，所述硅片(10)沿所述传送方向的两侧边缘分别为第一边缘和第二边缘；发光单元，包括第一光源(1)和第二光源(2)，所述第一光源(1)与所述第二光源(2)分别置于所述传送单元垂直于所述传送方向的两侧；反射单元(5)，置于所述传送单元远离所述第一光源(1)的一侧，所述反射单元(5)包括两个反射镜(51)，两个所述反射镜(51)沿所述传送方向间隔设置并形成有采集间隙(511)；第一采集单元，置于所述传送单元远离所述第二光源(2)的一侧，当所述硅片(10)位于所述第一检测位置时，所述第一采集单元能够通过其中一个所述反射镜(51)采集到所述第一边缘的图像，当所述硅片(10)位于所述第二检测位置时，所述第一采集单元能够通过另一个所述反射镜(51)采集到所述第二边缘的图像；第二采集单元，设置在所述反射单元(5)远离所述传送单元的一侧，所述第二采集单元能够通过所述采集间隙(511)采集处于所述第一检测位置与所述第二检测位置之间的所述硅片(10)的图像。2.根据权利要求1所述的硅片检测装置，其特征在于，所述传送单元包括沿所述传送方向间隔设置的两个传送件(6)，所述传送件(6)能够沿所述传送方向传送所述硅片(10)，两个所述传送件(6)之间形成有检测空间(61)，所述反射单元(5)正对所述检测空间(61)设置；当所述硅片(10)位于所述第一检测位置时，所述硅片(10)的所述第一边缘位于所述检测空间(61)内，当所述硅片(10)位于所述第二检测位置时，所述硅片(10)的所述第二边缘位于所述检测空间(61)内。3.根据权利要求2所述的硅片检测装置，其特征在于，两个所述反射镜(51)远离所述传送单元的一端均朝向靠近彼此的方向倾斜设置，且所述第一采集单元与所述反射单元(5)正对设置。4.根据权利要求3所述的硅片检测装置，其特征在于，所述第一采集单元包括沿所述传送方向排布的两个第一采集件(3)，两个所述第一采集件(3)与两个所述反射镜(51)一一正对设置。5.根据权利要求3所述的硅片检测装置，其特征在于，所述第一采集单元包括一个第一采集件(3)，所述第一采集件(3)为面阵相机，所述第一采集件(3)与所述反射单元(5)正对设置，所述第一采集件(3)能够通过两个所述反射镜(51)同时采集所述第一边缘和所述第二边缘的图像。6.根据权利要求4或5所述的硅片检测装置，其特征在于，所述第一光源(1)设置为面光源，所述第一光源(1)上设置有透光通道，所述第一光源(1)置于所述第一采集单元与所述传送单元之间，所述第一采集单元能够通过所述透光通道采集所述第一边缘和所述第二边缘的图像。7.根据权利要求4或5所述的硅片检测装置，其特征在于，所述第一光源(1)设置有两个，两个所述第一光源(1)沿所述传送方向间隔设置，两个所述第一光源(1)的光路倾斜于所述传送方向设置，且两个所述第一光源(1)分别对应照射所述第一检测位置处的所述硅片(10)的所述第一边缘以及所述第二检测位置处的所述硅片(10)的所述第二边缘，所述第一采集单元置于两个所述第一光源(1)之间。
8.根据权利要求1
‑
5任一项所述的硅片检测装置，其特征在于，所述第二采集单元包括第二采集件(4)，所述第二采集件(4)为线阵相机，所述第二光源(2)置于所述反射单元(5)与所述第二采集件(4)之间并开设有透光缝隙，所述透光缝隙与所述采集间隙(511)正对设置，所述第二采集件(4)能够依次通过所述透光缝隙与所述采集间隙(511)采集所述硅片(10)的图像。9.根据权利要求1
‑
5任一项所述的硅片检测装置，其特征在于，所述硅片检测装置还包括上料单元，所述上料单元能够拾取所述硅片(10)并向所述传送单元供给所述硅片(10)。10.根据权利要求1
‑
5任一项所述的硅片检测装置，其特征在于，所述反射单元(5)还包括调节架(52)，每个所述反射镜(51)均设置在一个所述调节架(52)上，所述调节架(52)能够调节所述反射镜(51)的角度。

技术总结
本发明涉及硅片检测设备领域，公开了一种硅片检测装置。其包括传送单元、发光单元、反射单元、第一采集单元和第二采集单元。传送单元能够将硅片由第一检测位置沿传送方向传送至第二检测位置；发光单元包括第一光源和第二光源，分别置于传送单元垂直于传送方向的两侧；反射单元置于传送单元远离第一光源的一侧，反射单元包括两个反射镜，沿传送方向间隔设置并形成采集间隙；第一采集单元置于传送单元远离第二光源的一侧；第二采集单元设置在反射单元远离传送单元的一侧，第二采集单元能够通过采集间隙采集处于第一检测位置与第二检测位置之间的硅片的图像。本发明在同一工序内完成硅片的崩边及脏污的检测，提高了结构紧凑性。提高了结构紧凑性。提高了结构紧凑性。


技术研发人员：卢亚宾 梁坤 张聪 云宏霞 曹深深
受保护的技术使用者：博众精工科技股份有限公司
技术研发日：2021.08.27
技术公布日：2021/11/9