一种阵列基板及显示面板的制作方法

1.本技术涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板及显示面板。


背景技术：

2.在对现有技术的研究和实践过程中，本技术的发明人发现，microled(微型led)显示技术由于其亮度高，稳定性好，色域宽等优点被认为是下一代新型显示技术，有望在诸多领域取得广泛的应用。目前microled显示通常采用巨量转移的方法将微型led芯片转移至背板上。提升巨量转移的良率对microled显示来说尤为重要。


技术实现要素：

3.本技术实施例提供一种阵列基板及显示面板，可以解决现有技术中由于不同颜色的led芯片存在高度差，从而导致绑定时承受的压力不同的技术问题。
4.本技术实施例提供一种阵列基板，包括：基板；若干绝缘层，叠层设于所述基板上，远离所述基板的一层所述绝缘层上设有若干开口；金属垫高层，设于相邻两个绝缘层之间，所述金属垫高层对应所述开口；若干led芯片，绑定于所述开口中，所述led芯片远离所述开口的一侧表面平齐。
5.可选的，在本技术的一些实施例中，所述绝缘层包括缓冲层，设于所述基板上；介电层，设于所述缓冲层远离所述基板的一侧表面；钝化层，设于所述介电层远离所述缓冲层的一侧表面。
6.可选的，在本技术的一些实施例中，所述金属垫高层设于所述缓冲层与所述基板之间和/或所述缓冲层和所述介电层之间。
7.可选的，在本技术的一些实施例中，所述led芯片高度之间具有一高度差，所述金属垫高层的厚度与所述高度差之间的差值小于预设阈值。
8.可选的，在本技术的一些实施例中，阵列基板还包括金属端子，设于所述开口中，所述led芯片的两个引脚绑定于所述金属端子上。
9.可选的，在本技术的一些实施例中，阵列基板还包括导电胶，设于所述绝缘层远离所述基板的一侧表面，且填充所述开口，所述导电胶包括若干导电粒子，所述导电粒子位于所述金属端子和所述led芯片的两个引脚之间，用以连接所述金属端子和所述led芯片的两个引脚。
10.可选的，在本技术的一些实施例中，阵列基板还包括若干薄膜晶体管，包括遮光金属层、栅极层和源漏电极层，所述金属垫高层与所述遮光金属层、栅极层和源漏电极层中的至少一层同层设置。
11.可选的，在本技术的一些实施例中，所述金属垫高层的厚度为500nm～1000nm。
12.可选的，在本技术的一些实施例中，所述led芯片包括红色led芯片、蓝色led芯片以及绿色led芯片，其中所述红色led芯片的高度大于所述蓝色led芯片，所述红色led芯片的高度大于所述绿色led芯片的高度。
13.相应的，本技术实施例还提供一种显示面板，包括所述阵列基板。
14.本技术实施例的有益效果在于，本技术实施例中的阵列基板及显示面板，在阵列基板内部设置金属垫高层，从而在转移led芯片时，不同颜色的led芯片的金属引脚能够同时接触对应的金属端子，补偿不同颜色的led芯片的高度差，从而在压印led芯片时，每一led芯片承受的压力趋于一致，使得每一led芯片的转移良率保持一致。金属点高层与薄膜晶体管的任一金属膜层或遮光金属层同层设置，无需增加制备步骤，简化了制备流程，降低了制备成本。
附图说明
15.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
16.图1是本技术实施例提供的显示面板示意图；
17.图2是本技术实施例提供的阵列基板结构示意图；
18.图3是本技术实施例提供的压印led芯片时的阵列基板结构示意图；
19.图4是本技术一优选实施例提供的阵列基板结构示意图。
20.附图标记说明：
21.阵列基板1；
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彩膜基板2；
22.基板10；
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绝缘层20；
23.金属垫高层30；
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金属端子40；
24.导电胶50；
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导电粒子51；
25.led芯片60；
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缓冲层210；
26.介电层220；
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钝化层230；
27.开口231；
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红色led芯片61；
28.绿色led芯片62；
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蓝色led芯片63。
具体实施方式
29.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
30.本技术实施例提供一种阵列基板及显示面板。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
31.实施例、
32.如图1和图2所示，本实施例中，本发明的显示面板包括阵列基板1和彩膜基板2，阵
列基板1包括基板10、绝缘层20、金属垫高层30、金属端子40、导电胶50以及led芯片60。
33.基板10为硬质玻璃基板，用以承接各个膜层，以及隔绝外界水汽和杂质，避免造成阵列基板1内部的金属部件被腐蚀。
34.绝缘层20设于基板10的一侧表面上，本实施例中，绝缘层20包括缓冲层210、介电层220和钝化层230，本实施例中，阵列基板1包括若干薄膜晶体管单元(图未示)，所述薄膜晶体管单元包括有源层、栅极层以及源漏电极层，其中，所述有源层、栅极层以及源漏电极层均被绝缘层20隔绝，避免信号短路。
35.由于基板10为玻璃基板，绝缘层20由于材质特性无法完全阻挡光线，为了避免外界光线直射薄膜晶体管单元，本实施例中，每一薄膜晶体管单元对应有遮光金属层，所述遮光金属层设于基板10和缓冲层210之间，用以遮蔽从基板10外侧照射的光线。
36.在绝缘层20远离基板10的一侧设有开口231，即在钝化层230上设有若干开口231，led芯片60设于开口231内，每一开口231对应一薄膜晶体管单元，所述薄膜晶体管单元起到开关作用，从而控制传输至led芯片60的电流信号通断，控制led芯片60的明暗。
37.具体的，在开口231上设有用于绑定led芯片60的金属端子40，金属端子40与薄膜晶体管单元的源漏电极连接，在钝化层230远离介电层220的一侧表面涂布有导电胶50，导电胶50填充开口231，导电胶50包括胶体和导电粒子51，导电粒子51分布于每一金属端子40上表面，led芯片60包括两个金属引脚，在转移led芯片60时，将led芯片60的金属引脚与对应的金属端子40对齐，采用热压印绑定led芯片60。
38.led芯片60包括红色led芯片61、绿色led芯片62和蓝色led芯片63，由于不同颜色的led芯片无法在同一晶圆(wafer)上生长，导致不同颜色的led芯片60高度不同，一般来说，绿色led芯片62和蓝色led芯片63的高度没有明显差异，但是红色led芯片61会高出绿色led芯片62和蓝色led芯片63一大截，导致红色led芯片61与绿色led芯片62和蓝色led芯片63之间具有明显的高度差，在转移led芯片60时，由于高度存在差异，会导致在压印过程中不同颜色的led芯片60承受的压力不同，从而引起不同颜色的led芯片60的转移良率存在较大差异。
39.本实施例中，在阵列基板1内部设置金属垫高层30，金属垫高层30对应绿色led芯片62和蓝色led芯片63，红色led芯片61与绿色led芯片62和蓝色led芯片63之间的高度差与金属垫高层30的厚度之间具有一差值，所述差值小于一预设阈值，即红色led芯片61与绿色led芯片62和蓝色led芯片63之间的高度差与金属垫高层30的厚度趋于一致，如图3所示，使得在转移led芯片60时，每一led芯片60的金属引脚能够同时接触对应的金属端子40，从而在压印led芯片60时，每一led芯片60承受的压力趋于一致，使得每一led芯片60的转移良率保持一致。
40.如图4所示，为了减少金属垫高层30带来的额外制备成本，本实施例中，金属垫高层30与可以与所述薄膜晶体管单元的任一金属膜层同层设置，或者与遮光金属层同层设置，在本发明的其他优选实施例中，金属垫高层30可以包括多层金属膜层，当红色led芯片61与绿色led芯片62和蓝色led芯片63之间的高度差大于任一金属膜层的厚度时，金属垫高层30就需要双层乃至三层金属膜层，本实施例中，金属垫高层30的厚度为500nm～1000nm。
41.本实施例的有益效果在于，本实施例中的阵列基板及显示面板，在阵列基板内部设置金属垫高层，从而在转移led芯片时，不同颜色的led芯片的金属引脚能够同时接触对
应的金属端子，补偿不同颜色的led芯片的高度差，从而在压印led芯片时，每一led芯片承受的压力趋于一致，使得每一led芯片的转移良率保持一致。金属点高层与薄膜晶体管的任一金属膜层或遮光金属层同层设置，无需增加制备步骤，简化了制备流程，降低了制备成本。
42.以上对本技术实施例所提供的一种阵列基板及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。