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一种后混方式制备低温固化粉末涂料的方法及相关复合纳米低温固化催化剂及其制备方法与流程

2021-11-09 22:26:00 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种后混方式制备低温固化粉末涂料的方法,其特征在于,将复合纳米低温固化催化剂采用后混方式加入粉末涂料,使得复合纳米低温固化催化剂被分散附着在粉末涂料颗粒表面,进而制得低温固化粉末涂料。2.根据权利要求1所述的一种后混方式制备低温固化粉末涂料的方法,其特征在于,将复合纳米低温固化催化剂加入成品粉末涂料中,采用高速混料机分散混合,制成低温固化粉末涂料;或加入半成品粉末涂料片料中,采用低速混料机分散混合,并采用常规粉碎工艺和设备粉碎,制成低温固化粉末涂料。3.根据权利要求1或2所述的一种后混方式制备低温固化粉末涂料的方法,其特征在于,将复合纳米低温固化催化剂按0.05

10:100的质量比加入成品粉末涂料并在高速混料机中干混分散,混料搅拌头转速1000

10000rpm,混合时间1

30分钟,制得成品低温固化粉末涂料;或将复合纳米低温固化催化剂按0.05

10:100的质量比加入片状半成品涂料,在v型混料机、双锥混料机或其它类型低速混料机中混合均匀,混料机转速10

500rpm,混料时间1

10分钟,然后采用粉末涂料常规粉碎方法对片状物料进行粉碎,制得成品低温固化粉末涂料。4.一种应用于权利要求1或2所述的复合纳米低温固化催化剂,其特征在于,其是将低温固化催化剂原始材料包覆在载体无机纳米颗粒的表面。5.一种基于权利要求4所述的复合纳米低温固化催化剂的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:s1、将一种或多种低温固化催化剂原始材料溶于少量或大量溶剂中,加入载体无机纳米颗粒搅拌并制得粘稠的糊状混合物a或低粘度可自由流动的混合液b;s2、将步骤s1中的混合物a干燥,得到块状复合固体催化剂;s3、将步骤s2中的块状复合固体催化剂粉碎至纳米颗粒形态,得到复合纳米低温固化催化剂;或将步骤s1中的混合液b用喷雾干燥法干燥,得到复合纳米低温固化催化剂。6.根据权利要求5所述的一种复合纳米低温固化催化剂的制备方法,其特征在于,所述步骤s1中的低温固化催化剂原始材料包括咪唑、咪唑烷基取代衍生物、咪唑芳香基取代衍生物、咪唑衍生物鎓盐、咪唑啉、咪唑啉衍生物、咪唑啉与芳香族多元酸盐、有机锡、取代脲类、环氧胺加成物、聚酸酐树脂中的一种或多种。7.根据权利要求5所述的一种复合纳米低温固化催化剂的制备方法,其特征在于,所述步骤s1中的溶剂为水、无水乙醇、二甲苯、乙酸乙酯、丙酮、乙酸丁酯、正丁醇、二丙二醇甲醚乙酸酯、甲乙酮的单一溶剂或混合溶剂。8.根据权利要求5所述的一种粉末涂料用复合纳米低温固化催化剂的制备方法,其特征在于,所述步骤s1中的无机纳米颗粒为三氧化二铝、二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、碳酸钙、硫酸钡、三氧化二铁、四氧化三铁中的一种或其组合,且无机纳米颗粒在粒度分布中的平均粒径为2

500nm。9.根据权利要求5所述的一种复合纳米低温固化催化剂的制备方法,其特征在于,所述步骤s1中的低温固化催化剂原始材料在溶液中的质量百分比为0.5%至溶解最大值,所述
步骤s1中的低温固化催化剂原始材料与无机纳米颗粒的质量比为1:1

20。10.根据权利要求5所述的一种复合纳米低温固化催化剂的制备方法,其特征在于,所述步骤s1中混合物a的搅拌过程在捏合机中进行,在温度为10℃至溶剂沸点之间、转速为10

200rpm混合5

30分钟;所述步骤s1中混合液b的搅拌过程在常压搅拌釜中进行,在温度为10℃至溶剂沸点之间,转速为200

10000rpm混合5

30分钟;所述步骤s2中的干燥过程在常压或真空干燥设备中进行,在温度为20

200℃之间干燥10分钟至24小时;所述步骤s3中混合物a的粉碎过程在气流粉碎机、空气分级磨或球磨机中进行;所述步骤s3中混合液b的干燥过程在50

200℃之间的常压或真空喷雾干燥设备中进行;所述步骤s3中制得的复合纳米低温固化催化剂在粒度分布中的平均粒径≤800nm。

技术总结
本发明涉及粉末涂料领域,具体提出一种后混方式制备低温固化粉末涂料的方法,将复合纳米低温固化催化剂采用后混方式加入粉末涂料,使得复合纳米低温固化催化剂被分散附着在粉末涂料颗粒表面,进而制得低温固化粉末涂料,其中相关复合纳米低温固化催化剂是将低温固化催化剂原始材料包覆在载体无机纳米颗粒的表面形成的,其制备方法是将低温固化催化剂原始材料溶于溶剂中,加入无机纳米颗粒搅拌,再依次干燥、粉碎至纳米颗粒形态得到复合纳米低温固化催化剂。本发明提高了涂膜质量,有效地避免了挤出过程中的预固化,以及生产、运输、储藏过程中的预固化,保证了涂料生产、储运的方便性。便性。便性。


技术研发人员:张辉 祝京旭
受保护的技术使用者:天津西敦粉漆科技有限公司
技术研发日:2021.06.23
技术公布日:2021/11/8
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