半导体晶圆的制造方法及半导体制造设备与流程

技术特征：
1.一种半导体晶圆的制造方法，其特征在于，包括:经由一排出口供应一载体气体进入位于一上腔体与一下腔体之间的一封闭环境，使该载体气体与储存在该下腔体内的一物料进行反应而生成一加工气体；改变该下腔体相对该排出口的旋转角度；以及经由一下游管道组件自该封闭环境将该加工气体供应至放置有一半导体晶圆的一加工腔。2.根据权利要求1所述的半导体晶圆的制造方法，其特征在于，其中改变该下腔体相对该排出口的旋转角度的操作是在该载体气体的供应期间执行。3.根据权利要求1所述的半导体晶圆的制造方法，其特征在于，还包括:侦测该加工气体在该下游管道组件的浓度；以及当该加工气体的侦测浓度低于一阀值时，改变该下腔体相对该排出口的距离。4.根据权利要求3所述的半导体晶圆的制造方法，其特征在于，其中该排出口与该物料的距离保持在一既定范围内。5.一种半导体制造设备，其特征在于，包括：一承载件；一驱动单元，连结该承载件并配置用于驱动该承载件的运动；一下腔体，固定于该承载件并配置用于储存一物料；一上腔体，可活动的连结于该下腔体并与该下腔体形成一封闭环境；一上游管道组件，连结该上腔体并与该封闭环境连通，其中该上游管道组件通过一排出口供应一载体气体进入该封闭环境；以及一下游管道组件，连结该上腔体并与该封闭环境连通，其中该承载件的运动改变该下腔体相对该排出口的位置。6.根据权利要求5所述的半导体制造设备，其特征在于，其中该驱动单元配置用于驱动该承载件在一转轴上的转动，以改变该下腔体相对该排出口的一旋转角度。7.根据权利要求5所述的半导体制造设备，其特征在于，其中该驱动单元配置用于驱动该上游管道组件在一转轴上的转动，以改变该下腔体相对该排出口的一旋转角度。8.根据权利要求5所述的半导体制造设备，其特征在于，还包括一控制器，电性连结该上游管道组件，且该上游管道组件包括：多个管件，各自包括该排出口，以供应一载体气体进入该封闭环境；以及多个阀件，各自连结所述多个管件之一，其中该控制器独立控制所述多个阀件的开关。9.根据权利要求5所述的半导体制造设备，其特征在于，其中该驱动单元配置用于驱动该承载件在一垂直方向上的移动，以改变该下腔体与该排出口的之间的距离。10.根据权利要求5所述的半导体制造设备，其特征在于，还包括：一流体浓度侦测器，连结该下游管道组件并配置用于监测自该封闭环境流入该下游管道组件的一加工气体的浓度；以及一控制器，电性连结该流体浓度侦测器与该驱动单元，其中该控制器根据该流体浓度侦测器的侦测信号发出控制信号至该驱动单元以驱动该承载件的运动。

技术总结
本揭露的实施例提供一种半导体晶圆的制造方法，包括经由一排出口供应载体气体进入位于一上腔体与一下腔体之间的一封闭环境，使载体气体与储存在下腔体内的一物料进行反应而生成一加工气体；改变下腔体相对排出口的旋转角度；以及经由一下游管道组件自封闭环境将加工气体供应至放置有一半导体晶圆的一加工腔。工气体供应至放置有一半导体晶圆的一加工腔。工气体供应至放置有一半导体晶圆的一加工腔。


技术研发人员：罗谚展 曾银彬 刘定一 许凯翔
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2020.05.08
技术公布日：2021/11/8