显示装置的制作方法

1.实施例涉及一种显示装置。更具体地，实施例涉及一种液晶显示装置。


背景技术：

2.随着多媒体的发展，显示装置的重要性在提高。因此，使用各种类型的显示装置，诸如，液晶显示(lcd)装置或有机发光显示(oled)装置等。
3.在显示装置之中，液晶显示装置是最广泛使用的平板显示装置之一。液晶显示装置可以包括其上分别形成有电场产生电极的两个显示基板以及介于所述两个显示基板之间的液晶层。液晶显示装置可以通过向电场产生电极施加电压以在液晶层中产生电场、确定液晶层的液晶分子的取向以及控制入射光的偏振来显示图像。


技术实现要素：

4.实施例提供了一种使数据线和像素之间的电容偏差减小的显示装置。
5.根据实施例的显示装置可以包括扫描线、存储线、第一数据线、第二数据线、晶体管和像素电极。所述扫描线在第一方向上延伸。所述存储线平行于所述扫描线。所述第一数据线设置在所述扫描线和所述存储线上，所述第一数据线在与所述第一方向相交的第二方向上延伸。所述第二数据线平行于所述第一数据线。晶体管包括从所述扫描线突出的控制电极、从所述第一数据线突出的源电极以及与所述源电极间隔开并且包括漏电极延伸部分的漏电极。所述像素电极设置在所述第一数据线和所述第二数据线之间，并且连接到所述漏电极延伸部分。第一延伸部分在平面图中位于所述第二数据线和所述漏电极延伸部分之间。
6.在实施例中，所述漏电极延伸部分与所述第二数据线之间的间隙可以小于所述漏电极延伸部分与所述第一数据线之间的间隙。
7.在实施例中，所述第一延伸部分可以在所述第二方向上延伸。
8.在实施例中，所述存储线可以包括所述第一延伸部分。
9.在实施例中，所述扫描线可以包括所述第一延伸部分。
10.在实施例中，所述显示装置还可以包括屏蔽电极，所述屏蔽电极与所述像素电极设置在同一层上，所述屏蔽电极与所述第一数据线和所述第二数据线重叠。
11.在实施例中，所述屏蔽电极可以包括在所述平面图中位于所述第二数据线和所述漏电极延伸部分之间的第二延伸部分。
12.在实施例中，所述第二延伸部分可以在所述第一方向上延伸。
13.在实施例中，所述第二延伸部分可以与所述第一延伸部分至少部分地重叠。
14.在实施例中，所述存储线可以与所述扫描线设置在同一层上。
15.在实施例中，所述存储线可以包括与所述漏电极延伸部分重叠的存储电极。
16.在实施例中，所述存储电极的面积可以小于所述漏电极延伸部分的面积。
17.根据实施例的显示装置可以包括第一像素、第二像素、扫描线、存储线、第一数据
线和第二数据线。所述第一像素包括晶体管和连接到所述晶体管的像素电极。所述第二像素在第一方向上与所述第一像素相邻。所述扫描线在所述第一方向上延伸，所述扫描线被配置为将扫描信号提供到所述第一像素和所述第二像素。所述存储线平行于所述扫描线，所述存储线被配置为将存储电压提供到所述第一像素和所述第二像素。所述第一数据线设置在所述扫描线和所述存储线上，所述第一数据线在与所述第一方向相交的第二方向上延伸并且被配置为将第一数据信号提供到所述第一像素。所述第二数据线平行于所述第一数据线，所述第二数据线被配置为将第二数据信号提供到所述第二像素。第一延伸部分在平面图中位于所述第二数据线和将所述晶体管与所述像素电极连接的像素电极连接部分之间。
18.在实施例中，所述像素电极连接部分与所述第二数据线之间的间隙可以小于所述像素电极连接部分与所述第一数据线之间的间隙。
19.在实施例中，所述第一延伸部分可以在所述第二方向上延伸。
20.在实施例中，所述存储线可以包括所述第一延伸部分。
21.在实施例中，所述扫描线可以包括所述第一延伸部分。
22.在实施例中，所述显示装置还可以包括与所述像素电极设置在同一层上的屏蔽电极，所述屏蔽电极与所述第一数据线和所述第二数据线重叠。
23.在实施例中，所述屏蔽电极可以包括在所述平面图中位于所述第二数据线和所述像素电极连接部分之间的第二延伸部分。
24.在实施例中，所述第二延伸部分可以在所述第一方向上延伸。
25.在根据实施例的显示装置中，突出到所述第二数据线和所述像素的所述漏电极延伸部分之间的第一延伸部分可以形成在所述存储线或所述扫描线中，使得所述第一延伸部分可以在所述第二数据线和所述像素的所述漏电极延伸部分之间进行屏蔽。因此，所述第一数据线和所述第二数据线与所述像素之间的电容偏差可以减小，并且可以改善显示装置的图像品质。
附图说明
26.通过以下结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解说明性的、非限制性的实施例。
27.图1是示出了根据实施例的显示装置的框图。
28.图2是示出了图1中的第一像素和第二像素的等效电路图。
29.图3是示出了图1中的第一像素的布局图。
30.图4是示出了被包括在图3中的第一像素中的栅极图案的视图。
31.图5是示出了被包括在图3中的第一像素中的数据图案的视图。
32.图6是示出了被包括在图3中的第一像素中的透明导电图案的视图。
33.图7是沿着图3中的线i
‑
i'截取的截面图。
34.图8是示出了根据实施例的显示装置的第一像素的布局图。
35.图9是示出了被包括在图8中的第一像素中的透明导电图案的视图。
36.图10是示出了根据实施例的显示装置的第一像素的布局图。
37.图11是示出了被包括在图10中的第一像素中的栅极图案的视图。
38.图12是示出了根据实施例的显示装置的第一像素的布局图。
具体实施方式
39.在下文中，将参照附图详细地说明根据实施例的显示装置。
40.在下文中，将参照图1至图7描述根据实施例的显示装置。
41.图1是示出了根据实施例的显示装置的框图。
42.参照图1，根据实施例的显示装置可以包括显示单元110、扫描驱动器120、数据驱动器130和时序控制器140。
43.显示单元110可以显示图像。包括第一像素px1和第二像素px2的多个像素可以设置在显示单元110中。多个像素可以沿着第一方向dr1和与第一方向dr1相交的第二方向dr2布置成矩阵形式。
44.每个像素可以电连接到扫描线sl中的一条和数据线dl中的一条。扫描线sl可以在第一方向dr1上延伸。数据线dl可以在第二方向dr2上延伸，例如，如图1中所示，第一方向dr1可以为沿着行方向的双向方向，并且第二方向dr2可以为沿着列方向的双向方向。
45.扫描驱动器120可以基于从时序控制器140提供的第一控制信号cont1生成扫描信号ss。扫描驱动器120可以将扫描信号ss通过扫描线sl提供到设置在显示单元110中的像素。在实施例中，扫描驱动器120可以包括晶体管。在实施例中，扫描驱动器120可以为集成电路。
46.数据驱动器130可以从时序控制器140接收第二控制信号cont2和图像数据data。数据驱动器130可以基于第二控制信号cont2和图像数据data生成数据信号ds。数据驱动器130可以将数据信号ds通过数据线dl提供到设置在显示单元110中的像素。在实施例中，数据驱动器130可以包括移位寄存器、锁存器或数模转换器等。
47.时序控制器140可以从外部接收图像信号rgb和控制信号cs。时序控制器140可以处理图像信号rgb和控制信号cs以符合显示单元110的操作条件，并且可以生成图像数据data、第一控制信号cont1和第二控制信号cont2。
48.图像信号rgb可以包括被提供到显示单元110的灰度数据。控制信号cs可以包括水平同步信号、垂直同步信号、主时钟信号或类似的信号。水平同步信号可以表示显示显示单元110的一个像素行所花费的时间。垂直同步信号可以表示显示一帧的图像所花费的时间。主时钟信号可以是用作通过使时序控制器140与扫描驱动器120和数据驱动器130同步来生成信号的参考的信号。
49.图2是示出了图1中的第一像素px1和第二像素px2的等效电路图。
50.参照图2，显示装置可以包括第一像素px1和第二像素px2。第二像素px2可以在第一方向dr1上与第一像素px1相邻。因此，第一像素px1和第二像素px2可以被包括在一个像素行中。
51.第一像素px1和第二像素px2可以从不同的数据线接收不同的数据信号。例如，第一像素px1可以从第一数据线dl1接收第一数据信号ds1，并且第二像素px2可以从在第一方向dr1上与第一数据线dl1间隔开地布置的第二数据线dl2接收与第一数据信号ds1不同的第二数据信号ds2。
52.第一像素px1和第二像素px2可以从同一扫描线接收扫描信号。例如，第一像素px1
和第二像素px2可以从扫描线sl接收扫描信号ss。
53.第一像素px1和第二像素px2中的每一个可以包括晶体管、液晶电容器和存储电容器。例如，第一像素px1可以包括第一晶体管tr1、第一液晶电容器clc1和第一存储电容器cst1，并且第二像素px2可以包括第二晶体管tr2、第二液晶电容器clc2和第二存储电容器cst2。在下文中，将基于第一像素px1更详细地描述第一像素px1和第二像素px2两者。
54.第一晶体管tr1可以包括控制电极、源电极和漏电极。第一晶体管tr1的控制电极可以连接到扫描线sl。第一晶体管tr1的源电极可以连接到第一数据线dl1，并且第一晶体管tr1的漏电极可以连接到第一节点n1。第一晶体管tr1可以基于从扫描线sl提供的扫描信号ss执行开关操作，并且可以将从第一数据线dl1提供的第一数据信号ds1提供到第一节点n1。
55.第一液晶电容器clc1可以形成在第一节点n1与被提供公共电压vcom的图7中的公共电极cm之间。第一存储电容器cst1可以形成在第一节点n1与被提供存储电压vst的图3中的存储线rl之间。
56.在下文中，将基于第一像素px1和第二像素px2描述根据实施例的显示装置的驱动。
57.第一晶体管tr1可以基于扫描信号ss执行开关操作，并且第二晶体管tr2可以基于扫描信号ss执行开关操作。因此，第一晶体管tr1和第二晶体管tr2可以执行相同的开关操作。然而，因为第一晶体管tr1连接到第一数据线dl1并且第二晶体管tr2连接到第二数据线dl2，所以可以将不同的数据信号提供到第一节点n1和第二节点n2。
58.图3是示出了图1中的第一像素px1的布局图。图4是示出了被包括在图3中的第一像素px1中的栅极图案的视图。图5是示出了被包括在图3中的第一像素px1中的数据图案的视图。图6是示出了被包括在图3中的第一像素px1中的透明导电图案的视图。图7是沿着图3中的线i
‑
i'截取的截面图。在下文中，为了便于描述，将基于第一像素px1描述第一像素px1和第二像素px2两者。
59.参照图3、图4、图5、图6和图7，显示装置可以包括第一显示基板200、第二显示基板300和液晶层400。
60.第一显示基板200和第二显示基板300可以设置为彼此面对。液晶层400可以介于第一显示基板200和第二显示基板300之间。液晶层400可以包括液晶分子410。在实施例中，第一显示基板200和第二显示基板300可以通过密封构件结合。
61.第一显示基板200可以包括第一基板210、栅极图案gp、栅极绝缘层220、数据图案dp、第一钝化层250、滤色器cf、有机绝缘层260、第二钝化层270和透明导电图案tp。
62.在实施例中，第一基板210可以为透明绝缘基板。透明绝缘基板可以包括玻璃、石英或透光塑料等。在实施例中，第一基板210可以为柔性基板，或者可以为其中堆叠有各个膜的结构。
63.栅极图案gp可以设置在第一基板210上。栅极图案gp可以包括扫描线sl、控制电极ce、存储线rl和存储电极re。
64.扫描线sl可以在第一方向dr1上延伸。控制电极ce可以从扫描线sl突出。在实施例中，控制电极ce可以从扫描线sl在第二方向dr2上突出。
65.存储线rl可以平行于扫描线sl。存储线rl可以与扫描线sl设置在同一层上。在实
施例中，存储线rl可以设置为围绕像素电极pe的至少一部分。例如，存储线rl可以包括围绕像素电极pe的左部分的第一部分r1和围绕像素电极pe的右部分的第二部分r2。
66.存储线rl可以与像素电极pe的至少一部分重叠。因为存储线rl与像素电极pe重叠，所以图2中的第一存储电容器cst1可以由存储线rl和像素电极pe形成。
67.存储电极re可以从存储线rl突出。在实施例中，存储电极re可以从存储线rl在第二方向dr2上突出。存储电极re可以与下面描述的漏电极延伸部分oep的至少一部分重叠。因为存储电极re与漏电极延伸部分oep重叠，所以图2中的第一存储电容器cst1可以由存储电极re和漏电极延伸部分oep形成。
68.在实施例中，存储电极re的面积可以小于漏电极延伸部分oep的面积。因为存储电极re的面积小于漏电极延伸部分oep的面积，所以尽管在栅极图案gp上形成数据图案dp的工艺中出现容差，但是存储电极re在平面图中仍可以设置在漏电极延伸部分oep内部。因此，由存储电极re和漏电极延伸部分oep形成的图2中的第一存储电容器cst1的电容可以是恒定的。
69.栅极图案gp可以形成为包括铝(al)、铜(cu)、钼(mo)、铬(cr)、钛(ti)和钨(w)中的一种的单层、包括铝(al)、铜(cu)、钼(mo)、铬(cr)、钛(ti)和钨(w)中的两种的双层、或者包括铝(al)、铜(cu)、钼(mo)、铬(cr)、钛(ti)和钨(w)中的三种的三层。被包括在栅极图案gp中的扫描线sl、控制电极ce、存储线rl和存储电极re可以通过同一光掩模基本上同时形成。
70.栅极绝缘层220可以设置在栅极图案gp上。在实施例中，栅极绝缘层220可以由氮化硅、氧化硅或类似的材料形成。栅极绝缘层220可以具有多层结构，该多层结构包括具有不同的物理特性的至少两层。
71.数据图案dp可以设置在栅极绝缘层220上。数据图案dp可以包括第一数据线dl1、第二数据线dl2、源电极ie、漏电极oe和半导体层230。第一晶体管tr1的沟道区ch可以形成在位于源电极ie和漏电极oe之间的半导体层230中。
72.半导体层230可以设置在栅极绝缘层220上。在实施例中，半导体层230可以由非晶硅、多晶硅或类似材料形成。在实施例中，半导体层230可以由氧化物半导体形成。当半导体层230由氧化物半导体形成时，半导体层230可以由包括igzo、zno、zno2、cdo、sro、sro2、cao、cao2、mgo、mgo2、ino、in2o、gao、ga2o、ga2o3、sno、sno2、geo、geo2、pbo、pb2o3、pb3o4、tio、tio2、ti2o3和ti3o5的氧化物半导体中的一种形成。
73.在实施例中，数据图案dp还可以包括欧姆接触层240。欧姆接触层240可以设置在半导体层230上。欧姆接触层240可以由诸如掺杂有高浓度的诸如磷的n型杂质的n 氢化非晶硅的材料形成，或者可以由硅化物形成。然而，当半导体层230由氧化物半导体形成时，可以省略欧姆接触层240。在下文中，将在本说明书中描述数据图案dp包括欧姆接触层240。
74.第一数据线dl1、第二数据线dl2、源电极ie和漏电极oe可以设置在栅极绝缘层220和欧姆接触层240上。源电极ie可以从第一数据线dl1突出，并且源电极ie的至少一部分可以与控制电极ce重叠。漏电极oe可以与源电极ie间隔开，并且漏电极oe的至少一部分可以与控制电极ce重叠。漏电极oe可以包括漏电极延伸部分oep。漏电极延伸部分oep可以与存储电极re和像素电极pe重叠。
75.图3和图5示出了源电极ie在平面图中具有“u”形状，并且漏电极oe被源电极ie围绕，然而，控制电极ce、源电极ie、漏电极oe和沟道区ch可以形成第一晶体管tr1。
76.在平面图中，漏电极延伸部分oep可以从第一晶体管tr1起在第一方向dr1上定位。第一晶体管tr1可以在平面图中定位为与第一数据线dl1相邻，并且漏电极延伸部分oep可以在平面图中定位为与第二数据线dl2相邻。
77.数据图案dp可以形成为包括铝(al)、铜(cu)、钼(mo)、铬(cr)、钛(ti)和钨(w)中的一种的单层、包括铝(al)、铜(cu)、钼(mo)、铬(cr)、钛(ti)和钨(w)中的两种的双层、或者包括铝(al)、铜(cu)、钼(mo)、铬(cr)、钛(ti)和钨(w)中的三种的三层。被包括在数据图案dp中的第一数据线dl1、第二数据线dl2、源电极ie、漏电极oe、半导体层230和欧姆接触层240可以通过同一光掩模基本上同时形成。
78.第一钝化层250可以设置在数据图案dp上。第一钝化层250可以包括暴露漏电极延伸部分oep的至少一部分的开口部分。在实施例中，第一钝化层250可以由诸如氮化硅、氧化硅或类似材料的无机绝缘材料形成。第一钝化层250可以防止滤色器cf的颜料流入到沟道区ch中。
79.滤色器cf可以设置在第一钝化层250上。滤色器cf可以包括开口部分，该开口部分与第一钝化层250的开口部分重叠并且暴露漏电极延伸部分oep的至少一部分。
80.穿过滤色器cf的光可以显示诸如红色、绿色、蓝色和类似颜色的原色中的一种。然而，所述光还可以显示青色、品红色、黄色和白色中的任何一种。在实施例中，滤色器cf可以由针对在第一方向dr1上相邻的像素中的每个像素(例如，第一像素px1和第二像素px2)显示不同颜色的材料形成，并且可以由针对在第二方向dr2上相邻的像素中的每个像素显示相同颜色的材料形成。然而，在实施例中，滤色器cf可以由针对不考虑方向的相邻像素中的每个像素显示不同颜色的材料形成。图7示出了滤色器cf设置在第一显示基板200中，然而，在另一实施例中，滤色器cf可以设置在第二显示基板300中。
81.有机绝缘层260可以设置在第一钝化层250和滤色器cf上。有机绝缘层260可以包括开口部分，该开口部分与第一钝化层250的开口部分重叠并且暴露漏电极延伸部分oep的至少一部分。有机绝缘层260可以包括具有优异的平坦化特性和光敏性的有机材料。可以省略有机绝缘层260。
82.第二钝化层270可以设置在有机绝缘层260上。第二钝化层270可以包括开口部分，该开口部分与第一钝化层250的开口部分重叠并且暴露漏电极延伸部分oep的至少一部分。在实施例中，第二钝化层270可以由诸如氮化硅、氧化硅或类似材料的无机绝缘材料形成。可以省略第二钝化层270。
83.第一钝化层250的开口部分、滤色器cf的开口部分、有机绝缘层260的开口部分、第二钝化层270的开口部分可以形成接触孔cnt。
84.透明导电图案tp可以设置在第二钝化层270上。透明导电图案tp可以包括透明导电材料。在实施例中，透明导电材料可以包括多晶、单晶或非晶氧化铟锡(ito)。
85.透明导电图案tp可以包括像素电极pe和屏蔽电极se。像素电极pe和屏蔽电极se可以设置在同一层上，并且可以在物理上且在电气上彼此绝缘。
86.屏蔽电极se可以具有主要在第二方向dr2上延伸的形状。屏蔽电极se可以包括在第一方向dr1上延伸的水平主干和从水平主干起在第二方向dr2上延伸的垂直主干。在实施例中，屏蔽电极se的水平主干可以与扫描线sl至少部分地重叠。屏蔽电极se的垂直主干可以与第一数据线dl1和第二数据线dl2至少部分地重叠。此外，如图4和图6中所示，屏蔽电极
se的垂直主干可以与存储线rl的第一部分r1和第二部分r2至少部分地重叠。在实施例中，提供到屏蔽电极se的电压的电压电平可以与提供到公共电极cm的图2中的公共电压vcom的电压电平基本上相同。在实施例中，可以将公共电压vcom直接提供到屏蔽电极se。
87.像素电极pe可以直接接触通过接触孔cnt暴露的漏电极延伸部分oep。在这种情况下，在平面图中，第一晶体管tr1和像素电极pe通过接触孔cnt连接的部分可以被定义为像素电极连接部分cp。此外，像素电极pe可以与公共电极cm重叠。因此，图2中的第一液晶电容器clc1可以形成在彼此重叠的像素电极pe和公共电极cm之间。
88.像素电极pe可以包括第一主干部分pea1、第二主干部分pea2、边缘主干部分pea3和连接主干部分pea4。第一主干部分pea1在第一方向dr1上延伸。第二主干部分pea2与第一主干部分pea1相交并且在第二方向dr2上延伸。边缘主干部分pea3物理地连接到第一主干部分pea1和第二主干部分pea2，并且物理地连接到下面描述的分支部分peb1至peb4中的每一者的端部。连接主干部分pea4与第一主干部分pea1、第二主干部分pea2和边缘主干部分pea3物理地间隔开，并且包括连接部分pec。
89.连接部分pec可以被定义为与接触孔cnt重叠的部分。因此，像素电极pe的连接部分pec可以直接连接到通过接触孔cnt暴露的漏电极延伸部分oep。
90.像素电极pe可以包括从第一主干部分pea1和第二主干部分pea2延伸的第一分支部分peb1、第二分支部分peb2、第三分支部分peb3和第四分支部分peb4。
91.第一分支部分peb1可以从第一主干部分pea1和第二主干部分pea2在第三方向dr3上延伸，并且可以物理地连接到边缘主干部分pea3。第二分支部分peb2可以从第一主干部分pea1和第二主干部分pea2在第四方向dr4上延伸，并且可以物理地连接到边缘主干部分pea3。第三分支部分peb3可以从第一主干部分pea1和第二主干部分pea2在第五方向dr5上延伸。第三分支部分peb3的第一部分可以物理地连接到边缘主干部分pea3，并且第三分支部分peb3的第二部分可以物理地连接到连接主干部分pea4。第四分支部分peb4可以从第一主干部分pea1和第二主干部分pea2在第六方向dr6上延伸。第四分支部分peb4的第一部分可以物理地连接到边缘主干部分pea3，并且第四分支部分peb4的第二部分可以不物理地连接到边缘主干部分pea3。
92.像素电极pe的主干部分pea1至pea4和分支部分peb1至peb4可以电连接。因此，主干部分pea1至pea4和分支部分peb1至peb4可以具有相同的电位。
93.基于第一主干部分pea1和第二主干部分pea2，像素电极pe可以包括四个畴区域(domain region)。第一畴区域dm1可以被定义为从第一主干部分pea1和第二主干部分pea2之间的交叉点在第三方向dr3上定位的区域。第二畴区域dm2可以被定义为从第一主干部分pea1和第二主干部分pea2之间的交叉点在第四方向dr4上定位的区域。第三畴区域dm3可以被定义为从第一主干部分pea1和第二主干部分pea2之间的交叉点在第五方向dr5上定位的区域。第四畴区域dm4可以被定义为从第一主干部分pea1和第二主干部分pea2之间的交叉点在第六方向dr6上定位的区域。
94.第一畴区域dm1可以包括第一分支部分peb1。第二畴区域dm2可以包括第二分支部分peb2。第三畴区域dm3可以包括第三分支部分peb3。第四畴区域dm4可以包括第四分支部分peb4。
95.在实施例中，第一畴区域dm1的面积和第二畴区域dm2的面积可以基本上相同，并
且第三畴区域dm3的面积和第四畴区域dm4的面积可以基本上相同。然而，在实施例中，各个畴区域的面积可以彼此不同。例如，第一畴区域dm1的面积可以大于第二畴区域dm2的面积。
96.当在液晶层400中形成电场时，设置在第一畴区域dm1中的液晶分子410可以在第三方向dr3或第五方向dr5上取向。当在液晶层400中形成电场时，设置在第二畴区域dm2中的液晶分子410可以在第四方向dr4或第六方向dr6上取向。当在液晶层400中形成电场时，设置在第三畴区域dm3中的液晶分子410可以在第五方向dr5或第三方向dr3上取向。当在液晶层400中形成电场时，设置在第四畴区域dm4中的液晶分子410可以在第六方向dr6或第四方向dr4上取向。在实施例中，液晶分子410的取向方向可以在畴区域dm1至dm4中彼此不同。在这种情况下，显示装置可以提供具有相对宽的视角的屏幕。
97.在透明导电图案tp上可以设置第一取向层。第一取向层可以诱导液晶层400中的液晶分子410的初始取向。
98.如上所述，漏电极延伸部分oep可以设置为与第二数据线dl2相邻。在这种情况下，如图5中所示，漏电极延伸部分oep与第二数据线dl2之间的间隙g2可以小于漏电极延伸部分oep与第一数据线dl1之间的间隙g1。换言之，像素电极连接部分cp与第二数据线dl2之间的间隙可以小于像素电极连接部分cp与第一数据线dl1之间的间隙。当漏电极延伸部分oep与第二数据线dl2之间的间隙g2小于漏电极延伸部分oep与第一数据线dl1之间的间隙g1时，第一像素px1与第二数据线dl2之间的电容可能大于第一像素px1与第一数据线dl1之间的电容。因此，第一像素px1与数据线dl1和dl2之间的电容偏差可能相对地大，并且显示装置的图像品质可能因电容偏差而降低。
99.如图3和图4中所示，为了减小第一像素px1与数据线dl1和dl2之间的电容偏差，存储线rl可以包括在平面图中突出以位于第二数据线dl2和漏电极延伸部分oep之间的第一延伸部分ep1。换言之，第一延伸部分ep1可以在平面图中突出以位于第二数据线dl2和像素电极连接部分cp之间。
100.在实施例中，第一延伸部分ep1可以在第二方向dr2上延伸。在平面图中，第一延伸部分ep1可以在第二数据线dl2和漏电极延伸部分oep之间从存储线rl朝向扫描线sl延伸。
101.在平面图中，第一延伸部分ep1可以设置在第二数据线dl2和漏电极延伸部分oep之间。可以将图2中的存储电压vst提供到第一延伸部分ep1，使得第一延伸部分ep1可以在第二数据线dl2和漏电极延伸部分oep之间进行屏蔽。因此，第一像素px1与第二数据线dl2之间的电容可以减小，并且第一像素px1与数据线dl1和dl2之间的电容偏差可以减小。
102.第二显示基板300可以包括第二基板310、黑色矩阵bm、平坦化层320和公共电极cm。
103.第二基板310可以设置为与第一基板210相对。第二基板310可以为透明绝缘基板。在实施例中，第二基板310可以由与第一基板210相同的材料形成。
104.黑色矩阵bm可以设置在第二基板310上。黑色矩阵bm可以在无源区域中沿着第一方向dr1设置。无源区域是在第二方向dr2上相邻的像素之间的边界，并且像素电极pe的分支部分peb1至peb4可以不设置在无源区域中。黑色矩阵bm可以在第一方向dr1上延伸，并且可以与扫描线sl重叠。
105.黑色矩阵bm可以防止光透射穿过无源区域。在实施例中，黑色矩阵bm可以由光敏材料、有机材料或金属材料等形成。例如，光敏材料可以包括粘合剂树脂、可聚合单体、可聚
合低聚物、颜料或分散剂等。此外，金属材料可以包括铬(cr)等。
106.在第二方向dr2上延伸的黑色矩阵bm可以不设置于在第一方向dr1上相邻的像素之间，例如，不设置在第一像素px1和第二像素px2之间。可以通过调节在第一方向dr1上相邻的像素之间的空间来调节液晶取向，使得在没有黑色矩阵bm的情况下，光也可以不穿过在第一方向dr1上相邻的像素之间。此外，可以使用屏蔽电极se来调节液晶取向，使得光可以不穿过。
107.平坦化层320可以设置在黑色矩阵bm上。平坦化层320可以向公共电极cm提供平坦化的表面。在实施例中，平坦化层320可以由有机材料或无机材料形成。
108.公共电极cm可以设置在平坦化层320上。公共电极cm的至少一部分可以与像素电极pe重叠。在实施例中，公共电极cm可以由诸如ito、izo或类似材料的透明导电材料或者诸如铝(al)、银(ag)、铬(cr)、它们的合金或类似材料的反射金属形成。
109.在公共电极cm上可以设置第二取向层。第二取向层可以诱导液晶层400中的液晶分子410的初始取向。在实施例中，第二取向层可以由与第一取向层基本上相同的材料形成。
110.液晶层400可以包括液晶分子410。在实施例中，液晶分子410可以具有负的介电各向异性，并且可以在初始取向状态下垂直地取向。液晶分子410可以在初始取向状态下具有预定的预倾斜角。液晶分子410的初始取向可以由第一取向层和第二取向层诱导。当在第一显示基板200和第二显示基板300之间形成电场时，液晶分子410可以在特定方向上倾斜或旋转，因而改变穿过液晶层400的光的偏振状态。
111.在下文中，将参照图8和图9描述根据实施例的显示装置。除了第二延伸部分之外，参照图8和图9描述的显示装置可以与参照图1至图7描述的显示装置基本上相同或相似。因此，将省略对重复元件的描述。
112.图8是示出了根据实施例的显示装置的第一像素的布局图。图9是示出了被包括在图8中的第一像素中的透明导电图案的视图。
113.参照图8和图9，根据实施例的显示装置的屏蔽电极se可以包括在平面图中突出以位于第二数据线dl2和漏电极延伸部分oep之间的第二延伸部分ep2。换言之，第二延伸部分ep2可以在平面图中突出以位于第二数据线dl2和像素电极连接部分cp之间。
114.在实施例中，第二延伸部分ep2可以在第一方向dr1上延伸。在平面图中，第二延伸部分ep2可以从屏蔽电极se的与第二数据线dl2重叠的第一部分朝向屏蔽电极se的与第一数据线dl1重叠的第二部分延伸。
115.在实施例中，第二延伸部分ep2可以与第一延伸部分ep1至少部分地重叠。因为绝缘层设置在存储线rl和屏蔽电极se之间，所以从屏蔽电极se突出的第二延伸部分ep2可以与从存储线rl突出的第一延伸部分ep1绝缘并且与从存储线rl突出的第一延伸部分ep1至少部分地重叠。
116.在平面图中，第二延伸部分ep2可以设置在第二数据线dl2和漏电极延伸部分oep之间。可以将图2中的公共电压vcom提供到第二延伸部分ep2，使得第二延伸部分ep2可以与第一延伸部分ep1一起在第二数据线dl2和漏电极延伸部分oep之间进行屏蔽。因此，第一像素px1与第二数据线dl2之间的电容可以进一步减小，并且第一像素px1与数据线dl1和dl2之间的电容偏差可以减小。
117.在下文中，将参照图10和图11描述根据实施例的显示装置。除了第一延伸部分之外，参照图10和图11描述的显示装置可以与参照图1至图7描述的显示装置基本上相同或相似。因此，将省略对重复元件的描述。
118.图10是示出了根据实施例的显示装置的第一像素的布局图。图11是示出了被包括在图10中的第一像素中的栅极图案的视图。
119.参照图10和图11，根据实施例的显示装置的扫描线sl可以包括在平面图中突出以位于第二数据线dl2和漏电极延伸部分oep之间的第一延伸部分ep1。换言之，在平面图中，第一延伸部分ep1可以突出以位于第二数据线dl2和像素电极连接部分cp之间。
120.在实施例中，第一延伸部分ep1可以在第二方向dr2上延伸。在平面图中，第一延伸部分ep1可以在第二数据线dl2和漏电极延伸部分oep之间从扫描线sl朝向存储线rl延伸。因此，第一延伸部分ep1可以在第二数据线dl2和漏电极延伸部分oep之间进行屏蔽。因此，第一像素px1与第二数据线dl2之间的电容可以进一步减小，并且第一像素px1与数据线dl1和dl2之间的电容偏差可以减小。
121.在下文中，将参照图12描述根据实施例的显示装置。除了第二延伸部分之外，参照图12描述的显示装置可以与参照图10和图11描述的显示装置基本上相同或相似。因此，将省略对重复元件的描述。
122.图12是示出了根据实施例的显示装置的第一像素的布局图。
123.参照图12，根据实施例的显示装置的屏蔽电极se可以包括在平面图中突出以位于第二数据线dl2和漏电极延伸部分oep之间的第二延伸部分ep2。换言之，第二延伸部分ep2可以在平面图中突出以位于第二数据线dl2和像素电极连接部分cp之间。在实施例中，第二延伸部分ep2可以在第一方向dr1上延伸。
124.在实施例中，第二延伸部分ep2可以与第一延伸部分ep1至少部分地重叠。因为绝缘层设置在扫描线sl和屏蔽电极se之间，所以从屏蔽电极se突出的第二延伸部分ep2可以与从扫描线sl突出的第一延伸部分ep1绝缘并且与从扫描线sl突出的第一延伸部分ep1至少部分地重叠。因此，第二延伸部分ep2可以与第一延伸部分ep1一起在第二数据线dl2和漏电极延伸部分oep之间进行屏蔽。因此，第一像素px1与第二数据线dl2之间的电容可以进一步减小，并且第一像素px1与数据线dl1和dl2之间的电容偏差可以减小。
125.根据实施例的显示装置可以应用于被包括在计算机、笔记本式计算机、移动电话、智能电话、智能平板计算机、pmp、pda或mp3播放器等中的显示装置。
126.尽管已经参照附图描述了根据实施例的显示装置，但是所示出的实施例是示例，并且在不脱离在所附权利要求中描述的技术精神的情况下，可以由相关技术领域的普通技术人员进行修改和改变。