显示面板的制作方法

1.本技术涉及显示领域，特别涉及一种显示面板。


背景技术：

2.在平板显示技术中，有机发光二极管(organic light
‑
emitting diode，oled)显示器具有轻薄、主动发光、响应速度快、可视角大、色域宽、亮度高和功耗低等众多优点，逐渐成为继液晶显示器后的第三代显示技术。
3.在当前oled显示器的结构中，由于相邻子像素中共用空穴共通层和电子共通层，当电压输入至子像素时，阳极产生的空穴或阴极产生的电子通过对应的共通层传输至相邻的子像素中，使子像素的启动电压不准确，导致oled显示器在低灰阶时出现色偏的技术问题。
4.因此，亟需一种显示面板以解决上述技术问题。


技术实现要素：

5.本技术提供一种显示面板，以改善现有oled显示面板在低灰阶时出现色偏的技术问题。
6.为解决上述问题，本技术提供的技术方案如下：
7.本技术提供了一种显示面板，包括依次堆叠设置的第一电极、发光器件层和第二电极；
8.所述发光器件层包括多个发射第一颜色光线的第一发光单元和多个与第一发光单元对应设置的第一补偿层、以及位于所述第一发光单元两侧的空穴传输层和电子传输层；
9.其中，所述第一补偿层位于所述第一电极与所述第一发光单元之间，所述第一补偿层的空穴传输速率大于所述空穴传输层的空穴传输速率；和/或，
10.所述第一补偿层位于所述第二电极与所述第一发光单元之间，所述第一补偿层的电子传输速率大于所述电子传输层的电子传输速率。
11.在本技术的显示面板中，所述第一补偿层位于所述第一电极与所述第一发光单元之间；
12.其中，所述第一补偿层包括具有吸电子基团的空穴型掺杂物。
13.在本技术的显示面板中，所述空穴型掺杂物的浓度为1％至6％，所述空穴型掺杂物包括hat
‑
cn、f4
‑
tcnq、sbcl5或fecl3中至少一种。
14.在本技术的显示面板中，所述显示面板包括像素定义层，所述像素定义层包括多个像素开口，所述第一发光单元位于所述像素开口内；
15.所述第一电极包括与所述像素开口对应的第一部分，所述第一部分在所述第二电极上的正投影位于所述第一补偿层在所述第二电极上的正投影内。
16.在本技术的显示面板中，所述第一补偿层位于所述第二电极与所述第一发光单元
之间；
17.其中，所述第一补偿层包括具有给电子基团的电子型掺杂物。
18.在本技术的显示面板中，所述电子型掺杂物的浓度为1％至6％，所述电子型掺杂物包括碱金属或碱金属盐。
19.在本技术的显示面板中，所述第一发光单元在所述第二电极上的正投影位于所述第一补偿层在所述第二电极上的正投影内。
20.在本技术的显示面板中，所述发光器件层还包括多个发射第二颜色光线的第二发光单元、和位于所述第一电极与所述第二发光单元之间或/和所述第二电极与所述第二发光单元之间的第二补偿层；
21.其中，所述第一发光单元和所述第二发光单元的发光颜色相异，所述第一补偿层和所述第二补偿的厚度不相同。
22.在本技术的显示面板中，所述第一发光单元为红色发光单元，所述第二发光单元为绿色发光单元；
23.所述第二补偿层的膜层厚度大于所述第一补偿层的厚度。
24.在本技术的显示面板中，所述发光器件层还包括多个发射第三颜色光线的第三发光单元、和位于所述第一电极与所述第三发光单元之间或/和所述第二电极与所述第三发光单元之间的第三补偿层；
25.其中，所述第三发光单元为蓝色发光单元，所述第一补偿层的厚度大于所述第三补偿层的厚度。
26.有益效果：本技术提出了一种显示面板；显示面板的发光器件层包括多个第一发光单元和多个与第一发光单元对应设置的第一补偿层，第一补偿层位于第一发光单元的至少一侧，第一补偿层的空穴传输速率大于空穴传输层的空穴传输速率，和/或，第一补偿层的电子传输速率大于电子传输层的电子传输速率；本技术通过在发光单元的至少一侧设置补偿层，提高了发光单元中电子或/和空穴的传输速率，补偿了发光单元的启动电压，改善了显示面板在低灰阶时出现色偏的技术问题。
附图说明
27.下面结合附图，通过对本技术的具体实施方式详细描述，将使本技术的技术方案及其它有益效果显而易见。
28.图1为本技术显示面板的第一种剖面图；
29.图2为本技术显示面板中发光单元的结构简图；
30.图3为本技术显示面板的第二种剖面图；
31.图4为本技术显示面板的第三种剖面图；
32.图5为本技术显示面板的第一种结构简图；
33.图6为本技术显示面板的第二种结构简图；
34.图7为本技术显示面板与当前显示面板的实验结构对比图；
35.图8为本技术显示面板制作方法步骤图；
36.图9a至9h为本技术显示面板制作方法的流程图；
37.图10为本技术中hat
‑
cn的化学结构示意图；
38.图11为本技术中f4
‑
tcnq的化学结构示意图。
具体实施方式
39.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
40.在当前oled显示器的结构中，当电压输入至子像素时，阳极产生的空穴或阴极产生的电子通过对应的共通层传输至相邻的子像素中，使子像素的启动电压不准确，导致oled显示器在低灰阶时出现色偏的技术问题。本技术提出了下列技术方案以解决上述技术问题。
41.请参阅图1至图6，本技术提供了一种显示面板100，包括依次堆叠设置的第一电极、发光器件层80和第二电极。
42.在本实施例中，所述发光器件层80可以包括多个发射第一颜色光线的第一发光单元21和多个与第一发光单元21对应设置的第一补偿层31、以及位于所述第一发光单元两侧的空穴传输层和电子传输层。
43.在本实施例中，所述第一补偿层31位于所述第一电极与所述第一发光单元21之间，所述第一补偿层31的空穴传输速率大于所述空穴传输层206的空穴传输速率；和/或，所述第一补偿层31位于所述第二电极与所述第一发光单元21之间，所述第一补偿层31的电子传输速率大于所述电子传输层207的电子传输速率。
44.本技术提出了一种显示面板100，显示面板100的发光器件层80包括多个第一发光单元21和多个与第一发光单元21对应设置的第一补偿层31，第一补偿层31位于第一发光单元21的至少一侧，第一补偿层31的空穴传输速率大于空穴传输层206的空穴传输速率，和/或，第一补偿层31的电子传输速率大于电子传输层207的电子传输速率；本技术通过在发光单元的至少一侧设置补偿层，提高了发光单元中电子或/和空穴的传输速率，补偿了发光单元的启动电压，改善了显示面板100在低灰阶时出现色偏的技术问题。
45.需要说明的是，由于发光器件层80两侧的电极一般为阳极和阴极，因此下文将以所述第一电极为阳极层201，所述第二电极为阴极层204进行描述。
46.现结合具体实施例对本技术的技术方案进行描述。
47.请参阅图1，图1为本技术显示面板100的第一种剖面图。
48.在本实施例中，所述显示面板100可以包括阵列基板10、设置于所述阵列基板10上的发光功能层200以及位于所述发光功能层200上的封装层300，所述发光功能层200包括阳极层、位于所述阳极层201上的发光器件层80、位于所述发光器件层80上的阴极层204，所述发光器件层80包括多个发光单元20。
49.在本实施例中，所述阵列基板10可以包括衬底11及位于所述衬底11上的驱动电路层12。所述衬底11可以为柔性衬底或刚性衬底。当所述衬底11为刚性衬底时，所述衬底11材料可以为玻璃、石英等材料制备；当所述衬底11为柔性衬底时，所述衬底11的材料可以为聚酰亚胺等材料。
50.在本实施例中，所述驱动电路层12可以包括多个薄膜晶体管13。所述薄膜晶体管
13可以为蚀刻阻挡型、背沟道蚀刻型或顶栅薄膜晶体管型等结构，具体没有限制。例如，顶栅薄膜晶体管可以包括位于所述衬底11上的有源层121、位于所述有源层121上的栅绝缘层122、位于所述栅绝缘层122上的栅极层123、位于所述栅极层123上的间绝缘层124、位于所述间绝缘层124上的源漏极层125、以及位于所述源漏极层125上的平坦层126。上述顶栅薄膜晶体管不限于单栅极结构，还可以设置为双栅极结构等。
51.在本技术的显示面板100中，所述显示面板100还包括与所述发光功能层200同层设置的像素定义层40，所述像素定义层40包括多个像素开口401。所述发光功能层200可以包括设置于所述平坦层126上的阳极层201、设置于所述阳极层201上的多个发光单元20以及设置于所述发光单元20层上的阴极层204，所述发光单元20位于所述像素开口401内，一所述发光单元20与一所述像素开口401对应，所述阳极层201用于提供吸收电子的空穴，所述阴极层204用于提供所述发光单元20所需的电子。
52.请参阅图1和图2，每一所述发光单元20可以包括位于所述阳极层201上的空穴传输层206、位于所述空穴传输层206上的发光层203、位于所述发光层203上的电子传输层207、以及位于所述电子传输层207上的阴极层204。图1所示的发光功能层200可以包括第一发光单元21、第二发光单元22和第三发光单元23，所述第一发光单元21、所述第二发光单元22和所述第三发光单元23的发光颜色互不相同，例如所述第一发光单元21可以为红色发光单元，所述第二发光单元22可以为绿色发光单元，所述第三发光单元23可以为蓝色发光单元。
53.在图1的结构中，由于相邻发光单元20的空穴传输层206和所述电子传输层207是共用的，因此阳极层201产生的空穴可能通过空穴传输层206传输至相邻的发光单元20中，或者阴极层204产生的电子可能通过电子传输层207传递至相邻的发光单元20中。例如，在显示面板100的低灰阶状态，当第二发光单元22开始发光时，阳极层201产的空穴或阴极层204产生的电子可能通过对应的传输层传输至第一发光单元21或第三发光单元23中，导致第二发光单元22漏电，即第二发光单元22无法显示预定亮度，同时当第一发光单元21和第三发光单元23处于非发光状态时，而第二发光单元22中空穴或电子的输入，可能导致第一发光单元21和第三发光单元23发出较微弱的光，导致显示面板100在低灰阶时出现色偏的技术问题。
54.在本实施例中，在所述发光单元20的发光方向上，所述发光功能层200还包括设置于至少一所述发光单元20的至少一侧的第一补偿层31，所述第一补偿层31用于补偿所述发光单元20的启动电压。
55.在本实施例中，请参阅图1，所述第一补偿层31可以包括位于所述阳极层201与所述第一发光单元21之间的第一补偿层31。所述第一补偿层31可以通过掺杂至少一种有机物/无机物，并利用共混或掺杂等工艺制备，所述第一补偿层31可以包括空穴型掺杂物，例如hat
‑
cn(见图10)、f4
‑
tcnq(见图11)、sbcl5(五氯化锑)或fecl3(三氯化铁)等。
56.在本实施例中，由于空穴型掺杂物具有较多游离的空穴，因此空穴型掺杂物具有较强的吸电子基团，而当阳极层201和阴极层204输入对应电压时，空穴型掺杂物中的一个吸电子基团可以从所述第一补偿层31中吸走一个电子以及保留一个空穴，保留的空穴在阳极层201和阴极层204的电压作用下通过空穴传输层206传输至所述第一发光单元21中，且与从阴极层204传输过来的电子结合以产生光源；因此，所述第一补偿层31相当于对所述第
一发光单元21的启动电压进行补偿。
57.在本实施例中，第一补偿层31的厚度和第一补偿层31中掺杂物的含量与对应的补偿电压呈正相关。例如，所述第一补偿层31的厚度越厚，在相同比例的情况下掺杂物的含量越多，所述第一补偿层31对第一发光单元21的补偿电压越大，因此本实施例可以根据不同子像素的漏电情况，对所述电学补偿的厚度进行适应性调整。
58.在本实施例中，所述第一补偿层31的膜层厚度可以为5nm至80nm。对于当前显示面板100的制程工艺，当第一补偿层31的膜层厚度小于5nm时，膜层厚度过于单薄，蒸镀工艺难度较大，所形成的膜层可能会出现非连续的情况；当第一补偿层31的膜层厚度大于80nm时，膜层厚度过大，可能导致发光单元20的微腔效应失效，影响发光单元20的发光效率。
59.在本实施例中，所述第一补偿层31的膜层厚度可以为15nm至30nm。
60.在本实施例中，所述第一补偿层31中掺杂物的浓度可以为0.5％至20％。对于当前显示面板100的制程工艺，当所述第一补偿层31中掺杂物的浓度小于0.5％时，掺杂物的浓度过低可能导致膜层中掺杂物的分布不均，降低制程的稳定性；当所述第一补偿层31中掺杂物的浓度大于20％时，可能因掺杂物的掺杂浓度过高而影响第一发光单元21的发光效率和发光寿命。
61.在本实施例中，所述第一补偿层31中掺杂物的浓度可以为1％至6％。
62.在本实施例中，本技术通过在阳极层201与第一发光单元21之间设置第一补偿层31，第一补偿层31中的掺杂物通过吸入电子以及产生空穴，并通过对应的空穴传输层206向所述第一发光单元21提供空穴，提高了向发光单元传输空穴的速率，进而对所述第一发光单元21的启动电压进行补偿，以保证所述第一发光单元21的启动电压正常；同时，根据第一发光单元21的漏电情况，对所述第一补偿层31的厚度和所述第一补偿层31中空穴型掺杂物的浓度进行适应性调整，以使第一发光单元21在低灰阶时显示预设亮度，缓解了显示面板100在低灰阶时出现色偏的技术问题，提高了显示面板100发光颜色的准确度。
63.请参阅图1，所述阳极层201包括与所述像素开口401对应的第一部分，所述第一部分在所述阴极层204上的正投影位于所述第一补偿层31在所述阴极层204上的正投影内。所述阳极层201的第一部分为所述像素定义层40未覆盖所述阳极层201的部分，即阳极层201在所述像素开口401裸露的部分。
64.在本实施例中，由于阳极层201产生的空穴通过空穴传输层206传输至相邻的发光单元20，因此若所述第一补偿层31未将所述阳极层201的第一部分完全覆盖，则所述阳极层201的第一部分产生的空穴可能通过与阳极层201的第一部分直接接触的空穴传输层206传输至相邻的发光单元20中。
65.在本实施例中，所述第一补偿层31将阳极层201的第一部分完全覆盖，避免阳极层201的第一部分产生的空穴直接通过空穴传输层206传递至相邻的发光单元20中，而经过第一补偿层31的空穴可以在阳极层201和阴极层204所形成的电场的作用下传输至发光单元20中，同时第一补偿层31所产生的空穴对发光单元20的启动电压进行补偿，以使发光单元20在低灰阶时显示预设亮度，缓解了显示面板100在低灰阶时出现色偏的技术问题，提高了显示面板100发光颜色的准确度。
66.请参阅图3，图3为本技术显示面板100的第二种剖面图。所述第一补偿层31可以位于所述阴极层204与所述第一发光单元21之间。所述第一补偿层31可以通过掺杂至少一种
有机物/无机物，并利用共混或掺杂等工艺制备，所述第一补偿层31可以包括电子型掺杂物，例如碱金属或碱金属盐(如li，cs及其盐类)。
67.在本实施例中，由于电子型掺杂物具有较多游离的电子，因此电子型掺杂物具有较强的吸空穴基团，也可以称为给电子基团，而当阳极层201和阴极层204输入对应电压时，电子型掺杂物中的一个吸空穴基团可以从所述第一补偿层31中吸走一个空穴以及保留一个电子，保留的电子在阳极层201和阴极层204的电压作用下通过电子传输层207传输至所述第一发光单元21中，且与从阳极层201传输过来的空穴结合以产生光源；因此，所述第一补偿层31相当于对所述第一发光单元21的启动电压进行补偿。
68.在本实施例中，所述第一补偿层31的厚度和所述第一补偿层31中电子型掺杂物的浓度可以参考图1中的实施例，此处不在赘述。
69.在本实施例中，本技术通过在阴极层204与第一发光单元21之间设置第一补偿层31，第一补偿层31中的掺杂物通过吸入空穴以及产生电子，并通过对应的电子传输层207向所述第一发光单元21提供电子，提高了向发光单元传输电子的速率，进而对所述第一发光单元21的启动电压进行补偿，以保证所述第一发光单元21的启动电压正常；同时，根据第一发光单元21的漏电情况，对所述第一补偿层31的厚度和所述第一补偿层31中空穴型掺杂物的浓度进行适应性调整，以使第一发光单元21在低灰阶时显示预设亮度，缓解了显示面板100在低灰阶时出现色偏的技术问题，提高了显示面板100发光颜色的准确度。
70.在本实施例中，所述第一发光单元21在所述阴极层204上的正投影可以位于所述第一补偿层31在所述阴极层204上的正投影内。与阳极层201类似，由于阴极层204产生的电子通过电子传输层207传输至相邻的发光单元20，因此若所述第一补偿层31未将所述阴极层204与发光单元之间的区域隔离，则所述阴极层204的第产生的空穴可能通过与发光单元直接接触的电子传输层207传输至相邻的发光单元20中。
71.请参阅图4，图4为本技术显示面板100的第三种剖面图。所述第一补偿层31可以同时位于所述阴极层204与所述第一发光单元21、以及所述阳极层201和所述第一发光单元21之间。图4中的结构相当于图1和图3中实施例的结合。位于所述阳极层201和所述第一发光单元21之间的所述第一补偿层31可以包括空穴型掺杂物，位于所述阴极层204和所述第一发光单元21之间的所述第一补偿层31可以包括电子型掺杂物，二者的厚度及浓度参数可以参考图1和图3中的实施例。
72.对于显示面板100的低灰阶状态，在红绿蓝三种子像素中，绿色子像素的漏光较为严重，其次为红色子像素出现漏光的情况，蓝色子像素出现漏光的现象较弱，因此对于不同颜色的子像素，色偏的情况各不相同。
73.请参阅图5，图5为本技术显示面板100的第一种结构简图。所述电学补偿层30可以包括与所述第一发光单元21对应的第一补偿层31与所述第二发光单元22对应的第二补偿层32，所述第二补偿层32的位置设置可以参考第一补偿层31的位置进行设置。
74.在本实施例中，所述第一补偿层31和所述第二补偿层32的膜层厚度可以不相同。
75.根据上述限定，所述第一发光单元21可以为红色发光单元，所述第二发光单元22可以为绿色发光单元。由于绿色子像素出现色偏现象最严重，其次为红色子像素，蓝色子像素的色偏现象最弱，因此本技术通过将所述第二补偿层32的膜层厚度大于所述第一补偿层31的膜层厚度，即绿色子像素的色偏现象较严重，所述第二补偿层32的厚度膜层最大，蓝色
子像素的色偏现象最弱，不进行补偿层的设置，所述第一补偿层31的膜层厚度可以小于第二补偿层32的膜层厚度。
76.另外，本实施例还可以根据不同颜色的子像素，对所述第一补偿层31、所述第二补偿层32中掺杂物的浓度进行适应性调节，即对电学补偿层30的厚度及掺杂物的浓度同时调节，以满足对应发光单元20所需要的启动电压及微腔效应所需要的腔长厚度。
77.请参阅图6，图6为本技术显示面板100的第二种结构简图。所述电学补偿层30可以包括与所述第一发光单元21对应的第一补偿层31、与所述第二发光单元22对应的第二补偿层32、与所述第三发光单元23对应的第三补偿层33，所述第一补偿层31、所述第二补偿层32以及所述第三补偿层33的膜层厚度各不相同。
78.根据上述限定，所述第一发光单元21可以为红色发光单元，所述第二发光单元22可以为绿色发光单元，所述第三发光单元23可以为蓝色发光单元。由于绿色子像素出现色偏现象最严重，其次为红色子像素，蓝色子像素的色偏现象最弱，因此本技术通过将所述第二补偿层32的膜层厚度大于所述第一补偿层31的厚度，所述第一补偿层31的厚度大于所述第三补偿层33的厚度，即绿色子像素的色偏现象较严重，所述第二补偿层32的厚度最大，蓝色子像素的色偏现象最弱，所述第三补偿层33的厚度最小。
79.另外，本实施例还可以根据不同颜色的子像素，对所述第一补偿层31、所述第二补偿层32以及所述第三补偿层33中掺杂物的浓度进行适应性调节，即对电学补偿层30的厚度及掺杂物的浓度同时调节，以满足发光单元20所需要的启动电压及微腔效应所需要的腔长厚度。
80.由于发光材料的固有特性，红色发光单元、绿色发光单元以及蓝色发光单元的发光效率和发光寿命均不相同。其中，由于绿色发光单元的发光寿命和发光效率最优，蓝色发光单元和发光寿命最差，因此在进行厚度设置时，所述蓝色发光单元的厚度可以大于所述红色发光单元的厚度，所述红色发光单元的厚度可以大于所述绿色发光单元的厚度。
81.在本技术的显示面板100中，请参阅图6，为了保证膜层结构的平整性，所述发光单元20包括设置于所述阳极层201和所述电学补偿层30之间的腔长调节层202，不同发光颜色的所述腔长调节层202的厚度不相同。
82.在本实施例中，所述腔长调节层202除了用于调整膜层的平整性，所述腔长调节层202还可以用于调节发光单元20的发光效率。例如，当所述显示面板100为顶发射型时，所述阳极层201可以由全反射材料构成，所述阴极层204可以由半反射材料构成，而为了避免位于微腔内部的光线的干涉，所述阳极层201和所述阴极层204所形成的微腔的厚度需要与对应发光颜色的波长的比值为0.5m：1，m为正整数。同理，当所述显示面板100为底发射型时，具体工作原理与顶发射型相同此处不再赘述。
83.对于顶发射型显示面板100，当前的阳极层201一般由三层金属构成，例如氧化铟锡、金属银以及氧化铟锡的叠层结构，由于金属银为全反射材料，而发光层203发出的光线将经过金属银反射至阴极层204，而为了保证发光单元20的发光效率，发光层203的发光中心至金属银的表面需要满足一定的间距要求。
84.在本实施例中，所述发光层203的中心与所述阳极层201预设位置的间距为0.5nλ，λ为与所述发光层203对应的发光颜色的波长，n为正整数，即所述发光层203的中心与所述阳极层201中金属银的表面的间距为0.5nλ。
85.在本实施例中，由于腔长调节层202设置于阳极层201与电学补偿层30之间，而根据所述发光层203的中心与金属银的间距限制，对于不同发光颜色，所需要的腔长调节层202的厚度不相同。例如，由于红光的波长最大，蓝光的波长最小，因此红光对应的所述腔长调节层202的厚度最大，蓝光对应的所述腔长调节层202的厚度最小。
86.请参阅图7，图7为本技术显示面板与当前显示面板的实验结构对比图。图7分别列出了无电学补偿层、有电学补偿层以及其他子像素的三条曲线图。图7中的实线为绿色子像素的曲线对比图，虚线为红色子像素或蓝色子像素的曲线图，图中曲线可以看出，对于不同方案实现相同亮度，例如在低灰阶亮度值为20cd/m2时，当前显示面板中无电学补偿层所需要的电压值为2.27v，而本技术显示面板中设置电学补偿层所需要的电压值为2.18v，与当前技术方案相比，实现相同亮度所需要的电压值减小，电学补偿层对发光单元实现了电压补偿。另外，对于红色或蓝色子像素，由于绿色子像素的发光效率较高，因此实现相同亮度所需要的电压较小。
87.对于在低灰阶状态，以绿色子像素为例，具体结果如下表：
[0088] 启动电压(v)色偏值无电学补偿层2.260.005～0.007有电学补偿层2.090.003～0.004
[0089]
本实验的色偏值的计算公式为：
[0090]
δcie＝ciex(低灰阶)
‑
ciex(l255)；
[0091]
其中，ciex(低灰阶)为绿色子像素在低灰阶时的cie值，ciex(l255)为绿色子像素在高灰阶时的cie值。根据上表中的数据显示，绿色子像素的启动电压从2.26v减少至2.09v，低灰阶下的色偏值下降了0.002～0.003，因此有电学补偿层对所述显示面板由较大的改善。
[0092]
在本实施例中，腔长调节层202、空穴注入层205、发光层203、空穴传输层206、电子传输层207以及电子注入层208的材料可以为但不限于有机小分子材料，腔长调节层202、空穴注入层205、空穴传输层206、发光层203、电子传输层207以及电子注入层208均可以通过蒸镀工艺形成。
[0093]
在本实施例中，所述腔长调节层202可以为空穴型有机小分子2tnata、npb、tapc中的至少一种，利用金属精细掩模板，以及通过真空蒸镀沉积在阳极层201或电学补偿层30上形成，所述腔长调节层202的膜层厚度可以为20nm至180nm。
[0094]
在本实施例中，所述电子传输层207和所述电子注入层208可以为tpbi、bphen、tmpypb中的至少一种，所述电子传输层207和所述电子注入层208的厚度可以为20nm至80nm。
[0095]
在本实施例中，所述发光层203的厚度可以为20nm至50nm。
[0096]
在本实施例中，所述阴极层204的材料可以为yb、ca、mg、ag中的至少一种，例如，ag和mg以10:1的比例形成的agmg合金，所述阴极层204的厚度可以为8nm至20nm。
[0097]
在上述实施例中，所述封装层可以为薄膜封装层，其可以包括第一无机层、位于所述第一无机层上的第一有机层、以及位于所述第一有机层上的第二无机层。具体结构此处不再赘述。
[0098]
本技术提出了一种显示面板100，显示面板100的发光器件层80包括多个第一发光
单元21和多个与第一发光单元21对应设置的第一补偿层31，第一补偿层31位于第一发光单元21的至少一侧，第一补偿层31的空穴传输速率大于空穴传输层206的空穴传输速率，和/或，第一补偿层31的电子传输速率大于电子传输层207的电子传输速率；本技术通过在发光单元的至少一侧设置补偿层，提高了发光单元中电子或/和空穴的传输速率，补偿了发光单元的启动电压，改善了显示面板100在低灰阶时出现色偏的技术问题。
[0099]
请参阅图8，本技术还提出了一种显示面板100的制作方法，包括：
[0100]
s10、提供一阵列基板10；
[0101]
请参阅图9a，所述阵列基板10可以包括衬底11及位于所述衬底11上的驱动电路层12。所述衬底11可以为柔性衬底或刚性衬底。当所述衬底11为刚性衬底时，所述衬底11材料可以为玻璃、石英等材料制备；当所述衬底11为柔性衬底时，所述衬底11的材料可以为聚酰亚胺等材料。
[0102]
在本实施例中，所述驱动电路层12可以包括多个薄膜晶体管13。所述薄膜晶体管13可以为蚀刻阻挡型、背沟道蚀刻型或顶栅薄膜晶体管型等结构，具体没有限制。例如，顶栅薄膜晶体管可以包括位于所述衬底11上的有源层121、位于所述有源层121上的栅绝缘层122、位于所述栅绝缘层122上的栅极层123、位于所述栅极层123上的间绝缘层124、位于所述间绝缘层124上的源漏极层125、以及位于所述源漏极层125上的平坦层126。上述顶栅薄膜晶体管不限于单栅极结构，还可以设置为双栅极结构等。
[0103]
s20、在所述衬底11基板上形成发光功能层200；
[0104]
在本实施例中，步骤s20可以包括：
[0105]
s201、在所述阵列基板10上形成阳极层201；
[0106]
请参阅图9b，所述阳极层201可以由三层金属构成，例如氧化铟锡、金属银以及氧化铟锡的叠层结构，所述阳极层201包括多个阳极，一个所述阳极与一个显示面板100的子像素对应。
[0107]
在形成所述阳极层201之后，还包括：在所述阳极层201上形成像素定义层40。
[0108]
请参阅图9c，所述像素定义层40经图案化处理形成多个像素开口401，所述像素开口401使部分所述阳极裸露。
[0109]
s202、在阳极层201上形成第一补偿材料层，以及对所述第一补偿材料层进行空穴型掺杂物掺杂，以形成第一补偿层31；
[0110]
请参阅图9d，所述第一补偿层31位于所述像素开口401内。同时，所述第一补偿层31也可以在形成像素定义层40之前进行沉积，即可以将裸露的部分阳极层201覆盖。
[0111]
所述第一补偿层31可以通过掺杂至少一种有机物/无机物，并利用共混或掺杂等工艺制备，所述第一补偿层31可以包括空穴型掺杂物，例如hat
‑
cn(见图10)、f4
‑
tcnq(见图11)、sbcl5(五氯化锑)或fecl3(三氯化铁)等。
[0112]
在本实施例中，所述第一补偿层31的膜层厚度可以为5nm至80nm。对于当前显示面板100的制程工艺，当第一补偿层31的膜层厚度小于5nm时，膜层厚度过于单薄，蒸镀工艺难度较大，所形成的膜层可能会出现非连续的情况；当第一补偿层31的膜层厚度大于80nm时，膜层厚度过大，可能导致发光单元20的微腔效应失效，影响发光单元20的发光效率。
[0113]
在本实施例中，所述第一补偿层31的膜层厚度可以为15nm至30nm。
[0114]
在本实施例中，所述第一补偿层31中掺杂物的浓度可以为0.5％至20％。对于当前
显示面板100的制程工艺，当所述第一补偿层31中掺杂物的浓度小于0.5％时，掺杂物的浓度过低可能导致膜层中掺杂物的分布不均，降低制程的稳定性；当所述第一补偿层31中掺杂物的浓度大于20％时，可能因掺杂物的掺杂浓度过高而影响发光单元20的发光效率和发光寿命。
[0115]
在本实施例中，所述第一补偿层31中掺杂物的浓度可以为1％至6％。
[0116]
s203、在所述第一补偿层31上形成多个发光单元20；
[0117]
请参阅图9e，在本实施例中，所述发光功能层200可以包括第一发光单元21、第二发光单元22和第三发光单元23，所述第一发光单元21、所述第二发光单元22和所述第三发光单元23的发光颜色互不相同，例如所述第一发光单元21可以为红色发光单元，所述第二发光单元22可以为绿色发光单元，所述第三发光单元23可以为蓝色发光单元。
[0118]
s204、在多个所述发光单元20上形成阴极层204；
[0119]
请参阅图9f，在本实施例中，所述阴极层204的材料可以为yb、ca、mg、ag中的至少一种，例如，ag和mg以10:1的比例形成的agmg合金，所述阴极层204的厚度可以为8nm至20nm。
[0120]
在本实施例中，空穴型掺杂物具有较强的吸电子基团，而当阳极层201和阴极层204输入对应电压时，空穴型掺杂物中的一个吸电子基团可以从所述电学补偿层30中吸走一个电子以及保留一个空穴，保留的空穴在阳极层201和阴极层204的电压作用下通过空穴传输层206传输至所述第二发光单元22中，且与从阴极层204传输过来的电子结合以产生光源。
[0121]
在本实施例中，所述第一补偿层31相当于对所述第一发光单元21的启动电压进行补偿。
[0122]
在本实施例中，第一补偿层31的厚度和第一补偿层31中掺杂物的含量与对应的补偿电压呈正相关。例如，所述第一补偿层31的厚度越厚，在相同比例的情况下掺杂物的含量越多，所述第一补偿层31对第一发光单元21的补偿电压越大，因此本实施例可以根据不同子像素的漏电情况，对所述电学补偿的厚度进行适应性调整。
[0123]
在本实施例中，请参阅图9g，步骤s20还可以包括：
[0124]
s211、在所述阵列基板10上形成阳极层201；
[0125]
s212、在所述阳极层201上形成多个发光单元20；
[0126]
s213、在多个所述发光单元20上形成第一补偿材料层，以及对所述第一补偿材料层进行电子型掺杂物掺杂，以形成第一补偿层31；
[0127]
s214、在所述第一补偿层31上形成阴极层204；
[0128]
在本实施例中，所述第一补偿层31可以通过掺杂至少一种有机物/无机物，并利用共混或掺杂等工艺制备，所述第一补偿层31可以包括电子型掺杂物，例如碱金属或碱金属盐。
[0129]
在本实施例中，电子型掺杂物具有较强的吸空穴基团，而当阳极层201和阴极层204输入对应电压时，电子型掺杂物中的一个吸空穴基团可以从所述第二补偿子层中吸走一个空穴以及保留一个电子，保留的电子在阳极层201和阴极层204的电压作用下通过电子传输层207传输至所述第一发光单元21中，且与从阳极层201传输过来的空穴结合以产生光源；因此，所述第一补偿层31相当于对所述第一发光单元21的启动电压进行补偿。
[0130]
s30、在所述发光功能层200上形成封装层300。
[0131]
请参阅图9h，在本实施例中，所述封装层300可以为薄膜封装层，其可以包括第一无机层、位于所述第一无机层上的第一有机层、以及位于所述第一有机层上的第二无机层。具体结构此处不再赘述。
[0132]
在本实施例中，请参阅图6，所述发光功能层200还可以包括腔长调节层202，所述腔长调节层202可以通过蒸镀工艺形成于阳极层201上，具体工艺和结构请参阅上述描述。
[0133]
本技术还提出了一种显示模组，其中，所述显示模组包括上述显示面板、设置于所述显示面板上的偏光片层、及设置于所述偏光片层上的盖板层。
[0134]
本技术还提出了一种移动终端，所述移动终端包括终端主体和上述显示面板，所述终端主体和所述显示面板组合为一体。
[0135]
本技术提出了一种显示面板100，显示面板100的发光器件层80包括多个第一发光单元21和多个与第一发光单元21对应设置的第一补偿层31，第一补偿层31位于第一发光单元21的至少一侧，第一补偿层31的空穴传输速率大于空穴传输层206的空穴传输速率，和/或，第一补偿层31的电子传输速率大于电子传输层207的电子传输速率；本技术通过在发光单元的至少一侧设置补偿层，提高了发光单元中电子或/和空穴的传输速率，补偿了发光单元的启动电压，改善了显示面板100在低灰阶时出现色偏的技术问题。
[0136]
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
[0137]
以上对本技术实施例所提供的一种显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例的技术方案的范围。