显示面板和显示设备的制作方法

1.本技术涉及显示领域，尤其涉及一种显示面板和显示设备。


背景技术：

2.柔性有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)显示屏具有轻薄、可弯折、低功耗和高像素分辨率等优点。在智能家电和可穿戴设备等方面具有广泛的应用前景。而现有的显示面板难以实现大尺寸柔性显示。因此，需要提出一种解决方案，以实现大尺寸显示面板的柔性显示。


技术实现要素：

3.本技术的目的在于提供一种显示面板和显示设备，以实现显示面板和显示设备的大尺寸柔性显示。
4.一种显示面板，包括：
5.衬底，所述衬底的材料为金属；
6.第一缓冲层，所述第一缓冲层设置在所述衬底的一侧；
7.驱动电路层，所述驱动电路层设置在所述第一缓冲层远离所述衬底的一侧；
8.发光结构层，所述发光结构层设置在所述驱动电路层远离所述第一缓冲层的一侧；
9.封装结构层，所述封装结构层覆盖所述发光结构层。
10.在一些实施例中，所述衬底的厚度为100微米至150微米。
11.在一些实施例中，所述显示面板还包括第二缓冲层，所述第二缓冲层设置在所述封装结构层远离所述发光结构层的一侧。
12.在一些实施例中，所述第二缓冲层包括依次层叠设置在所述封装结构层上的基材、阻挡层和光学胶层，所述第二缓冲层的光透过率大于90％。
13.在一些实施例中，所述显示面板还包括阻隔层，所述阻隔层设置在所述第一缓冲层与所述驱动电路层之间，所述阻隔层的厚度为500纳米至1000纳米。
14.在一些实施例中，所述显示面板还包括平坦化层，所述平坦化层设置在所述驱动电路层与所述发光结构层之间，所述平坦化层的厚度为3微米至5微米。
15.在一些实施例中，所述发光结构层包括阳极层、像素定义层、发光层以及阴极层，所述阳极层设置在所述驱动电路层远离所述第一缓冲层的一侧，所述像素定义层设置在所述阳极层远离所述驱动电路层的一侧，所述像素定义层具有开口，所述开口暴露出所述阳极层，所述发光层设置在所述开口内，所述阴极层覆盖所述发光层和所述像素定义层。
16.在一些实施例中，所述显示面板还包括光取出层，所述光取出层设置在所述发光结构层与所述封装结构层之间，所述光取出层的折射率为1.8
‑
2.0。
17.在一些实施例中，所述封装结构层包括依次层叠设置的第一封装层、第二封装层和第三封装层，所述第一封装层的折射率为1.5
‑
1.9，所述第二封装层的折射率为1.2
‑
1.6，
所述第三封装层的折射率为1.5
‑
1.9。
18.本技术还提供一种显示设备，所述显示设备包括终端主体和如前所述的显示面板，所述显示面板设置在所述终端主体上。
19.本技术提供一种显示面板和显示设备。显示面板包括衬底、第一缓冲层、驱动电路层、发光结构层和封装结构层。衬底的材料为金属。第一缓冲层设置在衬底的一侧。驱动电路层设置在第一缓冲层远离衬底的一侧。发光结构层设置在驱动电路层远离第一缓冲层的一侧。封装结构层覆盖发光结构层。本技术提供的显示面板和显示设备可以实现大尺寸柔性显示。
附图说明
20.为了更清楚地说明本技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
21.图1为本技术实施例提供的显示面板的结构示意图。
22.图2为本技术提供的显示面板的第一种实施例沿aa’线的剖面图。
23.图3为本技术提供的显示面板的第二种实施例沿aa’线的剖面图。
24.图4为本技术实施例提供的显示面板的制备方法的流程图。
25.图5为本技术实施例提供的显示设备的结构示意图。
具体实施方式
26.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
27.需要说明的是，本技术所提到的[第一]、[第二]和[第三]等序号用语并不代表任何顺序、数量或者重要性，只是用于区分不同的部分。本技术所提到的[上]和[下]等方向用语仅是参考附加图式的方向。因此，使用的序号用语、方向用语和位置关系用语是用以说明及理解本技术，而非用以限制本技术。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
[0028]
本技术实施例提供一种显示面板，下面将结合具体实施例对本技术进行详细说明。
[0029]
请参阅图1
‑
2，图1为本技术实施例提供的显示面板的结构示意图。图2为本技术提供的显示面板的第一种实施例沿aa’线的剖面图。
[0030]
显示面板100包括衬底10、第一缓冲层11、驱动电路层12、发光结构层13和封装结构层14。衬底10的材料为金属。第一缓冲层11设置在衬底10的一侧。驱动电路层12设置在第一缓冲层11远离衬底10的一侧。发光结构层13设置在驱动电路层12远离第一缓冲层11的一侧。封装结构层14覆盖发光结构层13。
[0031]
其中，衬底10的材料为金属。衬底10的材料可以为铁镍合金、铁钴合金或铁硅合金。本技术以衬底10的材料为铁镍合金为例，并不能限制本技术。铁镍合金包括占铁镍合金总质量百分比为36％的镍、63.8％的铁和0.2％的碳。铁镍合金具有极低的热膨胀系数和抗
腐蚀的性能。本技术通过将铁镍合金作为显示面板100的衬底10可以实现显示面板100的大尺寸柔性显示。同时，本技术通过将铁镍合金作为显示面板100的衬底10还可以实现显示面板100的整面散热，提高显示面板100的散热性能。
[0032]
第一缓冲层11可以通过一次或多次刮涂(coating)的方式形成。具体的，可以将衬底10固定在磁性夹具(jig)中，通过一次或多次刮涂(coating)在衬底10上形成第一缓冲层11。第一缓冲层11的厚度为6微米至12微米。第一缓冲层11的厚度可以为6微米、7微米、8微米、9微米、10微米、11微米或12微米。第一缓冲层11可以由绝缘的塑料形成。第一缓冲层11可以由聚酰亚胺(pi)、聚乙烯(pe)和聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)的一种或多种形成。本技术以第一缓冲层11的材料为pi为例，并不能限制本技术。
[0033]
第一缓冲层11具有绝缘作用，可以避免驱动电路层12与衬底10上的金属发生短路造成显示不良。因此，当第一缓冲层11的厚度过小时，可能会造成驱动电路层12与衬底10上的金属发生短路。当第一缓冲层11的厚度过大时，不利于显示面板100实现柔性显示。因此，本技术将第一缓冲层11的厚度控制在6微米至12微米，可以避免驱动电路层12与衬底10上的金属发生短路以及可以实现显示面板100的大尺寸柔性显示。
[0034]
此外，第一缓冲层11还可以增强显示面板100的弯曲强度，缓冲弯曲应力。衬底10和第一缓冲层11可以作为显示面板100的柔性基板。因此，本技术提供的显示面板100可以实现大尺寸柔性显示。
[0035]
驱动电路层12包括多个薄膜晶体管。发光结构层包括多个发光单元。薄膜晶体管与发光单元对应连接，从而实现显示面板100的发光。
[0036]
本技术通过设置覆盖发光结构层13的封装结构层14，可以防止外界的水氧对发光结构层13产生影响，进而提高显示面板100的寿命。
[0037]
在一些实施例中，衬底10的厚度为100微米至150微米。
[0038]
衬底10的厚度可以为100微米、110微米、120微米、130微米、140微米或150微米。可以理解的是，当衬底10的厚度过大时，不利于显示面板100实现大尺寸柔性显示。当衬底10的厚度过小时，衬底10难以支撑显示面板100。本技术通过控制衬底10的厚度为100微米至150微米，可以实现显示面板100的柔性显示。
[0039]
在一些实施例中，显示面板100还包括第二缓冲层15。第二缓冲层15设置在封装结构层14远离发光结构层13的一侧。
[0040]
第二缓冲层15可以隔绝水氧。本技术通过在封装结构层14远离发光结构层13的一侧设置第二缓冲层15可以进一步增强显示面板100的封装效果，从而提高显示面板100封装的可靠性。
[0041]
在一些实施例中，显示面板100还包括阻隔层16。阻隔层16设置在第一缓冲层11与驱动电路层12之间。阻隔层16的厚度为500纳米至1000纳米。阻隔层16的厚度可以为500纳米、600纳米、700纳米、800纳米、900纳米或1000纳米。阻隔层16可以由sio
x
、sion或sin
x
中的一种或多种形成。阻隔层16可以采用等离子体增强化学气相沉积法(pecvd)形成。
[0042]
本技术通过在第一缓冲层11与驱动电路层12之间设置阻隔层16，可以防止pi中溢出的气体损伤驱动电路层12，从而可以提高显示面板100的稳定性。可以理解的是，当阻隔层16的厚度过小时，难以阻挡pi中溢出的气体，从而损伤驱动电路层12。当阻隔层16的厚度过大时，不利于显示面板100实现大尺寸柔性显示。
[0043]
在一些实施例中，显示面板100还包括平坦化层17。平坦化层17设置在驱动电路层12与发光结构层13之间。平坦化层17的厚度为3微米至5微米。平坦化层17的厚度可以为3微米、4微米或5微米。平坦化层17可以由有机光阻材料形成。平坦化层17可以由丙烯酸树脂(aa)、环氧树脂(ep)、酚醛树脂(pf)、聚酰胺树脂(pa)或pi等有机材料中的一种或多种形成。
[0044]
本技术通过将平坦化层17设置在驱动电路层12与发光结构层13之间，可以改善驱动电路层12的平整度，有利于后续制备发光结构层13，进而提高显示面板100的产品良率。可以理解的是，当平坦化层17的厚度过小时，难以在驱动电路层12上形成平整表面。当平坦化层17的厚度过大时，不利于显示面板100实现大尺寸柔性显示。因此，本技术将平坦化层17的厚度控制在3微米至5微米。
[0045]
在一些实施例中，发光结构层13包括阳极层131、像素定义层132、发光层133以及阴极层134。阳极层131设置在驱动电路层12远离第一缓冲层11的一侧。像素定义层132设置在阳极层131远离驱动电路层12的一侧。像素定义层132具有开口1321。开口1321暴露出阳极层131。发光层133设置在开口1321内。阴极层134覆盖发光层133和像素定义层132。
[0046]
其中，阳极层131可以由氧化铟锡(ito)、银(ag)、铝(al)、或钼(mo)等金属或金属氧化物的一种或几种形成。像素定义层132可以由有机光阻材料形成。像素定义层132可以由aa、ep、pf、pa或pi等有机材料中的一种或多种形成。像素定义层132可以通过喷墨打印或蒸镀的方法制备。发光层133可以由有机材料和/或无机材料形成。发光层133可以通过蒸镀或喷墨打印的方式形成。发光层133可以产生预设颜色的光。阴极层134可以由透明金属材料形成。阴极层134可以由mg：al、mg：al
‑
ito、lif/al－ito形成。阴极层134可以通过磁控溅射的方式或物理气相沉积的方式形成。
[0047]
在一些实施例中，显示面板100还包括光取出层18。光取出层18设置在发光结构层13与封装结构层14之间。光取出层18的折射率为1.8
‑
2.0。
[0048]
光取出层18的折射率可以为1.8、1.9或2.0。光取出层18可以通过蒸镀的方式形成。光取出层18的厚度为10纳米至20纳米。光取出层18的厚度可以为10纳米、15纳米或20纳米。光取出层18可以由有机材料形成。光取出层18的材料可以包括聚(3,4
‑
乙撑二氧噻吩)(pedot)、4,4
’‑
双[n
‑
(3
‑
甲基苯基)
‑
n
‑
苯基氨基]联苯(tpd)、4，4’，4
”‑
三[(3
‑
甲基苯基)苯基氨基]三苯胺(m
‑
mtdata)、1，3，5
‑
三[n，n
‑
双(2
‑
甲基苯基)
‑
氨基]
‑
苯(o
‑
mtdab)、1，3，5
‑
三[n，n
‑
双(3
‑
甲基苯基)
‑
氨基]
‑
苯(m
‑
mtdab)、1，3，5
‑
三[n，n
‑
双(4
‑
甲基苯基)
‑
氨基]
‑
苯(p
‑
mtdab)、4，4
’‑
双[n，n
‑
双(3
‑
甲基苯基)
‑
氨基]
‑
二苯基甲烷(bppm)、4，4
’‑
二咔唑基
‑
1,1
’‑
联苯(cbp)、4，4’，4
”‑
三(n
‑
咔唑)三苯胺(tcta)、2，2’，2
”‑
(1,3,5
‑
苯)三
‑
[1
‑
苯基
‑
1h
‑
苯基咪唑](tpbi)或3
‑
(4
‑
联苯基)
‑4‑
苯基
‑5‑
叔丁基苯基
‑
1,2,4
‑
三唑(taz)中的一种或多种。
[0049]
光取出层18可以调节腔长，改善显示面板100的视角和光色作用。光取出层18可以保护阴极层134免受诸如溅射工艺的后续的工艺的影响。光取出层18可以提高发光层133的光取出率。同时，本技术通过控制光取出层18的折射率为1.8
‑
2.0，还可以提高发光层133的光出射率，从而提高显示面板100的发光效率。
[0050]
在一些实施例中，封装结构层14包括依次层叠设置的第一封装层141、第二封装层142和第三封装层143。第一封装层141的折射率为1.5
‑
1.9。第二封装层142的折射率为1.2
‑
1.6。第三封装层143的折射率为1.5
‑
1.9。
[0051]
第一封装层141的折射率可以为1.5、1.6、1.7、1.8或1.9。第二封装层142的折射率可以为1.2、1.3、1.4、1.5或1.6。第三封装层143的折射率可以为1.5、1.6、1.7、1.8或1.9。第一封装层141的厚度为500纳米至1000纳米。第一封装层141的厚度可以为500纳米、600纳米、700纳米、800纳米、900纳米或1000纳米。第二封装层142的厚度为3微米至5微米。第二封装层142的厚度可以为3微米、4微米或5微米。第三封装层143的厚度为500纳米至1000纳米。第三封装层143的厚度可以为500纳米、600纳米、700纳米、800纳米、900纳米或1000纳米。可以理解的是，当第一封装层141、第二封装层142或第三封装层143的厚度过小时，难以实现对显示面板100的封装。当第一封装层141、第二封装层142或第三封装层143的厚度过大时，不利于显示面板100实现大尺寸柔性显示。
[0052]
第一封装层141和第三封装层143可以为无机材料层。第二封装层142可以为有机材料层。第一封装层141和第三封装层143可以由sio
x
、sion和sin
x
的一种或多种形成。第一封装层141和第三封装层143还可以包括氧化钛(tio
x
)、氧化锆(zro
x
)、氧化锌(zno
x
)或氧化铝(alo
x
)中的一种或多种。第二封装层142可以由亚克力系或环氧树脂类材料形成。第二封装层142可以由ep、pi、pet、聚碳酸酯(pc)、pe或聚丙烯酸甲酯(pma)等形成。第二封装层142可以通过喷墨打印的方式形成。
[0053]
第一封装层141和第三封装层143可以保护发光结构层13免受湿气和水氧的影响。第二封装层142可以保护发光结构层13免受灰尘颗粒的异物的影响。第一封装层141和第三封装层143中的sio
x
或sion可以增加第一封装层141与第二封装层142的粘附力以及第二封装层142与第三封装层143的黏附力。第二封装层142为有机材料层可以阻隔水氧，提高显示面板100的寿命。
[0054]
本技术通过控制第一封装层141和第三封装层143的折射率为1.5
‑
1.9，第二封装层142的折射率为1.2
‑
1.6，可以提高发光结构层13的光取出率，从而提高显示面板100的发光效率。
[0055]
请参阅图3，图3为本技术提供的显示面板的第二种实施例沿aa’线的剖面图。
[0056]
在一些实施例中，第二缓冲层15包括依次层叠设置在封装结构层14上的基材151、阻挡层152和光学胶层153。第二缓冲层15的光透过率大于90％。
[0057]
第二缓冲层15由基材151、阻挡层152和光学胶层153通过贴合的方式形成。第二缓冲层15还可以包括透明吸水层(图中未示出)。形成透明吸水层的材料可以为树脂。
[0058]
基材151可以由柔性透明材料形成。基材151可以由pet或环烯烃聚合物(cop)中的一种或两种形成。基材151的厚度为20微米至100微米。基材151的厚度可以为20微米、30微米、40微米、50微米、60微米、70微米、80微米、90微米或100微米。可以理解的是，当基材151的厚度过小时，难以提高显示面板100的封装效果。当基材151的厚度过大时，不利于显示面板100实现大尺寸柔性显示。
[0059]
阻挡层152可以由无机材料、金属或金属氧化物的一种或多种形成。阻挡层152可以由sio
x
、sion、sin
x
、cu或al2o3的一种或多种形成。阻挡层152的厚度为0.5微米至10微米。阻挡层152的厚度可以为0.5微米、1微米、2微米、3微米、4微米、5微米、6微米、7微米、8微米、9微米或10微米。可以理解的是，当阻挡层152的厚度过小时，难以提高显示面板100的封装效果。当阻挡层152的厚度过大时，不利于显示面板100实现大尺寸柔性显示。
[0060]
光学胶(oca)层153的光透过率大于90％。oca层153的厚度为20微米至60微米。oca层153的厚度可以为20微米、30微米、40微米、50微米或60微米。可以理解的是，当oca层153的厚度过小时，难以提高显示面板100的封装效果。当oca层153的厚度过大时，不利于显示面板100实现大尺寸柔性显示。本技术采用光透过率大于90％的光学胶(oca)层153，可以提高显示面板100的发光效率。
[0061]
第二种实施例提供的显示面板的其他部分的结构与第一种实施例提供的显示面板的相同，在此不在赘述。
[0062]
请参阅图4，图4为本技术实施例提供的显示面板的制备方法的流程图。
[0063]
结合图2，本技术提供一种显示面板的制备方法，包括：
[0064]
步骤b10：提供一衬底，所述衬底的材料为金属。
[0065]
衬底10的材料可以为铁镍合金、铁钴合金或铁硅合金。本技术以衬底10的材料为铁镍合金为例，并不能限制本技术。
[0066]
步骤b20：在所述衬底的一侧依次形成第一缓冲层、阻隔层、驱动电路层和平坦化层。
[0067]
第一缓冲层11的材料可以为绝缘的塑料。第一缓冲层11可以由pi、pe或pet形成。本技术以第一缓冲层11的材料为pi为例，并不能限制本技术。第一缓冲层11可以通过一次或多次刮涂的方式形成。具体的，可以将衬底10固定在磁性夹具(jig)中，通过一次或多次刮涂(coating)在衬底上形成第一缓冲层11。阻隔层16可以由sio
x
、sion或sin
x
中的一种或多种形成。阻隔层16可以采用等离子体增强化学气相沉积法(pecvd)形成。驱动电路层12包括多个薄膜晶体管(图中未示出)。平坦化层17可以由有机光阻材料形成。
[0068]
步骤b30：在所述平坦化层远离所述驱动电路层的一侧形成发光结构层，所述发光结构层包括阳极层、像素定义层、发光层和阴极层，所述像素定义层包括一开口，所述发光层设置在所述开口内，阴极层覆盖所述发光层和像素定义层。
[0069]
阳极层131可以由ito、ag、al、或mo等金属或金属氧化物的一种或几种形成。阳极层131可以通过磁控溅射的方式形成。像素定义层132可以由有机光阻材料形成。像素定义层132可以通过喷墨打印或蒸镀的方法制备。发光层133可以包括有机材料和/或无机材料。发光层133可以通过蒸镀或喷墨打印的方式形成。阴极层134可以由透明金属材料形成。阴极层134可以由mg：al、mg：al
‑
ito、lif/al－ito形成。阴极层134可以通过磁控溅射的方式或物理气相沉积的方式形成。
[0070]
步骤b40：在所述发光结构层远离所述平坦化层的一侧形成光取出层。
[0071]
光取出层18的材料可以包括pedot、tpd、m
‑
mtdata、m
‑
mtdab、o
‑
mtdab、p
‑
mtdab、bppm、cbp、tcta、tpbi或taz中的一种或多种。光取出层18可以通过蒸镀的方式形成。
[0072]
步骤b50：在所述光取出层远离所述发光结构层的一侧形成封装结构层，所述封装结构层包括依次层叠设置的第一封装层、第二封装层和第三封装层。
[0073]
第一封装层141和第三封装层143可以为无机材料层。第二封装层142可以为有机材料层。第一封装层141和第三封装层143可以由sio
x
、sion和sin
x
的一种或多种形成。第一封装层141和第三封装层143还可以包括tio
x
、zro
x
、zno
x
或alo
x
等。第二封装层142可以由亚克力系或环氧树脂类材料形成。第二封装层142可以由ep、pi、pet、pc、pe或pma等形成。第一封装层141和第三封装层143可以通过化学气相沉积的方式形成。第二封装层142可以通过
喷墨打印的方式形成。
[0074]
步骤b60：在所述封装结构层远离所述光取出层的一侧形成第二缓冲层，所述第二缓冲包括依次层叠设置在封装结构层上的基材、阻挡层和光学胶层。
[0075]
第二缓冲层15可以由基材151、阻挡层152和光学胶层153通过贴合的方式形成。
[0076]
本技术实施例提供的显示面板的制备方法，可以实现显示面板100的大尺寸柔性显示。
[0077]
请参阅图5，图5为本技术实施例提供的显示设备的结构示意图。
[0078]
本技术还提供一种显示设备1000。显示设备1000包括终端主体200和如前任一实施例所述的显示面板100。显示面板100设置在终端主体200上。
[0079]
本技术提供一种显示面板和显示设备。显示面板括衬底、第一缓冲层、驱动电路层、发光结构层和封装结构层。衬底的材料为金属。第一缓冲层设置在衬底的一侧。驱动电路层设置在第一缓冲层远离衬底的一侧。发光结构层设置在驱动电路层远离第一缓冲层的一侧。封装结构层覆盖发光结构层。本技术提供的显示面板和显示设备可以实现大尺寸柔性显示。
[0080]
综上所述，虽然本技术实施例的详细介绍如上，但上述实施例并非用以限制本技术，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术实施例的技术方案的范围。