一种TC-SAW复合衬底及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种tc-saw复合基板，其特征在于，所述tc-saw复合基板依次包括衬底层(1)、功能层(2)和压电薄膜层(3)，其中，所述功能层(2)内具有电子捕获腔，所述功能层(2)的厚度为50nm～5μm。2.根据权利要求1所述的tc-saw复合衬底，其特征在于，在所述功能层(2)中，自压电面至衬底面，所述电子捕获腔的密度逐渐减小，其中，所述压电面为所述功能层(2)与压电薄膜层(3)的键合面，所述衬底面为所述功能层(2)与所述衬底层(1)的键合面；优选地，在所述压电面上，所述电子捕获腔的密度为9
×
10
21
～9
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个/cm3；和/或，在所述衬底面上，所述电子捕获腔的密度为8
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10
19
～1
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个/cm3。3.根据权利要求1或2所述的tc-saw复合衬底，其特征在于，用于制备所述功能层的材料包括多晶硅、非晶硅。4.根据权利要求1至3任一项所述的tc-saw复合衬底，其特征在于，所述功能层的厚度为100nm～2μm。5.根据权利要求1至4任一项所述的tc-saw复合衬底，其特征在于，形成所述功能层(2)的方式包括沉积或者离子轰击。6.一种制备权利要求1至5任一项所述tc-saw复合衬底的方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基片(1’)上制备功能层；将压电基片(3’)与衬底基片(1’)上的功能层进行键合，形成键合体；将键合体中的压电基片(3’)进行减薄处理，得到所述tc-saw复合衬底。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在衬底基片(1’)上制备功能层包括：在衬底基片(1’)上沉积功能层；对所述功能层进行抛光。8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在衬底基片(1’)上制备功能层包括：对衬底基片(1’)的键合面进行离子轰击形成功能层；对所述功能层进行抛光。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述离子轰击包括向衬底基片(1’)的键合面内进行离子注入，所注入的离子包括氢离子和氦离子等，离子注入的剂量为8
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10
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～9
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atoms/cm2。10.根据权利要求6至9任一项所述的方法，其特征在于，所述减薄处理的方式包括研磨或者离子注入分离。

技术总结
本申请公开了一种TC


技术研发人员：李洋洋 李真宇 张秀全 张涛 杨超
受保护的技术使用者：济南晶正电子科技有限公司
技术研发日：2020.05.08
技术公布日：2021/11/8