半导体结构和半导体结构的形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括第一区和第二区，以及位于所述第一区的衬底表面的源极掺杂层；位于所述源极掺杂层上的垂直纳米线；位于所述垂直纳米线侧壁面以及所述第二区衬底表面的栅极结构。2.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述衬底表面和所述源极掺杂层之间的缓冲层。3.如权利要求2所述半导体结构，其特征在于，所述缓冲层的材料与所述源极掺杂层的材料不同。4.如权利要求3所述半导体结构，其特征在于，所述缓冲层的材料包括硅锗。5.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述源极掺杂层表面的介质层，所述介质层包围所述栅极结构，所述介质层包括位于第一区和第二区上的第一介质层，部分所述栅极结构位于所述第一介质层表面，并且，在所述第二区的衬底与所述第一介质层之间具有开口。6.如权利要求5所述半导体结构，其特征在于，所述介质层还包括位于所述第一介质层表面、所述衬底表面以及所述栅极结构表面的第二介质层，所述第二介质层表面低于所述垂直纳米线顶面。7.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述源极掺杂层上的第一电互连结构，所述第一电互连结构与所述源极掺杂层电互连；位于所述垂直纳米线顶部的第二电互连结构，所述第二电互连结构与所述垂直纳米线电互连；位于所述第二区的衬底表面的栅极结构上的第三电互连结构，所述第三电互连结构与所述栅极结构电互连。8.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区和第二区；在所述第一区的衬底表面形成源极掺杂层；在所述源极掺杂层上形成垂直纳米线；在所述垂直纳米线侧壁面以及所述第二区衬底表面形成栅极结构。9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述源极掺杂层的方法包括：在形成所述垂直纳米线之前，在所述衬底表面形成源极掺杂材料层；在形成所述源极掺杂材料层之后，去除所述第二区的源极掺杂材料层。10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述源极掺杂层表面形成介质层，所述介质层包围所述栅极结构，形成所述介质层的方法包括：在所述第一区和第二区上形成第一介质层，部分所述栅极结构位于所述第二区的第一介质层表面，并且，所述第二区的第一介质层与衬底之间具有开口。11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述介质层的方法还包括：在形成所述第一介质层之后，在所述第一介质层表面、所述衬底表面以及所述栅极结构表面形成第二介质层，所述第二介质层表面低于所述垂直纳米线顶面。12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述栅极结构的方法包括：在形成所述第一介质层之前，在所述垂直纳米线表面和所述第二区的源极掺杂材料层表面形成初始栅极结构；在形成所述第二介质层之后，以所述第二介质层为掩膜，回刻蚀所述初始栅极结构，直至暴露出所述垂直纳米线顶面及部分侧壁面。
13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一介质层的方法包括：在形成所述垂直纳米线之后，并且在形成所述初始栅极结构之前，在所述源极掺杂材料层表面形成第一介质材料层；在形成所述初始栅极结构之后，在所述初始栅极结构表面，以及所述第一区和第二区的第一介质材料层表面形成第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一介质材料层，直至暴露出所述源极掺杂材料层表面。14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除第二区的源极掺杂材料层的方法包括：在形成所述第一介质层之后，以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述源极掺杂材料层，直至暴露出所述衬底表面，以形成初始源极掺杂层；在形成所述初始源极掺杂层之后，继续以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀第二区表面的初始源极掺杂层，直至在所述第一介质层和所述第二区的衬底之间形成所述开口。15.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述初始源极掺杂材料层的工艺包括湿法刻蚀工艺，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液成分包括氢氟酸、过氧化氢和乙酸。16.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述源极掺杂材料层之前，在所述衬底表面形成缓冲层。

技术总结
一种半导体结构及半导体结构的形成方法，其中，半导体结构包括：衬底，所述衬底包括第一区和第二区，以及位于所述第一区的衬底表面的源极掺杂层；位于所述源极掺杂层上的垂直纳米线；位于所述垂直纳米线侧壁面以及所述第二区衬底表面的栅极结构。从而，提高了半导体结构的性能。的性能。的性能。


技术研发人员：周飞
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2020.05.06
技术公布日：2021/11/8