包含晶体管的设备和相关方法、存储器装置和电子系统与流程

技术特征：
1.一种设备，包括：第一导电结构；以及至少一个晶体管，所述至少一个晶体管与所述第一导电结构电连通并且包括：下导电触点，所述下导电触点耦合到所述第一导电结构；分裂体沟道，所述分裂体沟道在所述下导电触点上并且包括：第一半导体柱；以及第二半导体柱，所述第二半导体柱与所述第一半导体柱水平相邻；栅极结构，所述栅极结构水平地插入在所述分裂体沟道的所述第一半导体柱和所述第二半导体柱之间，所述栅极结构的部分围绕所述第一半导体柱和所述第二半导体柱的每一个的三个侧面；以及上导电触点，所述上导电触点垂直覆盖所述栅极结构并且耦合到所述分裂体沟道。2.根据权利要求1所述的设备，还包括水平地位于所述栅极结构与所述分裂体沟道的所述第一半导体柱和所述第二半导体柱的每一个的所述三个侧面之间的栅极电介质材料。3.根据权利要求1所述的设备，还包括垂直地介于所述栅极结构与所述上导电触点之间并且水平地介于所述栅极结构与所述上导电触点之间的电介质材料。4.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述第一半导体柱和所述第二半导体柱均包括至少一种氧化物半导体材料。5.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述分裂体沟道的所述第一半导体柱和所述第二半导体柱均垂直位于所述下导电触点上。6.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，还包括耦合到所述栅极结构和至少一个其它结构并从所述栅极结构和所述至少一个其它结构之间延伸的至少一个导电布线结构。7.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，还包括在未被所述栅极结构包围的所述第一半导体柱和所述第二半导体柱的每一个的侧面上的钝化材料。8.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述至少一个晶体管包括至少两个水平相邻的晶体管，导电材料水平地插入在所述至少两个水平相邻的晶体管之间并且与所述至少两个水平相邻的晶体管电绝缘。9.一种形成设备的方法，所述方法包括：形成在第一方向上延伸的导线；在所述导线上形成半导体柱结构；在至少两个所述半导体柱结构之间水平形成导电材料；形成垂直延伸穿过部分所述半导体柱结构和所述导电材料的开口，以将所述至少两个半导体柱结构中的每一个分隔成两个相对较小的半导体柱结构，并且由所述导电材料形成栅极结构，所述栅极结构的中心部分在横向于所述第一方向的第二方向上延伸；以及用电介质材料至少部分填充所述开口。10.根据权利要求9所述的方法，还包括在形成所述开口之前，在所述栅极结构与所述半导体柱结构之间形成栅极电介质材料。11.根据权利要求9或权利要求10所述的方法，还包括在所述导线与所述半导体柱结构之间垂直形成至少两个导电触点结构。12.根据权利要求9或权利要求10所述的方法，还包括：
在形成所述开口之前使所述导电材料凹陷；以及在所述凹陷的导电材料上形成电绝缘材料。13.根据权利要求9或权利要求10所述的方法，还包括用导电材料部分填充所述开口，所述导电材料被所述电介质材料水平包围。14.一种存储器装置，包括：存储单元，所述存储单元包括电耦合到存储元件的存取装置，所述存取装置包括：导电材料，所述导电材料包括在一个方向上延伸的细长部分和在与所述方向基本横向的另一个方向上延伸的横向突起；第一沟道区域，所述第一沟道区域与所述导电材料的第一侧面相邻；第二沟道区域，所述第二沟道区域与所述导电材料的第二侧面相邻，所述第二侧面与所述第一侧面相对；以及栅极电介质，所述栅极电介质在所述第一沟道区域与所述导电材料之间以及所述第二沟道区域与所述导电材料之间。15.根据权利要求14所述的存储器装置，其中所述第一沟道区域和所述第二沟道区域中的每一个在第一平面中和在与所述第一平面相交的第二平面中接触所述导电材料。16.根据权利要求14所述的存储器装置，还包括在与所述导电材料相对的一侧面上与所述第一沟道区域和所述第二沟道区域中的每一个相邻的钝化材料。17.根据权利要求16所述的存储器装置，其中所述第一沟道区域和所述第二沟道区域中的每一个包括氧化物半导体材料，并且所述钝化材料包括氮化硅材料或氧化钇材料中的至少一种。18.根据权利要求14至17中任一项所述的存储器装置，其中所述第一沟道区域和所述第二沟道区域中的每一个包括以下中的至少一种：zto、izo、zno
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、ingasio或iwo。19.根据权利要求14至17中任一项所述的存储器装置，其中所述导电材料的所述横向突起在第一侧面和相对的第二侧面从其所述细长部分延伸，所述第一侧面的所述横向突起在相邻晶体管的相应第一沟道区域的水平相邻部分之间延伸，并且所述第二侧面的所述横向突起在相邻晶体管的相应第二沟道区域的水平相邻部分之间延伸。20.根据权利要求14至17中任一项所述的存储器装置，还包括屏蔽材料和水平分隔相邻存取装置的至少一种电介质材料。21.一种电子系统，包括：至少一个输入装置；至少一个输出装置；至少一个处理器装置，所述至少一个处理器装置可操作地耦合到所述至少一个输入装置和所述至少一个输出装置；以及存储器装置，所述存储器装置可操作地耦合到所述至少一个处理器装置，所述存储器装置包括：晶体管阵列，所述晶体管阵列的至少一个晶体管包括：栅极结构，所述栅极结构覆盖导电触点；
第一柱结构，所述第一柱结构与所述栅极结构的第一横向侧面水平相邻；第二柱结构，所述第二柱结构与和所述第一横向侧面相对的所述栅极结构的第二横向侧面水平相邻，所述栅极结构位于所述第一柱结构与所述第二柱结构之间；以及钝化材料，所述钝化材料在与所述栅极结构相对的一侧面与所述第一柱结构和所述第二柱结构中的每一个相邻，所述钝化材料与所述栅极结构的部分直接物理接触。

技术总结
本申请涉及包含晶体管的设备和相关方法、存储器装置和电子系统。该设备包括第一导电结构和与第一导电结构电连通的至少一个晶体管。该至少一个晶体管包括耦合到第一导电结构的下导电触点和在下导电触点上的分裂体沟道。分裂体沟道包括第一半导体柱和与第一半导体柱水平相邻的第二半导体柱。该至少一个晶体管还包括水平插入在分裂体沟道的第一半导体柱和第二半导体柱之间的栅极结构，以及垂直覆盖栅极结构并耦合到分裂体沟道的上导电触点。栅极结构的部分围绕第一半导体柱和第二半导体柱的每一个的三个侧面。的每一个的三个侧面。的每一个的三个侧面。


技术研发人员：杨立涛 S
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2021.04.30
技术公布日：2021/11/8