激光退火装置和电子器件的制造方法与流程

1.本公开涉及激光退火装置和电子器件的制造方法。


背景技术：

2.在使用玻璃基板的平板显示器的驱动元件中使用薄膜晶体管(tft：thin film transistor)。为了实现高精细显示器，需要制作驱动力高的tft。在tft的沟道材料即半导体薄膜中使用多晶硅、igzo(indium gallium zinc oxide：铟镓锌氧化物)等。与非晶硅相比，多晶硅、igzo的载流子迁移率高，晶体管的导通/截止特性优异。
3.此外，半导体薄膜还期待应用于3d
‑
ic，该3d
‑
ic实现更高功能的器件。3d
‑
ic通过在集成电路器件的最上层形成传感器、放大电路、cmos电路等有源元件来实现。因此，要求制造更高品质的半导体薄膜的技术。
4.进而，随着信息终端设备的多样化，针对小型、轻量、消耗电力少且能够自由折曲的柔性显示器、柔性计算机的要求正在提高。因此，要求确立在pet(polyethylene terephthalate：聚对苯二甲酸乙二醇酯)等塑料基板上形成高品质的半导体薄膜的技术。
5.为了在玻璃基板上、集成电路上或塑料基板上形成高品质的半导体薄膜，需要以不对这些基板造成热损伤的方式进行半导体薄膜的晶化。在显示器所使用的玻璃基板中要求400℃以下的工艺温度，在集成电路中要求400℃以下的工艺温度，在作为塑料基板的pet中要求200℃以下的工艺温度。
6.作为以不对半导体薄膜的基底基板造成热损伤的方式进行晶化的技术，使用激光退火法。在该方法中，为了抑制热扩散对基板的损伤，使用被上层的半导体薄膜吸收的脉冲紫外激光。
7.在半导体薄膜为硅的情况下，使用波长为351nm的xef准分子激光器、波长为308nm的xecl准分子激光器、波长为248nm的krf准分子激光器等。与固体激光器相比，这些紫外区域的气体激光器具有如下特征：激光的干涉性低，激光照射面中的能量均匀性优异，能够以高脉冲能量均匀地对宽区域进行退火。
8.现有技术文献
9.专利文献
10.专利文献1：国际公开第2008/120785号
11.专利文献2：日本特开2013
‑
54315号公报
12.专利文献3：日本特开2017
‑
151259号公报


技术实现要素：

13.本公开的一个观点的激光退火装置具有：激光装置，其输出激光；光学系统，其对沿着被加工物的面内的第1方向和与第1方向垂直的第2方向中的至少第2方向排列的多个被加工区域统一照射激光；相对移动装置，其使统一照射区域和被加工物在第1方向和第2方向上相对移动，该统一照射区域具有与进行统一照射的多个被加工区域的排列对应的激
光的多个照射区域的排列；以及控制器，其对激光装置和相对移动装置进行控制，以使得将n设为1以上的整数，在第n扫描时，在被加工物的第n扫描区域中执行使统一照射区域和被加工物在第1方向上相对移动的扫描，对第n扫描区域的沿着第1方向和第2方向呈格子状排列的被加工区域分别照射激光，在第n扫描后，使统一照射区域和被加工物在第2方向上相对移动，将扫描的对象区域变更为第n 1扫描区域，在第n 1扫描时，在与被加工物的第n扫描区域相邻且与第n扫描区域不重叠的第n 1扫描区域中执行扫描，其中，激光退火装置还具有：能量密度计测装置，其计测统一照射区域的第2方向的两端部即第1端部和第2端部中的至少第2端部的能量密度；以及能量密度调整装置，其对统一照射区域的第1端部和第2端部中的至少第1端部的能量密度进行调整，控制器根据能量密度计测装置的计测结果对能量密度调整装置进行控制，对执行第n 1扫描时的第1端部的能量密度进行调整，以使与第n扫描区域中的第2端部相邻的第n 1扫描区域中的第1端部的能量密度接近第n扫描区域中的第2端部的能量密度。
14.本公开的另一个观点的电子器件的制造方法包含：使用激光退火装置，对被加工物执行包含第n扫描和第n 1扫描在内的多次扫描，对被加工物的被加工区域分别进行退火处理，以制造电子器件，激光退火装置具有：激光装置，其输出激光；光学系统，其对沿着被加工物的面内的第1方向和与第1方向垂直的第2方向中的至少第2方向排列的多个被加工区域统一照射激光；相对移动装置，其使统一照射区域和被加工物在第1方向和第2方向上相对移动，该统一照射区域具有与进行统一照射的多个被加工区域的排列对应的激光的多个照射区域的排列；以及控制器，其对激光装置和相对移动装置进行控制，以使得将n设为1以上的整数，在第n扫描时，在被加工物的第n扫描区域中执行使统一照射区域和被加工物在第1方向上相对移动的扫描，对第n扫描区域的沿着第1方向和第2方向呈格子状排列的被加工区域分别照射激光，在第n扫描后，使统一照射区域和被加工物在第2方向上相对移动，将扫描的对象区域变更为第n 1扫描区域，在第n 1扫描时，在与被加工物的第n扫描区域相邻且与第n扫描区域不重叠的第n 1扫描区域中执行扫描，激光退火装置还具有：能量密度计测装置，其计测统一照射区域的第2方向的两端部即第1端部和第2端部中的至少第2端部的能量密度；以及能量密度调整装置，其对统一照射区域的第1端部和第2端部中的至少第1端部的能量密度进行调整，控制器根据能量密度计测装置的计测结果对能量密度调整装置进行控制，对执行第n 1扫描时的第1端部的能量密度进行调整，以使与第n扫描区域中的第2端部相邻的第n 1扫描区域中的第1端部的能量密度接近第n扫描区域中的第2端部的能量密度。
附图说明
15.下面，参照附图将本公开的若干个实施方式作为简单例子进行说明。
16.图1概略地示出例示的激光退火装置的结构。
17.图2是示出对掩模进行照明的脉冲激光在掩模上的能量密度的分布的曲线图。
18.图3是示出激光退火装置的课题的说明图。
19.图4概略地示出实施方式1的激光退火装置的结构。
20.图5示出能量密度计测器的另一个方式。
21.图6是示出端部能量密度的角度特性的例子的曲线图。
22.图7示出反射镜角度为θ1的情况下和反射镜角度为θ2的情况下各自的脉冲激光的能量密度分布的例子。
23.图8示出工件处理时的激光退火装置的动作的状况。
24.图9是示出实施方式1的激光退火装置的动作的例子的流程图。
25.图10是示出实施方式1的效果的说明图。
26.图11概略地示出实施方式1的变形例1的激光退火装置的结构。
27.图12示出计测掩模面中的能量密度的方式的例子。
28.图13示出计测工件面中的能量密度的方式的例子。
29.图14是示出通过实施方式1的变形例1的激光退火装置的动作实现的掩模面中的脉冲激光的能量密度分布的例子的曲线图。
30.图15是示出反射镜角度θ与a端部处的能量密度da之间的关系的例子的曲线图。
31.图16是示出实施方式1的变形例1的激光退火装置的动作的例子的流程图。
32.图17示出实施方式1的变形例1的激光退火装置的效果。
33.图18概略地示出实施方式1的变形例2的激光退火装置的结构。
34.图19是示出通过实施方式1的变形例2的激光退火装置的动作实现的掩模面中的脉冲激光的能量密度分布的例子的曲线图。
35.图20是示出基于反射镜致动器实现的高反射镜的y方向的平行移动量与a端部的能量密度da之间的关系的例子的曲线图。
36.图21概略地示出实施方式2的激光退火装置的结构。
37.图22是示出电线滤光器和滤光器致动器的结构例的俯视图。
38.图23是电线滤光器的电线直径与遮蔽比率之间的关系的说明图。
39.图24是示出通过实施方式2的动作实现的掩模面中的脉冲激光的能量密度分布的例子的曲线图。
40.图25概略地示出实施方式2的变形例1的激光退火装置的结构。
41.图26是示出第2电线滤光器和第2滤光器致动器的结构例的俯视图，该第2电线滤光器是图22所示的多枚电线滤光器中的一部分。
42.图27概略地示出实施方式2的变形例2的激光退火装置的结构。
43.图28是示出渐变滤光器的例子的俯视图。
44.图29概略地示出实施方式2的变形例3的激光退火装置的结构。
45.图30是示出分色滤光器的例子的俯视图。
46.图31是示出通过实施方式2的变形例3的激光退火装置的动作实现的第n扫描和第n 1扫描各自的掩模面中的照明光的能量密度分布的例子的曲线图。
47.图32是示出能够应用于激光退火装置的分色滤光器的另一个方式的俯视图。
48.图33概略地示出实施方式2的变形例4的激光退火装置的结构。
49.图34是示出通过实施方式2的变形例4的激光退火装置的动作实现的第n扫描和第n 1扫描各自的掩模面中的照明光的能量密度分布的例子的曲线图。
50.图35概略地示出用于计测能量密度的另一个方式例。
具体实施方式
51.‑
目录
‑
52.1.激光退火装置的整体说明
53.1.1结构
54.1.2动作
55.2.课题
56.3.实施方式1
57.3.1结构
58.3.2动作
59.3.3作用/效果
60.3.4变形例1
61.3.4.1结构
62.3.4.2动作
63.3.4.3作用/效果
64.3.5变形例2
65.3.5.1结构
66.3.5.2动作
67.3.5.3作用/效果
68.4.实施方式2
69.4.1结构
70.4.2动作
71.4.3作用/效果
72.4.4变形例1
73.4.4.1结构
74.4.4.2动作
75.4.4.3作用/效果
76.4.5变形例2
77.4.5.1结构
78.4.5.2动作
79.4.5.3作用/效果
80.4.6变形例3
81.4.6.1结构
82.4.6.2动作
83.4.6.3作用/效果
84.4.6.4其他
85.4.7变形例4
86.4.7.1结构
87.4.7.2动作
88.4.7.3作用/效果
89.5.用于计测脉冲激光的能量密度的另一个方式例
90.6.关于统一照射区域中的多个照射区域的配置
91.7.电子器件的制造方法
92.8.其他
93.下面，参照附图对本公开的实施方式进行详细说明。以下说明的实施方式示出本公开的几个例子，不限定本公开的内容。此外，各实施方式中说明的结构和动作并不一定全都是本公开的结构和动作所必须的。另外，对相同结构要素标注相同参照标号并省略重复说明。
94.1.激光退火装置的整体说明
95.1.1结构
96.图1概略地示出例示的激光退火装置的结构。激光退火装置10是对被成膜于玻璃基板上的非晶(非结晶的)硅膜照射准分子激光等紫外线波长的脉冲激光而将其改性为多晶硅的装置。通过将非晶硅改性为多晶硅，例如能够形成tft。tft被用于比较大的液晶显示器。
97.激光退火装置10包含激光装置20、照明光学系统30、高反射镜40、多点加工光学系统50、载台60和控制器70。被放置于载台60上的基板80是被进行退火处理的被加工物。基板80是被涂敷有非晶硅的玻璃基板。有时将基板80称为工件。
98.激光装置20输出能够对非晶硅进行退火的紫外线波长的脉冲激光。例如，激光装置20是将f2、arf、krf、xecl或xef设为激光介质的放电激励式准分子激光装置。
99.照明光学系统30对脉冲激光进行整形以在掩模52上进行均匀照明，将其引导至高反射镜40。照明光学系统30例如构成为包含未图示的复眼透镜和聚光光学系统，以在掩模52上进行均匀照明。聚光光学系统也可以是凸透镜、凹透镜的组合。
100.高反射镜40构成为将由照明光学系统30整形后的脉冲激光引导至掩模52上。
101.多点加工光学系统50包含掩模52和将掩模图案缩小投影到基板80上的微透镜阵列56。微透镜阵列56的作用不限于缩小投影，也可以是等倍投影。
102.掩模52具有多个掩模图案开口53，各个开口形状构成为与基板80上的退火区域的形状相似。退火区域是使基板80上的非晶硅多晶硅化的区域。在基板80的面内，大量退火区域在图中的x方向和y方向上分别以固定的间隔呈格子状排列。退火区域的形状、个数和配置方式能够适当设计。
103.掩模图案开口53是掩模52中的成为光通过区域的部分。多个掩模图案开口53与基板80上的退火区域的配置对应地在图中的y方向上等间隔地被配置。关于掩模52中的掩模图案开口53的配置，多个掩模图案开口53在y方向上排列的列可以仅是1个(1列)，也可以是多列。当考虑激光退火装置10的生产率、实现可能性时，列数一般排列有数十～数百。将被形成于掩模52的多个掩模图案开口53的整体的配置图案称为掩模图案。
104.微透镜阵列56的各透镜57与各掩模图案开口53的位置对应地被配置。
105.载台60是电动载台，构成为能够在图中的x方向和y方向的各方向上移动作为退火处理的对象物的基板80。载台60也可以还具有z方向的调整功能。x方向和y方向是与基板80的面平行的方向，y方向是与x方向垂直的方向。z方向是与基板80的面垂直的方向。
106.控制器70与激光装置20和载台60连接，同步地控制脉冲激光的输出以及载台60的
x方向和y方向的驱动。控制器70也可以进行脉冲激光的重复频率的设定、能量调整、载台60的z方向位置调整。
107.1.2动作
108.控制器70针对激光装置20设定脉冲激光的重复频率和脉冲能量。进而，控制器70使载台60移动到退火开始位置。
109.在控制器70对激光装置20指示激光输出时，激光装置20以被设定的重复频率和脉冲能量输出脉冲激光。从激光装置20输出的脉冲激光通过照明光学系统30被整形为在掩模52上具有y方向较长的大致长方形的截面轮廓的脉冲激光。
110.图2是示出对掩模52进行照明的脉冲激光在掩模52上的能量密度的分布的曲线图。如图2所示，进行脉冲激光的均匀化，以使得在掩模52上的掩模图案的存在范围内成为大致相等的能量密度的分布。
111.由照明光学系统30进行整形/均匀化后的脉冲激光透过掩模52的掩模图案开口53。此时，脉冲激光被整形为与使基板80的非晶硅多晶硅化的区域的形状相似的形状。
112.透过掩模52的掩模图案开口53后的脉冲激光通过微透镜阵列56以规定的能量密度被照射到基板80的规定区域，对照射区域的部分进行退火。在基板80上的被照射脉冲激光的区域中，非晶硅熔融而多晶化，形成有多晶硅。
113.控制器70等待各退火区域充分被退火的激光照射次数或照射时间的经过，停止激光输出。
114.然后，控制器70使载台60向
‑
x方向移动规定量，使载台60移动到下一个退火处理位置，反复进行与上述相同的动作。
115.这样，被配置于基板80的沿着x方向的带状区域内的大量退火区域的退火完成。将使脉冲激光的照射区域相对于基板80在x方向上相对移动并进行脉冲激光的照射、对基板80的沿着x方向的带状区域进行退火处理的处理称为扫描。扫描的宽度依赖于掩模图案开口53的y方向的配置数。将被进行扫描的带状区域称为扫描区域。在扫描区域中包含有在x方向和y方向上分别以固定的间隔呈格子状排列的大量退火区域。
116.当针对1个扫描区域的扫描结束时，控制器70使载台60向
‑
y方向移动，对扫描的对象区域进行变更，对与已经处理的扫描区域相邻的其他扫描区域进行扫描。此时，将n设为1以上的整数，第n扫描的端部和第n 1扫描的相反侧的端部相邻。
117.反复进行以上的动作，执行包含n扫描和n 1扫描在内的多次扫描，由此，基板80的必要范围的退火处理完成。基板80上的被退火处理后的部分(退火区域)成为多晶硅，作为tft的一部分进行动作。有时将对基板80进行退火处理的处理称为“工件处理”。
118.2.课题
119.图3是示出激光退火装置10的课题的说明图。图3的上图示出基板80上的退火区域82的配置图案的例子，图3的下图示出被照射到基板80上的各退火区域82的脉冲激光的能量密度的分布。
120.这里，为了简便，示出在掩模52中具有在y方向上排列有7个掩模图案开口53且这7个掩模图案开口53的列在x方向上排列有3列的、合计3
×
7＝21个掩模图案开口53的掩模图案的例子。当然不限于该例子，沿着y方向排列的每1列的掩模图案开口53的数量可以根据激光装置20、退火条件而适当选择。x方向的列数根据照射到1个退火区域82的脉冲激光的
照射次数(脉冲数)来设计。图3是对1个退火区域82照射3次(3脉冲)脉冲激光的情况下的例子。
121.通过多点加工光学系统50对基板80上的3
×
7个退火区域82统一照射脉冲激光。图3的上图中由虚线包围的范围是统一照射区域84的例子。统一照射区域84具有3
×
7个照射区域的图案，这3
×
7个照射区域基于与3
×
7个退火区域82的排列对应的脉冲激光的射束组的束。这样，激光退火装置10针对离散地被配置于基板80的面内的多个局部区域(多个退火区域82)，使用多点加工光学系统50进行脉冲激光的照射。
122.激光退火装置10通过使该统一照射区域84相对于基板80在x方向上相对移动，进行扫描。图3的上图示意地示出第n扫描的扫描完成、且第n 1扫描的扫描开始的状况。第n 1扫描的扫描区域即第n 1扫描区域是与第n扫描的扫描区域即第n扫描区域相邻、且与第n扫描区域不重叠的区域。即，各扫描的扫描区域以彼此不重叠的方式在y方向上排列。这里，重叠是指能量密度为引起硅的改性的阈值以上的脉冲激光在不同的扫描中被照射到同一区域。该情况下的硅的改性包含熔解和/或再结晶。因此，不重叠还包含能量密度为不会引起硅的改性的程度的脉冲激光在不同的扫描中被照射到同一区域。
123.图3的下图的曲线图示出被照射到如下位置的脉冲激光的能量密度的分布，该位置是图3的上图所示的退火区域的配置图案中的从下侧起第2行的双点划线所示的x方向位置的沿着y方向的各退火区域的位置。图3的下图的横轴示出基板80上的y方向位置。
124.如上所述，脉冲激光通过照明光学系统30被整形为在y方向上具有大致均匀的能量密度分布。但是，根据调整状态，在统一照射区域84中的y方向的两端部即a端部和b端部，能量密度有时产生差。此外，该差有时经时地变化。两端部的能量密度差例如在第n扫描的b端部和与其相邻的第n 1扫描的a端部使脉冲激光的能量密度产生不连续的差δeg。
125.即，在图3中，在被照射到第n扫描的右端部(b端部)的脉冲激光的能量密度和被照射到第n 1扫描的左端部(a端部)的脉冲激光的能量密度中产生不连续的差δeg。同样，第n 1扫描的右端部和n 2扫描目的左端部也产生不连续的能量密度差。
126.根据该差δeg的量，在使实际上已经进行退火处理的基板80作为fpd(flat panel display：平板显示器)进行动作的情况下，被视觉辨认为“条纹”、“不均”。认为这是因由于能量密度之差而产生的硅(si)的晶化的程度的不均匀性而引起的，特别是在显示器所使用的显示元件中，成为肉眼醒目的缺陷，成为较大问题。因此，有时成为导致成品率降低的一个原因。
127.即，当在y方向上划分扫描区域来执行多个扫描从而对基板80进行退火的情况下，相邻的扫描区域之间的接缝处的不连续的能量密度之差影响fpd的品质的可能性较高。迄今为止，对照明光学系统30的要素进行调整等，提高y方向的照明的均匀性，使两端部的照度一致，但是，不必要地被要求严格的均匀性，或者很难长期间地维持照明的均匀性。
128.3.实施方式1
129.3.1结构
130.图4概略地示出实施方式1的激光退火装置11的结构。关于图4所示的结构，对与图1的不同之处进行说明。在图4所示的激光退火装置11中，以在对掩模52进行照明的照明光的y方向的端部、能量密度缓慢地降低的方式，调整或构成照明光学系统30。进而，激光退火装置11具有能量密度计测器62和反射镜致动器42。
131.能量密度计测器62计测1次扫描内的在y方向上排列的多个退火区域82的端部处的激光的能量密度。能量密度的计测也可以仅设为统一照射区域84(1个扫描区域的)y方向的两端部附近。在图4中，为了计测a端部和b端部各自的能量密度，在与各端部对应的位置分别配置有能量密度计测器62。如图4那样在仅计测统一照射区域84的端部的方式的情况下，能量密度计测器62例如可以是组合在脉冲激光的波段具有灵敏度的能量计和物镜光学系统而成的结构。
132.或者，能量密度计测器62也可以是使用射束分析仪等计测统一照射区域84整体的能量密度的方式。
133.图5示出能量密度计测器62的另一个方式。也可以代替图4所示的结构而采用图5所示的结构。如图5所示，在计测统一照射区域84整体的能量密度的情况下，能量密度计测器62例如也可以是组合能够利用脉冲激光的波长进行计测的射束分析仪和减光、射束尺寸的放大缩小用的光学系统而成的结构。
134.反射镜致动器42包含使高反射镜40旋转的旋转机构，构成为调整由照明光学系统30整形后的脉冲激光对掩模52进行照明时的角度。反射镜致动器42例如可以是通过步进马达、压电致动器进行动作的旋转台。通过驱动反射镜致动器42，能够对高反射镜40的反射角度进行变更。即，构成为在驱动反射镜致动器42后，掩模52上的脉冲激光的能量密度分布变化。
135.能量密度计测器62和反射镜致动器42分别与控制器70连接。控制器70根据能量密度计测器62的计测结果对反射镜致动器42进行控制。
136.3.2动作
137.在执行工件处理前，使用能量密度计测器62计测统一照射区域84的y方向的两端部即a端部和b端部的能量密度。控制器70使反射镜致动器42向规定的方向旋转，计测两端部的能量密度。控制器70在规定的角度范围内依次变更反射镜致动器42的旋转角，按照每个旋转角反复进行计测两端的能量密度的动作，取得端部能量密度的角度特性。优选规定的角度范围是包含从与高反射镜40的标准位置相当的基准的旋转角起“ θ方向”和
“‑
θ方向”的两个方向的旋转角的范围。
138.图6是示出端部能量密度的角度特性的例子的曲线图。横轴示出反射镜致动器42的旋转角，纵轴示出脉冲激光的能量密度。此后，将反射镜致动器42的旋转角称为“反射镜角度”。
139.将反射镜角度为θ1的情况下的a端部和b端部各自的能量密度设为ea1、eb1，将反射镜角度为θ2的情况下的a端部和b端部各自的能量密度设为ea2、eb2。在本例的情况下，eb1＝et，et≒ea2、且ea1≒eb2成立。
140.另一方面，在本例中，存在a端部和b端部各自的能量密度相等的反射镜角度θc。这样，在存在a端部和b端部各自的能量密度相等的反射镜角度θc的情况下，也可以将反射镜角度固定在θc而连续执行多个扫描。
141.图7示出反射镜角度为θ1的情况下和反射镜角度为θ2的情况下各自的脉冲激光的能量密度分布的例子。图7的横轴示出y方向的位置。如图7所示，照射区域中的脉冲激光的能量密度分布依赖于反射镜角度而变化。
142.在a端部和b端部各自的附近成为能量密度变化的分布，因此，通过变更反射镜角
度，能够调整各个端部的能量密度。
143.然后，在工件处理时，例如在将反射镜角度固定在θ1的状态下进行第n号扫描即第n扫描的扫描。
144.然后，将反射镜角度设定为θ2，固定高反射镜40的位置进行扫描，以使得在接下来的第n 1号扫描(第n 1扫描)中，a端部的能量密度与第n号扫描时的b端部的能量密度et一致。另外，“一致”也可以包含视为实质上一致的容许范围。
145.此后，同样，按照每个扫描将反射镜角度切换为θ1
→
θ2
→
θ1
…
，并且进行工件整面的处理。
146.图8示出工件处理时的激光退火装置11的动作的状况。控制器70进行按照每个扫描来切换反射镜致动器42的旋转角的控制。即，控制器70对反射镜致动器42进行控制，以使第n扫描中反射镜角度为θ1，接下来的第n 1扫描中反射镜角度为θ2，接下来的第n 2扫描中反射镜角度为θ1
…
。
147.图9是示出实施方式1的激光退火装置11的动作的例子的流程图。这里，示出使用图5所示的能量密度计测器62的情况下的例子。反射镜致动器42是调整能量密度分布的光分布调整器的一个方式。
148.在步骤s12中，控制器70改变光分布调整器的参数xi，并且通过能量密度计测器62计测射束轮廓，取得a端部和b端部的能量密度与xi之间的关系(关系i)。反射镜致动器42中的参数xi是反射镜角度θ。通过执行步骤s12，例如取得图6这种关系。图6所示的端部能量密度的角度特性的信息是本公开中的“关系信息”的一例。参数xi和反射镜角度θ分别是本公开中的“调整量”的一例。
149.在图9的步骤s14中，控制器70根据退火工艺来设定掩模面中的目标平均能量密度。
150.在步骤s16中，控制器70将工件即基板80搬入载台60。
151.在步骤s18中，控制器70将对扫描次数进行计数的变量n设定为初始值的“1”，开始工件处理。
152.在步骤s20中，控制器70开始第n扫描的动作。
153.在步骤s22中，控制器70根据关系i预测b端部的能量密度。
154.在步骤s24中，控制器70根据关系i决定第n 1扫描的a端部的能量密度与第n扫描的b端部的能量密度相等的参数xi。决定第n 1扫描的a端部的能量密度与第n扫描的b端部的能量密度相等的参数xi，是进行控制以使第n 1扫描的a端部的能量密度接近第n扫描的b端部的能量密度的一例。
155.在步骤s26中，控制器70在第n扫描的扫描结束后，进入步骤s28。在步骤s28中，控制器70判定变量n是否到达既定的最大值nmax。nmax例如可以是对全部工件面进行处理所需要的扫描数。
156.在步骤s28的判定结果为“否”判定的情况下，控制器70进入步骤s30，增加变量n，返回步骤s20。控制器70反复进行步骤s20～步骤s30，直到变量n成为nmax为止。不久，变量n与nmax相等，在步骤s28的判定结果成为“是”判定时，控制器70进入步骤s32，结束工件处理。
157.然后，在步骤s34中，控制器70从载台60搬出已处理的工件。在对下一个工件进行
处理的情况下，在步骤s34之后，控制器70返回步骤s12，反复进行步骤s12～步骤s34的处理。
158.在步骤s34之后，在不需要对下一个工件进行处理的情况下，控制器70也可以结束图9的流程图。
159.另外，图9示出按照每个工件从步骤s12开始处理的例子，但是，实施步骤s12的时机不限于该例子。例如，还可以是仅在激光退火装置11的启动时实施步骤s12的方式、对工件的处理数进行计数且在到达规定枚数后实施步骤s12的方式、或根据工作时间的管理等且按照规定的维护周期而定期地实施步骤s12的方式等。
160.或者，还可以是在检查已处理的工件等而得到担心产生“条纹”、“不均”的检查结果的情况下实施步骤s12这样的方式、根据来自用户的指示的输入而在适当的时机实施步骤s12的方式。
161.此外，在图9的流程图的步骤s34之后，在对新的工件进行处理时，在退火工艺没有变更的情况下，也可以跳过步骤s14的处理。
162.3.3作用/效果
163.图10是示出实施方式1的效果的说明图。与图3的下图进行比较可知，根据实施方式1，能够减小n扫描时的b端部的能量密度和与其相邻的n 1扫描时的a端部的能量密度之差。其结果，在使已经进行退火处理的基板80作为例如fpd进行动作的情况下，不容易被视觉辨认为“条纹”、“不均”。由此，能够提高fpd的成品率。
164.实施方式1中的a端部是本公开中的“第1端部”的一例，b端部是本公开中的“第2端部”的一例。退火区域82是本公开中的“被加工区域”的一例。与x方向平行的方向是本公开中的“第1方向”的一例，与y方向平行的方向是本公开中的“第2方向”的一例。高反射镜40和多点加工光学系统50是本公开中的“光学系统”的一例。高反射镜40是本公开中的“反射镜”的一例。载台60是本公开中的“相对移动装置”的一例。能量密度计测器62是本公开中的“能量密度计测装置”的一例。图4所示的2个能量密度计测器62中的右侧的能量密度计测器62是本公开中的“第1端部用计测器”的一例，左侧的能量密度计测器62是本公开中的“第2端部用计测器”的一例。反射镜致动器42是本公开中的“能量密度调整装置”的一例。
165.3.4变形例1
166.3.4.1结构
167.图11概略地示出实施方式1的变形例1的激光退火装置11a的结构。关于图11所示的结构，对与图4的不同之处进行说明。
168.图11所示的激光退火装置11a具有在工件处理中也能够计测能量密度的能量密度计测器63。能量密度的计测位置可以是掩模面或工件面中的任意一方。图11所示的能量密度计测器63计测掩模面中的能量密度。能量密度计测器63也可以是组合了能量计和物镜光学系统以计测对掩模52进行照明的脉冲激光的大致矩形的照明区域中的端部的能量密度的结构。
169.如图12所示，在从倾斜方向计算能量密度的情况下，也可以使用可动反射镜单元631。可动反射镜单元631构成为，能够使倾斜的可动反射镜633移动到从照射范围偏离的位置和掩模52上的位置。仅在光量分布测定时，在照射范围内使该可动反射镜633在掩模52上移动，将基于可动反射镜633的反射光引导至能量密度计测器63。能量密度计测器63可以相
对于对物光学系统632配置成与掩模面共轭的关系，以能够计测照射端面处的能量密度分布。
170.在掩模面存在图案且能够通过其散射光检测来测定能量密度分布的情况下，也可以构成为，与可动反射镜单元631无关地，如图11那样，配置直接从斜上方进行检测的能量密度计测器63。
171.图13示出计测工件面中的能量密度的方式的例子。也可以代替图11的结构而采用图13所示的结构。图13所示的能量密度计测器63例如可以是放射温度计。如图13那样，也可以采用如下结构：通过实际上对基板80等照射脉冲激光而使基板80发热、升温，通过放射温度计来计测退火区域82的温度。
172.图14是示出通过激光退火装置11a的动作实现的掩模面中的脉冲激光的能量密度分布的例子的曲线图。图14示出对反射镜致动器42进行控制以使第n扫描的b端部的能量密度ed(n，b)和第n 1扫描的a端部的能量密度ed(n 1，a)大致一致的情况下的掩模面中的能量密度的例子。
173.为了容易调整能量密度，在激光退火装置11a中，如图14那样调整照明光学系统30，以使掩模52上的照明光的y方向端部的能量密度缓慢地降低。端部进入进行均匀照明的区域的端部的边界区域，因此，能够容易地实现这种分布。
174.3.4.2动作
175.在第n扫描中，控制器70通过能量密度计测器63取得退火处理中的退火区域的b端部处的脉冲激光的能量密度并进行存储。即，在n扫描的动作中，能量密度计测器63进行计测。
176.在第n 1扫描中，控制器70对反射镜致动器42进行控制，以使对与第n扫描的b端部相邻的a端部进行退火时的能量密度成为在第n扫描的b端部计测出的能量密度。此外，此时还计测第n 1扫描的b端部的能量密度以用于接下来的调整。
177.在驱动反射镜致动器42时，被照明到掩模52上的脉冲激光的能量密度分布变化。
178.图15是示出反射镜角度θ与a端部处的能量密度da之间的关系的例子的曲线图。例如，在如图15那样使高反射镜40向
‑
θ方向旋转时，能够提高a端部的能量密度。相反在使高反射镜向 θ方向旋转时，能够降低a端部的能量密度。
179.控制器70存储图15这样的高反射镜40的旋转角度与a端部处的能量密度之间的关系。然后，控制器70驱动反射镜致动器42，以在第n 1扫描的a端部实现由能量密度计测器63计测出的第n扫描的b端部的能量密度。图15这样的旋转角度与能量密度之间的关系可以根据通过实验而预先计测出的数据得到，例如可以由近似式给出。控制器70也可以具有用于存储该关系的存储器。
180.另外，虽然图11中未示出，但是，激光退火装置11a也可以具有用于计测a端部的能量密度的能量密度计测器。
181.控制器70等待退火区域充分被退火的激光照射次数或照射时间的经过，而停止激光输出。
182.然后，控制器70使载台60向
‑
x方向移动规定量，使载台60移动到下一个照射区域的退火开始位置，反复进行与上述相同的动作。
183.在第n 2扫描以后，也反复进行相同的动作，针对基板80中的必要范围的全部退火
区域82完成退火处理。
184.图16是示出实施方式1的变形例1的激光退火装置11a的动作的例子的流程图。关于图16的流程图，对与图9的不同之处进行说明。图16的流程图代替图9的步骤s22而包含步骤s23。
185.在步骤s23中，控制器70在工件处理中通过能量密度计测器63计测b端部的能量密度。在步骤s23之后，控制器70进入步骤s24。其他处理与图9的流程图相同。
186.3.4.3作用/效果
187.图17示出本变形例1的激光退火装置11a的效果。根据本变形例1，控制器70对反射镜致动器42进行控制，以使对与第n扫描的b端部相邻的第n 1扫描的a端部进行退火时的能量密度接近在第n扫描的b端部计测出的能量密度。由此，能够减小相邻的端部彼此的能量密度之差。
188.其结果，在使已经进行退火处理的基板作为fpd进行动作的情况下，不容易被视觉辨认为“条纹”、“不均”。由此，能够提高fpd的成品率。
189.3.5变形例2
190.3.5.1结构
191.图18概略地示出实施方式1的变形例2的激光退火装置11b的结构。关于图18所示的结构，对与图13的不同之处进行说明。图18所示的激光退火装置11b代替图13的反射镜致动器42而具有直动型的反射镜致动器43。即，反射镜致动器43代替使高反射镜40旋转而使其在y方向上平行移动。
192.反射镜致动器43构成为，调整由照明光学系统30整形后的脉冲激光对掩模52进行照明时的位置。反射镜致动器43例如可以是由线性马达或步进马达、压电致动器等驱动的直动载台，也可以具有线性引导件、滚珠丝杠等。反射镜致动器43是本公开中的“反射镜移动机构”的一例。
193.照明光学系统30以对掩模52上进行照明的方式对脉冲激光进行整形，将其引导至高反射镜40。此时，进行调整，以使掩模52上的y方向的端部的能量密度施加给照射范围的端部，成为朝向照射区域外呈现减少特性的分布。
194.图19是示出通过激光退火装置11b的动作实现的掩模面中的脉冲激光的能量密度分布的例子的曲线图。图19示出对反射镜致动器43进行控制以使第n扫描的b端部的能量密度ed(n，b)和第n 1扫描的a端部的能量密度ed(n 1，a)大致一致的情况下的掩模面中的能量密度的例子。在第n 1扫描中，对反射镜致动器43进行控制，将能量密度的分布从虚线变更为实线。在图19中，为了进行说明，强调表现能量密度之差。实际上，端部与中央部的能量密度之差被设定成如下程度：即使考虑高反射镜40的可动范围，在作为fpd进行动作的情况下，也不会被视觉辨认为“不均”。
195.代替图18所示的能量密度计测器63，如图11那样，也可以是在掩模面中计测能量密度的方式。
196.3.5.2动作
197.在驱动反射镜致动器43时，被照明到掩模52上的脉冲激光的能量密度分布变化。图20是示出基于反射镜致动器43实现的高反射镜40的y方向的平行移动量与a端部的能量密度da之间的关系的例子的曲线图。例如，如图20所示，在使高反射镜40向
‑
y方向平行移动
时，能够提高a端部的能量密度。相反在使高反射镜40向 y方向平行移动时，能够降低a端部的能量密度。
198.3.5.3作用/效果
199.根据激光退火装置11b，得到与图11的激光退火装置11a相同的效果。此外，关于图18所示的激光退火装置11b的结构，还能够应用与图5～图10中说明的反射镜致动器42的控制相同的控制。该情况下，将反射镜角度θ1和θ2分别改写为反射镜位置y1和y2来应用即可，该反射镜位置y1和y2是图18所示的高反射镜40的y方向位置。
200.4.实施方式2
201.4.1结构
202.图21概略地示出实施方式2的激光退火装置12的结构。关于图21所示的结构，对与图11的不同之处进行说明。图21所示的激光退火装置12代替图11的反射镜致动器42而具有电线滤光器90和滤光器致动器96。图22是示出电线滤光器90和滤光器致动器96的结构例的俯视图。
203.电线滤光器90具有在掩模52的上游侧的光路中沿着x方向配置1根或多根电线91而成的结构。这里，为了简单，示出在滤光器框架92支承有1根电线91的电线滤光器90的例子。电线滤光器90对入射到掩模52的脉冲激光的一部分进行遮蔽。
204.电线91的材料可以是金属或纤维等。优选电线91是不生锈的材料，例如使用不锈钢的电线。
205.滤光器致动器96是使电线滤光器90移动的单元。滤光器致动器96包含使电线滤光器90在y方向上移动的y方向移动用的滤光器致动器97、以及使电线滤光器90在z方向上移动的z方向移动用的滤光器致动器98。
206.电线滤光器90被支承于滤光器致动器97，在掩模52的上游侧的光路中，例如被配置于高反射镜40与掩模52之间的光路中。
207.滤光器致动器97、98分别例如可以是由线性马达或步进马达、压电致动器等驱动的直动载台，也可以具有线性引导件、滚珠丝杠等。滤光器致动器97、98分别与控制器70连接。
208.图23是用于导出电线滤光器的电线直径与遮蔽比率之间的关系的说明图。图23所示的记号的意思如下所述。
209.ψ：微透镜的估计角
210.l：微透镜与电线之间的距离
211.w：电线直径
212.基于等倍转印的情况下的微透镜阵列56的像中的电线的遮蔽比率rw能够根据下式导出。根据下式可知，通过对微透镜与电线之间的距离l进行变更，能够调整电线的遮蔽比率rw。因此，通过调整电线滤光器90的z方向位置，能够进行能量密度量的调整。
213.rw＝2wltanψ/{π(ltanψ)2}＝2w/(πltanψ)
214.4.2动作
215.控制器70在工件处理前通过能量密度计测器63(参照图21)计测掩模面的能量密度分布，对电线滤光器90的z方向的位置和y方向的位置进行调整，以使对掩模52进行照明的照明光的使用区域的右端部(b端部)和左端部(a端部)的能量密度大致一致。z方向的位
置的调整能够用于能量密度量的调整，y方向的位置的调整能够用于减少能量密度的照明光内的位置的调整。
216.控制器70也可以在工件处理中一边通过能量密度计测器63计测能量密度，一边进行电线滤光器90的位置调整，还可以预先存储电线滤光器90的z方向位置和y方向位置与能量密度变化之间的关系，在计测能量密度后，在通过计算成为最佳的位置具有电线滤光器90。
217.图24是示出通过实施方式2的动作实现的掩模面中的脉冲激光的能量密度分布的例子的曲线图。图24示出对电线滤光器90进行控制以使第n扫描的b端部的能量密度ed(n，b)和第n 1扫描的a端部的能量密度ed(n 1，a)大致一致的情况下的掩模面中的能量密度的例子。
218.图24中的第n 1扫描的虚线所表示的曲线图示出不使用电线滤光器90的情况下的掩模面中的能量密度分布。通过在第n 1扫描中使用电线滤光器90，实现图24的实线所表示的能量密度分布ed(n 1)。图24所示的“使用区域”是照明光的照明范围中的存在有掩模52的掩模图案的区域，是掩模52的照明中使用的有效使用区域。
219.另外，在图21～图24所示的实施方式2中，将电线滤光器90仅配置于a端部侧(图21的左侧)，但是，也可以在b端部侧(右侧)和a端部侧(左侧)双方配置电线滤光器，以在相邻的a端部和b端部处平滑地连接能量密度分布。
220.此外，在图21中，在掩模面的位置计测能量密度，但是，也可以在工件面的位置计测能量密度。即，也可以代替能量密度计测器63或在此基础上，通过图4所示的能量密度计测器62计测工件面的能量密度分布。
221.在实施方式2中，在工件处理前调整电线位置。但是，为了抑制工件处理中的能量密度分布的变动，也可以在工件处理中调整电线位置。
222.4.3作用/效果
223.根据实施方式2的激光退火装置12，得到与实施方式1及其变形例1和2相同的效果。
224.实施方式2中的滤光器致动器97、98是本公开中的“调整滤光器的位置的致动器”的一例。
225.4.4变形例1
226.4.4.1结构
227.图25概略地示出实施方式2的变形例1的激光退火装置12a的结构。关于图25所示的结构，对与图21的不同之处进行说明。
228.图25所示的激光退火装置12a代替图21的电线滤光器90和滤光器致动器96而具有第1电线滤光器90a、第2电线滤光器90b和第3电线滤光器90c、以及第1滤光器致动器96a、第2滤光器致动器96b和第3滤光器致动器96c。
229.第1电线滤光器90a、第2电线滤光器90b和第3电线滤光器90c分别可以构成为对掩模52的中央部、b端部进行遮蔽。例如如图25所示，第1电线滤光器90a是至少覆盖b端部的电线滤光器。除此之外，第1电线滤光器90a也可以覆盖掩模52的中央部。第电2线滤光器90b是至少覆盖掩模52的中央部的电线滤光器。第3电线滤光器90c是至少覆盖掩模52的a端部的电线滤光器。除此之外，第3电线滤光器90c也可以覆盖掩模52的中央部。
230.第1电线滤光器90a以与x方向平行地配置有多根电线91的状态被支承于第1滤光器框架92a。第1电线滤光器90a被支承于第1滤光器致动器96a。
231.同样，第2电线滤光器90b和第3电线滤光器90c分别以与x方向平行地配置有多根电线91的状态被支承于第2滤光器框架92b和第3滤光器框架92c。第2电线滤光器90b被支承于第2滤光器致动器96b，第3电线滤光器90c被支承于第3滤光器致动器96c。
232.第1滤光器致动器96a是使第1电线滤光器90a在y方向上移动的滤光器致动器。同样，第2滤光器致动器96b是使第2电线滤光器90b在y方向上移动的滤光器致动器，第3滤光器致动器96c是使第3电线滤光器90c在y方向上移动的滤光器致动器。
233.第1滤光器致动器96a、第2滤光器致动器96b和第3滤光器致动器96c分别可以是例如由线性马达或步进马达、压电致动器驱动的直动载台，也可以具有线性引导件、滚珠丝杠等。
234.如图25所示，第1滤光器致动器96a、第2滤光器致动器96b和第3滤光器致动器96c分别与控制器70连接。
235.控制器70与第1滤光器致动器96a、第2滤光器致动器96b和第3滤光器致动器96c的控制联动地，对激光装置20的输出激光能量进行控制。
236.图26是示出第2电线滤光器90b和第2滤光器致动器96b的结构例的俯视图，该第2电线滤光器90b是图25所示的多枚电线滤光器中的一部分。如图26所示，多根电线91沿着x方向平行地配置。
237.4.4.2动作
238.在需要提高a端部的能量密度的情况下，控制器70向激光装置20发送提高输出激光能量的指示。然后，对第1滤光器致动器96a进行控制，以将对掩模52的中央部和b端部进行遮蔽的第1电线滤光器90a插入到光路上。
239.此外，控制器70也可以在第1滤光器致动器96a的控制的基础上，根据需要，对第2滤光器致动器96b和第3滤光器致动器96c中的至少一方进行控制，以将第2电线滤光器90b和第3电线滤光器90c中的至少一方插入到光路上。
240.4.4.3作用/效果
241.根据该变形例1，a端部的能量密度的控制自由度提高。
242.4.5变形例2
243.4.5.1结构
244.图27概略地示出实施方式2的变形例2的激光退火装置12b的结构。关于图27所示的结构，对与图21的不同之处进行说明。图27的激光退火装置12b代替电线滤光器90而具有渐变滤光器93。
245.图28是示出渐变滤光器93的例子的俯视图。渐变滤光器93例如构成为在透明基板的一部分被涂敷有不透过脉冲激光的材料或透过脉冲激光的一部分的材料。即，渐变滤光器93由针对激光波长透明的基材构成，以形成连续的透射率分布的方式被涂敷有针对该激光波长不透明的材料或透过一部分的材料。或者，渐变滤光器93也可以由针对激光波长每单位长度具有规定的透射率的材料构成，构成为根据部位而连续地改变厚度。
246.4.5.2动作
247.激光退火装置12b的动作与图21的激光退火装置12的动作相同。
248.4.5.3作用/效果
249.根据图27和图28所示的方式，在调整照明光的端部的能量密度的情况下，能够缓和端部的周边处的各照射区域的能量密度差。
250.4.6变形例3
251.4.6.1结构
252.图29概略地示出实施方式2的变形例3的激光退火装置12c的结构。关于图29所示的结构，对与图21的不同之处进行说明。图29的激光退火装置12c代替电线滤光器90而具有分色滤光器94。图30是示出分色滤光器94的例子的俯视图。
253.分色滤光器94是被涂敷有分色膜的光学元件。分色滤光器94被配置于通过照明光学系统30而成为平行光的脉冲激光的光路上。分色滤光器94具有透射率依赖于入射激光的入射角度而变化的特性。
254.滤光器致动器96具有能够调整分色滤光器94相对于激光路的角度的旋转机构99。旋转机构99具有与x轴平行的旋转轴。旋转机构99与控制器70连接。
255.滤光器致动器96具有能够调整分色滤光器94相对于激光路的位置的y方向移动用的滤光器致动器97和z方向移动用的滤光器致动器98。y方向移动用的滤光器致动器97和z方向移动用的滤光器致动器98分别构成为包含直动载台。
256.滤光器致动器96是本公开中的调整滤光器的位置和角度的“致动器”的一例。
257.4.6.2动作
258.控制器70能够控制旋转机构99，调整分色滤光器94的倾斜角度。通过使分色滤光器94从水平面倾斜，能够使入射到分色滤光器94的脉冲激光的入射角度变化，能够使透过分色滤光器94的激光整体的光量变化。
259.图31是示出通过实施方式2的变形例3的激光退火装置12c的动作实现的第n扫描和第n 1扫描各自的掩模面中的照明光的能量密度分布的例子的曲线图。在图31中，第n 1扫描中的虚线所表示的曲线图示出对分色滤光器94的倾斜进行调整前的能量密度分布。
260.如图31所示，控制器70在第n 1扫描中使分色滤光器94倾斜，对照明光的透射率特性进行调整。即，通过使分色滤光器94倾斜，对第n 1扫描的能量密度ed(n 1)进行调整，以使第n 1扫描的a端部处的能量密度ed(n 1，a)与第n扫描的b端部处的能量密度ed(n，b)大致相等。
261.此外，控制器70也可以通过驱动包含z方向的直动载台的滤光器致动器98，扩大旋转机构99的角度调整范围。
262.4.6.3作用/效果
263.根据本变形例的激光退火装置12c，在调整a端部的能量密度的情况下，能够缓和端部的周边处的各照射区域的能量密度差。
264.4.6.4其他
265.图32是示出能够应用于激光退火装置12c的分色滤光器94的另一个方式的俯视图。代替图29和图30中说明的分色滤光器94，如图32所示，分色滤光器94也可以仅覆盖光路的一部分。或者，也可以在透过激光的基材的一部分涂敷分色膜。
266.通过控制y方向和z方向的各方向的直动载台，得到与实施方式2相同的效果。
267.4.7变形例4
268.4.7.1结构
269.图33概略地示出实施方式2的变形例4的激光退火装置12d的结构。关于图33所示的结构，对与图29的不同之处进行说明。图33的激光退火装置12d将入射到分色滤光器94的脉冲激光设为发散光或收敛光。即，激光退火装置12d代替图29中的照明光学系统30而具有出射发散光或收敛光的照明光学系统31，进而，在分色滤光器94的下游具有准直光学系统44。在图33中，示出出射发散光的照明光学系统31的例子。
270.分色滤光器94具有透射率依赖于入射激光的入射角而变化的特性，因此，当发散光、收敛光入射时，根据入射位置而成为不同的入射角，透射率也变化。
271.准直光学系统44是使入射的发散光或收敛光成为平行光的光学系统。准直光学系统44例如可以是准直透镜。
272.4.7.2动作
273.在通过旋转机构99使分色滤光器94倾斜时，发散光或收敛光的入射角根据分色滤光器94的入射位置而变化。因此，透过分色滤光器94后的脉冲激光的y方向的能量密度分布变化。利用该结构，如图34所示，控制器70对分色滤光器94的倾斜进行控制，调整两端部的能量密度，以使第n扫描的b端部和第n 1扫描的a端部的能量密度大致相等。进而，控制器70也可以驱动滤光器致动器98的z方向直动载台，使透过分色滤光器94的激光整体的光量变化。在图34中，第n 1扫描中的虚线所表示的曲线图示出对分色滤光器94的倾斜进行调整前的能量密度分布。
274.4.7.3作用/效果
275.根据该变形例4，能够提高能量密度的调整的自由度。例如，能够降低a端部的能量密度，并且提高b端部的能量密度。
276.5.用于计测脉冲激光的能量密度的另一个方式例
277.图35是概略地示出用于计测脉冲激光的能量密度的另一个方式例的主要部分结构图。作为代替图11和图13等中说明的能量密度计测器63的能量密度计测单元，也可以采用图35所示的结构。关于图35所示的结构，对与图11的激光退火装置11a的不同之处进行说明。
278.图35所示的能量密度计测单元具有被配置于掩模52的近前的分束器65、以及被配置成使分束器65的反射光入射的能量密度计测器66。分束器65被配置于高反射镜40与掩模52之间的光路上。能量密度计测器66由未图示的光学系统和射束分析仪的组合构成，该光学系统构成为根据分束器65的反射光形成与掩模52相同的像。
279.使从高反射镜40向掩模52行进的激光的一部分通过分束器65反射，经由构成为形成与掩模52相同的像的光学系统，利用射束分析仪计测能量密度的分布。另外，为了保护射束分析仪，也可以配置未图示的闸门。
280.此外，也可以在高反射镜40与分束器65之间的光路上配置电线滤光器、渐变滤光器或分色滤光器等光分布调整器95。
281.图35所示的结构能够作为图5中的能量密度计测器62的代替单元而采用。此外，图35所示的结构能够作为图18、图21、图25、图27、图29和图33中的能量密度计测器63的代替单元而采用。
282.6.关于统一照射区域中的多个照射区域的配置
283.在图3中，作为统一照射区域84的例子，例示了具有对基板80上的3
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7个退火区域82进行统一照射的照射区域的配置图案的统一照射区域84，但是，一般而言，统一照射区域具有对m1
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m2个被加工区域进行统一照射的照射区域的配置图案。这里，m1是1以上的整数，m2是比m1大的整数。即，统一照射区域通过m1
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m2个照射区域的排列构成，该m1
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m2个照射区域是沿着y方向排列有m2个照射区域而成的照射区域列在x方向上排列有m1列而成的。
284.控制器70对反射镜致动器42、电线滤光器90等能量密度调整装置进行控制，以使第n 1扫描区域中沿着y排列的m2个照射区域中的与a端部相应的位置的1个照射区域的能量密度接近第n扫描区域中沿着y方向排列的m2个照射区域中的与b端部相应的位置的1个照射区域的能量密度。
285.7.电子器件的制造方法
286.使用作为上述实施方式1和实施方式2以及各实施方式的变形例说明的激光退火装置11、11a、11b、12、12a、12b、12c和12d中的任意一方，对基板80的各退火区域82进行退火处理，由此，能够制造包含以tft为代表的半导体元件的电子器件。
287.8.其他
288.上述各实施方式和变形例中说明的技术事项也可以在可能的范围内适当组合。
289.上述说明不是限制，而是简单的例示。因此，本领域技术人员明白能够在不脱离权利要求书的情况下对本公开的实施方式施加变更。此外，本领域技术人员还明白组合本公开的实施方式进行使用。
290.只要没有明确记载，则本说明书和权利要求书整体所使用的用语应该解释为“非限定性”用语。例如，“包含”或“所包含”这样的用语应该解释为“不限于记载为所包含的部分”。“具有”这样的用语应该解释为“不限于记载为所具有的部分”。此外，不定冠词“一个”应该解释为意味着“至少一个”或“一个或一个以上”。此外，“a、b和c中的至少一方”这样的用语应该解释为“a”、“b”、“c”、“a b”、“a c”、“b c”或“a b c”。进而，应该解释为还包含它们和“a”、“b”、“c”以外的部分的组合。