发光元件及其制造方法以及发光元件用组合物及其制造方法与流程

技术特征：

1.一种发光元件，其具备

阳极、

阴极、和

设置于所述阳极和所述阴极之间的包含发光元件用组合物的有机层，

所述发光元件用组合物含有2种以上的具有在环内包含硼原子和氮原子的稠合杂环骨架b的化合物B，

所述化合物B包含满足式(M-1)和式(M-2)之中至少一方的化合物B1和化合物B2，

EB1＜EB2 (M-1)

AB1＜AB2 (M-2)

式中，EB1表示化合物B1的25℃的发光光谱的最大峰值波长，EB2表示化合物B2的25℃的发光光谱的最大峰值波长，AB1表示化合物B1的25℃的吸收光谱的最低能量侧的峰值波长，AB2表示化合物B2的25℃的吸收光谱的最低能量侧的峰值波长，

所述发光光谱的最大峰值波长和所述吸收光谱的最低能量侧的峰值波长的单位为nm。

2.如权利要求1所述的发光元件，其中，

所述化合物B1和所述化合物B2之中至少一方为式(1-1)所示的化合物、式(1-2)所示的化合物或式(1-3)所示的化合物，

式中，

Ar¹、Ar²和Ar³各自独立地表示芳香族烃基或杂环基，这些基团任选具有取代基，该取代基在存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合而与各自所键合的原子一起形成环，

Y¹表示－N(Ry)－所示的基团，

Y²和Y³各自独立地表示单键、氧原子、硫原子、硒原子、－N(Ry)－所示的基团、亚烷基或亚环烷基，这些基团任选具有取代基，该取代基在存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合而与各自所键合的原子一起形成环，Ry表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基，该取代基在存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合而与各自所键合的原子一起形成环，Ry在存在有多个的情况下，任选相同或不同，Ry任选直接或者经由连接基团而与Ar¹、Ar²或Ar³键合。

3.如权利要求2所述的发光元件，其中，

所述化合物B1和所述化合物B2双方为所述式(1-1)所示的化合物、所述式(1-2)所示的化合物或所述式(1-3)所示的化合物。

4.如权利要求2或3所述的发光元件，其中，

所述化合物B1和所述化合物B2之中至少一方为所述式(1-2)所示的化合物。

5.如权利要求4所述的发光元件，其中，

所述化合物B1和所述化合物B2双方为所述式(1-2)所示的化合物。

6.如权利要求2～5中任一项所述的发光元件，其中，

所述Y²和所述Y³为－N(Ry)－所示的基团。

7.如权利要求1～6中任一项所述的发光元件，其中，

所述化合物B1和所述化合物B2满足所述式(M-2)。

8.如权利要求1～7中任一项所述的发光元件，其中，

所述EB1与所述AB2之差的绝对值和所述EB2与所述AB1之差的绝对值之中至少一方为200nm以下。

9.如权利要求1～8中任一项所述的发光元件，其中，

所述化合物B1的最低三重态激发态的能级与最低单重态激发态的能级之差的绝对值为0.50eV以下，并且

所述化合物B2的最低三重态激发态的能级与最低单重态激发态的能级之差的绝对值为0.50eV以下。

10.如权利要求1～9中任一项所述的发光元件，其中，

所述发光元件用组合物还含有主体材料。

11.如权利要求10所述的发光元件，其中，

所述主体材料包含式(H-1)所示的化合物，

式中，

Ar^H1和Ar^H2各自独立地表示芳基、一价杂环基或取代氨基，这些基团任选具有取代基，该取代基在存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合而与各自所键合的原子一起形成环，

n^H1表示0以上的整数，

L^H1表示亚芳基、二价杂环基、亚烷基或亚环烷基，这些基团任选具有取代基，该取代基在存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合而与各自所键合的原子一起形成环，L^H1在存在有多个的情况下，它们任选相同或不同。

12.如权利要求10或11所述的发光元件，其中，

所述主体材料的25℃的发光光谱的最大峰值波长EH与所述AB1和所述AB2中的至少一方之间的差为200nm以下，

所述发光光谱的最大峰值波长EH的单位为nm。

13.如权利要求1～12中任一项所述的发光元件，其中，

所述发光元件用组合物还含有选自空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料、发光材料、抗氧化剂和溶剂中的至少1种。

14.一种发光元件用组合物，其中，

含有2种以上的具有在环内包含硼原子和氮原子的稠合杂环骨架b的化合物B，

所述化合物B包含满足式(M-1)和式(M-2)之中至少一方的化合物B1和化合物B2，

EB1＜EB2 (M-1)

AB1＜AB2 (M-2)

式中，EB1表示化合物B1的25℃的发光光谱的最大峰值波长，EB2表示化合物B2的25℃的发光光谱的最大峰值波长，AB1表示化合物B1的25℃的吸收光谱的最低能量侧的峰值波长，AB2表示化合物B2的25℃的吸收光谱的最低能量侧的峰值波长，

所述发光光谱的最大峰值波长和所述吸收光谱的最低能量侧的峰值波长的单位为nm。

15.如权利要求14所述的发光元件用组合物，其中，

还含有主体材料。

16.如权利要求15所述的发光元件用组合物，其中，

所述主体材料包含式(H-1)所示的化合物，

式中，

Ar^H1和Ar^H2各自独立地表示芳基、一价杂环基或取代氨基，这些基团任选具有取代基，该取代基在存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合而与各自所键合的原子一起形成环，

n^H1表示0以上的整数，

L^H1表示亚芳基、二价杂环基、亚烷基或亚环烷基，这些基团任选具有取代基，该取代基在存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合而与各自所键合的原子一起形成环，L^H1在存在有多个的情况下，它们任选相同或不同。

17.如权利要求15或16所述的发光元件用组合物，其中，

所述主体材料的25℃的发光光谱的最大峰值波长EH与所述AB1和所述AB2中的至少一方之间的差为200nm以下，

所述最大峰值波长EH的单位为nm。

18.如权利要求14～17中任一项所述的发光元件用组合物，其中，

还含有选自空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料、发光材料、抗氧化剂和溶剂中的至少1种。

19.一种发光元件用组合物的制造方法，其具备：

准备工序，准备具有在环内包含硼原子和氮原子的稠合杂环骨架b1的化合物B1；

挑选工序，挑选化合物B2，所述化合物B2具有在环内包含硼原子和氮原子的稠合杂环骨架b2，25℃的发光光谱的最大峰值波长大于所述化合物B1的25℃的发光光谱的最大峰值波长、以及/或者25℃的吸收光谱的最低能量侧的峰值波长小于所述化合物B1的25℃的吸收光谱的最低能量侧的峰值波长；和

制造工序，将在所述准备工序中准备的化合物B1和在所述挑选工序中挑选的化合物B2混合而得到发光元件用组合物。

20.如权利要求19所述的制造方法，其中，

所述挑选工序包括求出所述化合物B2的25℃的发光光谱的最大峰值波长和/或所述化合物B2的25℃的吸收光谱的最低能量侧的峰值波长的工序。

21.一种发光元件用组合物的制造方法，其具备：

准备工序，准备具有在环内包含硼原子和氮原子的稠合杂环骨架b2的化合物B2；

挑选工序，挑选化合物B1，所述化合物B1具有在环内包含硼原子和氮原子的稠合杂环骨架b1，25℃的发光光谱的最大峰值波长小于所述化合物B2的25℃的发光光谱的最大峰值波长、以及/或者25℃的吸收光谱的最低能量侧的峰值波长大于所述化合物B2的25℃的吸收光谱的最低能量侧的峰值波长；和

制造工序，将在所述准备工序中准备的化合物B2和在所述挑选工序中挑选的化合物B1混合而得到发光元件用组合物。

22.如权利要求21所述的制造方法，其中，

所述挑选工序包含求出所述化合物B1的25℃的发光光谱的最大峰值波长和/或所述化合物B1的25℃的吸收光谱的最低能量侧的峰值波长的工序。

23.一种发光元件的制造方法，其是具有阳极、阴极以及设置于所述阳极和所述阴极之间的有机层的发光元件的制造方法，其具备：

通过权利要求19～22中任一项所述的制造方法制造发光元件用组合物的工序；和

使用在该工序中制造的所述发光元件用组合物来形成所述有机层的工序。

技术总结
提供在外部量子效率优异的发光元件的制造中有用的组合物，以及提供含有该组合物的发光元件。一种发光元件，其具备阳极、阴极以及设置于阳极和阴极之间的包含发光元件用组合物的有机层，发光元件用组合物含有2种以上的具有在环内包含硼原子和氮原子的稠合杂环骨架(b)的化合物(B)，化合物(B)包含满足式(M‑1)和式(M‑2)之中至少一方的化合物(B1)和化合物(B2)。EB1＜EB2 (M‑1)；AB1＜AB2 (M‑2)。

技术研发人员：佐佐田敏明;松本龙二;
受保护的技术使用者：住友化学株式会社;
技术研发日：2020.03.16
技术公布日：2021.11.09