一种提升PERC电池背面反射率的刻蚀方法与流程

技术特征：
1.一种提升perc电池背面反射率的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括：将硅片依次进行第一酸洗、碱洗、第二酸洗和烘干，得到刻蚀后硅片；所述第一酸洗采用的第一酸洗液包括体积比为3:(12～30):(3～18)的水、硝酸和氢氟酸。2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀后硅片应用于perc电池中；优选地，所述第一酸洗采用的第一酸洗液包括体积比为3:(12～23):(4～15)的水、硝酸和氢氟酸；优选地，所述第一酸洗液中硝酸的浓度为35～70wt％；优选地，所述第一酸洗液中氢氟酸的浓度为5～30wt％。3.根据权利要求1或2所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一酸洗中进行补加硝酸；优选地，所述补加硝酸的补加量为120～300ml/20～60片；优选地，所述第一酸洗中进行补加氢氟酸；优选地，所述补加氢氟酸的补加量为50～150ml/20～60片；优选地，所述第一酸洗的时间为35～60s。4.根据权利要求1～3任一项所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一酸洗与碱洗之间包括第一水洗。5.根据权利要求1～4任一项所述的刻蚀方法，其特征在于，所述碱洗采用碱洗液；优选地，所述碱洗液包括浓度为1.5～3.5wt％的氢氧化钠溶液；优选地，所述碱洗的时间为20～50s；优选地，所述碱洗过程中碱洗液的电导率为80～160ms。6.根据权利要求1～5任一项所述的刻蚀方法，其特征在于，所述碱洗与第二酸洗之间包括第二水洗。7.根据权利要求1～6任一项所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第二酸洗采用第二酸洗液；优选地，所述第二酸洗液包括浓度为2.5～15wt％的氢氟酸；优选地，所述第二酸洗的时间为20～50s；优选地，所述第二酸洗过程中第二酸洗液的电导率为100～180ms。8.根据权利要求1～7任一项所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第二酸洗和烘干之间进行第三水洗。9.根据权利要求1～8任一项所述的刻蚀方法，其特征在于，所述烘干的温度为100～120℃；优选地，所述烘干的时间为20～30min。10.根据权利要求1～9任一项所述的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括以下步骤：(1)将硅片进行第一酸洗35～60s，采用包括体积比为3:(12～30):(3～618)的水、浓度为35～70wt％的硝酸和浓度为5～30wt％的氢氟酸作为第一酸洗液，且第一酸洗过程中进行补加量为120～300ml/20～60片的补加硝酸和补加量为50～150ml/20～60片的补加氢氟酸，第一酸洗后硅片进行第一水洗；(2)将第一水洗后硅片进行碱洗20～50s，采用浓度为1.5～3.5wt％的氢氧化钠溶液作
为碱洗液，碱洗过程中碱洗液的电导率为80～160ms，第一碱洗后硅片进行第二水洗；(3)将第二水洗后硅片进行第二酸洗20～50s，采用浓度为2.5～15wt％的氢氟酸作为第二酸洗液，第二酸洗过程中第二酸洗液的电导率为100～180ms，第二酸洗后硅片进行第三水洗；(4)第三水洗后硅片进行100～120℃下烘干20～30min，得到刻蚀后硅片。

技术总结
本发明提供一种提升PERC电池背面反射率的刻蚀方法，所述刻蚀方法包括：将硅片依次进行第一酸洗、碱洗、第二酸洗和烘干，得到刻蚀后硅片；所述第一酸洗采用的第一酸洗液包括体积比为3:(12～30):(3～18)的水、硝酸和氢氟酸；所述刻蚀后硅片应用于PERC电池中；本发明通过控制刻蚀过程的操作参数，制备出高反射率，表面平整抛光度高的硅片表面，能够进一步提升开路电压和短路电流，从而提升电池片的转换效率。率。率。


技术研发人员：赵颖 厉文斌 周永安 任勇 何悦
受保护的技术使用者：横店集团东磁股份有限公司
技术研发日：2021.08.02
技术公布日：2021/11/4