制造半导体结构的方法与流程

技术特征：
1.一种制造半导体结构的方法，其特征在于，包含：提供沿第一方向延伸的基板；形成沟槽横跨所述基板，以定义第一主动区及第二主动区；在所述沟槽中形成底部隔离结构，其中所述底部隔离结构暴露所述基板的侧壁的一部分；氧化所述基板暴露的所述侧壁以在所述底部隔离结构上形成顶部隔离结构，其中所述顶部隔离结构延伸到所述基板中；形成嵌入所述顶部隔离结构的导电结构；以及分别在所述第一主动区及所述第二主动区中形成第一晶体管及第二晶体管。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一晶体管及所述第二晶体管的源极/漏极区分别具有下表面位于所述导电结构的下表面下方。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述顶部隔离结构及所述底部隔离结构共同将所述导电结构与所述第一晶体管及所述第二晶体管的所述源极/漏极区分隔。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟槽具有宽度，所述宽度大于所述导电结构的宽度。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第一晶体管及所述第二晶体管包含：在所述第一主动区及所述第二主动区的所述基板上形成栅极结构；以及在所述第一主动区及所述第二主动区的所述基板中形成源极/漏极区，其中所述源极/漏极区位于所述顶部隔离结构的相对侧。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，还包含形成多个接触插塞分别与所述第一晶体管及所述第二晶体管的所述源极/漏极区、所述栅极结构以及所述导电结构连接。7.一种制造半导体结构的方法，其特征在于，包含：提供基板，所述基板包含多个主动区沿第一方向延伸，其中所述多个主动区通过浅沟槽隔离结构彼此分隔；形成沟槽横跨所述多个主动区及所述浅沟槽隔离结构；在所述沟槽中形成反熔丝结构，其中所述反熔丝结构包含覆盖所述沟槽的隔离结构及嵌入所述隔离结构中的导电结构；以及在所述各主动区中形成晶体管，其中所述晶体管通过所述隔离结构与所述导电结构分隔。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述反熔丝结构包含：在所述沟槽中形成所述隔离结构的底部部分，其中所述隔离结构的所述底部部分具有高度小于所述沟槽的深度；形成所述隔离结构的顶部部分，其中所述顶部部分横向地延伸到所述基板中；以及在所述隔离结构上形成所述导电结构。9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述晶体管包含：在各所述主动区的所述基板上形成栅极结构；以及在各所述主动区的所述基板中形成源极/漏极区，其中所述源极/漏极区与所述栅极结构相邻，且具有下表面位于所述导电结构的下表面下方。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，还包含形成多个接触插塞分别与所述源极/漏极区、所述栅极结构、及所述导电结构连接。

技术总结
本发明公开了一种制造半导体结构的方法，包含以下操作。提供沿第一方向延伸的基板。形成横跨基板的沟槽以定义第一主动区及第二主动区。在沟槽中形成底部隔离结构，其中底部隔离结构暴露基板的侧壁的一部分。氧化基板暴露的侧壁以在底部隔离结构上形成顶部隔离结构，其中顶部隔离结构延伸到基板中。形成嵌入顶部隔离结构的导电结构。分别在第一主动区及第二主动区中形成第一晶体管及第二晶体管。本发明的方法可以减少具有反熔丝结构和晶体管的半导体结构的尺寸，从而实现高装置密度。从而实现高装置密度。从而实现高装置密度。


技术研发人员：丘世仰
受保护的技术使用者：南亚科技股份有限公司
技术研发日：2021.04.28
技术公布日：2021/11/4